Патенты с меткой «волнах»

Номер патента: 1663651

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Гурзо, Прокушкин

МПК: H01P 1/23

Метки: волнах, магнитостатических, нелинейное

...полюсам 9 второго магнита 3, ширина полоска второго отрезка 5 выбрана больше ширины полоска первого отрезка 4, а напряженность поля в зазоре первого магнита 2 выбрана больше, но не более чем в два раза, напряженности поля в зазоре второго магнита 3.Нелинейное устройство на магнитостатических волнах работает следующим обра. Циткина аказ 2268 Тираж 349 Подписн ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и откр 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5м при ГКНТ ССС оизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 СВЧ-сигнал поступает на первый отрезок 4, и если его уровень мощности лежит ниже порогового уровня первой ферритовой пластины 6, то в ней возбуждаются поверхностные магнитостатические волны...

Номер патента: 1663746

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Абрамов, Иванов, Сиротин

МПК: H03D 3/06

Метки: акустических, волнах, дискриминатор, поверхностных, частотный

...10 ипараллельных ВС-цепочек 11, 12. Диоды 13,14 - демпфирующие,Лто фазовый сдвиг уЪбудет+ - (см, фиг,7),2если же частота входного сигнала в будет лежать в другом частотном интервалеЛ вовв 1, то фазовый сдвиг будет --2 (см, фиг,8), Преобразователем 2 возбуждают ПАВ, которые распространяются либо в сторону ОПГТ 3, либо в сторону ОПГТ 4, Элементарными источниками ПАВ, расположенными в межэлектродных зазорах преобразователя 2 (см. фиг.б), возбуждаются акустические волны, фазы которых (акустические фазы рак) определяются пространственными положениями этих источников, На фиг.2 показано пространственное положение элементарных источников ПАВ, в пределах одного периода групп электродов ОПГТ 2 с учетом их знаков и приведены значения акустических...

Номер патента: 1675670

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Гороховский, Жуков, Савич, Чесалов

МПК: G01B 17/00, G01B 5/02

Метки: акустических, волнах, датчик, перемещения, поверхностных

...элементом на упругом волноводе 1, Упругий волновод 1 с преобразователями 2 и 3 заключены в герметичный корпус 6 из немэгнитного материала. Нэ контролируемом объекте перемещения закреплена магнитная пластина 7.Сущность изобретения состоит в том, что магнитное поле, возникающее между пластиной 6, закрепленной на объекте перемещения, и магнитной пластиной 4, закрепленной нэ свободном конце волновода 1 воздействует на него, заставляя изгибаться на расстоянии, т.е. бесконтактно. Это позволяет измерять различные перемещения , любой величины в зависимости от магнитного поля, что значительно расширяет диапазон измерения, Отсутствие механического контакта позволяет изолировать чувствительный элемент датчика в герметичный...

Номер патента: 1683171

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Банков, Заковоротный, Кац, Орлов, Петин

МПК: H03B 5/32, H03H 9/42

Метки: автогенератор, акустических, волнах, поверхностных, управляемый

...взаимного расположения, а значит, генерация будет осуществляться на тех же модах 1 - 3). ФЧХ такого частотозадающего элемента в виде двухканальной ЛЗ остается линейной, а изменение фазы в цепи ОС может составлять + л без перескоков с моды на моду, Таким образом, диапазон перестройки частоты увеличивается в два раза по сравнению с автогенерэтором на основе с одноканальной ЛЗ.При нечетном количестве каналов И = 3, 5, 7 и т,дэ также при й = 6, хотя диапазон перестройки и расширяется, но ФЧХ частотозадающего элемента становится нелинейной, что требует резкого усложнения фазовращателей 8 и цепей управления ими, а таже может привести к генерации непредсказуемых мод,При й = 2, 4, 8 ФЧХ сохраняется линейной, а при М = 2, 4 система управления...

Номер патента: 1691928

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Алексеев, Верещагин, Дугина, Королев, Проклов

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, регулируемая

...идентичными друг другу и ориентированными своими штыревыми электродами под углом л/4 относительно плоскости доменной границы 2, Акустические оси ВШП 6 и 7 параллельны кристаллографическому направлению 010), На плоских базовых гранях 3 и 4 расположены управляющие электроды 8 и 9, подсоединенные к регулируемому источнику 10 постоянного электрического напряжения.Регулируемая линия задержки на ПАВ работает следующим образом.При приложении радиочастотного сигнала к сходному ВШП 6 встречно-штыревого типа в силу обратного пьезоэффекта возбуждается поверхностная акустическая волна, распространяющаяся по поверхности плоской базовой грани 3 домена в направлении его доменной границы 2, по достижении которой ПАВ отражается от нее и...

Номер патента: 1693659

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Жилинскас, Зубовский, Ивашка

МПК: H01P 1/19

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...подложки.Фильтр на магнитостатических волнахсодержит входной преобразователь 1, диэлектрическую подложку 2, резонаторы 3, выполненные в виде намагниченных 15ферритовых пленок прямоугольной формы,выходной преобразователь 4, диэлектрические прокладки 5 (фиг,2).фильтр работает следующим образом,СВЧ-сигнал, поступивший на входной 20преобразователь, размещенный на диэлектрической подложке 2, последовательновозбуждает магнитостатические волны в резонаторах 3. Эти волны распространяютсявдоль намагниченных ферритовых пленок 25прямоугольной формы, претерпевая отражения от их концов, при этом воэникаетстоячая магнитостатическэя волна, которая приводит к резонансу, если на длинерезонатора укладывается целое число длин 30полуволн,...

Номер патента: 1698864

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Ищенко, Кондрашина, Красавин, Смирнов

МПК: G01V 1/52

Метки: акустического, волнах, каротажа, лэмба, прибор, скважинный

...определения проницаемости пластов по динамическимпараметрам волн Лэмба необходимознать затухания сдвиговых волн. Вэтом случае для повышения информативности акустических исследованийв части излучающих преобразователей,устанавливают акустически жесткиепластины, герметически закрывающиеотверстия с одной из сторон, Приэтом возникает одностороннее направленное давление на стенку сква-,жины, что создает возможность селективного возбуждения и приема сдвиговых волн 10 (фиг. 3)Принцип конструкции скважинногоприбора .заключается в том, что наформирование волн Лэмба не влияетхарактеристика направленности излучающего элемента, а важно собст 5 16 венно воэможность создания низкочастотных управляемых колебаний жидкости в. скважине, которые в...

Номер патента: 1702461

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Вашковский, Зубков, Локк, Щеглов

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, многоканальное, поверхностных, свч-сигнала

...с осью У, Такая система создает поле Н 7(2), показанное на фиг, 2. Магнитная система может быть реализована и в других вариантах, например, в виде комбинации прямоугольного магнита и стержня иэ магнитомягкого материала, продольная ось которого совпадает с осью У, Центры входных преобразователей 4 - 8 лежат на кривых 13- 18, исходящих из центра входногс преобразователя 3 и описываемых уравнением (1). Входной 3 и выходные 4-8 преобразователи выполнены на отдельной диэлектрической плате 11, размеры которой совпадают с размерами ферритовой пленки 1, а сама диэлектрическая плата 11 лежит ча поверхности ферритовой пленки 1, как это показано стрелкой на фиг, 1. Для создания отрезков микрополосковой линии на одной поверхности...

Номер патента: 1709497

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Данилов, Иванов, Науменко, Орлов

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...суммирующей шине, а величины, перекрытий электродов первого и второго дополнительных выходных ВШП .выбраны в соответствии с выражениемгЯм +, В 1 ЯоУ,1+У.1 У,г+У.г У. +У.,ми от соответствующего электрода выходного ВШП 3, полностью или частично компенсируя последние.С целью полной взаимной компенсации отражений вследствие регенерации необходимо обеспечить равенство амплитуды ПАВ, отраженной от каждого электрода основного выходного.ВШП 3, сумме амплитудПАВ, отраженных от одноименных электродов дополнительных выходных ВШП.6, 11,Условие полной компенсации регенерированных ПАВ и вызванньх ими сигналов тройного прохождения в зависимости от.заданного перекрытия ЧЧ 9 электродов основного ВШП 3 и заданных полныхпроводимостей внешних нагрузок...

Номер патента: 1721789

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Абрамов, Бойченков, Иванов, Петров, Чулин

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...апертуры, в котором выполняетсяусловие акустического синхронизма для полосы пропускания выходного ВШП, а егоэлектроды, размещенные по разные стороны от общей шины, включены противофазно.На чертеже показана топологическаяструктура устройства на ПАВ,На пьезоэлектрическом звукопроводе 1размещено звукопоглощающее покрытие 2,входной ВШП 3, выходной ВШП 4 и заме -дляющая фазосдвигающая металлическаяпленка 5. Электроды входного В Ш П 3 объединены сигнальной шиной 6 и общей шиной7. Электроды выходного ВШП 4 обьединеныобщей шиной 8 и сигнальными шинами 9,Входной 3 и выходной 4 ВШП выполненывеерными, Замедляющая фазосдвигающаяметаллическая пленка 5 выполнена трапецеидальной формы,10 Устройство на ПАВ работает следующим образом,При воздействии на...

Номер патента: 1721791

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Пасхин, Сандлер, Свешников

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, двухвходовый, поверхностных, резонаторный, фильтр

...резонатора,Лгде Ьф, = Ьо+ 2 Ьр, и Ьр - "глубина проникновения" ПАВ в отражательные струтуры,Резонаторный фильтр работает следующим образом.Собственные частоты резонатора Ьп)удовлетворяют обычному дисперсионномууравнению2 7 г 1 п)2 .о - 2 Р(1 п =2 ЛГП. (1)Чгде и) - целое;р Щ - фаза коэффициента отражения "зеркал".В дальнейшем будем считать, что.одна из собственных частот, удовлетворяющая уравнению (1), совпадает с центральной частотой полосы эффективного отражения, В этом случае расстояние между "зеркалами" 1 о выражаем из (1): гп Н Я Чо 2 та о Вводя глубину проникновения акустической волны в отражатель 4 3 пр = -(о) 1 Н диэ 4 д д 1 с помощью уравнения (1) легко показать, что набор собственных частот можно представить в видебп о+ гп...

Номер патента: 1721792

Опубликовано: 23.03.1992

Автор: Евдокимов

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, выключатель, каскадного, поверхностных, фильтра

...соединен с второй выходной клеммой 5 для подключения фильтра, первую50 катушку 6 индуктивности, основной выходной ключ 7, содержащий первый диод 8,анод которого соединен с первой выходнойклеммой 9 для подключения фильтра, второй диод 10, катод которого соединен с вто 55 рой выходной клеммой 11 для подключенияфильтра, первую катушку 12 индуктивности,дополнительный входной ключ 13, содержащий третий диор 14, анод которого соединен с третьей выходной клеммой 15 дляподключения фильтра, четвертый диод 16,катод которого соединен с четвертой выходной клеммой 17 для подключения фильтра, вторую катушку 18 индуктивности, дополнительный выходной ключ 19, содержащий третий диод 20, анод которого соединен с третьей выходной клеммой 21 для...

Номер патента: 1737578

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Балинский, Кудинов, Кущ, Монголов

МПК: H01P 1/218, H01P 7/00

Метки: волнах, магнитостатических, объемных, прямых, резонатор

...35 иые размеры ДС 9 выбраны такими, чтор ДС полностью перекрывают выборку вое 3 и поглотители .8,оси резонатора,Замена распределенной отражающей проводящем слоеструктуры системы (решеток , ка) каждый Толщина ДС 9 выбрана из соотношенияиз элементов. которой отражает лишь = (й = (О 15-0 35) Ь/и где Ь - длинаФмалую часть падающеи иа ои него волны диагонали квадрата, выполненного вьсистемой зеркал, где граница раздела проводящем слое 3; Ь = и ц /К , К,сред при заявляемых соот он шениях раз- волновое число и-го рабочего типамеров резонатороиатора практически полно- колебаний ПОМСВ, распространяющейсястью отражает ра очую волб ую волну и не от- в ФП 10 в областивыборки, иражает высшие типы волн, по срасравнению 45 ФП 10 имеет...

Номер патента: 1737702

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Ляшенко, Рубан, Талалаевский, Чевнюк, Яковлев

МПК: H03H 7/00

Метки: волнах, магнитостатических

...тем,что, в устройстве на магнитостатическихволнах, содержащем подложку, на которой расположена эпитаксиальная пленка ЖИГ, на поверхности которой размещены преобразователи МСВ и поглотители МСВ, выполненные в виде полосок, поглотители МСВ выполнены на торцах устройства в эпитаксиальной пленке ЖИГ в виде полосок шириной 2,5 - 3 мм, объемно легированных ионами кремния с концентрацией (О,б - 1) 1 0 смНа чертеже представлено устройство на магнитостатических волнах, общий вид,Устройство на магнитостатических волнах содержит подложку 1 из галлий-гадолиниевого граната (ГГГ), пленку 2 ЖИГ,51015 преобразователи 3 и 4 МСВ, поглотители 5и б паразитных МСВ. Устройство имеет форму прямоугольной пластины шириной 2 - бмм и длиной 8 - 20 мм....

Номер патента: 1737704

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Жаров, Малолыченко

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, аттенюатор, волнах, поверхностных

...от них тонкопленочные резистивные нагреватели.На чертеже представлена конструкция аттенюатора на ПАВ.Аттенюатор на ПАВ содержит пьезоэлектрическую подложку 1, входной 2 и выходные 3 и 4 преобразователи ПАВ и многополосковый ответвитель 5, средняя часть 6 каждого электрода которого (или их части) выполнена из ЧО 2, электропровод- ность которого изменяется скачком при температуре фазового перехода.Контактные площадки 7 служат для подключения внешних источников постоянного электрического тока, которым может быть изменена при необходимости температура и сопротивление полоски 6,В области средней части 6 электродов МПО, выполненных из ЧО 2, расположены электрически изолированные от них посредством диэлектрической пленки 8 тонкопленочные...

Номер патента: 1739477

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Алексеев, Веневцев, Попов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, групповой, поверхностных, пьезокерамических, технологии, фильтров

...между электродами - равным или большим расстоянию между элект родами аподизова нного В Ш П.Аналогично выбирают длину, ширину электродов и расстояние между ними в другой группе меандровых структур в соответствии с размерами неаподизованного ВШП фильтра. Апертуру одной из групп ВШС выбирают пропорциональной суммарной длине перекрытий противофазных электродов аподизованного ВШП, расстояние между электродами ВШС - равным расстоянию между противофазными электродами аподизованного ВШП, а ширину электродов ВШС - равной или большей ширине электродов аподизованного ВШП, Аналогично выбирают апертуру, расстояние между электродами и их ширину в другой группе ВШС на основе размеров неаподизованного ВШП фильтра, Под длиной перек р ытий В Ш П Ьи...

Номер патента: 1739478

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Андреева, Марголин, Петров, Поддубный, Сиротин, Сиротина

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, согласованный, фильтр

...имеющие одинаковую начальную фазу "0", подключены к одной шине, а электроды кодовых групп с начальной фазой П подключены к другой шине, Форма электродов каждой кодовой группы определяется дугами окружностей, концентрическими для кодовых групп одной фазы, т.е. дугами окружностей, проведенных из одного центра(например, П 1). Электроды кодовых групп другой фазы также являются дугами концентрических окружностей, но проведенными из другого центра (П 2), расстояние между центрами определяется в соответствии с условием подобия по формуле где р - угол между нормалью к серединерасстояния 1 между центрами П 1 и П 2;Р- дополнительный фазовый сдвиг коМинимальный радиус гмин электродоввходного декодирующего ВШП 2 следуетвыбирать из условияГминЗП ф...

Номер патента: 1753518

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Безручко, Горбатенко, Зубовский

МПК: H01P 1/215

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...уменьшения коэффициента П, пленка феррита па отношению к проводящему слою установлена с зазором, не превышающим ширины продольной и коротказамкнутай поперечной щелей.На фиг,1 представлена конструкция фильтра на магнитостатических волнах; на фиг,2 - разрез А-А на фиг.1.Фильтр на магнитостатических волнах (МСВ) содержит трехсекционный отрезок 10 зом.Широкополосный СВЧ-сигнал, поступивший во входную секцию 1, попадает через переход 6 на ВЩП в виде последовательно соединенных продольной 30 7 и короткозамкнутой поперечной 9 щелей; в результате чего образуется стоячая волна, причем продольная щель 7 возбуждает в пленке феррита 4 объемную МСВ (ОМСВ), верхний частотный предел которой нахо 35 дится на частоте б) Н )Н и,) О) где - гидромагнитное...

Номер патента: 1755344

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Балинский, Ерещенко, Кудинов, Кущ, Монголов, Московченко

МПК: H01P 7/00

Метки: волнах, магнитостатических, объемных, прямых, свч-резонатор

...которыми выбрано равным Ь, Между торцами центральных полосков отрезков копланарных линий имеется зазор 5, являющийся элементом связи между входом и выходом СВЧ-резонатора.Поверх преобразователей 3 и 4 установлен второй диэлектрический слой 6 толщиной б 2, на котором размещена ферритовая пленка 7 толщиной Я, Ферритовуо пленку 7 сверху полностью покрывает второй проводящий слой 8.СВЧ-резонатор на ПОМСВ находится во внешнем магнитном поле Й 0, создаваемом с помощью комбинированного электромагнита (не показан). Внешнее магнитное поле направлено перпендикулярно плоскости ферритовсй пленки 7, что обуславливает работу СВЧ-резонатора на ПОМСВ,Рассмотрим работу СВЧ-резонатора на ПОМСВ.Работа СВЧ-резонатора основана на явлении полного внутреннего...

Номер патента: 1762384

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Калашников, Назаренко

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, пав, поверхностных, рекурсивный, фильтр

...паразитный сигнал появляется на выходе генератора входного сигнала.Целью изобретения является уменьшение искажения формы выходных сигналов,Поставленная цель достигается тем, что в рекурсивном фильтре на ПАВ, содержащем три ВШП, размещенные на пьезоэлектрическом звукопроводе, соответствующие суммирующие шины которых соединены с 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 общим проводом, вторая суммирующая шина первого ВШП соединена с входом устройства, усилитель, фазовращатель, предусмотрены следующие отличия: вторая суммирующая шина второго ВШП соединена с входом усилителя, выход которого соединен с выходом устройства и с входом фазовращателя, выход фазовращателя соединен со второй суммирующей шиной третьего ВШП, первый и третий ВШП размещены в...

Номер патента: 1764103

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Зубовский, Каменецкий

МПК: H01P 1/215

Метки: волнах, спиновых

...внеполосного подавле анизотропные материалы, имеющие йа практике большой параметр потерь ЛН,ния сигнала за счет увеличения длины зат.е. существенно повысить рабочую частоту предельной секции, то .есть за счет увеличения длины ФП, а также при увеличеустройства на СВ, Компенсация потерь в нии рабочей частоты устройства, вследстлиниях задержки и в фильтрах с большим внеполосным подавлением также позволяет создавать качественно новые СВЧ-узлы миллиметрового диапазона СВЧ ние г 1 рямых потерь Формула изобретенияУстройство на спиновых волнах, содерНа чертеже представлена конструкция 40 ложке, средняя часть которой размещена в устройства на СВ запредельном отрезке волновода и попеУстройство содержит первый 1 и второй: речно намагничена...

Номер патента: 1764132

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Гончаров, Караван, Неверов, Нижник, Яцук

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, поверхностных, преобразователях

...изобретения является повышение стабильности частоты генератора в режиме перестройки, расширение диапазонаперестройки частоты и задание требуемогозакона изменения частоты генерации от угла поворота пьезоподложки относительнонепьезоэлектрического основания,Указанная цель достигается тем, что вгенераторе на ПАВ, содержащем усилитель,входной и выходной ВШП, расположенныена непьезоэлектрическом диэлектрическомосновании, пьезоэлектрическую пластину,расположенную над преобразователями свозможностью вращения относительно диэлектрического основания с постоянным зазором, не превышающим шага электродовпреобразователей, ВШП выполнены в видеспиральь о изогнутых веерных преобразователей, а пьезоэлектрическая пластина - ввиде прямоугольной...

Номер патента: 1764137

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Калашников, Назаренко

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, рекурсивный, фильтр

...(АЧХ) устройства, что не позволяет осущест передаЧи аттенюатора - к изменению веливлять достаточное подавление внеполос-чины возрастания, На частотах, близких к ныхсигналов при использовании: . резонансной, фазовращательвносит пбсторецйркулятора в качестве полосовогофиль-: янййй фазовый сдвигв "выходной сигналтра:,. - .-. -. устройства, что приводит клинеййымискаЙаиболее близким к изобретению явля жениям спектра входного сигнала (искажеется рекурсивный фильтр на ПАВ, содержа- ния отсутствуют. только в случае линейнО щий два ВШП, размещенные на ;: зависящего от частоть фазового сдвига - . пьезоэлектрическом звукопроводе, соот- .: .задержка сигнала). За пределами полосы ветствующие суммирующие шины которыхпропусканйя фильтра на ПАВ,...

Номер патента: 1764138

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Ларина, Орлов

МПК: H03H 9/42, H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...м;: : тбте синхроййзма акуСтическая энергия,р, 9 - внешнее и внутреннее попереч- отраженная отражающими структурами 3, ные волновые числа соответственно; .5 ответвляетсявследующую пару связанных1 О - длина участка направленной свя- врлноводов (фиг. 8, эпюра АЧХ в точке "г"), зи, выраженная в длийэх поверхностных Каскадное соедйнение связанных волновоакустических волн.:;: " .. дов увеличиваетвнеполосйое подавление иНа фиг, 1 приведены частотные зави-:приводит краздвоению цейтрального лепесимости: 1 - отражения от отдельной отра стка в точке "д"; Как известно, внеполосное жающей структуры; 11 - . множителя," "подавление в резонаторах типа Фабри-Певозникающего из-за взаимного сдвига двух:роогранйчиваетсяпрямым прохождением с отражающих...

Номер патента: 1774466

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Абрамов, Бондаренко, Опарин, Петров

МПК: H03D 3/00

Метки: акустических, волнах, дискриминатор, поверхностных, частотный

...дискриминационной характеристики от линейной формы, В самом способе получе ния дискриминационной характеристики уже заложена неточность, так как используется аподизация эквидистантных ВШП, которая в принципе лишь приближенно обеспечивает треугольную форму АЧХ полосовых фильтров, составляющих дискриминатор, Кроме того, аподизирующие функции должны быть неограниченными во времени, с быстро уменьшающимися по амплитуде боковыми лепестками. Но, так как преобразователи имеют конечную протяженность, приходится использовать один центральный лепесток аподизирующей функции. Такое,усечение вызывает дополнительное отклонение АЧХ полосовых фильтров от треугольной формы, т.е. дополнительное ухудшение точности демодуляции. Использование...

Номер патента: 1777232

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Забузов, Литвиненко, Чулин

МПК: H03H 9/42, H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, дисперсионное, поверхностных

...расположенияпассивных и активных электродов выбраныодинаковыми.На чертеже показана конструкция дисперсионного четырехполюсника на ПАВ,Дисперсионный четырехполюсник наПАВ содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, на рабочей грани которого расположены входной ВШП, выполненныйнаклонным и неэквидистантным, и выходной эквидистантный ВШП 2, рабочие апертуры которых вдоль направленияраспространения ПАВ совпадают, Наклонный неэквидистантный ВШП содержит активные 3 и пассивные 4 электроды.Пассивные электроды 4 размещены вдольпродольной оси входного ВШП, начиная отпоследнего его активного электрода в сторону выходного В Ш П 2, Активные электроды 3 одной фазы входного ВШПподключены к токопроводящей шине 5, аактивные электроды 3 другой фазы и...

Номер патента: 1780140

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Жгун, Карташев, Негин, Штыков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...элементы связи 4,14,М, поглотители 5, пьезоэлектрическую подложку б, на которой расположены все выше перечисленные элементы.Фильтр работает следующим образом, Электрический сигнал, поступающий на один из ВШП 1 (например, на левый), преобразуется в ПАВ, которая направляется сопряженным с этим ВШП возбукдающим 5 10 15 35 40 45 волноводом 2. В месте пересечения волновода 2 и кольцевого вол новодного резонатора ПАВ 3.1 часть сигнала возбуждает этот резонатор, а оставшаяся в волноводе 2 волна гасится поглотителем 5, расположенным на конце волновода 2. Далее сигнал в месте пересечения резонаторов 3.1 и 3.2 ответвляется в резонатор 3,2 и так далее, С резонатора З.гч сигнал ответвляется в возбуждающий волновод 2, пересекающийся с этим...

Номер патента: 1780142

Опубликовано: 07.12.1992

Автор: Ромулов

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...разница фаз в них обеспечивала требуемую АЧХ, что достигается, например, для формирования сверхузкополосной характеристики при разности фаэ 180, которая может быть получена, например, одним из следующих способов или их комбинацией.Увеличением расстояния между преобразователями б и 8 дополнительного канала на расстоянии Ы =(Л/2 + р 1)в направлении распространения акустической волны, где Ь 1 - увеличение длин ы до пол ител ьно 1780142го канала относительного основного; А - длина акустической волны; гр 1 - набег фазы в отражательной структуре основного канала.При этом преобразователи 5, 6, 7 и 8 включены параллельно синфазно,Расположением в дополнйтельном канале В металлической пленки 10, обеспечивающей равный фазовый набег в каналах А и В,...

Номер патента: 1780145

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Алексеев, Злоказов, Осипов

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, регулируемая, ультразвуковая

...своими штырееыми электродами взаимно ортогонально друг.тотносительно друга и под углом " го отно 4 шени:-о к ПДГ 3 и 4, управляющие электроды 7 расположенные на обеих противолежа 71ших Л-гранях звукопровода 1, края 8 и 9 одного из которы; 7, расположенного на рабсчей Е-грани звукопровода 1, выполнены параллельным; ПДГ 3 и 4, регулируемый источник 10 эд: ктрческого напряжения, подсоединенный к управляощим электродам 7,7, Штыревые электроды ВШП 5 и 6Х л составляют угол -; с ПДГ 3 и 4 и уголФмежду собой, при этом входной ВШП 5 целиком (за исклО.;Нем может быть его контактны 11 гцадок) расположен в Области домена 2 обратной погярностл и его штыревые электроды параллельны кристаллофизи,вской оси У материала зеукопровода вну", ри...

Номер патента: 1780146

Опубликовано: 07.12.1992

Автор: Груздев

МПК: H03H 9/46

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...сферических углублений 5 и б выбран н соответствии с указанным выше выражением.Фильтр на ПАВ работает следующим образом,При подаче входного сигнала на ВШП 2 н пьезоэлектрической подложке 1 возбуждается ПАВ, которая, распространяясь по ее герной основной годни, достигает ВШГ 3 и формирует на нем выходной электрический сигнал с амплитудно-частотной характеристикой АЧУ), состветству:сщей заданной, например АцХ полосового фильтра, Одновременно с генерацией ПАВ генерлруется и ОАВ, которая распространястся вглубь пьезоэлектрической подложки 1 и, попадая после отражения от второй ее основной грани на ВШ.П 3, можно вызнать появление некедательных полос пропускания что обычно выракается н уменьшении уровня подавления сигнала справа от рабочел...