B28D 5/00 — Тонкая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов, например полупроводниковых материалов; устройства для этого

Номер патента: 1689089

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Данилюк, Копыл, Слынько, Хандожко

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, полупроводниковых, резки, струнной

...со средним размером зерна 15 мкм,Подача кристалла на струну осуществляется с помощью электродвигателя с регулируемой частотой вращения, Сопротивление цепи, содержащее сопро нвление 9, сопротивление самоо кристалла от зоны до контакта 4, и сопротивления между струной и кристаллом в зоне резания В(т) измеряют с помощью схемы, приведенной на фиг, 1, В начале реза измеряют Вопт, Цилиндрический слиток ФЗО мм с удельным сопротивлением р = 2,8 Ом см, закрепленный ,на подвижном столике, до подачи абразивной суспенэии приводят в соприкосновение со струной, после чего приводят в движене нить и после подачи абразивной суспензии следят за изменением В В начальный момент В(т) = 2 кОм = Яо, Изменение В(т) со временем изображено на фиг. 4,...

Номер патента: 1699781

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Власов, Кривошлыков, Рогов

МПК: B28D 5/00

Метки: алмазной, резки, твердых, хрупких

...- расстояние от оси вращения кругадо выступа кромки, тогда где К - эмпирический коэффициент пропорциональности, устанавливаемый экспериментальным путем,Как видно из чертежа, для полного использования режущей кромки при дополнительном натяжении круга необходимо выполнить условие где Вз - расстояние от оси вращения круга до вновь сформированной впадины кромки, ранее участвующей в процессе резки заготовки.П р и м е р. Проводят резку слитка кремния ф 36 мм на станке алмазным кругом с внутренней режущей кромкой зернистостью 60/50 мкм, Диаметр отверстия с режущей кромкой 83 мм, количество натяжных болтов. И=8, В качестве СОЖ используют проточную воду,Резку слитка проводят при частоте вращения 3000 об/мин (Т=0,02 с) и подаче 3=60 мм/мин=1...

Номер патента: 1699782

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Григорьев, Доронин, Поклад, Цейтлин

МПК: B28D 5/00

Метки: бриллиантов, произвольной, формы

...сечение по оси симметрии,Используя указанные значения, докажем справедливость предложенных формулпоправок,Основные точки сечения обозначимбуквами А, В, С, О, К, 1. и М, тогда АВ=Ярасч,АС=В, . К 1: - Го 1-АВ 1-= Ярасч 1-АС 1 =Я; 151-АВО= Ррасч,1-АСО= Р; ОМ - высота сечения.Тогда для верха 20 МВ Х Щ Ярасч АС - АМ= Ярасч аГС Я Го АО = 19 Ррас оас Аасч агст 9 -А Я = Ярасч агс 1 о Р - фрасч ф -я - го при обработке низа=фрасч агС где 1 - номер грани;Ярасч- заданное значени45 1-й грани верха;фрасч заданное эначен1-й грани низа;Врасч - заданное значенот оси вращения держателя д50 пояска заготовки в точках, сопроекциям центров будущихверхности пояска заготовкиЯ- измеренное значениоси вращения держателя д55 пояска заготовки в точках,...

Номер патента: 1531363

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Бабокин, Бульканов, Дубовиков, Миронов, Попова

МПК: B28D 5/00

Метки: граната, монокристаллов, резки

...пластины образование дефектов связано с тем, что в центральной части слитков гадолиний-гвллиевого граната существует напряженная об 5 пасть, образующаяся при его получении из расплава и связанная с фундаментальными условиями роста, Для уменьшения влияния этих напряжений на образонанне дефектов при окончании процесса резки необходимо также уменыпать скорость вращения слитка. Влияние скорости. перемещения диска в этой области менее критично. В связи с этим резание областей слитка, составляющих 0-0, 11 Кр и 0,91-1,0 Ккр (отсчет ведется от поверхности слит- ка), проводят с постоянныки скоростями вращения кристалла 0,3 - 0,45 об/мин и 5-6 об/мин соответственно. Область кристалла в диапазоне 0,11-0,91 Кр является менее напряженной...

Номер патента: 1726276

Опубликовано: 15.04.1992

Автор: Горынин

МПК: B23Q 15/12, B28D 5/00

Метки: адаптивного, алмазной, заготовке, формообразования, цилиндра

...поворотом рычага 17 посредством ролика 18 и направляющего ролика 19.Органы фрикционного воздействия (см. фиг.2) содержат корпус 20, фрикционный цилиндр 21, закрепленный винтами 22 на корпусе, Рычаг 17 осью 23 и фрикцинными дисками 24 сцеплен с торцом цилиндра 21 воздействием тарельчатых пружин 25 посредством стакана 26 и болта 27. Ось 23 фиксируется в цилиндре 21 шпанкой 28. Ролик 18 на рычаге 17 и ролик 19 на корпусе 20 закреплены однозначно посредством болтов 29, втулок 30 и гаек 31 и шайб 32.Для изготовления роликов 18 и 19 предпочтительно применение древесно- слоистого пластика.Устройство работает следующим образом.(2) ЮР 2= Р 2 е 12 В исходном положении рычаг 17 повернут по часовой стрелке (см. фиг.1), грузовая подвеска...

Номер патента: 1747285

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Баранов, Елизаров, Пылаев

МПК: B28D 5/00

Метки: двухдисковым, инструментом, кристаллы, пластин, разделения

...Так, например для обработки пластин диаметром 76 мм необходим инструмент длиной минимум 38 мм,Целью изобретения является повышение качества обработки при сохранении производительности,Это достигается тем, что в способе разделения пластин на кристаллы двухдисковцм инструментом, заключающемся в совмещении. первого по направлению подачи диска инструмента с первой ближней дорожкой разделения пластины и прореэке дорожек, перед каждым очередным проходом перемещают инструмент на шаг, соответствующий удвоенному расстоянию между соседними дорожками разделения на пластине, причем при этом перемещении между дисками оставляют по одной проре; занной и одной непререзанной дорожкам разделения,На чертеже показана схема разделейия пластины с шагом...

Номер патента: 1754463

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Бичевой, Сикевич

МПК: B28D 5/00

Метки: алмазов, огранки

...3, включающий втулку 4, закрепленную в корпусе-рукоятке 1, содержащуо две конические опорные поверхности, где нижняя коническая поверхность опирается на засыпанные в нее шарики 5, образуя подшипник качения, а на верхней конической поверхности установлены поджатые шайбой б кольцевые секторы 7, образуя подшипник скольжения,Для надежного закрепления полуфабриката в процесса огранки использован прижим 8, установленный нэ ограночной головке 2, включающий корпус 9, в котором на направляющих 10 установлен подпружиненный шток 11 с возможностью перемещения в вертикальной плоскости и вокруг собственной оси, На штоке 11 установлена прижимная планка 12 с возможностью перемещения в горизонтальной плоскости,Для выставления ограночного...

Номер патента: 1757895

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Габец, Герловский, Киселев, Марцинкевич, Минченя, Савицкий, Старовойтов

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристаллов

...ударного импульса, а следовательно, размер скалываемых микрочастиц, т,е, изменение амплитуды колебаний (или выключение одного из двух преобразователей) позволяет управлять качеством (высотой микронеровностей) поверхности рундиста,Способ по изобретению заключается в том, что перед началом обработки выбирается типоразмер оправки 4 (фиг,2-3) в зависимости от размера обрабатываемого сырья. Оправка 4 устанавливается в посадочное отверстие ультразвукового преобразователя 1. Далее в оправку 4 устанавливается алмаз-резец 11, который крепится прижимом 3 при помощи винта 9, Обрабатываемый кристалл алмаза устанавливаетсе в шпинделе станка между двумя оправками и центрируется, Инструмент устанавливается на опору обточного станка и подводится...

Номер патента: 1759644

Опубликовано: 07.09.1992

Автор: Доронин

МПК: B28D 5/00

Метки: камней, огранки, произвольной, рундиста, формой, ювелирных

...сущность изобретения иллюстрируется графическим материалом, гдена фиг,1 дано геометрическое соотношениедля расчета вышеуказанной поправки прииспользовании радиальных контрольныхупоров, полученное из сечения бриллиантаосью симметрии, проходящей через середину основной грани низа камня.Используя обозначения, принятые нами в разделе "сущность изобретения", докажем справедливость формулы,предложенной для расчета поправки,Основные точки сечения низа бриллианта обозначим буквами АВС; плоскость радиальных упоров представлена в сечениилинией К 1 М,Лй;=КМ-К:- М,коэффициент к" определяется из подобиятреугольников;АК К 1ЛАВ С" ЛАКА;АК"В С,АВАК КМАКМ А В В Р КМАВАВ 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 А К. В РАВАКВС АК ( )АВ АВАКгдеТаким...

Номер патента: 1761521

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Андреев, Галигузов, Гулидов, Ерошин, Запорожский, Таращанский, Харламов

МПК: B28D 5/00

Метки: монокристаллов, резки

...монокриста П р и м е р. Производилась резка моно- кристаллов кремния диаметром 100 мм на пластины толщиной 0,75 мм, Резка производилась на модернизированном станке модели "Алмаз 11". Модернизация заключалась в оснащении станка приводом колебаний слиткодержателя вместе с устройством ориентации монокристалла, Привод колебаний имел числовое программное управление, Применялись алмазные отрезные круги с30 Составитель А,БулековТехред М.Моргентал Корректор Н.Ревская Редактор Заказ 3222 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 внутренней режущей кромкой АКВР 422 х 152 х 0,3...

Номер патента: 1766243

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Бубнов, Васильев, Мешков

МПК: B24B 9/16, B28D 5/00

Метки: камнедержатель, приспособлением

...этог процессдо; ы,выполненнь:м не в уцерб кеч;,стзс, ,Ка КВМНя, ПОИ ЭТОМ сганнас. ГОс 1.ЛЯ 8 Т ПРОИЗВОДИ"ГЬ ОП 8 Ратие сХ,"тобрабатываемому камн ГО для .:С,. Г,; ";,троля обрабатываемой поверки; стибенно при работе со свободн;к 1,.,аЦельго изобретения является по.:. г,ние эксплуатационнык Возмонедержателя путем обеспеченШИРОКОГО ДИаоазона ПЕОемеО НИЗтываемого камня относител, ",.:з;СТИ ОГРЭНОЧНОГО ДИСКЕ ПОИфиксированного положения ь 1тельно элементов устройства в Ое .".,лочения при одновременном обсудобства работы и повь:,се ис; -,:.,рабатываемогс камня,Указанная цель достигаетсяснабжения устройства цилиндричес:Окой-втулкой, размещен но с между .,:-,и стойкой, причем на у; -:. - :.Чно,.торце ручки-втулк.: кест,: з;, О:,Вка, а другой...

Номер патента: 1784467

Опубликовано: 30.12.1992

Автор: Хомин

МПК: B28D 5/00

Метки: полупроводниковых, резки, слитков

...покрытия на основе графита наоб рабаты ваемую поверхность слитка и режущей кромки алмазного круга, причем йанесение покрытия на режущую кромкуалмазного круга осуществляют на протякении процесса"резки в" виде смазки,Способ заключается в том, чтопри рез ке полупроводниковых слитков (отрезаниипластин от слитка) производят йанесениепокрытия на основе графита, йри этом.- на обрабатываемую поверхностьСлитка в виде слоя смазки, заполняющеймикронеровности, царапины и придающейслитку форму (цилиндра, приэмы "и т,п; взависимости от расположения базового идополнитЕльных срезов Ориентации слитка), обеспечивающую образование ограницйтельных стенок в нанесенном слое дляалмазного. круга в момент врезания и выхода его из полупроводниковою слитка;-...

Номер патента: 1787112

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Келим, Остащенко

МПК: B28D 5/00

Метки: минералов, окраски, природных

...нем рисункомпомещают в металлическую кювету со свинцовой защитой по внутренней поверхностии облучают рентгеновским излучением отмедной трубки на аппарате АРОС(аппарат рентгеновский острофокусный) дозой.10мрад. На пластине с внешней стороны виден слабый отпечаток рисунка, Проникновение окраски на глубину 1 - 2 мм.П р и м е р 3. Такую же пластину при техже условиях облучают дозой 12 мрад, Навнешней стороне пластины виден отчетливый темно-серый отпечаток вырезанногорисунка, видимый и на обратной сторонеобразца,т.е, проникновение окраски происходит по всей толщине.П ример 4,Такуюжепластинупритех 40же условиях облучают дозой 14 мрад. Повсей толщине образца виден отчетливый отпечаток рисунка, вырезанного в защитномсвинцовом кожухе,П р и м е р...

Номер патента: 1787805

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Медведев, Фролов

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов

...определение фактического углового расположения плоских граней относительно крлсталлографических плоскостейс обоих сторон пластины, сравнивают этивели юнц, выблрают плоскую грань с меньц:ей Величиной углового расположения ст 20заданного, сошлифовьвают с этой грани угловой припуск до заданного углового расположения и за.гем шлифуот Вторую плоскуюгрань В параллельность исправленной,На фиг, 1, 2, 3 представ.лен способ в 25последовательности по переходам обработки, При этом фиг, 1, 2 представляют поперечные контуры заготовок в исходномсостоянии; фиг, 3контуры Готовых изДелий. 30ПО способу на первом переходе фиг.1после выбора плоской грани с меньшей величиной у.ловаго расположения от заданного (грань А И) грань Р, И обрабатываетсядо...

Номер патента: 1827355

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Крамаренко

МПК: B28D 5/00

Метки: монои, поликристаллов, размерной, ультразвуковой

...к детали и механически разрушает верхнюю и нижнюю перепонки, при этом ввиду УЗ колебаний инструмента в замкнутых объемах полостей происходит перемешивание абразивной суспензии до заданной концентрации. Объем абразивной суспензии выбирается достаточным для обработки одного отверстия. После обработки инструмент поднимается над использованным колпачком и перемещается к следующей зоне обработки, Приведенные на фиг.2. формы полостей обеспечивают наилучшие условия смещения абразивной суспензии, Использованные колпачки после обработки удаляются и в дальнейшем могут использоваться многократно после соответствующей подготовки (нанесения адгезионного слоя, заполнения абразивной суспенэии, герметизации перепонками).Преимущества...

Номер патента: 1836214

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Вилли

МПК: B28D 5/00

Метки: задней, облицовочных, отверстий, плитах, подрезкой

...инструмента 14 также описывает круг, который из-за наклона оси 18 сверления больше, чем диаметр сверлильной головки. Таким образам, после изготовления цилиндрического отверстия 15 в облицовочной плите 2 вертикальной осью сверления происходит задняя подрезка 16 в отверстия посредством наклона аси 18 и одновременного колебательного движения.При изготовлении отверстий 15 облицовочная плита удерживается вакуумным зажимным устройством 5. Облицовочная 20 плитка 2 кладется на зажимной стол, й ваку 30 умный насос (не показан), присоединенныйчерез шланг 20, включается для созданиявакуума,Для получения отверстия 15 применяется сверлильный инструмент 14, который че 35 рез снабженный внутренней резьбой 21соединительный элемент 22 может быть...

Номер патента: 1837011

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Дробязко, Запорожец, Колесниченко, Чистяков

МПК: B28D 5/00

Метки: янтаря

...мас,%,Наполнлтель мельхиор03-5 мм, 1:=- 8- 15 мм,Е среза 30-68,отходы кожи 10 - 15 мм,шириной 3 - 5 мм,толщиной 2-3 мм в соотношении 2;1 88,7Уикрошлифцорошокэлектрокорунд 2,7Триэтэнолэмлнолеат 2,7В ода ОстальноеСоотношение абразивной смеси и деталей сов Гэвляет 53% к 47%,Режим работы вибрационной установки тот же, время испылганий 2 ч. Впроцессе испытаний ведется непосредственный зригелъный контроль качестваобработки, 51 осле полу 5 ения частоты поверхности, соответствующей эталону, обработка прекрэщэегГ:я, определяетсяшероховатость, которая составляет В =.в -0,15 мкм,11 роизводительность обработки составляет 23,5 тыс, деталей в час, т.е.повышается в 12 раз. П р и .; е р 3. (Берхнепредельное содер- Ж Э Н И Е г, Г) ГЛ П О Н Е Н...

Номер патента: 1511979

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Горилецкий, Радкевич, Федько, Эйдельман

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, распиловки

..."Патент", г, Ужгород. ул.Гагарина 101 Произв Предлагаемое изобретение относится к обработке кристаллов, применяемых, в частности, при изготовлении активных и пассивных оптических элементов ИК-лазеров, сцинтилля цион н ых детекторов, акустических звукопроводов и других изделий, и может быть использовано в химической, электронной, электротехнической, ядерной и оптико.-механической промышленности,Целью предлагаемого изобретения являегся повышение производительности процесса распиловки и снижение потерь кристалла при его раскрое.Способ осуществляется следующим образом. Приводят в движение нить против часовой стрелки, подают воду на вращающуюся нить, сообщают нити колебательные движения с определенной амплитудой и частотой в...

Номер патента: 1609315

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Будаковский, Нагорная

МПК: B28D 5/00, G01T 1/30

Метки: активированных, европием, иодида, лития, монокристаллов

СПОСОБ ОБРАБОТКИ АКТИВИРОВАННЫХ ЕВРОПИЕМ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДИДА ЛИТИЯ для изготовления сцинтилляционных детекторов, включающий распиловку монокристалла на заготовки с последующей обработкой до требуемых размеров и матировкой торцовой поверхности, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик и уменьшения времени обработки, на боковой и торцовых поверхностях кристалла создают мативированную поверхность путем шлифовки абразивным материалом с величиной зерна 14 - 40 мкм.

Номер патента: 1575495

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Войтенко, Гольдштейн, Карелина, Спивак

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристалла

СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛА АЛМАЗА, включающий нанесение на посадочную площадку оправки клеящего состава на основе эпоксидной смолы, размещение предварительно размеченного кристалла алмаза в ориентированном положении в оправке с прижимом кристалла к поверхности оправки, температурную выдержку, охлаждение и установку алмаза с оправкой на станке, подрезание и распиливание, отличающийся тем, что, с целью повышения качества распиливания алмазов и увеличения коэффициента использования дорогостоящего сырья, на посадочную площадку базирующей оправки наносят эпоксититанорганический клей, температурную выдержку осуществляют в течение 2 - 3 ч при температуре 200 - 250oС, а после снятия прижима устанавливают оправку с кристаллом алмаза на...

Номер патента: 1813261

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Дьяков, Ласкин, Почтаренко

МПК: B28D 5/00

Метки: головка, ограночная

ОГРАНОЧНАЯ ГОЛОВКА, содержащая корпус с цилиндрической полостью, в которой с помощью шпиндельной втулки на подшипниках соосно смонтирован с возможностью вращения и осевого перемещения цанговый патрон для крепления обрабатываемого камня, а также механизм микроподстройки, смонтированный в корпусе на шпиндельной втулке, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности и качества огранки путем уменьшения радиальных биений в зоне обработки, подшипники разнесены по длине шпиндельной втулки со смещением одного из них к ее торцу в направлении места крепления обрабатываемого камня, при этом соотношение расстояний между смещенным к торцу шпиндельной втулки подшипником и местом крепления обрабатываемого камня и между подшипниками находится в...

Номер патента: 1798971

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Гринев, Литичевский

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов

...каретки под действием постоянного усилия, направленного в противоположные стороны, раздвигаются помере уменьшения диаметра реза до тогомомента, пока нить не станет по прямой. нити, т,е, обе половинки гибкого замкнутогооргана не соприкоснутся. Гибкий замкнутый орган 5 проходит через водяные бункера 8, смачивается и движется по подвижным Формула изобретенияУСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ;КРИСТАЛЛОВ, включающее раму с кри-сталлодерхсателем, привод кристаллодер-;жателя, гибкий замкнутый режущий ор гэн с механизмом . его натяжения 50установленную на направляющих рамы,каретку, содержащую направляющиепривод гибкого замкнутого режущего,органа и поддерживающие ролики по-следнего, Отличающееся тем, что, с 55целью сокрэщения времени рэсплавки и...

Номер патента: 849664

Опубликовано: 27.03.1996

Автор: Ратов

МПК: B28D 5/00, B28D 7/04

Метки: алмазов, зажима, оправок, распиливании

ПРИСПОСОБЛЕНИЕ ДЛЯ ЗАЖИМА ОПРАВОК ПРИ РАСПИЛИВАНИИ АЛМАЗОВ, включающее стрелку с опорным винтом, шарнирно соединенную с осью, и оправкодержатели с отверстиями, установленные и зафиксированные на концах оси, отличающееся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, шарнирное соединение стрелы с осью выполнено в виде трехподвижной сферической кинематической пары с прижимной крышкой, причем оправкодержатели снабжены цанговыми зажимами и отверстие одного из них выполнено овальным, для регулирования соосности цанговых зажимов.

Номер патента: 1192263

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Исаенко, Травин

МПК: B28D 5/00

Метки: бриллианта, фантазийной, формы

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БРИЛЛИАНТА ФАНТАЗИЙНОЙ ФОРМЫ, включающий пространственную ориентацию будущего бриллианта в объеме алмаза и последовательную обработку площадки, рундиста в виде многогранника и постановку трех ярусов граней и клиньев на нижней и верхней частях бриллианта, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности переработки алмазного сырья сложных форм, пространственную ориентацию будущего бриллианта в объеме алмаза осуществляют расположением площадки параллельно грани октаэдра алмаза, перед обработкой площадки будущего бриллианта осуществляют последовательно шлифование первой плоскости под углом 3 - 5o к грани октаэдра алмаза и второй плоскости под углом 175 - 177o к грани октаэдра алмаза до...

Номер патента: 1617809

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Исаенко, Травин

МПК: B28D 5/00

Метки: алмазных, вставок

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АЛМАЗНЫХ ВСТАВОК, включающий шлифование площадки, придание формы, огранку верха и низа, отличающийся тем, что, с целью использования производственных отходов алмазного сырья в виде пластин толщиной 0,6 0,9 мм, придание формы придают огранкой или обдиркой ее периметра, огранку низа производят гранями с углом наклона 15 20o с бриллиантировкой клиньями по ребрам, а огранку верха производят в виде площадки или таблицы с количеством граней, соответствующим граням низа с углом наклона 20 25o.

Номер патента: 1424267

Опубликовано: 20.04.1996

Автор: Травин

МПК: B28D 5/00

Метки: бриллианта, круглой, формы

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БРИЛЛИАНТА КРУГЛОЙ ФОРМЫ, включающий раскалывание алмаза, подшлифовку граней низа, обточку и огранку верха и низа, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, подшлифовку граней низа осуществляют угловыми гранями в плоских сетках куба с сохранением следов естественных граней алмаза, образующих шестигранную пирамиду с углом наклона граней к площадке, равным 43o, а огранку осуществляют с площадкой в плоских сетках октаэдра для низа с рундиста на шип, для верха с площадки на рундист.

Номер патента: 1614324

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Водяницкий, Ситкевич

МПК: B28D 5/00

Метки: алмазов, огранки

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОГРАНКИ АЛМАЗОВ, содержащее ручку с монтированной на ней ограночной головкой, включающей корпус с установленным в нем посредством подшипников шпинделем с держателем кристалла, механизм закрепления держателя кристалла, механизм микронастройки и механизм поворота головки, отличающееся тем, что, с целью повышения точности огранки, шпиндель выполнен в виде разрезной цанги и установлен в корпусе посредством подшипников качения, механизм закрепления держателя кристалла выполнен в виде установленной на шпинделе гайки с прорезью, поджимающей кольцо, и укрепленного на корпусе стопора, взаимодействующего с прорезью гайки, механизм микронастройки размещен на шпинделе и содержит втулку с запресованным в ней червячным колесом,...

Номер патента: 1338230

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Барабанов, Исаенко, Травин

МПК: B28D 5/00

Метки: бриллианта, фантазийной, формы

Способ изготовления бриллианта фантазийной формы, включающий ориентацию будущего бриллианта площадкой в плоской сетке октаэдра алмаза, шлифование площадки, обработку рундиста и огранку нижней и верхней частей бриллианта, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности обработки монокристалла алмаза формы двойного усеченного тетраэдра, обработку рундиста осуществляют последовательной обточкой равными радиусами вокруг трех осей, каждая из которых расположена в плоскости, проходящей через вершину монокристалла перпендикулярно противолежащему ей ребру, а огранку осуществляют симметрично оси третьего порядка монокристалла с образованием нечетного количества граней.

Номер патента: 1350966

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Барабанов, Исаенко, Травин

МПК: B28D 5/00

Метки: бриллианта

Способ изготовления бриллианта, включающий ориентацию будущего бриллианта площадкой в плоской сетке октаэдра алмаза, шлифование площадки, обработку рундиста и огранку нижней и верхней частей бриллианта, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности изготовления круглого бриллианта полной огранки из монокристалла алмаза формы двойного усеченного тетраэдра, после шлифования площадки производят шлифование ребер монокристалла до образования шестигранной пирамиды, охватывающей нижнюю часть будущего бриллианта, а огранку нижней части бриллианта осуществляют при расположении первой обрабатываемой грани бриллианта под углом 9 13° относительно одной из естественных граней шестигранной пирамиды.

Номер патента: 1018315

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Нагорная, Одесюк, Петров

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, деформированного, кристалла, огранки

1. Способ огранки деформированного кристалла алмаза преимущественно при изготовлении бриллиантов, включающий установку кристалла алмаза в держатель, поворот кристалла алмаза по часовой стрелке вокруг оси держателя на угол 22o30', пробное шлифование в различных направлениях относительно кристаллографических осей алмаза, выбор направления шлифования с наибольшей интенсивностью съема и последующее шлифование и полирование граней, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, пробное шлифование осуществляют последовательно в трех положениях держателя с кристаллом алмаза относительно направления шлифования, первое из которых составляет положительный угол от 29o45' до 30°, второе - перпендикулярно, а третье...