G02F — Приборы или устройства для управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света, оптические функции которых изменяются при изменении оптических свойств среды в этих приборах или устройствах например для переключения, стробирования, модуляции или демодуляции; оборудование или технологические процессы для этих целей; преобразование частоты; нелинейная оптика; оптические логические элементы; оптические аналого-цифровые преобразователи

Номер патента: 1800434

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Ильченко, Москалев, Обозненко, Погорелова, Смирнов

МПК: G02F 1/33

Метки: акустооптическое, двухкоординатного, луча, оптического, отклонения

...в плоскости чертежа - по поверхности отражательного зеркала 4. При этом одновременно за счет анизотропности акустооптического взаимодействия происходит поворот плоскости поляризации светового пучка на 90 ц, Отражающее зеркало 4 возвращает горизонтально отклоненный пучок в направлении телескопической системы 3 в пределах ее поля зрения, который проходит АОЯ 2 без взаимодействия с ней из-за невыполнения брэгговских условий (отличие поляризации и угла падения), Телескопическая система 3 трансформирует сечение светового пучка, 55 может быть выполнено на основе так называемого "косого" среза парателлурита. Анизотропия парателлурита приводит к тому, что угол дифракции равен 0, Таким образом, если отклоненный АОЯ свет направить обратно в...

Номер патента: 1800435

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Легомина, Янов

МПК: G02F 3/00

Метки: вентиль, оптический

...определяемое величиной сигнала на выходе источника напряжения 12, то обратный луч не гасится на дихроичном поляризаторе 1 или на диафрагме 3, а отводится в сторону от оптической оси. Если все таки какая-то часть обратного луча проходит через отверстие в диафрагме 3 или через поверхность конусного отверстия, то она погасится на дихроичном поляризаторе 1. Следовательно, дихроичный поляризатор 1 оказывается защищенным от воздействия обратного луча высокой мощности, Порог срабатывания системы управления определяется величиной сигнала на выходе источника напряжения 12,(-до = 1 дЕ -ОЕ,(3) оси). -20Если в процессе эксплуатации будет нарушена целостность поверхности конусно 1 ДО = К - таад а(7) Таким образом, данный оптический вентиль имеет два...

Номер патента: 1800436

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Дмитриев, Янов

МПК: G02F 3/00

Метки: вентиль, оптический

...8, которая обладает значительно более высокой лучевой стойкостью, чем дихроичный поляризатор 1, Такой вариант углового селектора 3 применим в случае, когда апертура пучка (как прямого, так и обратного) небольшая и когда нет ограничений на габариты оптического вентиля вдоль оптической оси (т,е. когда диафрагму 8 можно расположить достаточно далеко от магнитооптического элемента 5).В качестве углового селектора 3 может быть также применена совокупность последовательно расположенных на оптической оси первой фокусирующей оптической системы 9, диафрагмы 10 и второй фокусирующей оптической системы 11, Прямой луч (на фиг,З изображен сплошными линиями) проходит через первую фокусирующую оптическую систему 9, фокусируется в отверстии ....

Номер патента: 1800437

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Богухвальский, Колесницкий, Коломиец, Красиленко

МПК: G02F 7/00

Метки: аналого-цифровой, изображений

...отображению остатков "2" по модулю М 1 = 3 и 3 по модулю М 2 = 5, Второй оптический импульс (см.фиг,4 б) установит в единичное состоянИе в первом операционном блоке 41 оптический В-З триггер 612, а во втором - оптический В=Я триггер 625, что соответствует отображению остатков "1" по модулю М 1 = 3 и остатку "4" по модулю М 2 = 5. Аналогично происходит получение выходного кода для всех точек исходного изображения и по другим модулям. Весь цикл преобразования в предлагаемом устройстве определяется частотой генератора тактовых импульсов 25, количеством модулей (операционных блоков) и значениями моду- лей Тц = ТтактГЙ 1 П 12 ,ГПгде Ттакт - период тактовых импульсов;пт 1, п 12 пц - значение модулей, используемых в предлагаемом...

Номер патента: 1803900

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Коган

МПК: G02F 1/135

Метки: модулятор, пространственно-временной, света

...световой поток направляется на ПВМС со стороны ЖК слоя 6, Он 5проходит вторую стеклянную подложку 8,второй прозрачный электрод 7 и слой ЖК 6,после отражения от диэлектрического зеркала 5 световой поток вторично проходитслой ЖК 6, прозрачный электрод 7 и стек- "0лянную подложку 8, При этом считывающийсветовой поток пространственно модулируется слоем ЖК по интенсивности, фазе илиполяризации в зависимости от свойств применяемого ЖК, 15Объемный заряд, образованный связанными носителями тока, расплывается соскоростью, определяемой максвелловскимвременем релаксации г = ре, где р - удельное сопротивление фоточувствительного 20слоя, а е его диэлектрическая проницаемость.Для широкозонных полупроводников г 10с, что много больше...

Номер патента: 1803901

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Дикарев, Замолотнов, Крюков, Янов

МПК: G02F 3/00

Метки: вентиль, оптический

...расходящимся. Излучение, распространяющееся в обратном направлении при прохождении через анализатор 5, распадается на два луча - обыкновенный и необыкновенный. Необыкновенный луч отклоняется от оптической оси и не попадает в лазер 1, Обыкновенный луч после прохождения через вторую линзу 4 проходит через фарадеевский ротатор 3, где его плоскость поляризации поворачивается на 45 и становится перпендикулярной плоскости поляризации генерируемого лазером 1 оптического излучения. Вследствие того, что плоскость поляризации обратного излучения будет иметь плоскость поляризации, перпендикулярную плоскости поля ризации выходящего из первого световода 1, обратное излучение будет очень слабо влиять на процесс генерации полупроводнико 5 10 15 20...

Номер патента: 1803902

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Кожемяко, Колесницкий, Красиленко, Рева

МПК: G02F 7/00

Метки: аналого-цифровой, изображений

...и развивается лавинообразный процесс включения уже без дальнейшего увеличения входной мощности, Для сброса порогового блока необходимо выключить источник 29, подав нулевой потенциал на вход 16, и убрать входное излучение(выключить источник 9 блока 1),Оптический пороговый блок 3 также может быть выполнен в виде ОУТ с внутренней фотоэлектрической обратной связью или на основе нелинейных оптических кристаллов,Модуляторы 2 и 5 могут быть выполнены в виде пластины электрооптического материала (например ЦТСЛ-керамики), заключенной между двумя прозрачными электродами, к которым прикладывается управляющая разность потенциалов, Коэффициент пропускания ЦТСЛ-керамики практически линейно зависит от приложенного напряжения.Оптоэлектронный затвор 6...

Номер патента: 1805436

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Гутенко, Удоев

МПК: G02F 1/03

Метки: волноводный, модулятор, света

...к увеличению максималь.35 ного пропускания резонатора и к уменьшению минимального пропускания, т.е, к 40 50 Л= Л в(Йгп, (2)где Й - эффективный показатель преломления рабочей моды, Ипц. а высота гофраизвестным методом выполнена возрастающей по ходу направляемой волны и обеспечивающей равномерное распределениеплотности мощности управляющего излучения по сечению выведенного в подложкупучка,Модулятор, показанный на фиг.3, отличается от модулятора на фиг.1 б лишь тем,что между второй поверхностью 3 подлокки1 и зеркалом 6" имеются дополнительныйволноводный слой 12 и оптические изолирующие слои 5, а модулятор снабжен дополнительным средством 13 для возбуждения вдополнительном волноводе каналируемогоквазимонохроматического...

Номер патента: 1805437

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Майер

МПК: G02F 1/03

Метки: мультивибратор, оптический

...характеристики в средних точках М 1 и М 2 (т.е. коэффициент усиления оптического транзистора) оценивается по формуле 51:сз= д 1 ре/д 11 зо 1= 55 9 за/д 11 зО=ехр(3 )/8.В областях самопереключения справедлива аппроксимация 5)г Т 43 51 -- 1 г 1/16 ехр 1.1+(г 1/256) ехр (21 )где г 1 ь 1-г=1-(Яор-Я 1 з)2для случая ввода накачки и сигнала в разные волноводы, и г 1 =1-(Яор+Вь) для случая ввогда накачки и сигнала в один волновод.Полученные результаты можно использовать для создания оптических мультивибраторов, устойчивых к нестабильности фазы волны в цепи обратной связи, Примеры таких мультивибраторов показаны на фиг.2, Используем основную идею 1,2) создания оптического мультивибратора на ТСВ.Пусть, например, постоянное линейно...

Номер патента: 1805438

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Бурцев, Коротков, Попов, Третьяков, Хикматов

МПК: G02F 1/035

Метки: излучения, импульсной, коэффициента, модуляции, оптического, отражения

...35простые методы генерации ИК-импульсов вдиапазоне не10 с. Как уже отмечалось,изменение величины и от 1 до 0,96 приводитк росту В от 10 до 100%. При росте пг от 0,96до 1 получаем противоположное изменение 40В (угол падения луча на границу раздела вэтом случае устанавливается 0 = 43,68 ).Для частоты оптицеского излучения, попадающей в красное (низкочастотное) крыло полось 1 молекулярного поглощения, 45колебательное возбуждение приводит к более сложной относительности случая высокочастотной накачки зависимости ПП газа от степени возбуждения, а следовательно, и времени, В этом случае наблюдается резкая смена знака разности (пг), Таким образом,показатель преломления в расчете на 1 атмЯЕ 6 падает от 1,03 до 0,95 с последующим далее...

Номер патента: 1805439

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Виноградова, Студенов, Цуккерман

МПК: G02F 1/13

Метки: излучения, модулятор, оптического

...оптических и оптико-электронных приборов и устройств, в частности пространственно-временных модуляторов света. Сущность: поляризационный фильтр, входящий в состав модулятора, выполнен из И секторов поляризационной пленки, каждый из которых имеет одинаковый угловой размер, равный 360/К, а ось симметрии каждого сектора совпадает с плоскостью пропускания пленки, 1 ил,ния света в секторах фильтра, стрелкой - световой поток).Модулятор был изготовлен практически с применением йодно-поливиниловой пленки, что обеспечивает применение модулятора в широкой спектральной области (350 нм - 800 нм). Вырубка пленки для каждого сектора осуществлялась с помощью приспособления, обеспечивающего одинаковый360угловой размер а = - )- и расположение оси...

Номер патента: 1805440

Опубликовано: 30.03.1993

Автор: Белов

МПК: G02F 1/29

Метки: внутренней, излучения, инжекционного, лазера, модуляции

...снижает перенос энергии и, благодаря пространственному совпадению в волноводе максимумов акустического давления и напряженности поля генерируемой световой волны, увеличивает экономичность модуляции излучения устройства,Под центром оптического волновода подразумевается область, где находится максимум напряжен ности электрического или магнитного поля световой волны (в зависимости от ее типа).Устройство обладает на 1,4 порядка выше экономичности модуляции излучения по сравнению с аналогичным устройством, конструкция которого позволяет реализовать режим модуляции бегущим акустическими волнами с той или иной степенью бегучести. При этом мерой экономичности являются затраты мощности, например, акустической волны, требуемые для достиженил...

Номер патента: 1805441

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Легомина, Янов

МПК: G02F 3/00

Метки: вентиль, оптический

...Сигнал 014 с выхода перемножителя 14 поступает на возбудитель первого сканирующего устройства 5. Через фазовращатель 11, осуществляющий сдвиг фазы на д/2, сигнал поступает на вход возбудителя второго сканирующего устройства 6, Обратный луч после прохождения через светоделительное зеркало 7 проходит через второе сканирующее устройство 6, которое при тьо осуществляет периодическое изменение направления распространения обратного луча по гармоническому закону с частотой.равной частоте сигнала на выходе генератора 20 и с амплитудой, меняющейся по пилообразному закону.,После прохождения через первое сканирующее устройство 5 обрат н ый луч и ри т 10 осуществляет периодическое изменение направления распространения по гармоническому закону в...

Номер патента: 1805442

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Легомина, Янов

МПК: G02F 3/00

Метки: вентиль, оптический

...эллипсу, если амплитуды через дихроичный поляризатор 1 прямого отклонения обратного луча в первом и втолуча. Светоделительное зеркало 7 часть об- ром сканирующих устройствах 5 и 6 не равратного луча направляет на фотоприемник 40 нымеждусобой.(Еслиэтиамплитуды равны 12. Электронный компаратор 13 сравнивает между собой, то обратный луч будет дви-. сигналы с выхода фотоприемника 12 и ис- гаться в пространстве по круговой траектоточника напряжения 14, Если сигнал с выхо- рии). Период движения обратного луча по да фотоприемника 12 меньше сигнала с эллипсу(или кругу)будетравенпериодусигвыхода источника напряжения 14 (первый 45 нала на выходе генератора 16. После прорежим работы), то сигнал, подаваемый с вы- хождения через вторую собирающую...

Номер патента: 1822997

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Возчиков

МПК: G02F 3/00, H04N 1/44

Метки: изображения, передачи

...а, Ь элемент изображения.Например значения а, Ь 2, соответстйвуют 256 уровневому квантованию интенсивности, предельный коэффициент плотности кодирования у = 0,99, При условии Р-кратных разбиений коэффициент ортогональной декорреляции е(ВР) = 0и в общем виде(7) т т;+у = 1 -Осг 2 Вр/2) оц 2 П - -Г - (8) где Р - коэффициент двумерных разбиений, кратность разбиения,Гр .- - П множество элемеюов р-кратного разбиения,В" случайная величина равномерно распределенная на интервале а, Ье: Г 1 Д +Ь На фиг.1 приведена блок-схел 4 а устройства; на фиг,2 - Р-кпдтные разбиения двумерной ортсвональной матрицей,Способ передачи изображения состоитиз следу:4 в 4 х операций: апертура изображения разбивается нд крдтные Фрагменты,элеме ты таким образом, что...

Номер патента: 1824618

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитного, неоднородного, поля, топографирования

...доменная венно неодноро создает магнитост крепляющие доменбретения, обеспечиваюоложительного эффекта внии, заключается в слеОм состоянии В Отсутструемого и внешних пленке существует лаби- Структура, ПространСтдное магнитное поле этические ловушки, эаные стенки. При прило1824618 Составитель М, ЛогуновТехред М.Моргентал Корректор В. Петрэш Редактор Заказ 2225 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Рэушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул Гэглпнцд 101 жении переменного или импульсного внешнего магнитного поля перпендикулярно плоскости пленки с амплитудой, меньшей ее поля насыщения, приводит к тому, что амплитуда смещения...

Номер патента: 1824619

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: визуализации, магнитных, полей, топографирования

...плоскости пленки с частотой более 4 ч/Р также приводит к изменению ширины доменов, однако период доменов не успевает измениться, Приложение низкочастотного магнитного поля приводит к одновременному изменению и ширины, и периода лабиринтных доменов. Одновременное приложение постоянного и переменного магнитных полей перпендикулярно плоскости доменосодержащей пленки, в сумме не превышающих поля насыщения доменосодержащей пленки, приводит к небольшому изменению ширины невыгодно намагниченных доменов вокруг среднего значения, определяемого суммарным полем, но к значительному изменению ширины выгодно намагниченных доменов и, как следствие, периода доменной структуры,Если топографируемое магнитное поле однородно, то приложение...

Номер патента: 1824620

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Асташев, Купченко, Резниченко

МПК: G02F 1/11

Метки: анализа, излучения, оптического, спектрального

...при одинаковом угле падения углы дифракции для различных длин волн будут различны.На фиг,1 представлены зависимости брэгговских углов, возникающих благодаря оптической активности от частоты ультразвука для длин волн света Х 1 - 0,6328 мкм, 12=0,5154 мкм, Аз =0,488 мкм, для параметров парателлурита и скорости ультразвука ч=0,616 ф 10 см/с, рассчитанные из выражения2 К,п пг пг КгзпгКо пе Ко2 покб 9 Ьпегде по и ле - обыкновенный и необыкновенный показатели преломления,цэ 5 - компонента тензора гирации,к - волновой вектор света в пустоте (фиг.1),На фиг.2 представлены экспериментальные зависимости для тех же длин волн света, снятые для кристалла парателлурита. Предлагаемый способ спектрального анализа реализуется следующим образом, Буля...

Номер патента: 1824621

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Андреев, Компанец, Парфенов, Пожидаев, Чигринов

МПК: G02F 1/135

Метки: излучения, модулятор, оптического

...поляризаторов - исходное пропускание мало). Причем, поскольку молекулы ориентированы полем вполне определенным образом - их диполи параллельны полю, а директор молекул в этом случае перпендикулярен полю, то пропускание конечного состояния - при включенном поле - то же может быть выбрано взаимным расположением поляризаторов и направления поля. Например, при перпендикулярности поля и плоскости поляризации поляризатора - пропускание минимально (для скрещенных поляризаторов), при их взаимной ориентации под углом 45 градусов - пропускание определяется обычным соотношениемТ= эи (2 лоб/4где п, б, Я имеют смысл указанный выше.Были проведены испытания модулятора, выполненного по данному техническому предложению, Модулятор использоеал...

Номер патента: 1829021

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Воеводин, Гладкий, Яковенко

МПК: G02F 1/03

Метки: волноводный, мод, оптических, управляемый

...волноводной структуры при данном приложенном управляющем напряжении 01 к металлическим электродам 5, будет иметь на границе раздела областейи И постоянную распространения (-Ь/3), и при переходе в четырехслойную волноводную структуру(область И, фиг, 1) будет преобразовываться в оптическую излучательную моду, т.к. не выполняется услсвие согласования по постоянным распространения оптической волноводной моды ТМ-типа трехслойной волноводной структуТаким образом, на оптическом выходе 8 будет зарегистрировано оптическое когерентное излучение ТЕ-поляризации,. Подадим на металлические электроды 5 управляющее напряжение О 1 такой полярности, чтобы участок оптического волновода 2, заключенный в межэлектродной области металлических электродов 5,...

Номер патента: 1831710

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Зубарев, Игнатенко

МПК: G02F 1/35

Метки: плотности, поля, реализации, статистических, флуктуации, характеристик

...электромагнитной волны со средой, зкспоненциальный множитель в (3) остается неизменным. Поэтому принято обозначение комплексной амплитудыаоехр(а 1+ дЪ)=но.После двойного пропускания зондирующей волны через среду 4 и, с учетом того, что, во-первых, на ветви оптической. схемы АВС происходит переворот изображения вокруг оси Е на 180 о, во-вторых, на отражателе 14 происходит отражение с обращением волнового фронта, комплексная амплитуда волны будет иметь вид 1ц=С 1+Сгехр( ф(х,-у, т). р (х,у, т, (4)где введены обозначениЯ: С 1=цо(т 112+Р 1 Р 2); С 2=20 оЫгР 1 Р 2; т 1, 12, Р 1, Р 2- соответственно коэффициенты пропускания и отражения зеркал 5 и 7, причем, 1+р=1. Будем считать для простоты, что для зеркал 6, 912 и для ОВФ зеркала 14...

Номер патента: 1833826

Опубликовано: 15.08.1993

Авторы: Борошнев, Клюкин, Ковтонюк, Поликарпов

МПК: G02F 1/135

Метки: изображения, преобразования

...изображение, которое с помощью светоделителя 22 направляется на фоточувствительный слой 14 второй многослойной структуры, Отображение производится с помощью второго проекционного объектива 2 б. Компенсационный фильтр 25 служит для снижения интенсивности излучения, попадающего на вторую структуру, так как потоки, попадающие на первую и вторую структуры, отличаются на несколько порядков по величине, Вторая многослойная структура подключена первым прозрачным электродом к первому прозрачному электроду первой многослойной структуры, а вторым прозрачным электродом - к первому выходу генератора переменного напряжения 18, Таким образом, данное устройство представляет собой две последовательно соединенные многослойные структуры, к которым...

Номер патента: 1835530

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Сулукиди, Цветков

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллической, ячейки

...в состояние динамического рассеяния, слой ЖК становится мутным. молочно- белым со слабым желтым оттенком, Увеличивают частоту управляющего напряжения до 400 Гц и наблюдают, что возле входного отверстия слой ЖК продолжает оставаться мутным (есть рассеяние), а возле выходного отверстия слой ЖК практически прозрачен (нет рассеяния), а вдоль направления от входного и выходного отверстия наблюдается разная степень рассеяния, Обусловлено это явление тем, что возле выходного отверстия ЖК материал обеднен электропроводящей добавкой и его критическая частота возникновения эффекта ДРС существенно ниже 400 Гц (около 20 Гц). Таким образом при изготовлении ячейки по способу применяемому в аналоге проявляется "классический" хроматографический...

Номер патента: 972815

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Братцев, Бутусова, Гаврилов, Данилова, Шелепин

МПК: C07D 213/20, G02F 1/23

Метки: 1-диметил-4, 4-дипиридилийдикарбаундекаборат, качестве, компонента, состав, состава, электрохромного, электрохромный

...4,4 г (10 ммоль) 1,1-диметил,4-дипиридилиййодида в 50 35 мл воды. Выпавший осадок 1,1.-диметил,4-дипиридилийдикарбаундекарбората отфильтровывают, промывают водой и сушат на воздухе. Целевой продукт. перекристаллизовывают из смеси ацетона со 40 спиртомВыход 3,81 г(84от теоретического), т.пл. 242-244 С.Найдено, %: С 42;09: Н 8,37; й 6,33.С 16 НЗО В 181 М 2Вычислено, %: С 42,41; Н 8,45; й 6,18. 45 Электрохромные свойства предлагаемого вещества оценивались электрохромнцми характеристиками изготовленных на его основе составов,Известное решение (и рототип), В 0,5%- 50 ном растворе полиметилметакрилата в бутиролактоне растворяют диперхлорат 1,1-диметил,4-дипиридилия в 2-ной концентрации и смесь моно-, ди-, три-третбутилферроцена в 3%-ной...

Номер патента: 2002286

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Герхард, Клаус, Норберт, Такамаса

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллического, индикаторного, нагрузкам, переключающего, устойчивого, устройства

...импульсов ориентируется в двух устойчивых позициях, расположенных по отношению друг к другу под углом коммутации 2 О,фф, Элемент термостатируется при температуре 25 С и настраивается под поляризационным микроскопом таким образом, чтобы одно из обоих состояний было как можно с более низкими пропускающими свойствами, а другое коммутационное состояние - с высокими. Приведенные в табл, 1 значения степени оптического пропускания относятся к максимальной степени пропускания света через СЖК-элементы при параллельном расположении поляризаторов. В табл.1 указанные значения для СЖК-смесей с содержанием коронандов и криптандов, указанных в примере 1, говорят о высоком качестве ориентации в темном состоянии (низкая степень пропускания, Т), а...

Номер патента: 1204056

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Воеводин, Морозов

МПК: G02F 1/37, G02F 2/00

Метки: варианты, диапазона, его, излучения, оптического, частоты

Номер патента: 2003150

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Майер

МПК: G02F 3/00

Метки: мультивибратор, оптический

...излучения начинает вводиться (вместе с накачкой) в нулевой волновод, и поэтому еще через время т, т.е. в момент ", = 2 г+ т все излучение начинает выходить уже из нулевага волновода. Следовательно, ь момент т = 2 т+ 2 г прекращается ввод сигнала в нулевой волновод, и поэтому в момент 1 = 2 г + Зг все излучение вновь выходит из первого волновода, В дальнейшем процесс повторяется с периодом, равным 2(т+ т) (фиг.3).В ряде случаев схема оптического мультивибратора может быть неустойчива в связи с тем, что по каналу обратной связи проходит излучение с поляризацией, отличной от требуемой, В этих случаях целесообразно ввести в канал обратной связи поляризационный фильтр Г, препятствующий проходу паразитного излучения (фиг.2, б, в, г).В...

Номер патента: 1512358

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Волошина, Кузнецов, Филиппов

МПК: G02F 1/09

Метки: невзаимный, фазовый, элемент

...ВВНОМ":Т, СЛВДУВТ ФЗВС 116(111 ТЬ КОМПВНСВЦ 1111сл а (Р 1 3 1 11 " 311 ка ЮЦР ГО На ГРа НИ Ц-ПЛ сл Н д В 13 ЛУВ усовиях антир 83 онанса толЩинапленки (при заданном а) кратна четвертьВолновой плюс дополнительное ее увеллчение для компенсации того же сдвига фазы,Но при антиреэонансе поле В пленке награнлце с призмой нулевое, из-за чего на 4 бней не происходит появления невзаимногосдвига фазы (зто чисто поверхностный зфф 8 11 С 8 С В Гс За Н Н Ы Й Сса 1(О ПЛ Е 11 ( 16 М 8 1.О Засчет толщины пленки), Потери ж 8 В этОИслучае минимальны, Возникающий в услоВиях антирезонанса небольшой по величине невзаим 1(ый сдвиг фазы связан только с, ( тражением на Второй Границ 8 пленки сВОЗДУХОМ.С пОмОщью дополн(те(11 ного слоя кОМпенсируется сдвиг...

Номер патента: 1574066

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Крайнов, Крамаренко, Погорелова, Слюсарь

МПК: G02F 1/17

Метки: электрохромное

ЭЛЕКТРОХРОМНОЕ УСТРОЙСТВО, состоящее из двух оптически прозрачных электродов с нанесенным на каждый из них слоем элетрохромных веществ, одно из которых является полианилином, разделенных слоем электролита, отличающееся тем, что, с целью увеличения диапазона изменения оптической плотности и ресурса работы, в качестве электрохромного вещества на второй электрод нанесен слой катион-радикальной соли пиридиния или дипиридиния.

Номер патента: 1428053

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Голубков, Каринский, Фролов

МПК: G02F 7/00

Метки: аналого-цифровой, оптоэлектронный

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ АНАЛОГО-ЦИФРОВОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий электрооптический кристалл из ниобита лития Z-среза, на поверхности которого расположен интерферометр в виде пары диффузионных световодов, имеющих форму спирали длиной l = , где Cп - скорость света в кристалле, f0 - частота радиосигнала, снабженный управляющими электродами в виде двухпроводной полосковой линии спиральной линии спиральной формы, полоски которой расположены над световодами, причем начала световодов являются оптическим входом интерферометра, концы - оптическим выходом, а между поверхностью кристалла и электродами помещен диэлектрический подслой, толщина которого выполнена...