Способ изготовления интегрального измерителя деформации

(5 САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ЛЬСТ АВТОРСН ттег еме ж и на:трпласт опера дят н ующивухоста 1972, Ф 25,ысо ает нап Н ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГННТ СССР(71) Научно-производственное объекение космических исследований(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО ИЗМЕРИТЕЛЯ ДЕФОРМАЦИИ(57) Изобретение относится к областимикроэлектроники, а именно к технологии изготовления полупроводниковых Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления полупроводниковых интегральных измерителей деформации, в частности измерителей давления.. Цель изобретения - уменьшение .времени изготовления и надежности за счет уменьшения дефектов и напряжений в пластине.На фиг.1 показана мостовая схема чувствительного элемента с резисторами; на фиг.2 и 3 - этапы изготовления чувствительного элемента и подгоночных резисторов интегральногО измерителя деформации. Дпя резисторов с одинаковыми сопротивлениями р схематично показано вскрытие одного окна. альных иэмерителеи деформации. изобретения является уменьшение и изготовления и повышение нати за счет уменьшения дефектов яжений в полупроводниковой не. Цель достигается тем, что ию получения резисторов провоедином цикле за счет использодиффузии через частично маски- слой ВО, покрывающий область межных тензореэисторов К , К и прилегающих к ним подгоночзисторов. При этом сокращается изготовления. Уменьшение числа температурных операций уменьозможность появления дефектов яжений в кремниевой пластине. а фиг 2 а.показана кремниеваяпластина, покрытая слоем маскирую-. рщего окисла; на фиг.2 б - окно, вскрытое в окисле под один из резисторовККз и К - К; на фиг.2 в - тонкий слой окисла, выращенный в окне,.вскрытом под один из резисторов ККи К 5 - К 5; на фиг.2 г - окно,вскрытое в окисле под один из резисторов К , К и Кб, - Кб; на фиг.2 д -один из тензорезисторов или подгоночных резисторов чувствительностии резисторов нулевого разбаланса;на фнг.3 а - кремниевая пластина,по- , 3 ькрытая слоем маскирующего окисла;на фиг.3 б - окно, вскрытое в окислепод один из резисторов К , К иКб, - Кб; на фиг.3 в - окно с частично снятым окислом под один из резис3 14 бторов К , К и К 5, - К 5 ; на фиг.Зг -один из тензорезисторов или подгоночных резисторов чувствительности ирезисторов нулевого раэбаланса.Чувствительный элемент измерителядеформации состоит из тенэорезистоРов моста К 1 Кподгойочных резисторов чувствительности К 5 - К 5и подгоночных .резисторов нулевогоразбаланса Кб, -Кб.Способ изготовления интегральногоизмерителя деформации заключаетсяв следующем.При создании резисторов в процес,се диффузии бора области с болеевысокими значениями поверхностныхсопротивлений рзф = рчас 5тично маскируют пленкой 8.0 требуемой толщины). Эффективкость ограничения скорости диффузии а следовательно, и возможность регулированияее глубины определяют в данном.случае толщиной пленки ЯЮ, а такжеусловиями получения самой окисхойпленки. После проведения стандартнойоперации. окисления кремниевых пластих для получения маскирующего окисла требуемой толщины. проводят вскрытие окон под. два тензорезистора иприлегающих к ним подгоночных резисторов чувствительности. В сооветствующнх окнах окисел удаляют полностью.Затем проводят вторую фотолитографию - вскрытие окон поц оставшиеся резисторы, В этих окнах получают окисел толщиной, необходимойдля получения соответствующих номиналов резисторов,После этого проводят двухстадийхую операцию диффузии бора для обес(печения сопротивления у , требуемого под подгоночные резисторы чувствительности и прилегающие к ним тенэорезисторы, При этом под областями с частично маакирующим окисломполучаются требуЕмые дпя подгоноч 4056 4ных резисторов нулевого раэбалансаи прилегающих к ним тензореэисторовзначения р . Последующие операцииметаллиэацйи, отжига и другие -стандартные. Сокращение длительности цикла изготовления, уменьшение высокотемпературных операций уменьшают воз" можность появления дефектов и напряжений в полупроводниковой пластине. Способ может быть использован при изготовлении монолитных интегральных схем, что позволяет сократить время их изготовления за счет совмещения в одном цикле всех операций диффузии примеси одного типа. Формула и з обретения. Способ изготовления интегральногоизмерителя деформации, включающийоперации окисления кремниевой плас-.25 тины, фотолитографии окон под резисторы измерительного моста и регулировочные резисторы и диффузию борав пластину, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью сокращения времениизготовления и повышения надежностиэа счет уменьшения дефектов и напряжений в пластине, после окислениякремниевой пластины проводят первую . фотолитографию окон под два смежных 35сопротивления моста и регулировочныесопротивления чувствительности моста, затем. проводят вторую операциюокисления пластины и вторую фотолитографию окон под два других смеж О ных сопротивления моста и регулировочные сопротивления разбаланса моста, заключающуюся в неполном стравливании кремния в этих окнах до толщины 0,2 мкм, после чего проводят 45 двухстадийную операцию диффузии борадля получения сопротивлений с необходимыми номиналами.1464056 Составитель О.Слюсареведактор Н.Лазаренко Техред И.Дидык Корректор Л,Пилипенко Ф Э В льский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,101 Производственно-изд Заказ 817/46 Тираж 88,ЬНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и113035 Иосква ЖРауюская наб Подписноеоткрытиям при ГКНТ СССР д. 4/5