Цилибин

Номер патента: 734805

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Масалов, Масловский, Тишин, Холоднов, Цилибин

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, устройства, фотоэлектрического

...3 под поликристаллическим кремнием, а К - сопротивление самого поликристаллического кремния и внешних, подключенных к нему цепей, под поли- кристаллическим кремнием образуется обедненная дырками область и на полупрозрачный электрод 6 подается отрицательный импульс напряжения Бэ, амплитуда которого превышает порог поляризации слоя 3 диэлектрика с захватом заряда. При этом электроны из поверхностного слоя полупроводника в областях 2 через образовавшийся канал под поликристаллическим кремнием 4 и источник 9 уходят на шину нулевого потенциала 10, в областях 2 образуются не- Е стационарные области пространственного заряда (ОПЗ) 11. По истечении времени М, достаточного для образования ОПЗ на поликристаллический кремний подается отрицательное...

Номер патента: 525159

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Антонюк, Курдов, Масалов, Поспелов, Цилибин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матрица, накопителя, устройства

...экранирующая сетка 2 из металла, напри2 Ь Формула изобретения 72 одпис 1 1 НИИПИ Заказ илиад ППП "Патент", г. Ужгород, уд, Проектная мер из платины. Сетка 2 покрыта слоем диэлектрика 3, например из двуокиси кремния, толщиной 0,5 мкм. В ячейках сетки изготовлены запоминающие ячейки в виде слоя диэлектрика 4 с захватом заряда, например нитрида кремния с подслоем двуокиси кремния, общей толщиной 0,1 мкм, Поверх полученной на подложке структуры нанесен электрод 5 в виде сплошного слоя оптически прозрачного проводника, например из 1 л 0 1 О К электроду 5 и подложке 1 подключен источник напряжения 6. Для считывания информации применяется луч 7 поляризованного света от источника 8. Луч сканирует по ячейкам и, отражаясь. от них, падает 1 Ь на...

Номер патента: 356692

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Цилибин

МПК: G11C 11/42

Метки: памяти, элемент

...д, например, кремния Я с удельным сопротивлением 22 ком; неполяри зующегося диэлектрика 4, например, двуокиси кремния 510 металла б, например, золота 2 О Лп, вьвполненного,в виде полугпрозрачнойпленки. Слой металла используется в качестве электрода управления - затвора, на который подают изменяющееся управляющее на.пряжение Ч, на)пример, ттреугольной формы, 25 На полупроводниковую пластину 1 нанесеныэлектроды б и 7, омические или в виде р - )тпереходов, которые служат в качестве электродов считывания - истока и стока.Эквивалентная электрическая схема предлагаемого устройства представляет собой цепь356692 П р ед мет изобретения с 4 ис Составитель И. Горелова Редактор Л. Василькова Техред Е. Борисова Корректор Е, МироноваЗаказ...