Хасиков

Номер патента: 1451566

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Кикнадзе, Лурье, Плещ, Стучебников, Хасиков, Черницын

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...Р При изменении темпео оратуры в интервале от 2 К до 100 Кпроисходит уменьшение жесткости упругого элемента, что при заданной ве личине давления приводит к увеличению. деформации тенэорезисторов.Одновременно происходит соответствующее уменьшение коэффициента чувствительности, в результате чего ве личина выходного сигнала тензопреобразователя оказывается не зависящейот температуры.На фиг.2 показана температурнаязависимость относительного измене ния чувствительности тензопреобразователя давления, изображенногона Фиг.1, при питании тензосхемыот генератора постоянного напряжения (кривая 6), Кроме того, на 20 Фиг,2 показаны температурные зависимости относительного изменения чувствительности такого же тензопреобразователя давления в...

Номер патента: 1415086

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Стучебников, Суханов, Хасиков

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...оси тенэорезистора (фиг.1), передаются в его объем не полностью. Чем меньше величина Ь/Ь, тем меньше при задан. ной деформации подложки среднее значение поперечной деформации тензорезистора, поэтому такие электрофиэические характеристики гетероэпитаксиальных тенэореэисторов, как ТКС и ТКТ, зависит от величины Ь/Ь, Это позволяет, воздействием на величину Ь/Ь, уменьшить разброс значений температурной погрешности чувствительности тензопреобразователей при их серийном производстве (фиг. 2 и 3). Связь величин Ь/и и р/р (фиг.З) описывается эмпирической формулой Ь/11 =(1 - р/р) , где р - концентрация дырок, обеспечивающая равный нулю температурный коэффициент чувствительности тенэопреобразователей с 1 пирокими (Ь/и40) тензореэисторами...

Номер патента: 1404850

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Евдокимов, Стучебников, Суханов, Хасиков, Черницын

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...2, кремниевые тензорезисторы 3, ориентированные параллельно направлению максимальной деформации чувствительного элемента, кремниевые тензорезисторы 4, ориентированные перпендикулярно направлению максимальной деформации чувствительного элемента, контактные площадки 5, покрытые алюминием.Тензорезисторы 3 и 4 соединены в мостовую тензосхему. Контактные площадки 5 служат для подключения питания к тензосхеме и регистрации выходного сигнала. Плоскость сапфировой подложки имеет кристаллографическую ориентацию (7012), Тензорезисторы расположены в плоскости (001) кремния и ориентированы вдоль кристаллографических направлений (110) кремния. Они изготовлены из гетероэпитаксиального слоя кремния р-типа проводимости толщиной 2,5 мкм известным...

Номер патента: 1232968

Опубликовано: 23.05.1986

Авторы: Бушланов, Евдокимов, Котляревская, Хасиков

МПК: G01L 9/04

Метки: тензопреобразователя

...по интегральной полупроводниковой технологии. Далее прикрепля"ют подложку 2 к поверхности мембраны1, например, пайкой,Затем в мембране 1 создается нарастающая деформация от нуля. Получить требуемый процесс деформации вмембране 1 можно, например, подачейжидкости или газа под давлением вподмембранную полость, образованнуюмембраной 1 и кольцом 7. Давление вподмембранной полости увеличивают дообразования трещин 4 в подложке 2под тензорезисторами 3, что можноопределить, например, визуально илипо скачкообразному изменению сопротивления тензорезисторов 3.Изменения сопротивления тензорезистора можно контролировать с помощью самопишущего омметра, подключенного к соответствующему тензорезистору 3.Для того, чтобы надежно...

Номер патента: 934257

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Бейден, Белоглазов, Иордан, Карнеев, Папков, Стучебников, Суровиков, Хасиков

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, тензопреобразователь

...тензопреобразователь.Сущность изобретения состоит в том, что эпитаксиальные тензорезисторы изготовлены на сапфировой подложке из пленки кремния с концентрацией дырок 3,51 О "9 - 3101 см- ( У = 0,0006-0,0045 Ом -см), при которой ТКС тензорезисторов А 1, изменяется незначительно в широких пределах изменения температуры Т, а также слабо зависит от удельного сопротивления кремниевой эпитаксиальной пленки.При такой концентрации дырок неизбежные технологические разбросы удельного сопротивления в отдельных резисторах мало влияют на их ТКС, поэтому напряжение начального разбаланса моста практически не зависит Дальнейшее расширение температурного диапазона работы тензопреобразователя и повышение точности преобразования достигается...

Номер патента: 536406

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Алешин, Семенов, Соколов, Хасиков

МПК: G01K 17/08

Метки: величин, неэлектрических

...поток. При воздействии теплового потока в центре мембраны создается локальный разогрев (он может быть усилен соответствующими 20 поглошающими покрытиями), вызывающийизменение сопротивления относительно терморезисторов, находящихся на периферии и измеряющих температуру корпуса изделия, что, в свою очередь, вызывает разбаланс 25 схемь .При измерении давления (.разряжения) падающий непосредственно на мембрану тепловой поток вызывает разогрев тензосхемы, что ведет к дополнительной погрешности, которую можно скорректировать за Ь счет информации об уровне этого теплового потока, повышающего точность измерения давления.В свою очередь, изменение давления, вызывающее изменение характеристик изме- й рителя теплового потока, также может быть...

Номер патента: 489970

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Соколов, Стучебников, Харивуло, Хасиков

МПК: G01L 1/22

Метки: механических, параметров, преобразования, сигнал, электрический

...интегральные схемы размещены на внутренних поверхностях мембран.На чертеже представлено устройство для преобразования механических параметров в электрический сигнал.Устройство состоит из полупроводниковьх мембран 1 с утолщенными буртиками, размещенных в корпусе 2 и снабженных измерителями деформаций мембран, выполненными за одно целое с мембранами в виде тензочувствительных интегральных схем, опорного кольца 3, изготовленного из непроводящего твердого материала, например корунда, и флан 4 Кольцо 3 герметично соединено с буртиками меморан 1, а тензочувствительные интег ральные схемы размещены на внутренниверхностях мембран.Воздействие механических пара(усилий, давлений) вызывает дефо5 мембран, которые преобразуются...

Номер патента: 267390

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Антонов, Золотев, Кобешавидзе, Селезнев, Хасиков

МПК: B05C 1/14, B05C 3/02

Метки: втулок, колеци, окраски, типа

...оси натяжного устройства 7.,Приводное б и натяжное 7 устройства крепятся на площадках рамы 1, к которой крепится и бесконечный рельс 8. Цепь 9 конвейера состоит из звеньев, которые подвешиваются на роликах к бесконечному рельсу 8.На раме 1 закреплены индукционный нагреватель 10 и ванна 11 с битумным лаком. К каждому звену цепи 9 крепится подвеска 12 с якорем 18, Индукционный нагреватель 10 движется по направляющим (на чертеже не показаны), Звено нагревателя состоит из боковин И, соединенных осями 15 с роликами 1 б. К каждому авену прикрепляется магнитопровод 17 с первичной обмоткой 18. Вторичной обмоткой является сама окрашиваемая деталь 19, Ток в индукционный нагреватель подается через троллеи 20. Все детали покрыты слоем изоляции,...

Номер патента: 121748

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Боровков, Васюк, Воронов, Прохоров, Терехов, Толстиков, Хасиков, Шабаль

МПК: B65G 63/04, E21C 47/04

Метки: отвалообразователь

...стрелы. Лебедка механизма подъема стрелы расположена на поворотной платформе и спарена с лебедкой механизма поворота транспортера, Крепление металлоконструкции к поворотной платформе и установка последней на ходовой раме обычные. Рама ходовой тележки опирается на гусеницы, из которых передние выполнены поворотными,Механизм поворота тросовый, сблокированный с автоматически действующим ленточным тормозом. Лебедка 1 механизма поворота установлена на поворотной платформе 2 и на ней зачалены тросы 3 правой и левой навивки, обвивающиеся при помощи направляющих роликов 4 вокруг неподвижного кольцаб,закрепленного на рамебходовой тележки. Дру121748гие концы тросов зачалены на рычаге 7 автоматического тормоза. К короткому плечу 8 рычага...