Способ получения слоев окиси железа

Номер патента: 466045

Авторы: Грибов, Кольцов, Кощиенко, Румянцева

ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических Республик(61) Дополнительное к авт, св 51) М 22) Заявлено 13,12.72 (21) 1857632/23-26 с присоединением заявки011 17/3 011 7/36 Гвсударстееииый комите 23) Приоритетпубликовано 05.04.75. Бюллетень1ата опубликования описания 13.08.75 Мииистроо ССС м изооретений открытий вет 621.315.592(71) 3 аявител 54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЖЕЛЕЗА Изобретение относится к технологии получения тонких слоев неорганических материалов, а именно к технологии получения слоев окиси железа, используемых для изготовления полупрозрачных фотошаблонов.Известен способ получения слоев окиси железа при термическом разложении пентакар бонила железа Ге(СО)в в атмосфере влажно. го или сухого кислорода и осаждении слоя на нагретой подложке. Плотные слои с высокой адгезией и механической прочностью получают при температуре подложки выше 150 С. Однако эти слои трудно травятся и практически непригодны для изготовления фотошаблонов. Снижение температуры процесса до 120 - 130 С улучшает травимость слоев, но приводит к снижению скорости роста, снижению механической прочности и адгезии слоев. При этих условиях получение слоев с одинаковой растворимостью невоспроизводимо. В слоях возникают механические напряжения, приводящие к их отслаивачивает скорость роста и получают слои окиси железа при пониженной температуре без ухудшения адгезии, механической прочности и других свойств образующегося покрытия.Главное же влияние перекиси водорода заключается в том, что процесс разложения карбонила железа и окисления выделяющегося железа является вследствие наличия в реакционной системе перекисного кислорода, более стабильным, легко контролируемым и управляемым, Этот обеспечивает получение однородных по всей поверхности слоев окиси железа с воспроизводимыми от партии к партии свойствами, Слои окиси железа равномерно, без отслаивания растворяются в разбавленной соляной кислоте при комнатной температуре. Это обеспечивает высокое качество фотолитографической обработки таких слоев.Полученные предлагаемым способом на оптическом стекле слои пригодны для изготовления фотошаблонов, прозрачных для видимого и непрозрачных для ультрафиолетового света, используемого для засветки фоторезиста. Такие фотошаблоны удобны в работе, значительно облегчают операции совмещения, а по прочности превышают хромовые фото- шаблоны.Измерения электрических характеристик слоев показывают, что пленки окиси железа получение более р лоев при темпер С. Это достигается да добавляют пар внотуре 2 тем, пекиси водорода фирует процесс еак- елинию.Цель изобретения -мерных по толщине сподложки ниже 120что к потоку кислорорекиси водорода.Введение паров перционную зону интенси466045 Предмет изобретения Составитель Безбородова Техред Л. Казачкова Редактор О, филиппова Корректор Н. Аук Заказ 1956/13 Изд. ЛЪ 688 Тираж 782 Подписное ЦИИИПИ Гссударственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 3обладают отрицательным зарядом и находят применение в МДП-структурах. Низкая температура процесса осаждения исключает нежелательное изменение в параметрах приборов и существенно упрощает аппаратуру,П р и м е р 1. В качестве подложки применяют пластины из оптического стекла (КВТУ М ЩЛС), которые предварительно отмывают в хромовой смеси, кипятят в перекиси водорода, промывают в дистиллированной воде и сушат в вакуумном сушильном шкафу. Слои из окиси железа получают в горизонтальном кварцевом реакторе при следующем режиме.Температура подложек 100 С, Расход аргона через испаритель с жидким Ге(СО)ь 800 мл/мин. Расход кислорода через барботер с перекисью водорода (пергидроль, ЧДА, ГОСТ 10929-64) 16000 мл/мин, время процесса 20 мин. Толщина слоя окиси железао1000 А. Полученные слои обладают следующими спектральными характеристиками:Пропускание )40/, при Л) 560 нм(1% при Л (400 нм (т. е. 4в области спектральной чувствительности фоторезиста) . Количество проколов в слое 1 см5 П р и м е р 2. В качестве подложечки применяют пластины кремния марки КЭФ, 5-1 б. в, (ориентации 100), с подслоем 31 Ог толщиной 0,12 мкм. Слои РеОз получают в условиях примера 1. Полученные слои имеют 10 такие же характеристики, как в примере 1. 15 Способ получения слоев окиси железа термическим разложением пентакарбонила железа на поверхности нагретой подложечки в потоке газа-носителя и кислорода с добавкой пара, отличающийся тем, что, с целью 20 снижения температуры подложки ниже120 С и получения более равномерных по толщине слоев, пригодных для изготовления полупрозрачных фотошаблонов, к нотоку кислорода добавляют пары перекиси водоро да.

Смотреть

Заявка

1857632, 13.12.1972

ПРЕДРИЯТИЕ ПЯ Х-5476

ГРИБОВ БОРИС ГЕОРГИЕВИЧ, КОЩИЕНКО АЛЕКСАНДР ВИКТОРОВИЧ, РУМЯНЦЕВА ВАЛЕНТИНА ПАВЛОВНА, КОЛЬЦОВ ЮРИЙ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: B01J 17/32

Метки: железа, окиси, слоев

Опубликовано: 05.04.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-466045-sposob-polucheniya-sloev-okisi-zheleza.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения слоев окиси железа</a>

Похожие патенты