Патенты с меткой «волнах»

Номер патента: 1782334

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Платонов

МПК: H03H 9/46

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...2 подается от внешнего генено перекрывает полосу частот фильтра Этим импульсом возбуждается поверхностная акустическая волна, в виде короткого 25 акустического импульса, который, проходя через все секции выходного ВШП 3, формирует ЛЧМ сигнал. В зависимости от соединения отводов секций выходного ВШП 3 на выходе фильтра формируется ЛЧМ сигнал, манипулированный по фазе в соответствии с тем или иным двухфазным кодом (ЛЧМФМ-сигнал). В частности, на фиг, 1 соединение секций выходного ВШП 4 соответствует коду 1101. Длител ьность сформированного ЛЧМФМ-сигнала(Т=й то,30 35 а ширина спектра И/ определяется в основ ном девиацией ЛЧМ-сигнала Ь Елчм при1условии, что Ь Е,мтоНа фиг. 2 и 3 в качестве примера показаны модули спектра комплексных огибающих...

Номер патента: 1782335

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Азовцев, Емелин, Корниенко, Травкин

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, термостабилизированием, фильтр

...поверхностью пластины звукопровода.На фиг, 1 схематически изображен предлагаемый фильтр на ПАВ с термостабилизированием; на фиг. 2 (а, б) - термостабилизирующий элемент; на фиг. 2 а - поверхность элемента с тонкопленочным резистором-термодатчиком; на фиг, 2 б - другая поверхность элемента с резистором- нагревателем.Фильтр на ПАВ с термостабилизированием содержит пластину 1 пьезоэлектрического звукопровода из ниобата лития, на верхней поверхности которой расположены входной 2 и выходной 3 встречно-штыревые преобразователи. Под нижней поверхностью пластины 1 звукопровода расположен термостабилизирующий элемент, выполненный в виде поликоровой пластины 4 с нанесенным на одну из ее поверхностей пленочным резистором-термодатчиком 5 из...

Номер патента: 1786422

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Мушенко, Толстобров

МПК: G01N 29/04

Метки: волнах, гигрометр, конденсационный, поверхностно-акустических

...поверхностях термочувствительного пьезоэлемента нанесены металлические излучающие 4 и принимающие 5 электроды датчика температуры и излучающие 6 и принимающие 7 электроды индикатора точки росы,Внутренняя поверхность между излучающими 4 и принимающим 5 электродами покрыта влагостойким веществом, Наружная поверхность между излучающим 6 и принимающим 7 электродами выполнена в виде капиллярной матрицы с диаметром б капилляров цилиндрической формы не менее 2 мкм, Глубина и капилляров выбирается из неравенства В состав конденсационного гигрометра на поверхностно-акустических волнах входит также генератор 8 ультразвуковых колебаний, два измерителя разности фаз 9 и 10,цифровое устройство сравнения 11, устройство управления 12,...

Номер патента: 959601

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Иванов, Котелянский, Хазанов, Хильченко

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, объемных

...со средней высотой Ь неровностей, выбранной из условия 0,05Ь/ф й 0,3, где % длина акустической волны.На фиг. 1 изображена л д ки на объемных акустицесна йиг, 2 - зависимость р подавления ложного сигнала при одном отражении акустической волны от торца звукопровода в зависимости от отношения сред- Б ней высоты.Ь неровностей поверхности) торца звуопровода к длине акустической волны(06= ЕЬЬЛиния задержки на объемных акустических волнах содержит звукопровод 1 О 1, на поверхности которого расположены входной 2 и выходной 3 пьезоэлектрические преобразователи, причем торец 4 звукопровода выполнен с шероховатой поверхностью. 15Линия задержки на объемной акустической волне работает следующим образом.Электромагнитный сигнал преобразуется входным...

Номер патента: 1535332

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Гуляев, Котелянский, Магомедов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, работающих, устройств, элементов

...в 0,51-ном КОН (фиг, 2) и проводилась его последующая вторичнаясушка при 115 С в течение 30 мии.о 40Затем на оставшиеся участки фоторезиста 1 и вскрытые участки рабочейповерхности эвукопровода 2 методоммагнетронного распыления в аргоиооой1 45плазме наносили металлическии слои 3(фиг, 3), состоящий иэ подслоя нихро"ма толщиной 0,03 мкм и слоя алюминиятолщиной 0,15 мкм. Для подавлениякристаллизации окисла алюминия приего последующем оксидироеании е целях создания на поверхности полосокметалла оксидного слоя, в алюминиймишени магнетрона о виде добавки вводился германий (11). Давление о вакуумной камере составило 1-0,5 Па 55при температуре звукопровода 200 С.Цапее прооодипесь операция "взрыва" - удаление участков фоторезиста 1 со слоем...

Номер патента: 2000031

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Бельский, Домбровский, Русаков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, приемников, промежуточной, телевизионных, тракта, фильтр, частоты

...осуществляют весовую обработку одного из ВШП при постоянной длине перекрытий электродов различной полярности, Преобразователь. формирующий несимметричную ЛЧХ, изготовляют аподизованным.При использовании в конструкции телевизионного фильтра наряду с обычным аподизованным ВШП преобразователя с постоянной длиной перекрытий электродов различной полярности, имеющего импульсФормула изобретения Фильтр на поверхностных акустических волнах для тракта промежуточной частоты телевизионных приемников, содержащий звукопровод, размещенные на его рабочей поверхности аподизованный встречно-штыревой преобразователь (ВШП) и ВШП с весовой обработкой емкостным делением . напряжения группами электродов, расположенными в акустическом канале при постоянной...

Номер патента: 1795535

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Груздев, Пыхтин

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, акустоэлектронных, волнах, поверхностных, подстройки, устройствах, фазы

...фазы в акустоэлектронных устройствах на поверхностных акустических волнах, основанный на воздействии, например лазерного излучения на металлизированный участок поверхности эвукопровода, размещенный между встречно-штыревыми преобразователями, о тл и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышения технологичности и выхода годных изделий,Составитель О.КудрявцеваТехред М,Моргентал Корректор Н.Слободяник Редактор В.Трубченко Заказ 435 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 При проектировании топологической структуры в зоне между встречно-штыревыми преобразователями...

Номер патента: 1795536

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Пасхин, Сандлер, Свешников

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторный, фильтр

...ке и может быть использовано в радиоэлектронных узкополосных частотноселектирующих системах с повышенной частотной избирательностью, Цель изобретения - повышение избирательности. На рабочей гра пьезоэлектрического звукопровода устано лены входной и выходной встречно-штыр вые преобразователи, а также отражатели. Входной преобразователь выполнен секционированным, а выходной преобразователь имеет длину, равную периоду секций входного преобразователя. Приведена зависимость общей длины входного преобразователя от его периода, 2 ил. расположен в центре резонатора, а центр среднего электрода другого преобразовате- Я ля сдвинут от центра резонатора на - ф ,4 гдеэф - эффективная длина реэо 9)ансной ъ полости, . 4Недостатком данного устройства при...

Номер патента: 1795537

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Гарова, Григоревский, Григорьевская, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/44

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

...акустическихканалах напротив друг друга, и две дисперсиоцные решетки отражательных элементов, перпендикулярных продольным осямакустических каналов, одна из которых размещена в первом, а другая - во втором акустических каналах, причем отражательные 50элементы дисперсионной решетки, разме-щенной в первом акустическим канале, разделены по длине на две части, взаимносмещенные вдоль акустического канала царасстояние, равное ширине соответствующего отражательного элемента,В этой конструкции устранена возможность поступления на входной преобразователь пэразитцого сигнала от решеткиотражательных элементов, но остаются от- менцой величиной и определяется частотой1795537 510 20 25 30 35 40 45 б отражаемого этим элементом акустического сигнала (Ь...

Номер патента: 1795538

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Гарова, Григоревский, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/44

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...б и 7 расположена во втором 3 акустическом канале, Электроды одного из преобразсвателей о данном случае 9) разделены по длине на две части 10 и 11,смещенные одна относительно другой вдоль акустического канала 2 на величину пространственного шага. Наклонные отражательные элементы одной из решеток первой пары (о данном случае 5) также разделены по длине на две части 12 и 13, смещенные одна относительно другой одоль акустического канала 2 на ширину б отражательного элемента.. Предложенная ЛЗ работает следующим образом.На входной преобразователь 8 подается электрический сигнал, преобразуемый им о акустическую волну. Попадая на наклонные отражательные элементы решетки 5, акустическая волна отражается под углом 90 от взаимно смещенных...

Номер патента: 1316533

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Лакиза, Малащенко, Мезенов, Овсищер, Шепшелей

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, пьезоэлектрическое

...и струк"турных дефектов 4, Структурные дефекты 4 обеспечинают напранленноерассеяние, частичное поглощение инаправление ОАВ, преимущественно наторцовые поверхности звукопровода 1,которые могут быть покрыты акустопоглотителем (не показаны), что обеспечивает эффективное подавление ОАВ,Часть ОАВ, рассеянных структурнымиэлементами 4 и прошедщих в направлении выходного преобразователя 3,претерпевают многократные отраженияот зоны структурных дефектов 5., поверхностей эвукопровода 1 и эффектив.ное их поглощение акустопоглотителем.Структурные дефекты 4, 5 могутобразовывать локальные структуры,.расположенные относительно преобразователей НАВ 2, 3 так,. что обеспечивается направленное рассеяние(отражение) ОАВ и распространениеОАВ преимущественно в...

Номер патента: 1797733

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Зима, Кизиитов, Корж

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, прибора, узкополосного, центральную, частоту

...2 - встречно-штыревые преобрасвязана с подложкойто упругие свойства зователи;:3 - диэлектрическая пленка; 4 - поверхностного слоя подложки измеряют- . инфракрасное излучение; 5 - потокионов ся, что приводит к изменению фазовой ско эргона; б - стравливаемый слой диэлектрирости ПАВ, С течением времени происходит ческой пленки; 7 - оставшийся слой диэлекрелаксация механических напряжений еди- трической пленки, толщина которого электрической пленке, что приводит к не- необходима для получения заданной цент- контролируемому уходу центральной ральной частоты узкополосного прибора на частоты прибора на ПАВ. Метод химическо ПАВ, Способ настройки на центральную чаго травления не устраняет эти недостатки. стоту узкополосного прибора на ПАВ...

Номер патента: 1807536

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Савин

МПК: H01P 1/215

Метки: волнах, магнитостатических, многоканальный, фильтр

...А Р 1/2 ПАТЕНТ СССР)ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ С ТЕЛ ЬСТВ ледова Б. П ьтр: ика Сима нчущий фэлектр СССР1982.ЛЬТР НЛНАХ АГ-. ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(54) МНОГОКАНАЛЬНЫЙ ФИНИТОСТАТИСТИЧ ЕСКИХ ВО(57) Изобретение относится к радиоэлектронике. Цель изобретения - уменьшение рассопряжения частот настройки каналов при перестройке. Устройство содержит входной преобразователь 1 и выходные преобразователи 2, 3 и 4 магнитостатических волн, ферритовые пленки 5, катушки 6 намагничивания и перестраиваемую магнитную систему 7, Выбор в соответствии с приведенными соотношениями намагниченностей насыщения ферритовых пленок 5, значений частотной расстройки между каналами и полей, создаваемых в катушках 6, в зависимости от диапазона...

Номер патента: 1810985

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Григоревский, Жданов, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

...за их пределы,Для уменьшения влияния на параметры ДЛ 3 ложных сигналов, отраженных от краев звукопровода 1, на часть звукопровода 1 нанесен поглотитель 7.В режиме формирования сигнала предложенная ДЛЗ работает следующим образом, На входной преобразователь 4 подается короткий импульс, спектр которого содержит, в частности, все частоты в полосе пропускания ДЛ 3, Акустическая волна, излученная входным преобразователем 4, распространяется по рабочей поверхности звукопровода 1 в первом акустическом канале 2 и достигает системы металлизированных полосок 6. Токи наведенные падающей акустической волной в системе металлизированных полосок 6, вызывают регенерированные акустические волны, распространяющиеся в первом 2 и втором 3 акустических...

Номер патента: 1810986

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Григоревский, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

...ними, в решетках венным шагом= и, и полосок 10 - с6 и 7 может, в частности, соответствовать пространственным шагом= ин. При этомсигналу с линейной частотной модуляцией образуются две системы отражательных.(ЛЧМ-сигналу). На чертеже показана конст . элементов с резонансными частотами н ирукция ДЛЗ на ПАВ для формирования так (являющимися в данном случае заданныминазываемогосигнала "ЛЧМ-вниз",прикото- частотами подавления), соответственно, иром пространственный шаг отражательных на краях АЧХ ДЛЗ реализуется заданноеэлементов решеток 6. и 7, увеличиваясь по подавление сигнала, уровень и форма которонаправлению от преобразователей 4 и 5, 45 го определяются количеством полосок М 1 и М 2,изменяется от мин = бмин+ д" мин = нИ 21 до Для...

Номер патента: 1815795

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Банков, Кац, Финкельштейн

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, вносимыми, волнах, малыми, пав, поверхностных, потерями, фильтр

...за счет взаимного расположения штырей в группах таким образом, чтобы центры симметрии групп активных штырей располагались эквидистантно, то расчет расположения групп пассивных штырей, обеспечивающий однонаправленный режим работы ВШП ВОС, может быть выполнен следующим образом,Смещение штырей относительно центра симметрии в активной группей(Ах+в - ), щ=1,2фазовый угол Ьу, соответствующий смещению Лх, равен КЬ х, гдето 2 к/3 о Если вес невзвешенной группы равен 1, то вес взвешенной смещением группы равен А=соз Лр, тогдаЬ х = агссозА (1)2 лСмещение центра пассивной группы относительно центра активной группы, обеспечивающее синфазное сложение излученных и отраженных волн в одном направлении и противофазное их сложение впротивоположном...

Номер патента: 1818681

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Алексеев, Овсянкина, Осипов

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, регулируемая, ультразвуковая

...счет изменения местоположения ПДГ 4 в звуко- . проводе 1 под действием управляющего электрического напряжения от источника 10. При наличии на его выходе, а следовательно, и на управляющих электродах 7, 7 электрического напряжения, содержащего поле Еу, превышающее по величине соответствующее коэрцетивное значение Ео (ха. рактерное для данного материала), в силу сегнетоэлектрических свойств материала звукоп ровода 1, имеет место переполяризация, которая, благодаря сегнетоэластической природе материала звукопровода 1, осуществляется путем бокового перемещения ПДГ 4 параллельной самой себе. В зависимости от,знака приложенного электрического напряжения это приводит к уменьшению или увеличению геометрической длины акустического канала нэ...

Номер патента: 1828565

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...полученной суммы или разности. ЗТР отличается тем, что в устройстве каждая пара системы разомкнутых электродов заменяется двумя парами разомкнутых электродов так, чтаЬ- Ь - д. - ц. -О.-О. - +(3)где и - номер второй пары разомкнутыхэлектродов, если первая пара помечена номером и, 18285651 - натуральное число,при этом равенство (3) может нарушаться в местах смены амплитуды импульсного отклика системы разомкнутых электродов.На фиг.изображено устройство на ПАВ. Здесь 1 - пьезоэлектрическая подложка, 2, 3 - первый и второй входные преобразователи ПАВ, 4 - выходной преобразователь ПАВ, 5 - ось симметрии или ось, которую можно принять эа ось симметрии с точки зрения возбуждения ПАВ для преобразователя - 2, 6 - ось симметрии или ось,...

Номер патента: 1831738

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Балинский, Берегов, Ерещенко, Кудинов, Кущ, Нечаев

МПК: H01P 7/08

Метки: волнах, магнитостатических, обратных, объемных, свч-резонатор, термостабильный

...к ширине Ь ФП 7. Ьл 5.2 дался)д)л ллем)-0) У=Н)/ (Х(1+2 Н 2)/с) ; (1) 1 лщБ=Е л)2 лл 1)/)1.Е): 40 где Ьо) - волновое число п)п-й моды ООМСВ, ааспространяющейся в ФП;)т)=1,й - число вариаций поля па толщине ФП;п=1,2,3 - число вариаций поля по ширине ФР (в силу симметрии системы моды с четным индексом и в ФП 7 не возбуждаются);д=(Н;Х/с)о,5.Н)=Но-ЕХ - величина внутреннего магнитного поля в ФП;Но - величина внешнего магнитного паля, приложенного к ФП;Х= 4 л Мо-намагниченность насы)цения материала ФП;с=(чч/у) -Н); чч = 2 л - круговая частота;2 2,у - гиромагнитнае отношение,45 50 55 Термостабильный СВЧ-резонатор на "0 ООМСВ работает следующим образом. Рассмотрим случай, когда СВЧ сигнал. распространяющийся во входной линии передачи 5,...

Номер патента: 1835593

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Болгов, Матвеев, Мордвинов, Никитин, Сорокин

МПК: H03H 7/30, H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, регулируемая

...задержки состоит (фиг, 1, 2) из звукопровода 1, входного преобразователя 2 электрических сигналов в ПАВ и выходного преобразователя 3 ПАВ в электрический сигнал,На фиг. 1 показаны также микрометрические винты 4 и 5. имеющие разный шаг резьбы и служащие для перемещения подвижных преобразователей 2 и 3 для настройки линии задержки на определенное время задержки. Для визуального контроля за устанавливаемым временем задержки устройство снабжено прокалиброванной в единицах времени задержки шкалой б, неподвижно установленной на пластине 2 и подвижной относительно указательной стрелки закрепленной на пластине 3,На фиг. 2 неподвижная пластина 1, служащая звукопроводом с целью изменения линейных размеров имеет подковообразную форму, а каждый...

Номер патента: 2000655

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Бельский, Домбровский, Русаков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, приемников, промежуточной, телевизионных, тракта, фильтр, частоты

...которым является электрод первой группы, правым - второй группы:4 б, 8 б, 10 б, 12 б, 14 б, 16 б, 18 б, 20 б, 23 б, 29 б - все перекрытия, левым электродом которых является электрод второй группы, правым - первой группы;где б - наименьшее расстояние между серединами эон перекрытия электродов различных групп.На фиг, 1 изображено предложенное устройство; на фиг. 2 - одна из возможных конфигураций предложенного преобразователя; на фиг. 3 - график.Фильтр на ПАВ содержит звукопровод 1, на рабочей поверхности которого расположены вподизованный преобразователь 2 и ВШП, взвешенный при постоянной длине перекрытий 3, Фильтр на ПАВ работает следующим образом. Преобразователь 3 возбуждает в звукопроводе 1 ПАВ, которая распространяется к...

Номер патента: 2002363

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Абрамов, Берковский, Молотков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, дифференцирования, значений, мгновенных, поверхностных, радиосигналов

...в общем акустическом канале расположены веерные ВШП 2, 3, причемэлектроды преобразователей выполнены изогнутыми наружу по отношению к осямсимметрии преобразователей, причем одинаково в обоих преобразователях,Рассчитана форма электродов ВВШП для устройства дифференцирования мгновенных значений радиосигналов с центральной частотой 1 о = 100 МГц, полосой пропускания Л = 70 МГц, апертурой 5 мм,числом электродов 29 и 23 в первом и втором преобразователях соответственно. Дляформирования АЧХ треугольной формыпространственный период д преобразователей менялся в направлении, перпендикулярном направлению распространения10 ПАВ в соответствии с формулойб -ч. +л 1 у/щ)3где ч - скорость ПАВ;Ь - нижняя граничная частота полосыпропускания;Л 1 -...

Номер патента: 1655279

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Гарова, Григоревский, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/44

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

...2, перпендикулярного рабочей поверхности звуко- провода 1,Устройство работает следующим образом. На входной преобразователь 4 подается сигнал, спектр которого содержиг, н частности, все частоты в полосе В = 1 н - п, где 1 в и 1 н - соответственно верхнлл и нижняя частоты полосы пропускания ДЛЗ. Акустическая волна А, излученная входным преобразователем 4, достигая первых 11 и вторых 13 частей наклонных отражательных элементов решетки б, частично проходит че рез решетку 6 н направлении решетки 8 (волны А 1 и А 2), а оставшаяся часть (волны Аз и А 4) отражается под углом, близким к 45 О, в направлении к знукопоглотителю 10. Так как первые части 11 наклонных отражательных элементов решетки 6 сднинуть относительно их вторых частей 13 на...

Номер патента: 1627052

Опубликовано: 15.01.1994

Автор: Молотков

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

.../Под ред. Г.Мэттьюза дио и связь, 1981, с. 319-322,Агпзтгопд .1,А, е а 1 Еп 91 пеег 1 п апд еча 1 цат 1 оп о 1 БАЮ ро 1 ве согп И 11 егэ МФ 1 оа тгпе вснеОЬез.Т 1 е Вабо апг Е 1 ес 1 гопс Еп 91 пе ч.46, йг 5, р,222,кустиче М Ра Оез 19вопг, 197 родов совпадало бы с расстоянием между средними линиями двух соседних электродов первого ВШП 2, середина области пере- крытия которых лежит в данном сечении апертуры акустического канала. Ширина электродов второго ВШП 3 должна быть такой, чтобы в каждом сечении апертуры акустического канала отношение ширины электрода к расстоянию между серединами соседних электродов равнялось коэффициенту металлизации, Угол наклона первого ВШП 2 определяется его протяженностью, апертурой и полосой...

Номер патента: 1228722

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Алейникова, Кислякова, Кондратьев, Сутырин, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H01L 21/306

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий изготовление кристалла с топологией резонатора, монтаж кристалла в корпус и подстройку центральной частоты резонатора путем обработки в ВЧ-плазме, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, за счет улучшения воспроизводимости обработки в плазме и улучшения долговременной стабильности резонаторов, обработку проводят в ВЧ-плазме нейтрального газа.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку проводят в плазме аргона при давлении аргона 13,3 - 26,6 Па, в течение 120 - 600 с, причем в зависимости от требуемой величины подстройки время обработки определяется какt=

Номер патента: 1762727

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ , включающий обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки, нанесение фотоpезиста, фоpмиpование pисунка встpечно-штыpевых пpеобpазователей и отpажательных pешеток и фоpмиpование металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения пpоцента выхода годных pезонатоpов, за счет повышения адгезии фотоpезиста к повеpхности подложки, обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки пpоводят путем ионно-химического тpавления на глубину 80 - 120 нм, пpи этом используют в качестве газа - тpавителя фpеон CF4, а фотоpезист наносят не более чем чеpез 2 ч после обpаботки повеpхности тpавителем.

Номер патента: 1130158

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Карпеев, Кондратьев, Речицкий

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

УСТРОЙСТВО НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, содержащее звукопровод и размещенные на нем в общем акустическом канале широкополосный и аподизованный с переменным перекрытием электродов полосозадающий встречно-штыревые преобразователи и расположенные между ними токопроводящий экран, отличающееся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения амплитудно-частотной характеристики путем уменьшения дифракционных искажений, в токопроводящем экране со стороны аподизованного преобразователя вдоль направления распространения акустической волны выполнены прорези, пространственный шаг L которых монотонно возрастает от центра токопроводящего экрана к его периферии, причемai/L

Номер патента: 1396790

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Глан, Кривицкий, Редекоп, Теплицкий

МПК: G01V 1/00

Метки: волнах, отраженных, разведки, сейсмической

СПОСОБ СЕЙСМИЧЕСКОЙ РАЗВЕДКИ НА ОТРАЖЕННЫХ ВОЛНАХ, включающий возбуждение колебаний на дневной поверхности, прием колебаний в наклонной скважине, в пунктах, расположенных на интервале ниже сильных отражающих границ верхней части разреза, расчет положения точек отражения, получение временных и глубинных изображений околоскважинного пространства, суммирование записей, относящихся к отражающим площадкам заданной величины, отличающийся тем, что, с целью повышения полноты и достоверности получаемой информации об околоскважинном пространстве, интервал расположения пунктов приема в скважине аппроксимируют прямой, определяют плановое положение скважины как проекцию точки пересечения аппроксимирующей прямой с отражающей поверхностью, задают...

Номер патента: 1713405

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Литвиненко, Молотков

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

ДИСПЕРСИОННАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ по авт. св. N N 1627052, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения вносимого затухания, второй преобразователь смещен на расстояние относительно первого вдоль своей оси симметрии в сторону того края апертуры, где расположены электроды первого преобразователя, наиболее удаленные от второго преобразователя, причем = Xcos 1 + ,где - угол наклона первого преобразователя;K - коэффициент...

Номер патента: 1750407

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, приборов, центральной, частоты

1. СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ ПРИБОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты прибора, сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют обработку поверхности прибора в ВЧ-плазме нейтрального газа, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет увеличения точности подстройки центральной частоты прибора, управление величиной подстройки центральной частоты осуществляют путем изменения плотности ВЧ-мощности в плазме, при этом обработку прибора в ВЧ-плазме осуществляют в течение 15 - 20 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при проведении обработки прибора в плазме аргона требуемую плотность ВЧ-мощности в плазме определяют, исходя из...