G02F — Приборы или устройства для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, оптические функции которых изменяются при изменении оптических свойств среды в этих приборах или устройствах например для переключения, стробирования, модуляции или демодуляции; оборудование или технологические процессы для этих целей; преобразование частоты; нелинейная оптика; оптические логические элементы; оптические аналого-цифровые преобразователи

Номер патента: 918923

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Кирющева, Рабинович

МПК: G02F 1/19

Метки: мембранный, модулятор, света

...поверхность. Поверх подложки 1 нанесен слой диэлектрика 3 иэ Паклака и металлизированная алюминием полупрозрачная мембрана М из коллодиевой пленки. Толщина металлиозации составляет около 100 А.Модулятор работает следующим обФормула изобретения Составитель Н.МироновТехред И. Тепер Редактор Г. Волков рректор Н.Швыдка 134/ раж 516ственного комитета СССбретений и открытийРаушская наб., д. 4/ 30 ТВНИИПИ Госудапо делам из5, Москва, Жа писное. Филиал ППП "Па нт" жгород, ул. Проектна 3 91892ти мембраны, а частично - от нижнегозеркального электрода.Иытерференция разделенных лучей 6 и 7 дает картину, зависящую в каж-дой точке от разности фаз лучей, отраженных от мембраны и от нижнего электрода. Разность фаз определяется Фазовыми сдвигами,...

Номер патента: 849881

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Алексеенко, Бансевичюс, Бусилас, Рагульскис

МПК: G02F 1/33

Метки: дефлектор, пьезоэлектрический

...в зоне их контакта происходят косые соударения большой частоты (один удар за период колебаний), которые приводят к по:вороту преобразователя 2 с зеркалом 1 вокруг центра О на угол р. Максимальный угол отклонения зеркала в этом направлении ограничивается узловыми плоскостями и зависит от геометричеаких размеров преобразователя. Поворот зеркала 1 (преобразователя 2)по другому направлению на уголпроизводится при подсоединении электродов преобразователя 2 к трежфазному выходу ге 5 нератора электрических колебаний 9, приэтом преобразователь 4 отключен, а преобразователь 2 совершает иэгибные радиальные колебания типа бегущей волны. При взаимодействии этих колебанийс поверхностью преобразователя 4 (силовой контакт обеспечивается пружиной...

Номер патента: 864992

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Севастьянов, Татаринов, Финкель

МПК: G02F 1/13

Метки: видимости, жидкокристаллических, индексов, индикаторов, одноцветных, предельного, угла

...равной площади участиа индекса,на том же расстоянии от приемника, измеряют зависимость светового потока участ- З 0ка фона от угла между нормалью и направлением измерения и находят предельный угол видимости как угол между нормалью к плоскости индекса и направлением, начиная с которого световые потокииндекса и фона совпадают,Для определения предельного угла видимости индексов индикации устройствотображения визуальной информации измеряют свЕтовой поток излучения участка 40индекса во включенном состоянии и эатемучастка окружающего индекс фона в зависимости от угла между нормалью к поверхности индекса и направлением измерения с помощью приемника с определенными 45значениями апертуры, зрачка и со спектральной чувствительностью,...

Номер патента: 890853

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Власов, Пастушенко

МПК: G02F 1/29

Метки: пучка, светового, сканирующего

...суть настоящего изобретения состоит в том,что сканирующий пучок получают как результат преломления пространственно сжатого медленного импульса на границе резонансной и нерезонансной сред при падении импульса на эту границу под определенным углом.В соответствии со сказанным выше при осуществлении способа с помощью лазера формируют импульс 1 с длительностью, меньшей времени поперечной релаксации для резонансно поглощающей среды 2, ис площадью О) л, Импульс 1 из нерезонансной прозрачной среды 3 направляют на резонансно поглощающую среду 2, например типа полупроводников А В 6 при низких температурах, выполненную в виде клина с углом а, со стороны входной грани 4. Распространяющийся затем в нерезонансной среде 3 импульс 5 удовлетворяет...

Номер патента: 878048

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Грибковский, Зюльков, Иванов, Павловский, Тиминский, Чирвоный

МПК: G02F 1/37

Метки: затвор, оптический, перекрывающий

...мощным лазерным излучением,Целью изобретения является созданиенеподверженного разрушению перекрывающего оптического затвора, срабатывающегопри относительно невысокой плотности излучения (1 - 5 ГВт/см) для спектральнойобласти 5350 в 80 А,Это достигается благодаря применениюмонокристаллических плоскопараллельныхпластин из легированного, например фосфором, теллурида цинка при возбужденииего пикосекундными импульсами света вкачестве перекрывающего оптического затвора для блокировки излучения в спекотральной области 5350 - 8000 А,Перекрывающий оптический затвор изготовляют в ви 1 де плоскопараллельныхпластинок толщиной ОД 9 2 мм из монокристаллического легированного фосфоромтеллурида цинка. При этом уменьшениепропускания такого...

Номер патента: 930198

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Вистинь, Усталов, Чистяков, Яковенко

МПК: G02F 1/13

Метки: визуализации, плоскости, поляризации, света

...наблюдение распределения интенсивности прошедшего света, ориентацию жидкого кристалла выбира ют гомеотропной и в жидком кристалле формируют злектрооптические доме ны второго рода.Способ осуществляют с помощью устройства, включающ слой нематицеского жидкого крист нформула изобретения Составитель А.ПарфеновГехред Т, фанта Корректор У,Пононаренко 1 Редактор В,Лазаренко Заказ 3462/59 . Тираж 516ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 3 93019 ного между прозрачными электродами, размещенными на стеклянных подложках Ориентация жидкого кристалла выбрана гомеотропной. К прозрачным электродам подключен источник...

Номер патента: 935861

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Губарев, Кубраков, Червоненкис

МПК: G02F 1/29

Метки: луча, отклонения, светового

...0 . до поля анизотропии Нк. Для форми-. рования и стабилизации прямолинейной полосовой доменной .структуры на пластину воздействуют локальвам импульс.ным магнитным полем Н 1. Это поле в люббймомент времени, когда Н 11 О, убывает к периферии пластины в выбранном направлении ОУ в плоскости пластины. Формирующаяся при этом система прямолинейных полосовых до- И менов выстраивается вдоль этого на" правления, Предпочтительно симметричное распредепение поля Н в выбранном направлении. ОУ (фиг. 1). Радиальное отклонение луча осуществляют, Ы изменяя величину ппоскостного поля Н,и, Дпя азимутального отклонения луча разворачивают выбранное направ1 фление ОУ вокруг нормали к плоскости пп асти ны.Предлагаемый способ отклонения светового луча дает...

Номер патента: 938237

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Гриб, Гусак, Лепарский, Мащенко

МПК: G02F 1/03

Метки: линза, электрооптическая

...поверхностей, а боковые " в виде частеЙ торов; либо торцевые электроды выполнены плоскими, а боковые - вФ45 виде кольцевых полосок.На фиг. 1 изображено предложенное устройство (вариант) (показано аечение электрооптической линзы, плоскостью у 0); на фиг. 2 - то же, аксонометрическая проекция. Электрооптическая линза состоитиз кристалла 1, который изготовленв виде цилиндра, а также электродов2-5, из которых электроды 2 и 5 вы- зфполнены прозрачными.Работа устройства осуществляетсяследующим образом,7 аНа электроды 2-и 4 подается, например, напряжение с положителЬным потенциалом, а на электроды 3 и 5 .- с отрицательным .(или наоборот), Создаваемая при этом неоднородность электрического поля в кристалле обеспечивает распределение...

Номер патента: 835239

Опубликовано: 30.06.1982

Автор: Казарян

МПК: G02F 1/33

Метки: волны, обращения, фазового, фронта, электромагнитной

...модуляции диэлектрической проницаемости;д - период решетки, задаваемый акустической волной;обеспечивает 100 % -ное отражение плоской электромагнитной волны, падающей из среды с диэлектрической проницаемостью в в среду с проницаемостью еесли выполняется условие72(9 - угол преломления), то часть поверхности вещества, под которой образуется пространственная уголковая структура, будет работать как ретрорефлектор для падающего на нее светового луча.Подбирая параметр И (изменением частоты акустической волны), но так, чтобы вынолнялись условия (1) и (2), можно добиться оптимальных размеров элемен тарных,ретрорефлекторов, обеспечивающих требуемое приближение к времяобращенному отклику падающего светового луча при допустимом числе...

Номер патента: 941917

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Ваценко, Онашко, Руденко, Смилянец

МПК: G02F 1/13

Метки: индикатор

...источника света с 60 кд/м 2 до 600-2000 кд/м , что приводит при большой внешней освещенности к повышенному энергопотребление, пере гре ву и сточни ко в света и их преждевременному отказу 3 1. Недостаток данного устройства заключается в низкой четкости отображаемой информации при внешней освещенности, превцшающей 30000 лк, так как надписи оператором практически не считываются,Целью изобретения является повышение четкости отображаемой информации в условиях повышенной внешней освещенности ( до 80000 лк ) и в пере 5 10 15 20 25 зо кодных режимах при одновременномуменьшении энергопотребления,Поставленная цель достигаетсятем, что в индикаторе, содержащемкорпус с окном, в котором последовательно установлены источник света,трафарет с...

Номер патента: 943628

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Баушев, Дульнев, Мешковский, Помпушкин, Соколов

МПК: G02F 1/133

Метки: блок, индикации

...температуре индикаторный элемент такого блока максимально прозрачен. В этом случае через индикаторный элемент в отраженном свете внешнего источника наблюдается фон любого требуемого цвета. При нагревании увеличи" вается оптическая плотность индикаторного элемента, которая, при определенной для каждого материала температуре, достигает максимального значения, когда индикаторный эле. мент становится непрозрачным и приобретает, например, молочно-белую окраску, рассеивая практически весь падающий на него свет и закрывая фон, Таким образом, блок характеризуется двумя крайними состояниями индикаторного элемента (прозрачное, непрозрачное), а также позволяет получать промежуточные состояния (полупрозрачные) в зависимости от уровня...

Номер патента: 947806

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Беккер, Казаков, Логинов, Публиченко, Цветков

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллический, плоский, экран

...тепловая волнабудет распространяться практическибез отражения на границе сред с разной теплопроводностью, за счет чего 6уменьшается время нагрева и охлаждения жидкокристаллического вещества,В случае отсутствия сглаживающих слоев 6-9 при подаче напряженияна нагревательный электрод 3 проис 65 ходит его нагрев, Тепловая волна распространяется в обе стороны от нагревательного электрода 3 и при прохождении границы раздела двух сред с различной теплопроводностью, например жидкокристаллического вещества 5 (Х=0,132 Вт/м С) и управляющим электродом 4, выполненным из алюминия (Л=210 Вт/м С) происходит частичное отражение тепловой волны обратно в жидкокристаллическое вещество 5 и так с затуханием много раз, что приводит к увеличению времени нагрева...

Номер патента: 949616

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Косарев, Малышев, Цугулиев

МПК: G02F 1/01

Метки: импульсов, оптических, последовательности, формирования

...(Фиг,1) содержит формирователь 1 на пряжения треугольной формы, на вход которого поступают управляющие импульсы. Его выход соединен с входом регулируемого усилителя 2. Выход усилителя через согласующие устройства 40 3 подключен к управляющим электродам переключателя 4 оптических каналов мостового типа.Устройство формирования последовательности оптических импульсов 45 работает следующим образом.Поступившая от лазерного источника по снетоводу на вход переключателя волна на выходе переключателя 4 перераспределяется между снетоводами, его составляющими, Это перераспределение определяется разностью фаз, вносимой фазосднигающей цепью, которая, в сною очередь, определяется напряжением на управляющих электродах. При установлении фазовых сдвигов...

Номер патента: 949617

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Балакший, Нагаев, Парыгин, Щекотуров

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, пространственно-временной, света

...Сколлкмированный световой пучок 11 благодаря зеркалу 7 дважгы проходит через электрооптический кристалл, Прк этом пучок пространственно модулируется в соответствии с распределени - ем электрического заряда по поверхности мишени. Призма 10 служит для 50 пространственного разделения падающего 11 к Выходящего из модулятора несущего изображение светового пучка 12.Важнейшей характеристикой ПБМС является частотно-контрастная характеристика (ЧКХ) - К(Р), Расчет моду - лятора с дополнительным диэлектрическим слоем дает следующее виражение для К(Р)Э ЬРд 3 6 ЪР дЗдСЬГдзумпК(Р) =2 р 1, т,1) Кээддэиддиецт: 1:,), П , .1): Бопредед яюя ся и з стедующихдыраже ни и:в ьМ Г - ) И(Г)-Е)Р :,;, - -, )с 1 (Г+11)р- (1.)СЬ 11 м)р, 3 =(-Р 4)Г(Ят( Е,)(Е 5 ,с...

Номер патента: 949618

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Бансявичюс, Бусилас, Кульветис, Рагульскис

МПК: G02F 1/29

Метки: сканирующее

...входсравнивающего УстрОйстна 10 11 а Цру -гой вход которого через усилитель-.преобразователь 9 грихсдит информация от измерительного преобразователя 8 о,цействительном положении зеркала 1 Выходной сигнал сравнивающего устройства 10 н зависимости ат значения и знака разности входных сигналов поступает на Вход управляющего устройства 12. Управляющее устройство 12 подключает соответствующим образом пьезоэлектрические преобразователи 4 к генератору 13 электрических колебаний. Электрическ 1 е колебания генератора 13 возбуждаютультразвуковые колебания н пьезсэлек- зстрических преобразователях 4 и концетраторах 3 ультразгукавых колебаний,Управляющее устройство 12 обеспечивает два уровня возбуждения концентраторов 3 ультразвуковых кслеба. ний....

Номер патента: 824836

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Васильева, Воровьев, Стафеев

МПК: G02F 1/03, H01L 31/00

Метки: ик-излучения, модулятор

...решетки кристалла) и постоянстве вводимой в кристалл мощности на один носитель заряда е р(р)Е (где р(р) - подвижность дырок, Е - напряженность электрического поля) Ь о (р) падает с ростом дырок в диапазоне р= (1 - 9) 10" см -примерно как Ло р - " (т = 0,5 - О,б 5). Однако величина Ьа р Л (глубина модуляции) при М 1 растет с ростом дырок примерно р"(п=0,35 - 0,5). 5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 С другой стороны мощность, выделяемая в единице объема вещества, растет в непрерывном режиме с ростом дырок, что приводит к разогреву кристалла и падению глубины модуляции света.Гаким образом, при модуляции света в непрерывном режиме должна сущестьовать оптимальная область концентраций дырок, для которой достигается максимальная глубина...

Номер патента: 953611

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Гисин, Мурадян, Черенков

МПК: G02F 1/33

Метки: акустооптический, дефлектор

...в устройстве содержащем кристалл, пьезопреобразователь и источник информативного сигнала, выходной торец дефлектора выполнен в виде призмы, грани которой наклонены под углом Бюрстера для каждого из дифрагированных лучей и покрыты светопоглащающим слоем в области падения основного луча На чертеже представлена схема предлагаемого устройства: кристалл 1 светозвукопровода, пьезопреобразователь 2, звукопоглотитель 3, слой 4 для гашения основного светового луча и источник 5 управляющего сигнала.3 . 9Акустооптический дефлектор работает следующим образом,В кристалле 1 с помощью преобразователя возбуждается упругая волна,создающая периодические области с неодинаковыми показателями преломления - дифракционную решетку, на кото"рой дифрагирует...

Номер патента: 959013

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Берестнев, Думаревский

МПК: G02F 1/015

Метки: апертурой, оптическое, управляемой, электрически

...5 и напряжение ч вхп ыС на электрод б. С ге" нератора 10 подается напряжение чосов о на электрод 7 и напряжение цосов юС на электрод 8, Между электродами 5 и б, а также между электродами 7 и 8 протекают, токи, создающие на резистивном слое 2 потенциальный рельеф цр(х,у), величина которого относительно прозрачного проводящего слоя 4 определяется формулойц р (х, у) = -(х в 1 пой+у совси) -ц (2) 2 цгде цв - амплитуда напряжения, подаваемого с парафазных .генераторов 9 и 10 на электроды5-8;ц - напряжение, поступающее систочника напряжения смещения;Х - расстояние между электродами.При -цсц сц на одну часть выпрямляющего слоя подается положительное смещение, а на другую его часть отрицательное (полярность приложенного напряжения...

Номер патента: 959014

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Землянский, Лоссовский

МПК: G02F 1/03

Метки: модуляции, однополосной

...11 подается на модулятор 9 и, кроме того, через фазовращатель 12 на модулятор 7. Причем управляющие напряжения, сдвинутые по фазе на 90, прикладываются вдоль оси кристалла 001 как в модуляторе 7, так и в модуляторе 9, Одновременно на кристаллы модуляторовз 5 7 и 9 подается постоянное напряжение от источника постоянного напряжения 13, обеспечивающее 90 ф сдвиг по фазе между двумя взаимно ортогональными компонентами луча 15, после смещения 40 лучей 8 и 9 на выходе интерферометра. Для того, чтобы разность фаз, связанная с электрооптическим эффектом,суммировалась, необходимо соблюдать соответствующую полярность напряжения 45 подаваемого на кристаллы модуляторов 7 и 9. Особенностью схемы является автоматическое соблюдение условий...

Номер патента: 959015

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Думаревский, Ковтонюк, Петровичева, Фабричнов

МПК: G02F 1/03

Метки: изображения

...слоя 3, диэлектрическогополя 4, слоя электрооптического материала 5, прозрачного электрода б,а также генератора переменного напряжения 7 и источника считывающегосвета 8. На структуру проецируетсяизображение 9. При использонании поляризованных эффектов н тракт считывания вводятся поляризаторы 10.Работа устройства. заключается вследующем.При подаче на электроды 1 и б импульса напряжения в полупроводнике. Формируется обедненный высокоомвыйслой и все приложенное к структуренапряжение падает на полупроводнике.При освещении полупроводника (проеци-рование изображения 9) его сопротивление падает и происходит переброснапряжения со слоя полупроводника наснетоизлучающий слой и слой электрооптического материала.В этих слоях происходит...

Номер патента: 959016

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Каринский, Кондратьев, Орлов

МПК: G02F 1/29

Метки: дефлектор, оптический

...электродов, первая из которых содержит штыри увеличивающейся длйны, причем участки перекрытия штырей электродов линейно нарастают, дополни тельно введена, по крайней мере одна структура электродов, причем вторая система встречно-штыревых электродов каждой структуры,выпол нена из штырей убывающей длины, а длины штырей первой и второй систем электродов соответственно возрастают и убывают по квадратичному закону.959016 фГ Ю Х г Составитель Н, Назароваедактор Л. Авраменко Техред Т.фанта ил оррек 012(63 ВНИИПИ Го по дел 113035, МосТираж 518дарственного комитета СССР изобретенийи открытийа, Ж, Раушская наб., д. одпи ак лиал ППП "Патент", г.ужгород, ул,Проектная, 4 туры из двух систем встречно-штыре.вых электродов 3,Для более эффективной...

Номер патента: 852073

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Винецкий, Холодарь

МПК: G02F 1/01

Метки: когерентного, пучка, светового, усиления

...световой пучок 1 направля 1 от на слабопоглощающую нелинейную фазовую среду 2. Проходящий световой пучок с помощью отклоняющих зеркал 3 - -5 повторно в направлении, симметричном первоначальному, направляют на среду 2. В результате сложения падающего и переотраженного пучков в нелинейной фазовой среде формируется интерференционнсе поле, в котором индуцируется решетка изменения показателя преломления. Дифракция 10 световых пучков на созданной ими решетке приводит в общем случае к появлению пучков более высокого порядка и перекачке энергии между ними,Например, в случае кристалла с унипо лярной осью, когда решетка сдвинута пофазе относительно возбуждающего интерференционного поля, один из световых пучков (независимо от его интенсивности)...

Номер патента: 820457

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Винецкий, Кухтарев, Марков, Одулов, Соскин

МПК: G02F 1/35

Метки: когерентных, преобразования, пучков, световых

...закону, 1-ехр(Гг), где Г - коэффициент усиления. При достаточно малых значениях Гг, разлагая экспоненту в ряд, получаем 1- + (Гг), (Гг)1. Однако последнее условие может быть достигнуто и при больших значениях коэффициента усиления Г, за счет малости г. Поэтому можно вычислить значение Г при малом усилении4Г:1 и для больших Г, рассматривая случай малого усиления при не слишком больших толщинах прохождения света. Это достигается путем разложения 1,в ряды по малому параметру О, пропорциональном Л(2) 1 ОР 0Рпмюй р и собирания членов одинакового порядкапо Й в (1).Выражение для интенсивностей и фазпрошедших пучков для общего случая произвольной модуляции весьма громоздки, ц поэтому приводятся результаты для конкретных частных случаев.1....

Номер патента: 966650

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Брауде, Вайслейб, Пономарев

МПК: G02F 1/03

Метки: вывода, излучения

...с й,( следую им равнением Юй (п -1Лпи -( п) = аппПЯ)п-ппппПЗи пппащпП и пПпПпппп и( ип, где Ь - толщина пленки; и -+ее показатель преломления.При этом будут изменяться углы высвечивания оптического сигнала, т.е. будет происходить изменение пространственного положения светового луча.Выбор периода решетки, обусловлен следующим.Направления излучения в подложку ., и в воздух () в устройстве, содержащем пленочный световод, расположенный на подложке, на поверхность пленки которого нанесена дифракционная решетка, определяются соотношениямиЧ = агссоз - (и -- )(3)Из выражений (2) и (3) видно, что при заданной частоте (длине волны). сигнала, распространяющегося по световоду, направление излучения является неизменным, поскольку эффективный...

Номер патента: 966651

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Капустин, Пикин

МПК: G02F 1/137

Метки: жидких, записи, информации, кристаллах, стирания, хранения

...глубоко охлаждена смектическая фаза. Если охлаждение неглубокое, т.е.температура вещества близка к точке перехода в нематическую Фазу, то благодаря упругим силам в смектике ориентация молекул может за небольшое время возвратиться в исходное состояние. Если охлаждение смектика глубокое, то вследствие образонания многочисленных дефектов структуры (дислокаций и дисклинаций) места ячейки с наклонной ориентацией молекул сохраняются требуемое нремя. Это время хранения становится практически неорганиченным, еслй смектик охладить ниже точки перехода в твердый кристалл, Стереть записанную и сохраненную информацию легко, нагрев ячейку заметно выше точки перехода .в нематическую фазу.Вдоль плоскости ячейки устанавливается с помощью...

Номер патента: 966652

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Дерюгин, Китаев, Константинов

МПК: G02F 1/33

Метки: акустооптический, дефлектор

...слоистой структуре, и результате которой часть ультразвукового пучка. отклоняется от первоначального напранления распространения на некоторый угол В, определяемый соотно- шением г 1.о то РУ ск да,куспро 1 п - = А/В 2 е иии +Ч щахвдНеотклоненная часть ультразв .ного пучка проходит через форми щий эвукопровод и поглощается в тителе, расположенном на его бо грани. Величина угла отклонения тразвукового пучка определяется тотой ультразвука и, таким обра обеспечивается сканирование уль звуконого пучка при изменении ч ты. уюпоглонойульчасом,растоБрэггонский тип дифракции ультразвука в формирующем звукопроводе, характеризующийся отсутатнием побочных максимумов н диаграмме направленности излучения ультразвука, позволяет исключить...

Номер патента: 849880

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Сонин, Сухенко, Шибаев

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, слоев, степени, структуры, упорядоченности, холестерических

...абсцисс, пересекающий ее в точке С, а вторую спектрограмму 11, являющуюся опорной кривой, в точке О. Полученный отрезок ОС делят пополам и из его середины в точке Д проводят кривую, аналогичную и параллельнуЮ опорной кривой 11, до пересечения ее с реальной и восстановленной спектрограммами 1 и 111 соответственно в точках В, А, и Е. Из этих точек опускают перпендикуляры на ось абсцисс соответственно в точках В, А и Е. Определяют величину полуширин реальной и восстановленной полос пропускания - отрезков ЕВ и ЕА. Находят искомую степень упорядоченности структуры или иначе параметр порядка Я, по формуле (1), как отношение найденных полуширин полос пропускания:Ю,: :" . (1)ЬХрал, ЕвПри идеально упорядоченной структуре жидкого кристалла, когда...

Номер патента: 972460

Опубликовано: 07.11.1982

Автор: Кириченко

МПК: G02F 1/13

Метки: жидких, индикатор, кристаллах, матричный

...сохраняется в течение длительного времени после отключения управляющих сигналов без дополнительной затраты электрической энергии.Стирание записанной статической ин- ф9 формации осуществляется подачей на эти же электроды ячейки переменного электрического напряжения, в результате чего достигается прозрачность смеси жидких кристаллов.Динамическая информация отображается с помощью второй матричной ячейки при использовании в ней нематического жидкого кристалла, оптической "памятью" не обладающего, 50На фиг. 1 и 2 изображен матричный индикатор, представляющий собой две последовательно включенные относительно луча подсчета матричные жидкокристаллические ячейки; на фиг, 3 - графики зави- И симости нормированной интенсивности света от величины...

Номер патента: 972461

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Визен, Пустовойт

МПК: G02F 1/33

Метки: излучения, оптического, поляризацией

...поляризованных лучей осушес твляют путе их пропускания через акустооптическую ячейку под разными углами, при этом изменяют частоту ультразвука в акустооптической ячейке,. На чертеже схематично представлено предлагаемое устройство, общий вид.Устройство содержит источник 1 излучения, поляризатор 2, поляризационный расшепитель 3, акустооптическую ячейку 4 и поляризационный соединитель 5. Исходное излучение 1, пройдя поляризатор 2, поля1формула 4изобретения Способ управления поляризацией оптического излучения, включающий егоразделение на два ортогонально поляри, -зованных луча и дифференциальное воздействие на каждый из них, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышенияточности, дифференциальное воздействиена каждый иэ ортогонально...

Номер патента: 702864

Опубликовано: 15.11.1982

Авторы: Капустина, Лупанов, Чилая

МПК: G02F 1/13

Метки: акустооптический, запоминающий, элемент

...волн; на фиг. 3 - зависимость коэффициента рассеяНия света в нематико-холестерической смеси от акустической интенсивности. Жидко,кристаллическая ячейка (фиг. 1 содержит .отражаюшую свет звукопрозрачную пластину 1, слой нематико-холес-. терической смеси с планарной ориен-, тацией молекул 2, оптически прозрачную пластину 3, прокладкй из фторопласта 4, герметизирующее покрытие 5 и проводящие покрытия с выводами 6, нанесенные на звуко- и оптически про- З 5 зрачные пластины. Устройство визуализации (фиг. 2) содержит ванну 7, наполненную водой акустический из-лучатель 8, ячейку 9, акустическую линзу 10 и источник света 11. Ис 40 следуемый объект 12 помещается между излучателем 8 и линзой 10.Устройство работает следующим образом.Линза 10...