G02F 1/015 — основанные на полупроводниковых элементах по меньшей мере с одним потенциальным барьером, например, P-N-, P-I-N-переходами

Номер патента: 329499

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Мартыненко

МПК: G02F 1/015

Метки: излучения, модуляции, электромагнитного

...частота которого равна плазменной частоте свободных носителей заряда в материале.Способ основан па явлении плазменного резонанса в полупроводниках, которое характеризуется изменением отражательной способности поверхности от 0 до 1 для излучецця частоты ор -- при увелил-о(-. - 1) ниц концентрации свободных носителей в скин-слое на единицы проценгов от равновесной.К преимуществам способа можно отнести большую глубину модуляции, обусловлсццио острым плазменным резонансом, и малые начальные потери, так как ццтенсцвность цеослаблеццого модулятором цзлученця практическии равна интенсивности создаваемого генератором излучения.П р ц м е р. В полупроводниковой пленке дшгдмцческц цзмсц 5 цот (це изменяя ее состава и структуры) коццецтрдцшо...

Номер патента: 959013

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Берестнев, Думаревский

МПК: G02F 1/015

Метки: апертурой, оптическое, управляемой, электрически

...5 и напряжение ч вхп ыС на электрод б. С ге" нератора 10 подается напряжение чосов о на электрод 7 и напряжение цосов юС на электрод 8, Между электродами 5 и б, а также между электродами 7 и 8 протекают, токи, создающие на резистивном слое 2 потенциальный рельеф цр(х,у), величина которого относительно прозрачного проводящего слоя 4 определяется формулойц р (х, у) = -(х в 1 пой+у совси) -ц (2) 2 цгде цв - амплитуда напряжения, подаваемого с парафазных .генераторов 9 и 10 на электроды5-8;ц - напряжение, поступающее систочника напряжения смещения;Х - расстояние между электродами.При -цсц сц на одну часть выпрямляющего слоя подается положительное смещение, а на другую его часть отрицательное (полярность приложенного напряжения...

Номер патента: 680462

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Бродзели, Сихарулидзе, Чавчанидзе

МПК: G02F 1/015, G02F 1/03

Метки: изображения, электрооптический

...экранирования, в полупроводник проникает сильное поле и возникает обедненная область по всей толще полупроводника. В таком состоянии основная часть напряжения распределена на слое Полупроводника, и величина напряжения на слое электрооптического материала мала для модуляции его оптических характеристик.При подаче со стороны оптического входа изображения из области спектральной чувствительности полупроводника, в слое полупроводника 3 происходит фотогенерация носителей, пропорциональная освещенности каждой точки. Носители под воздействием поля в полупроводнике дрейфуют к границе раздела полупроводник-диэлектрик за время10 - 10 с, экранируя при этом часть напряжения в полупроводнике и перераспределяя его на электрооптический слой, Это...

Номер патента: 1403004

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Голубев, Сухотин

МПК: G02F 1/015

Метки: детектирования, излучения, модулирования, оптического

...оптического излучения. 1 ОНа фиг. - 3 схематично изображейо предлагаемое устройство, включаю- ее один электрод, разрез; на иг.4 - то же, включающее несколько лектродов. 15Устройство содержит подложку 1, полноводный слой 2 на поверхности одложки, в котором сформирована отоприемная область для модулирова ия и детектирования оптического изучения с применением эффекта францаелдьппа, и по крайней мере один электр д 3, Фотоприемная область волновоа 2 выполнена с положительным градие том коэффициента поглощения Ы опти ческого излучения по направлению распространения оптического излучения, Эго достигается при использовании ЭФК применением резистивного электрода 3 (фиг.2), диэлектрической прос лоики 4 (фиг.3) или нанесением на...

Номер патента: 1506421

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Кашерининов, Кичаев, Семенов, Ярошецкий

МПК: G02F 1/015

Метки: коммутации, потока, светового

...тока. К электродам 5структуры прикладывалось постоянноенапряжение 0=300 В, запирающее р - ипереход 3.В качестве источника коммутируемого света использовался лазер55ЛТН, излучающий на длине волны,1,06 мкм, Излучение вводилось воптическое волокно через градиентнуюлинзуЭ так что входной пучок имел 50 3 150642 рога, резкое возрастание сигнала на заднем фронте импульса фототока (фиг.2) Это позволяет значительно сократить время релаксации импульса5 управляемого света (фиг.3) и таким образом обеспечить возможность увеличения скорости коммутации световыхПОТОКОВ сПри предлагаемом способе коммутации световых потоков использовалась структура, созданная на полупроводниковом электрооптическом кристалле8 -Э СйТе р-типа проводимости (р=10 см ),...

Номер патента: 1364039

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Петров, Степанов, Трофимов

МПК: G02F 1/015

Метки: оптического, преобразования, сигнала, электрический

СПОСОБ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ОПТИЧЕСКОГО СИГНАЛА В ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ сигнал путем освещения фотопроводящего элемента, с которого снимают электрический сигнал, фазомодулированным и референтным пучками света, формирующими интерференционную картину на элементе, отличающийся тем, что, с целью увеличения отношения сигнал/шум и упрощения способа, угол между фазомодулированным и референтным пучками устанавливают таким, чтобы частота интерференционной картины K находилась в диапазоне от 0,1L-D1 до 10 L-D1 где диффузионная длина; D коэффициент диффузии фотоэлектронов;