Патенты с меткой «волнах»

Номер патента: 1255986

Опубликовано: 07.09.1986

Авторы: Акпамбетов, Боженко, Гурьев, Тимошенков

МПК: G04F 10/06

Метки: акустических, волнах, времени, задержки, поверхностных, фильтров

...минимальной.Время задержки определяют по следующей формуле:т = +Ошибка измерения определяется восновном точностью фиксации момента3 12559 1 О Устройство позволяет проводитьизмерения времени задержки фильтровна ПАВ с точностью +0,01 нс. Динамический диапазон достигает 120 дБ.Введение супергетеродинного приемни.ка позволяет селективно выделять интересующую часть спектра, например,измерять корреляционную функцию импульсной характеристики фильтров наПАВ на третьей гармонике, уменьшивуровень помех. Это позволяет повысить точность и применять корреляторв промьппленных условиях для автоматизации технологического процесса,Использование устройства при производстве изделий на ПАВ позволяетболее качественно произвести из разбраковку по...

Номер патента: 1278997

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Вашковский, Зубков, Новиков, Петрунькин, Радюк

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, многоканальное, свч

...задержки электромагнитной волны на соответствующем выходном преобразователе 2 относительно входной электромагнитной волны, будет различным из-за разной величины волновых векторов и длины полос 4.В случае многоотводной линии задержки с неизбирательными входным преобразователем 1 и входными преобразователями 2, величина волнового вектора определяется однозначно значениями частоты ПМСВ, внешнего постоянного магнитного поля, намагниченностью насыщения ферритового материала полос 4, толщиной полос 4 и направлением волнового вектора, При этом на каждом из выходных преобразователей 2 получают соответствующий СВЧ-сигнал частоты ы, каждый со своей определенной задержкой,В случае многоканального СВЧ-фильтра на магнитостатических волнах с...

Номер патента: 1322091

Опубликовано: 07.07.1987

Автор: Пугачев

МПК: G01B 17/00

Метки: акустических, волнах, датчик, поверхностных, поворота, угла

...9 и 10, совпадают с нормалями к внутренней цилиндрической поверхности 8, Пластина 7 предназначена для взаимодействия в ходе работы с контролируемым объек том.Датчик угла поворота на ПАВ работает следующим образом. На цилиндрических поверхностях 50 пьезоэлектрических полудисков 1 и 2 излучающие преобразователи 3 и 4 формируют ПАВ, распространяющиеся в противоположных направлениях и затухающие в поглотителях 5 и б, В исходном состоянии подвижная диэлектрическая пластина 7, например, из стекла располагается в плоскости, перпендикулярной полудискам 1 и 2, и время рас 912пространения ПАВ от излучающих преобразователей 3 и 4 до приемных преобразователей 9 и 10 на внутренней поверхности 8 пластины 7 одинаково. При повороте подвижной пластины...

Номер патента: 1322389

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Букесов, Прокушкин, Шараевский

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...В этом случае АЧХ имеет наиболее широкую форму. 1 ил.Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в устройствах обработки СВЧ-сигналов в качестве фильтра с управляемыми параметрами.Цель изобретения - управление формой амплитудно-частотной характеристики.На чертеже представлен фильтр на магнитостатических волнах.Фильтр содержит ферритовую пластину 1, входной 2 и выходной 3 преобразователи, периодическую полупроводниковую структуру 4, элементы 5 которой выполнены в виде р-(.п-диодов, источник 6 управляющего на- пряжения фильтр на магнитостатических волнах работает следующим образом.Электромагнитный сигнал, поступающий на входной преобразователь 2, возбуждает в ферритовой пластине 1 магнитостатическую волну,...

Номер патента: 1330468

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Даубарис, Даугела, Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01N 29/00

Метки: акустических, волнах, измерительных, импульсной, многомерной, поверхностных, преобразователей, характеристики

...6 и устанавливают много меньше шага дискретного изменения ее координаты на оси Х, а длительность о импульсов света устанавливают по условиюмТак как длительность переходных процессов импульсной характеристики при воздействии испытательным сигналом, приближенным к виду 3(С), для преобразователей имеет тот же порядок, как и время ( . Поэтому необхо,- сд) димо выполнение условия (что позволяет исключить влияние переходных процессов из-за включения и выключения испытательных сигналов (у (х) и(у). Указанным образом формируют испытательный сигнал в первом и втором циклах измерения. Координату освещаемой зоны по оси Х изменяют блоком 7 сканирования луча. После освещения и зон на выходе синхронного детектора 9 регистрируют матрицу - строку ш...

Номер патента: 1343470

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Гурзо, Прокушкин, Стальмахов, Шараевский

МПК: H01P 1/23

Метки: волнах, магнитостатических, шумоподавитель

...и 35, Москва, Ж, Раущс аказ 483 одписное омитета СССРоткрытийая наб д. 4/ 1 роизводственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к техникеСВЧ и предназначено для увеличенияотношения сигнал/шум в системах обработки информации,Целью изобретения является расширение рабочей полосы частот.На фиг,1 представлен пример выполнения шумоподавителя на магнитостатических волнах; на фиг,2 - разрез А-Ана фиг,1.Шумоподавитель на магнитостатических волнах содержит подложку 1 с закрепленным на ней ферритовым слоем 2,который может быть выполнен в видепленки по эпитаксиальной технологии,диэлектрическую подложку, которая вданном примере выполнена в виде ферритового слоя 3, закрепленного на диэлектрическом...

Номер патента: 1346060

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Вольф-Экхарт, Ханс

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, полосовой, фильтр

...вэлектрический сигнал. При этом акустический сигнал частично отражаетсяот структуры 3 и вновь поступает вструктуру 2, образуя сигнал тройногопрохождения. Появление этого ложногосигнала приводит к появлению искажений амплитудной характеристикифильтра,Для подавления сигнала тройногопрохождения, возникающего в результа 35те нежелательных многократных отражений от структур 2 и 3 в данном фильтре соотношения между протяженностямии 17 электродных структур 2 и 3и расстояниями с 1 с 17 между штыревы 40ми электродами этих структур 2 и 3выбраны в соответствии с зависимостями: 1, /1. 1/2, д /д =.1+ - .с 1,Р-.1Как следует из фиг, 2 амплитудае у45сигнала тройного прохождения Г равнанулю при частотах Ги Г, значения1Ркоторых соответственно меньше и...

Номер патента: 1350704

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Новиков, Петрунькин

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...анализаСВЧ-сигналов,Цель изобретения " уме"ьяек.не керавномеркости вкосимьх потерь приперестройке и расширение частотногодиапазона,На Фиг,1 изображен предлагаемыйФильтр на магнитостатических волнахна Лиг,2 - сечение А-А на Фиг,2.Фильтр на магнитостатических волнах содержит первую диэлектрическуюпластину 1, металлизацию 2, много- "штыревые преобразователи Р, отрезки4 ликии передачи СВЧ-сигнала, 1 ерритовую пленку 5, втопчуо диэлектрическую пластину 6,Устройство работает сецуоим образом.На мкогоштыревой преобразовательр поступает входной электромагнитныйсигнал и без существенных отраженийпроходит по нему. При этом в 1 ерритовой :женке 5 возбуждаются магнчтостатическке волны, Они распространяютсяпо Йерритовой пленке 5 от одного...

Номер патента: 1376215

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Забузов, Кирюхин, Сиротин, Сиротина

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, гармонических, генератор, задержки, колебаний, линии, многочастотный, поверхностных

...7, Выходные ВШМП 33,3, должны быть расположены с одной стороны от входного ВШМП 2, но могут быть расположены различным образом по отношению друг к другу, в частности друг под другом (фиг,1), друг за другом (фиг,2) или в виде комбинации указанных расположений (на чертежах не показано)Основание прямоугольно"трапецеидальной призмы, в виде которой выполнен фазокорректирующий элемент 6, параллельно направлению распространения ПАВ. фазокорректирующий элемент 6 компенсирует технологические погрешности линии задержки и выходных ВШМП 31,33 , Выбор разности длин оснований трапецеидальной грани прямоугольно-трапецеидальной призмы и угла при ее основании в соответствии с апертурой 11 входного ВШМП 2, которая идентична апертуре синхронизирующего...

Номер патента: 1385167

Опубликовано: 30.03.1988

Авторы: Власкин, Дубовицкий, Новиков, Петрунькин

МПК: H01P 1/215

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...изобретений и открытий 113035, Москва, 7(-35, Раушская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в системах анализа и обработки магнитостатических волн (МСВ).5 На чертеже схематически показан 10 фильтр на МСВ.Устройство содержит входной 1 и выходной 2 многоштыревые преобразователи, диэлектрическую подложку 3, металлизацию 4 и ферритовую пленку 5., 15Фильтр на МСВ работает следующим образом.СВЧ-сигнал, поступающий на преобразователь 1, при определенном значении внешнего постоянного магнитного 20 поля (магнитная система не показана) преобразуется в МСВ,которая распространяется в ферритовой пленке 5 по направлению к преобразователю...

Номер патента: 1392605

Опубликовано: 30.04.1988

Авторы: Новиков, Петрунькин

МПК: H01P 1/215

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...относится к технике СВЧ и предназначено для частотной селекции сигналов в системах их анализа и обработки.Целью изобретения является подавление резонансов вне полосы пропускания.На чертеже схематично изображен фильтр на магнитостатических волнах.Фильтр на магнитостатических волнах содержит входнойи выходной 2 многоэлементные преобразователи электромагнитных волн в магнитостатические волны н обратно, ферритовую пленку 3, 15 обе стороны которой в данном случае выполнены в виде Б зубьев 4, диэлектрическую подложку 5, металлиэацию 6 и электромагнит (не показан).фильтр на магнитостатических вол" 20 нах работает следующим образом,При подаче на входной преобразователь 1 СВЧ-сигнала в намагниченной электромагнитом ферритовой пленке 3...

Номер патента: 1406705

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Ковалев, Огурцов, Сафонов, Эпинатьев

МПК: H03B 5/32

Метки: автогенератор, акустических, волнах, задержки, линиях, поверхностных

...со входа второго усилителя 2 через взаимный двухполюспик 1 связи поступают на вход первого усилителя . Это приводит к захвату колебаний первой и второй автоколебательных систем, в результате чего устанавливается единая частота н, изменения которой от температуры определяются амплитудами колебаниии 1. на входах первого и второго усилителей, временами задержек Т и Т соответственно первой и второй линий 5 и 6 задержки на ПАВ, и температурными коэффициентами задержки а и а соответственно первой и второй линий 5 и 6 задержки на Г 1 АВ. Взаимная синхронизация обеспечивает синфазность колебаний первой и второй автоколебательных систем в некоторой полосе расстроек между их автономными частотами в и 1 о Эта полоса синхронизма тем больше,...

Номер патента: 1418830

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Кабыченков, Шавров

МПК: H01P 1/215, H01P 9/00

Метки: волнах, спиновых, частотно-селективное

...полеформы ферромагнитного элемента 1, днеоб)ходимый градиент внутреннего поля создается неоднородной магнитнойанизотропией. 11 мецо в этом случаепонерхность, образованная мнжстномточек поворота, будет плоск)Й, д изЛУЧЕННЫЕ В НаС 1 РДВЛЕНИИ НЫХОДНОГОпреобразователя спиноные волньс - ко 35 О ЭЛЕМЕНта, ПРИЧЕМ МОДУЛ 1 ГРа - Ккоцстантьс мдгитцой днишс удовлетворяет соо гспсе)с)по цитног диента э о троп ч1 б)1/, ,с 40 где 1,цамдгичс ссн с т асьп сеця;ДЛИ)Са ЗЛЕКтРОМДГцт)Й СОЛ -герентными. цьс;требуемый ко ффссссиет ре - обрдэов дццч зсссктр)";д 1 итНО Й ВО С 1 Ы ЦПсЦ) СЭ ч Р) . Гостянитель Н.СавченкоТехред Л.Олийцьск Корректор Н. Е рос 1 Редактор Н,Гуссько Заказ 4163/52 Тираж б 32 11)дни.оеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам...

Номер патента: 1467615

Опубликовано: 23.03.1989

Авторы: Игнатьев, Мостовой

МПК: H01P 1/215

Метки: волнах, каналов, магнитостатических, свч-разделитель

...обратные объемные МСВ, а при двух СБЧ-сигналах с соответствующими частотами - одновременно и те и другие. При этом прямые поверхностные МСБ распространяются в направлении, перпендикулярном направлению поля Н, магнитной системы 7, т,е. вдоль направления продольной осн входного преобразо 35 вателя 3, и в первом выходном преобразователе 4 происходит обратный процесс преобразования их мощности в мощность электромагнитной волны. Обратные МСВ распространяются вдоль поля Н и. возбуждают электромагнитные волны во втором выходном преобразователе 5 но уже в другом частотном диапазоне. В результате происходит час тотное разделение СВЧ-колебаний,Особенностью таких МСВ являетсято, что нижняя частотная граница существования прямых поверхностных и...

Номер патента: 1469351

Опубликовано: 30.03.1989

Автор: Сырмолотнов

МПК: G01B 17/00

Метки: акустических, волнах, датчик, микроперемещений, поверхностных

...травления. Входной ВШП 26 состоит из пластины 29и электродов 30 аналогичных деталям27 и 28 конструкции. Указанные формыэлектродов и канавки выбраны для повышения эффективности преобразования ПАВ.Устройство работает следующим образом,В среднем положении каретки 6 ипьезопластины 10 входной ВШП 25 возбуждает через воздушный зазор первуюПАВ, которая распространяется вдольповерхностного слоя верхней грани(фиг.1) пьезопластины 10, проходитчерез сопрягающую поверхность на левую грань и достигает выходной ВШП 13за времяТУгде Ь, - расстояние между ВШП 25 и 13по поверхности пьезопластины 10;Ч - скорость ПАВ.Аналогичным образом вторая ПАВ возбуждается входным контактным ВШП 26, распространяется вдоль поверхностного слоя нижней грани...

Номер патента: 1469537

Опубликовано: 30.03.1989

Автор: Новиков

МПК: H03B 7/14

Метки: волнах, магнитостатических, свч-генератор

...б в направлении первого 3 и второго 4 выходных преобразователей. Часть этой волны возбуждает электромагнитную волну в первом выходном преобразователе 3, коэффициент преобразования которого в К/р раз меньше коэффициента преобразования входного преобразователя 2, где К - коэффициент усиления усилителя 1, р - коэффициент ослабления магнитостатических волн на пути между входным и первым выходным преобразователями 2 и 3. Эта электромагнитная волна через один из проводников 8 поступает на вход усилителя 1. В результате обеспечивается нарастание амплитуды колебаний и их поддержка в установившемся режиме.Другая часть магнитостатической волны вторым выходным преобразователем 4 преобразуется в электромаг-. нитные колебания, которые и...

Номер патента: 1501198

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Вашковский, Локк, Щеглов

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, поверхностных, фильтр

...зависит от частоты: траектории ПМСВ более низких частот искривляются сильнее, Расположение выходного преобразователя 3 на пути ПМСВ, частота которых лежит между областями высоких и низких частот, обеспечивает селективность фильтра на ПМСВ.Изменение расстояния между стержнем 4 и поверхностью магнитной пленки 1 позволяет изменять глубину области с локальным неоднородным магнитным полем и тем самым перестраивать полосу пропускания фильтра на ПМСВ. Увеличение расстояния а между проекциями центров входного 2 и выходного 3 преобразователей позволяет дополнительно повысить селективность фильтра на ПМСВ.Открытый доступ.к ПМСВ на всем пути ее следования позволяет расширить функциональные возможности фильтра, например реализовать многоканальный...

Номер патента: 1510027

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Гречушкин, Куликов, Прокушкин

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, резонатор

...касательно намагниченную внешним магнитным полемН прямоугольную ферритовую пластину 1, входной и выходной преобразователи в виде полосковых линии 2 и 3,продольные оси которых лежат на оси размещен слои 4 диэлектритор работает следующим обформула из обр етения Составитель Н. Павловаедактор А. Мотыль Техред А.Кравчук Корректо Шар оши Тираж 616 Заказ 582 писноекрытиям при ГКНТ СССРд. 4/5, ВНИИ Государственного113035,мите тасква,изобретениям и Раушская наб Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,10 3 1510027поля Ц Обратная объемная МСВ отражается от области с пониженным внутренним магнитным полем, образующейсявблизи краев прямоугольной феррито 5вой пластины 1 при ее касательном намагничивании эа счет...

Номер патента: 1538198

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Алиев, Зубков, Локк, Щеглов

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, фильтр

...перпендикулярнопреобразователям 3 и 4 с возможностьюперемещения вдоль них, магнитную систему и источник управляющего тока (неприведены), причем расстояние с между преобразователями 3 и 4, длины 1линейных проводников 6 и 7 и ширинаа ферритовой пленки 2 удовлетворяютсоотношениям1 ъ, 2 с; 0,5 а (с (1,.5 а,35Фильтр на магнитостатических волнах работает следующим образом.СВЧ-сигнал, поданный на преобразователь 3, возбуждает в ферритовой пленке 2 поверхностные магнитостати 40 ческие волны (ПМСВ), которые распространяются к преобразователю 4 где снова преобразуются в электромагнитный сигнал. Так как при включенном источнике управляющего тока линейные проводники 6 и 7 создают в Ферритовой пленке 2 неоднородное в направлении преобразователей 3 и...

Номер патента: 1539868

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Каменецкий, Ковшиков, Соловьев

МПК: H01P 1/11, H01P 5/18

Метки: волнах, свч-устройство, спиновых

...пленке 3 спиновые волны, распространяющиеся к первой и второй выходным антеннам 5 и 6. В отсутствие тока в металлическом электроде 7 значительная часть энергии спиновой волны передается в первую выходную антенну 5, а ее меньаая часть - во вторую выходную антенну б. Таким образом может быть реализован режим ответвления СВЧ-сигнала. ния источника напряжения. Антенна 6выполнена Т-образнойПри подаченапряжения на электрод 7 на АЧХ выходных сигналов появляются глубокие провалы, частотами которых можно управлять как изменением тока на электроде 7, так и изменением угла между егопродольной осью и продольной осьюпленки.3. 0 результате м.б. реализован режим частотно-селективной режек"ции 1 ил При подаче напряжения на металлический...

Номер патента: 1569951

Опубликовано: 07.06.1990

Автор: Осипян

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, конвольвер, поверхностных

Номер патента: 1608429

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Колебанов, Пугачев

МПК: G01B 17/00

Метки: акустических, волнах, датчик, поверхностных, поворота, угла

...навесными перемычками (не показаны). Межэлектродное расстояние междупреобразователями 9 равно половинедлины волны ПЛВ.Датчик угла поворота на ПЛВ работает следующим образом,На верхнем полюсе сферы 1 (звукопровода) преобразователи 9 формируютПАВ, распространяющуюся равномернопо поверхности звукопровода к нижнемуполюсу, которая затухает в поглотите, ле 3 ПАВ. В исходном состоянии приподаче .сигнала с генератора (не показан) на излучатель 2 подвижная диэлектрическая пластина 4, например,из стекларасполагается, в плоскостисимметрии на равном удалении от. полюсов сферы 1. Бремя распространенияПАВ от излучателя 2 ПАВ до приемниковбПАВ, закрепленных на внутренней55поверхности 5 диэлектрической пласти-ны 4, одинаково. При повороте подвижной...

Номер патента: 1626274

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Балинский, Берегов, Ерещенко, Кудинов, Кущ, Монголов

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, перестраиваемый, полосовой, фильтр

...его отражающая сторона 14 расположена под углом 45 к щелям 9 и 10. Ферромагнитная пленка 1 ортогонально намагничена полем Но.Фильтр работает следующим образом.СВЧ-сигнал, поступающий на входной преобразователь 7 с частотой, совпадающей с частотой настройки входного резонатора 4, возбуждает во входном резонаторе 4 колебания различных типов. Через щель 9, коэффициент передачи которой максимален для колебаний основного типа и резко уменьшается для колебания высших типов, сигнал поступает в элемент 6 связи, который отражает его под прямым углом к щели 10, при этом модуль коэффициента отражения близок к единице только для магнитостатических волн с малыми значениями волновых чисел и быстро падает с ростом волнового числа. Отраженная элементом...

Номер патента: 1627601

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Карпеев, Купрюнин, Мелкумянц, Ракитин, Раков, Федоров

МПК: C30B 29/30, C30B 33/10

Метки: волнах, лития, ниобата, поверхностно-акустических, подготовки, подложек, фильтров

...1 Л ОИНЫ 5(ЛОК ТРДВ,(ЦИ 51Пг)и.)( г) I. 10 пц;ь 1 ожк и ( нио 6;т( .1 ития дидметроч 50 чм и толп(Но 1 мч с о;(ной стороны Илифуюг алманыч дбрдивм ло о 6 р( ц В ( н и 5 н (н (. й ч и к р о н р 0 В н Ост и Гл у нци 20 м кч. 11 оков;1 01 ь ил(еря к)т и; прфи,цгрдф(-профГол( гр н;1 пяти рд - ,изныл отрнкдк. 11 ц.ьо кку 06 рдбдтывдк; н рави (,е и ( У(П/ь нгр Ол,(ц 240 (:,И ци( 1 О чн. 1 ц,л ;1 о Ин( ркнцсь ,м 6 ипци ячцк Гр;н 1 ня,)81;) л(кч, 11 ылцл и)лложек в 0,(нук п 1 нлук(ию тгяц,учния фильтров нд поверкностпо-акусти искик Вцлндк 1(Н)".П(и, р 2 110.1 ожкирис цтдвливдк)т к( к (при л 1 ре. Иц ил 1(Н 5 к)т ВИ.1, и ст( и(.нь лилН(кц) 06 р;160 тки, сос:и( 1 р;Вит(,1 я,ЛПрдтурЛ И .ЬИт.ЬНОТЬ тр;ГкСиня 2104(:1 О(.1 11,11 ОБ)л 11 111 ;(л 1. )л 1...

Номер патента: 1629840

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Бельский, Малахов, Русаков, Сорокин

МПК: G01N 29/24

Метки: акустических, волнах, газов, датчик, жидкостей, поверхностных, состава

...ПАВ;- относительная ширина прабочих частот преобразтелей ПАВ.Смысл выражения (1) заключается в том, что при выполнении этого условия полоса режекции (непропускания) сигнала ПАВ находится в пределах главного лепестка АЧХ преобразователей ПАВ.Датчик В работает следующим образом.Входной преобрдает в звукопровопринимается выходным преобразователем 3. При выполнении условия (1) из-эа наличия решетки 5 между, преоб- разователями на некоторой частоте Х внутри полосы рабочих частот преобразователей наблюдается режекция сигнала, т.е. при отражении ПАВ от решетки АЧХ датчика возникает полоса непропускания сигнала на частоте 1 (фиг.2). Частота Х связана со скоростью ч распространения ПАВ в слоистой структуре пленка - звуко- провод...

Номер патента: 1631631

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Третьяков, Харина

МПК: H01P 1/218

Метки: волнах, магнитостатических, частотно-избирательное

...на фиг,2 - то же, вид спереди.Устройство содержит диэлектрическую подложку 1, на которую нанесены входной и выходной преобразователи 2, 3 магнитостатических волн, ферритовую пленку 4, намагниченную до насыщения и расположенную на входном и выходном преобразователях 2, 3, входной и выходной отрезки 5, 6 линий передачи, к которым подключены входной и выходной преобразователи 2, 3 соответственно, Входной и выходной отрезки 5, 6 выполнены Я-образными, центральные части 78 которых параллельны входному и выходному преобразователям 2, 3, На нижнюю поверхность диэлектрической подложки 1 нанесен слой 9 металлизации,Частотно-избирательное устройство на магнитостатических волнах работает следующим образом.. СВЧ-сигнал через входной отрезок 5...

Номер патента: 1638636

Опубликовано: 30.03.1991

Автор: Снитко

МПК: G01P 15/08

Метки: акустических, алексерометр, волнах, поверхностных

...консоль 3 с нанесенной фазовой решеткой 15, где глубина Фазовой модуляции равна я /4,а шаг равен длине ПАВ % ц (Фиг3,б), При этом предполагается, что распределение фазы в пространстве -постоянное и определяется профилемрешеткиДалее модулированный по Фазесветовой поток 9 (1) проходит черезсветопрозрачную полированную с обеихсторон пьезоэлектрическую пластинку10, по которой распространяется ПАВ.Момент Т = 0 показан на Фиг. 3, г.После этого сфокусированный фокусирующей линзой 7 световой поток, пройдя диафрагму 8, ограничивающую паразитное освещение, попадает в Фотодетектор 9, в котором, благодаря интерференции модулированных фазовойоптической решеткой и ПАВ световыхлучей, получается сигнал с минимальной амплитудой (Фиг, 3, д),...

Номер патента: 1528183

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Александровский, Грин, Груцо, Лукомский, Маковецкая, Попельнюк

МПК: G02B 5/20

Метки: волнах, оптический, ортогонально, поляризованных, связанных, узкополосный, фильтр

...иэдолей. ио атка п и в с , ат. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ 46) 30,04.91. Бюл. У 16(71) Институт Физики твердого тели полупроводников АН БССР(54) ОПТИЧЕСКИЙ УЗКОПОЛОСНЫЙ ФИЛНА СВЯЗАННЫХ ОРТОГОНАЛЬНО ПОЛЯРИЗОВАНН 1 Х ВОЛНАХ. Изобретениеа.именно к уэкоптического дижет использоватроникеоптичфии, иэмерителЦель иэобредиапазона рабодо 526-540 нм.На чертежвисимостиФильтра от скристалле.Оптическийсвязанных ортаных волнах на526-540 нм выпмонокристалловрых отклоняетсили в сторонудо 0,08 ат. Добытка по селен е представлен график задлины волны пропускания одержания селена в мОно е относится к оптике, ополосным Фильтрам пазона спектра, и льзовано в квантовой тичесМой...

Номер патента: 1651353

Опубликовано: 23.05.1991

Автор: Бельский

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...у2 1 0 то ас Ьа 23,М при нечетном Еи --- Ь)А +2 при четном Е,/если --- 1Ь.2 то а (1 Ц,2 Ц,и --- (и)А + Ь2и при нечетном и при четном и,2,-+ 2 1 с = + 3 ААгде 0 и- углы между первой и второй соответственно боко: вьми гранями звукопровода и прямыми соединяющими вершину угла, образованного первой и второй боковыми гранями звукопровода, с ближайшей к соответствующей грани крайней точкой апертуры преобразователя, рад,и 1 - углы, образуемые первойи второй боконьи граня-ми соответственно с наИзобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в акустоэлектронных устройствах на поверхностных акустических волнах (ПАВ).ель изобретения - снижение уровня ложных сигналов и повышение долговременной стабильности.На Фиг.1...

Номер патента: 1653189

Опубликовано: 30.05.1991

Автор: Рогинкин

МПК: H01R 13/10, H05K 1/18

Метки: акустических, волнах, выводами, контактное, микросхем, поверхностных, подключения, фильтров, штырьковыми

...ВУЛОЕ( Э И КОР " тугом 1 выполцец зазор, величина кос,ОГО должна быГь меньша вРти чинь ПРещеция самого выступа 5 20горизонтальных отверстиях кор;т ": 1 расположены тзолятоц ье втуп" ,с.: 8, ,В которых с одноц сороеы закд)едь.Сны клицовид.ые прижимные. пдуеже)ы 9 с углом клина, р,вцым углу межплоскостями паза ч В контактных "., улках 3. С другоц с горо ы втулдок 8 закреплены стерлли 10 с резьбой которые свододно прах )цят в с тверстия к.:помысла1 тт фиксдруОТСЕ Гядкаеи б)Г - сила пруяпн, плуцжеря;1 - сила давления клина, равнаяГЯ2 БпН - Ваь Ттда хода плужера;с - угол между плоскостями;модуль продольной упругости материала контактной втулки;Б - осевой момент инерции поперечного сечения прустттящет.овыступа.На корпусе 1 закреплен: кронте 1...