H01S 3/108 — с использованием нелинейного оптического прибора, например с бриллюэновским или раманским рассеянием
Устройство для измерения частоты излучения лазера
Номер патента: 1088626
Опубликовано: 30.05.1991
Авторы: Базаров, Герасимов, Губин, Сазонов, Старостин, Фомин
МПК: H01S 3/106, H01S 3/108
Метки: излучения, лазера, частоты
...для измерениячастоты излучения лазера, включающего резонатор, одно из зеркал которого установлено на пьезокерамике, содержащее систему автоподстройки частоты, включающую нелинейно-поглощающую ячейку, индикатор, и соединенные последовательно фотоприемник, усили- , тель, Фазовый детектор, интегратор, усилитель постоянного тока, переключатель и генератор модулирующего напряжения, выход которого соединен с пьезокерамикой, а также эталонный лазер, введены соединенные последовательно генератор сннусоидального напряжения, фаэовращатель, формирователь импульсов, коммутатор .фазы на 180 и ключ, причем выход генератора синусоидального напряжения соединен также с пьезокерамикой зеркала и входом индикатора, выход фазового детектора соединен...
Параметрический генератор ультракоротких импульсов оптического диапазона
Номер патента: 782678
Опубликовано: 20.02.1996
Авторы: Бабин, Беляев, Веревкин, Каров, Фрейдман
МПК: G02F 1/37, H01S 3/108
Метки: генератор, диапазона, импульсов, оптического, параметрический, ультракоротких
1. ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР УЛЬТРАКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ ОПТИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА, содержащий резонатор с расположенным внутри него линейным кристаллом, и генератор импульсов накачки, отличающийся тем, что, с целью снижения пороговой плотности мощности накачки и увеличения степени когерентности генерируемого излучения при малом числе импульсов накачки, в него введены оптически связанные по лучу накачки, по крайней мере, два отражательных элемента, расположенных относительно нелинейного кристалла, так, что падающий на каждый из элементов и отраженный от него луч проходит через центр нелинейного кристалла по образующим конуса синхронизма, а расстояние от центра кристалла до каждого отражательного элемента равно расстоянию от центра кристалла до...