B28D 5/00 — Тонкая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов, например полупроводниковых материалов; устройства для этого

Номер патента: 919248

Опубликовано: 10.02.2000

Авторы: Батурин, Кузьминых, Погребняк, Розум, Чормонов

МПК: B28D 5/00

Метки: изгиба, кристалла

Способ изгиба кристалла, включающий установку кристалла между оправками, поверхность одной из которых покрывают клеящим составом, нагрев кристалла с оправками и снятие оправок после приобретения кристаллом формы, отличающийся тем, что, с целью обеспечения изгиба кристаллов различных толщин с сохранением структуры кристалла, в качестве оправок используют пластины из мартенситных сплавов, обладающих "эффектом памяти формы", которые перед установкой между ними кристалла предварительно изгибают до заданного радиуса при температуре начала обратного мартенситного превращения, выпрямляют их при комнатной температуре, а нагрев осуществляют до температуры конца обратного мартенситного превращения.

Номер патента: 1381882

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Борздов, Бочаров, Букин, Ковальский, Пальянов, Соболев, Судовский, Чепурнов, Шамаев

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, материалами, металлическими, соединения

1. Способ соединения алмаза с металлическими материалами, включающий предварительную обработку контактируемых поверхностей, их соединение, термическую обработку, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности соединения, на контактируемые поверхности предварительно наносят слоем 0,05-0,5 мм порошок металла с дисперсностью частиц 5-100 мкм, смешанный с клеем в соотношении от 1:1 до 10:1 по объему, а термическую обработку проводят при температуре на 100-150oC ниже температуры плавления металла в течение 15-30 мин, затем температуру повышают на 50-100oC выше температуры плавления с выдержкой 3-5 мин, после чего производят закалку.2. Способ по п.1, отличающийся...

Номер патента: 1571916

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Борздов, Григораш, Казанцева, Козлова, Пальянов, Хохряков

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза

Способ обработки алмаза, включающий взаимное встречное перемещение кристалла алмаза и инструмента в виде шаблона, контактирование их при 600-1880oC в атмосфере газа-реагента, при этом инструмент выполнен из материала, растворяющего углерод алмаза при температуре контактирования, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, используют пористый шаблон, пористость которого составляет 3 - 10 об.%.

Номер патента: 1828627

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Борздов, Григораш, Пальянов, Петрушин, Хохряков, Чепуров

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза

Способ обработки алмаза путем контактирования с инструментом, выполненным из материала, реагирующего с углеродом алмаза при температуре выше 600oC в атмосфере газа-реагента, и при перемещении алмаза и инструмента относительно друг друга, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости и качества обработки, алмаз предварительно ориентируют и обработку проводят в плоскости и направлении, совпадающем с плоскостью и направлением ориентации, при этом при касательном перемещении инструмента относительно алмаза обработку осуществляют в направлении [110] и в плоскости [110], а при встречном перемещении алмаза и инструмента - в направлении [100] и плоскости [100] алмаза.

Номер патента: 1586025

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Борздов, Козлова, Пальянов, Хохряков

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, материалами, металлическими, соединения

1. Способ соединения алмаза с металлическими материалами, включающий стадию металлизации путем нанесения порошка металла группы железа на поверхность алмаза и термообработки в защитной атмосфере и стадию пайки, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности соединения снижения температуры обработки и упрощения процесса, после нанесения порошка металла соединение проводят в одну стадию путем размещения в контакте с соединенными поверхностями припоя на основе меди, серебра или их сплавов в виде порошка или проката, нагрева до температур на 50-300oC ниже температуры плавления припоя и выдержки 10-30 мин, повышения температуры на 17-50oC выше температуры плавления...

Номер патента: 1600189

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Агей, Зеленин, Ковшик, Мельников, Тарасевич

МПК: B28D 5/00

Метки: кубической, монокристаллов, пластины, полупроводниковых, резки, сингонии, слитков

Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины кольцевым инструментом, включающий изготовление базового среза слитка, ориентирование плоскости реза по кристаллографической плоскости (001), наклейку слитка на оправку и закрепление их на суппорте станка и перемещение вращающегося инструмента относительно слитка по дуге окружности в плоскости реза, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных изделий за счет снижения их прогиба и уменьшения количества микротрещин и сколов в начале и конце резки, при наклейке слитка базовый срез его располагают в нижнем правом квадранте при наблюдении со стороны приклеиваемого торца под углом 40-45° к...