Запоминающий элемент

О П И С А Н И Е439847ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик) М.Кл. 6 11 с 11/22 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий(72) Авторизобретепи М, Петро Московский ордена Трудового Красного Знамени истали и сплавов(71) Заявитсл 54) ЗАПОМИНА Й ЭЛЕМЕН Основой элемента ческая пластина 1, вь скряг 1 всрдого раство лей диэлектрического РЬ/Хг, Т 1, Яп/О На о несен проводящий эл пылением или вжига На другой грани пла служит с 1 полнснная р с пр 51 м гистерези диу грань ектрод 2,нием инди стины надегнетоэлектрииз керамичеоугольной петса, например, пластины нанапример, ная или серебра.электродом 2 Известны запоминающие элементы, выполненные на основе сегнетоэлектрической пластины, например, монокристалла триглицинсульфата с нанесенными соответствующим образом проводящими и полупроводящими электродами. Однако эти элементы недостаточно надеждины из-за явления устало сти сегнетоэлектрика, а также имеют малую помехоустойчивость.Описываемый элемент отличается тем, что в нем сегнетоэлектрическая пластина выполнена из керамического твердого раствора, например, РЬ/Хг, Т 1, Яп/О что повышает надежность устройства в работе и увеличивает помехоустойчивость элемента. В качестве полупроводниковой пленки может быть выбран легированный поверхностный слой сегнетоэлектрической пластины,1-1 а фиг. 1 представлен описываемый запоминающий элемент, разрез; на фиг, 2 - схема вкл)очения элемента. размещена тонкая, толщиной порядка 100 Л, полупроводниковая пленка 3, изготовленная, например, напылением окиси олова или путем легирования поверхностного слоя сегнетоэлектрической пластины. К краям полупроводниковой пленки 3 подключены проводящие электроды 4 и 5. К электроду 2 подключена схема записи информации (на чертежах не показана), Электроды 4 и 5 и расположенная ме)кду ними пленка 3, имеющая сопро тивление Я, а также внешний резистор 6 входят в схему считывания. Информация хранится в объеме сегнетоэлектрической пластины 1 между электродом 2 и пленкой 3, образующими конденсатор 7, На одной сегнето, электрической пластине монтируется ряд запоминающих элементов.Запись информации на запоминающем 2 О элементе осуществляется подачей на электрод2 импульса положительной (запись 1) или отрицательной (запись О) полярности амплитудоц, большей коэрцитивного напряжения сегнетоэлектрика. По цепи записи электроды 4 н 5 н пленка 3 имеют малое сопротив:1 ен 11 с 111 1 сорпус 8 (земло) ) и В пластине 1 происходит поляризация сегнетоэлектрика.После прекращения действия импульса в сегнетоэлектрике длительное время сохраняется ЗО остаточная поляризация Р, направление ко439847 1 Ц Фиг Фиг. Составитель В. РудаковТекред Г, Дворина 1 едактор Л, Тюрина ор ректор В. Бр ы кси н каз 752 зд. М 1916сударствснного комите по делам изобретений осква, Ж, Раушска Тирак 591 а Совета Министров СССи открытий одпнсное ПИПИ Г наб., д. 4/о МОТ, Загорский цех тороп Онрсдсл 51 сгс 5 храннвым числом (1 или О).Считывание основано на сегнетоэлектрическом эффекте поля, заключающемся в резком изменении числа носителей в поверхностном слое сегнетоэлектрика при изменении знака поляризации Р, Сопротивление Я полупроводниковой пленки 3 сильно зависит от направления Р, т. е. от записанного числа. Импульс считывания, подаваемый на электрод 4, проходит или не проходит на выходной электрод 5 в зависимости от величины Р. О хранимом числе в запоминающем элементе судят по величине импульса считывания на резисторе 6, сопротивление которого выбира. ют равным среднему геометрическому максимального и минимального значения Й.Для считывания могут использоваться как видео-, так и радиоимпульсы. Считывание может также производиться световым лучом, так как коэффициент отражения и коэффициент пропускания полупроводниковой пленки вблизи края собственного поглощения зависят от знака Р. 4Ч с 1 кнм Ооразом, В Описываемом запомнив ющем элементе считывание Осуществляется без разрушения информации, а также существенно снижается число циклов переполяризации, что позволяет избавиться от явления усталости сегнетоэлектрика. Предмет изобретения 1 о 1, Запоминающий элемент, содержащийссгнетоэлектрическую пластину, на одной грани которой размещен проводящий электрод, и на другой - тонкая полупроводниковая пленка, к краям которой подключены другис проводящие электроды, отличаощийся тем., что, с целью повышения надежности в работе и увеличения помехоустойчивости элемента, сегнетоэлектрическая пластина выполнена из твердого керамического раствора.20 2, Запомина 1 ощий элеж 51 т по п, 1, отлича 1 ощийся тем, что, в качестве полупроводниковой пленки выбран легированный поверхностный слой сегнетоэлектрической пластины.