Патенты с меткой «волнах»

Номер патента: 898591

Опубликовано: 15.01.1982

Авторы: Банков, Карапетьян, Орлова, Перевощикова, Стремовский

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...преобразователя 2. Часть ПАВ отражает- З .ся от рабочих электродов, т.е. элект. родов секций 5, преобразователя 2, Отраженные ПАВ от каждого из злект" . родов складываются в фазе, так как расстояние между ближайшими электро 3 дами равно половине длины ПАВ на центральной частоте фильтра. Достигая преобразователя 2, эта часть ПАВ частично отражается от него, вновь попадая на преобразователь 2. Эта46 часть ПАВ, как и основные ПАВ, преобразуется преобразователем 2 в электрический сигнал. Однако из-за наличия между еекциями 5 дополнитель 1 ных групп электродов 6 отраженные от них ПАВ складываются в противо-43 ,фазе с ПАВ, отраженными от электродов секций 5, что приводит к значи" тельному снижению величины сигнала на ВШП 2,...

Номер патента: 900409

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Дятлов, Клименко, Макаров, Мирошниченко

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...дисперсионную линию 5 задержки, генератор б тактовых импульсов, ключ 7,генератор 8 строба (ждущий мультивибратор строба сигнала), смеситель9, гетеродин 10 инвертора, спектра.Устройство работает следующим образом.Входной сигнал подают на модуля -тор 1, одновременно, при помощи детектора 4 огибающей запускается генератор б тактовых импульсов, который управляет моментом запускаперестраиваемого гетеродина 2, ждущего мулътивибратора 8 строба сигнала и гетеродина 1 О инвертора спектра, с выхода модулятора усиленныйсигнал усилителем 3 подают на дисперсионную линию 5 задержки, времязадержки выходного сигнала которойзависит от центральной частоты 40преобразованного модулятором 1 входного сигнала, таким образом на выходе дисперсионной...

Номер патента: 918916

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Вакульчук, Вознесенский, Капшевич, Пасник

МПК: G01V 1/52

Метки: акустического, аппаратуры, волнах, каротажа, отраженных, прибор, скважинный

...вставка с прилегающими частями корпуса скважинного прибора, причем часть резиновой оболочки по левой половине вида условно не показана; на фиг. 2 - горизонтальное сечение скважинного прибора, находящегося в скважине, выполненное по звуко- проводящей вставке; на фиг. 3 - упрощенный разрез звукопроводящей вставки по вертикальной плоскости, на котором показан ход ультразвуковых лучей.Скважинный прибор имеет металлический корпус, состоящий из двух трубчатых секций 1, 2 и эвукопроводящей вставки 3, Звукопроводящая вставка содержит металлические ребра 4 жесткости и покрывающую их эластичную оболочку 5. Так как ребра жесткости наклонены к оси скважинногооприбора под углом 5 645 и равномерно установлены по окружности, звукопроводящая...

Номер патента: 919051

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Гвоздев, Джонсон, Зибров, Петров

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, амплитудно-частотной, волнах, поверхностных, устройств, формирования, характеристики

...длины акустической волны взвукопроводе 3. Преобразователи 2 покрыты зацитной диэлектрической пленкой 5. Злектропроводяшая пленка (металлический экран) 6 с отверстием 7,контуры которого имеют форму кривойаподизацци, расположена параллельнопреобразователям 2 на рассгоянци отцих, меньшем длины ПАВ. Для уменьшения статической емкости между электродами поеобразователя и металлическимэкраном 8 последний выполнен в видесетки с размерами ячеек, меньшимидлины акустической волны в звукопроводе. При подведении электрического сигнала к встречнс-штыревому преобразователю 2 между электродами возникаетэлектрическое поле фцг. 3), Час тьсиновых линий поля проникает в пьезоэлектрический звукопровод, вызывая внем упругие деформации с пространственным...

Номер патента: 930279

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Болотов, Иконников

МПК: G05D 3/10

Метки: акустических, аподизации, волнах, поверхностных, устройств

...элемента индикатора, положения устройства использована имею 45щая .штриховую структуру поверхностьаподизируемого устройства.На чертеже изображена оптическая схема установки,Схема содержит осветитель 1, конденсатор 2, координатный стол 3, аподизируе 50мое устройство 4 (фотодатчик), обьектив5, зеркало б оптическую систему 7, диафрагму 8 (затвор), лазер 9, фотодетектор10, окуляр 12, зеркало 11, блок программного управления 13 и привод координвтного стола. Зеркала 6 и 11, осветитель1, конденсатор 2, обьектив 5 составляютцвекци онную систему. 79 4Излучение лазера 9, оградиченное диафрагмой 8 и сформированное оптическойсистемой 7, фокусируется обьективом 5на поверхность изделия 4, установленногона координатном столе 3. Последний...

Номер патента: 930587

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Василина, Левчук, Смеркло

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...преобразователи.Диэлектрическое. основание 2 выполнено из клея, например, типа ЗЛос наполнителем иэ соответствующегопорошка.Может быть применен клей следую"щего состава, вес.ч,:Смола эпоксиднодиановая неотверженная ЭД100Смола низкомолекулярная полиамиднаямарки Л60 20Еварц молотыйпылевидный маркиКП 1,или порошокдругого материала) 160Фильтр работает следующим обраэомвПоверхностная акустическая волнавозбуждается при помощи входноговстречно-штыревого преобразователя3 на поверхности пластины 1 и при"нимается выходным встречно-штыревымпреобразователем 4. Одновременно споверхностной волной возбуждаютсяобьемные акустические волны, которые уходят вглубь звукопровода, от 35ражаются от его обратной стороны ипринимаются выходным...

Номер патента: 936387

Опубликовано: 15.06.1982

Автор: Шелухин

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, отражающими, поверхностных, решетками, устройств

...фотошаблона и ионного травления преобразователей.Напыление регулирующего слоя в области расположения отражаюищх решеток, обесп,чиваюшего необходимую глубинУ 25 канавок при одновременном изготовлении преобразователей и отражающих решеток, позволяет производить формирование защитной фоторезистивной маски одновременно для преобразователей и отражаюшихрешеток, что повышает точность их взаимного расположения,Толшина регулирующего слоя выбирается такой, чтобы суммарная длительность ионного травления регулирующего слоя и канавок отражающих решеток в подлож 35 ке равнялась длительности травления преобразователей. Толщина регулирующего слоя определяется по формуле40 Ь =Ч )пр ПодлРЕг РЕГ Члр Члодл где ЧрЕ,ЧР иЧПО - скорости...

Номер патента: 945951

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...электродов 13, 14 и 16, 17 (простран" ственный период) равны пространственному периоду электродов основной структуры 6. входного преобразователя 2 и электродов выходного преобразователя 3 и выбраны из условия акустического синхронизма. Наряду с этим, пространственные периоды первой 12 и второй структур 15 рядов электродов 13, 14 и 16, 17 могут быть выбраны из условия акустического синхронизма на нечетных гармониках. Кроме того, расстояния между продольными осями смежных электродов 13, 14 и 16, 17 могут изменяться вдоль ряда по заданному закону, как в дисперсионных элементах связи.5 945951 бВ этом. случае эти .величины определя- Высокочастотный сигнал от генераются по центральной частоте фильтра тора 4 поступает на входной преобра. в...

Номер патента: 953695

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Багдасарьян, Гуляев, Кмита

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...вариант фильтра, в котором расстояние между первой структурой 6 электродов входного преобразователя 2 и второй структурой 9 электродов выходного преобразователя 3 отлично отрасстояния между второй структурой 9 электродов входного преобразователя 2 и первой структурой 6 электродов выходного преобразователя 3. При этом в одном из преобразователей, например во входном 2, расстояния между осями смежных электродов 7, 8 выбраны отличными от расстояний между осями смежных электродов 10, 11, так чтобы значения центральных частот в полосах частот ПАВ, возбуждаемых электродами первой 6 и второй 9 структур, отличались, но были расположены в пределах полосы пропускания фильтра. В предложенной конструкции фильтра каждый из...

Номер патента: 957415

Опубликовано: 07.09.1982

Автор: Муратов

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, узкополосный, фильтр

...на входной преобразователь 2 электрического сигнала в виде короткого 6 -импульса Формируются и распространяются в обе стороны амплитудно-модулированные прямой и обратный акустические радиоимпульсы с длительностью в половину требуемого импульсного отклика Т Фильтра и с пространственной весовой обработкой, соответствующей закону перекрытия электродов. Достигая через время начальной задержки 7 выходного преобразователя Й, прямой акустический радиоимпульс наводит на его зажимах электрическое напряжение, пропорциональное степени перекрытия электрода входного преобразователя, начиная с области наименьших перекрытий, и через интервал времени, равный длительности Т/2 акустического радиоимпульса, на преобразователе ч прием заканчивается и...

Номер патента: 964976

Опубликовано: 07.10.1982

Автор: Муратов

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр, широкополосный

...и общей входными клеммами;а вдругом гальванически развязаны,и выходные клеммы, о т л и ч а ю-щ и й с я тем, что, с цельюуменьшения уровня ложных .сигна-лов прямого .прохождения в полосепропускания, он содержит второезвено, идентичное первому, в которомгальванически объединенные секции одного из преобразователей соединеныс потенциальной и общей выходными,клеммами фильтра, а каждая гальванически развязанная секция первогозвена соединена с соответствующейодночастотной гальванически развязанной секцией второго звена,нически развязанной секцией второгозвена.На чертеже показана схема предложенного фильтра.Широкополосный фильтр на ПАВ содержит два звена. Первое звено выполнено в виде пьезоэлектрического звукопровода 1, на котором...

Номер патента: 978240

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Беспятых, Вашковский, Зубков

МПК: H01P 1/32

Метки: волнах, магнитостатических, сверхвысокочастотное

...выходной преобразователь 7преобразуются в электромагнитный сигнал.Взаимное расположение преобразователя 3 иплоского Г-образного ферритового элемента1 с преобразователем 4 исключает возможностьнепосредственного просачивания электромагнитного сигнала и паразитных отраженных сигйалов с одного преобразователя на друтой.Сверхвысокочастотное устройство йа магнитостатических волнах фиг. 2) работает какнаправленный ответвьггель. Объемные магнитостатические волны, не преобразовавшиеся вповерхностные магнитостатические волны наизгибе первого по направлению их распрост.ранения плоского Г-образного ферритовогозлемецта 1,. распространяясь в плоском ферритовом образце 2 вдоль его продольнойоси, последовательно частично преобразуютсяв...

Номер патента: 980254

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Гончаров, Коба

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, ультразвуковая

...электроды 8, служащие для соединения с внешними цепями,Устройство работает следующим образом.При подаче электрического сигнала на входной преобразователь 4 на 2 фповерхности звукопровода 1 возбуждается акустическая волна, котораяраспространяется из точки 6 в различных направлениях, совпадающих сгеодезическими линиями поверхности 23звукопровода, проходящими черезэту точку. Пройдя по поверхности" звукопровода 1, поверхностные волныодновременно сойдутся в точке 7 расположения выходного преобразователя ЗО5, поскольку все геодезические линии,пцоходящие через точку 6 поверхносити вращения, проходят также и черезточку 7, ча длины всех таких геодезических линий одинаковы. Для точек6 и 7 выполняется принцип Ферма,т.е. время прохождения...

Номер патента: 981913

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Вознесенский, Пасник, Челокьян

МПК: G01V 1/52

Метки: акустического, аппаратуры, волнах, каротажа, отраженных, электроакустический

...ломе-. 15 к вертикальным границам демпфера и,хозашищенности преобразователя за счет отразившись от них, возвращаются куменьшения длительности пакета излучае- пьезоэлементу.мых колебаний и уровня боковых лепест- При этом интенсивность за счет затухания в теле демпфера понижается,Ф20 настолько, что промодулировать толщинПоставленнаЯ цель достигаетсЯ тем ные колебания и увеличить длительностьчто в электроакустическом преобразова- излучаемого пакета они уже не могут.теле аппаратуры акустического каротажана отраженных волнах, состоящем из пла При частоте толшинных колебанийстинчатого пьезоэлемента и жестко при- д 1-2 Гц (пьезоэлемент диск толщинойсоединенного к нему демпфера, пьезоэле-2 мм, диаметром 15-20 мм) для усмент установлен внутри...

Номер патента: 987798

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Карпов, Рогозин

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, объемных, разветвитель, частотно-избирательный

...например прямоугольных. Для концентрацииэнергии дифрагированных ОАВ преимущественно лишь в максимумах + 1-го35порядка ширину канавок выбирают равной половине периода решетки 6 акустических неоднородностей. Дпя наи"большего подавления отраженного дифракционного максимума нулевого по 40рядка глубину канавок выбирают при -блиэительно равной Ч(41, где Го -средняя частота рабочего диапазона.Для возможности одновременного излучения от решетки 6 акустических неоднородностей в дифрагированных ОАВкак продольного, так и сдвиговоготипа, необходимых для расширения полосы рабочих частот, период д решетки акустических неоднородностей вы бирают из условия, определяемого выражением (1),По обе стороны периодической решетки 6 акустических...

Номер патента: 1002851

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Коваленко, Хлыстунов

МПК: G01H 13/00

Метки: волнах, поверхностных, тензопреобразователь

...2 и отражателями 5, 6 под тупым углом к продольной оси 7 и симметрично относительно ее, а 25 на конце за приемником 4 и излучателрм 3 выполнены прямые периодические отражатели 10, расположенные под прямым углом к продольной оси 7, и все периодические отражатели 8, 9, 1030 представляют собой систему электродов, предназначенных для подключения к внешним нагрузочным сопротивлениям 11,12, 13Тенэопреобразователь работает следую61 ь35 щим образом.Возбуждаемая излучателем 2, включенным в схему автогенератора, поверхностная акустическая волна распространяется вдоль пьезопластины 1, после40 двухкратного отражения от наклонных периодических отражателей 8, 9 принимается приемником 4. Поверхностная деформация пьезопластины 1, вызванная...

Номер патента: 1008886

Опубликовано: 30.03.1983

Автор: Муратов

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, поверхностных, рециркулятор

...встречно направленных экнидистантных гребенок с соосным расположением штырей, между которыми параллельно им размещены 65 пассивные штыри, причем выходнойэквидистантный встречно-штыревойпреобразователь и соответствующаяему .выходная встречно-штыревая структура включены гальванически противофазно.При этом между и выходными встречно-штыревыми преобразователями и соответствующими им встречно-штыревыми структурами расположено поглощающее покрытие,На чертеже изображена, структурная схема рециркулятора на ПАВ.Рециркулятор содержит последовательно соединенные в кольцо сумматор 1 и широкополосную линию задержки (ЛЗ) 2 с эквидистантными входным3 и выходным 4 встречно-штыревымипреобразователями иэ разнесенныхпо ширине эвукопровода каналов с...

Номер патента: 1015487

Опубликовано: 30.04.1983

Автор: Муратов

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...выполнениз двух соединенных электрически па раллельно секций, расположенных безсдвига в параллельных акустическихканалах, при этом расстояние междусерединами перекрытий штырей в секциях постоянно вдоль направленияраспространения ПАВ и равно половине апертуры выходного преобразователя.На чертеже показана линия задержки. ду серединами перекрытия штырей всекциях 3 постоянно вдоль направления распространения ПАВ и равно.Ь2, где Ь - полная апертура выходного преобразователя. Выходной преобразователь (секции 3) наклонен квходному 2 под углом М= в , где ЛЗЬдлина ПАВ (на средней частоте преобразователей).Предлагаемая линия задержки работает следующим образом,Фронт излученной преобразоватеяем2 ПАВ составляет угол Ч с направлением штырей...

Номер патента: 1015488

Опубликовано: 30.04.1983

Автор: Муратов

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...на поверхности которого расположены входной встречноштыревой преобразователь (ВШП) и 40выходной ВШП, включающий центральный отвод, связанный через и, соединенных параллельно, регулируемыхаттенюаторов с и равноотстоящимидруг от друга на 45дД =а 1 ч,где ь 1 - интервал дискретизации;чцАв - скорость поверхностнойакустической волны,и расположенными акустически после довательно отводами, введены дополнительный входной ВШП и встречноштыревая структура, расположеннаямежду краем звукопровода и входным ВШП на расстоянии Ы от него,соединенная с ним синфазно и выполненная в виде встречно-направленных эквидистантных гребенок ссоосным расположением штырей, междукоторыми параллельно им размещены 60пассивные штыри, а центральный отвод...

Номер патента: 1022294

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Бондаренко, Орлов, Орлова, Речицкий

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, полосовой, фильтр

...выбраныодинаковыми 12,К недостаткам такого фильтра отно.сится ограниченный рабочий диапазончастот. Верхний предел рабочего диапазона частот определяется разрешающей способностью технологическогопроцесса изготовления структур преобразователей, особенно многоэлектродного полосозадающего, а нижний З 5ограничен реально возможными (до200 мм) размерами пьезоэлектрических подложек, на которых размещаются преобразователи фильтра,Цель изобретения - расширение 4 Орабочего диапазона частот.Поставленная цель достигается тем,что в полосовом фильтре на поверхностных акустических волнах, содержащем входной полосозадающий секционированный встречно-штыревой преобразователь и выходной встречноштыревой преобразователь, в качестве выходного...

Номер патента: 1032421

Опубликовано: 30.07.1983

Автор: Шумаков

МПК: G01V 13/00

Метки: акустического, аппаратуры, волнах, калибровки, каротажа, отраженных

...на отраженных волнах, содержащее блок синхронизации, формирователь закона амплитудной модуляции, соединенный с формирователем эталонных сигналов, и регистратор с блоком строчной развертки, дополнительно введены блок квантованной задержки, включающий первый и второй счетчики и подк;юченный к ним узел равнозначности двух ко. дов, генератор калиброванных временных интервалов, выход которого подключен к счетному входу первого счетчика, формирователь установочных импульсов, к первому входу которого подключен выхоХ синхро. импульсов оборотов блока синхронизации, выход формирователя установочных импульсов подключен к установочным входам формирователя исла градаций, формирователя закона амплитудной модуляции и второго счетчика, выход...

Номер патента: 1039017

Опубликовано: 30.08.1983

Автор: Лепих

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...секции входногооВШП расположены с шагом кратным Зп Л, где и - целое число, Ъ - длина ПАВ, и в каждой секции крайние однополярные штыри расположены относительно друг друга на расстоянии, равном длине ПАВ, а между ними размещен центральный штырь другой полярности, при этом входной секционированный ВШП выполнен аподизованным55 и величина перекрытия штырей в секциях выбирается из условия/ - скорость ПАВ,Г - верхняя частота полосы пропускания фильтра.На чертеже изображен фильтр наПАВ.Фильтр содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, входной секционированный ВШП 2 и выходной ВШП 3,УстрОйство работает сЛедующимобразом.На входной ВШП 2 подается электрический сигнал, который преобразуется в ПАВ, распространяющуюся вобе стороны от него часть...

Номер патента: 1039018

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Знаменский, Муратов

МПК: H03H 9/13

Метки: акустических, волнах, поверхностных, согласованный, фильтр

...выполнены эквидистантными и неаподизованными, оба каскад-но соединенных фильтра размещены в 60одном акустическом канале, при этомвыходной преобразователь первогофильтра размещен между секциями входного преобразователя второго фильтра, а каждый из преобразователей второго Фильтра выполнен в виде двух встречно направленных неперекрывающихся решеток гальванически связанных штыревых электродов, между соответствующими штырями которых с одинаковым перекрытием в обеих решетках размещены промежуточные гальванически несвязанные штыревые электроды.На чертеже изображен согласованный фильтр на поверхностных акус ических волнах.Согласованный фильтр на ПАВ со. стоит из двух каскадно соединенных Фильтров, размещенных в одном акустическом канале на...

Номер патента: 609415

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Ившина, Каверина, Клешнев

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...паразитныхсигналов осуществляется компенсацией.Для этого входной сигнал подается наизлучающий преобразователь и одновременно в противофазе на экранирующуюметаллическую структуру,ЗОНедостатком такого устройства яв"ляется то, что в нем могут быть уст"ранены лишь те паразитные сигналы,которые обусловлены электромагнитнойнаводкой. .35Известен фильтр на акустических:поверхностных волнах, содержащий пьезоэлектрическую пластину, на.которойоасположены встречно-штыревые малоэлементные приемный и излучающий 4 Опреобразователи и отражающая решетка,Однако основным недостатком такогоФильтра является высокий уровень вносимых погрешностей и, как следствиеЭтого, малый динамический диапазон,Цель изобретения - уменьшение вно"симых потерь и...

Номер патента: 1048567

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Вершинин, Польский

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, перестраиваемая, поверхностных

...задержки; нафиг, 2 - звукопровод с полосковымиэлектродами, входящими в состав уст 1 О ройства, обеспеЧивающего изменениечастоты (источники магнитных полей"не показаны) .Лерестраиваемая линия задержки содержит звукопровод 1 (непьеэоактивную подложку) и два расположенныхна концах звукопровода преобразователя 2 и 3, выполненные из магнитострикционного материала. Преобразователи представляют собой системужестко связанных со звукопроводоммагнитострикционных полосковых электродов 4, ширина а и период д которых вдоль направления распространения ПАВ задается регулируемым параметром и законом его изменения . Преобразователи 2 и. 3 помещены в смещающее постоянное магнитное поле,а входной преобразователь 2, крометого, в переменное магнитное...

Номер патента: 1048569

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Акпамбетов, Карпеев, Киселев, Прапорщиков

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...покрытие.3. Фильтр гю и. 1, отличающ и й с я тем, что ширина З металлизированных гюлосок ветви элемента связи 7 - образной Формы выбрана из следующего соотношения1 5" 53где Д - ширина металлизированных полосок криволинейного участка элемента связи У - образной Формы. гаранитированным затуханием за полосой пропускания,Целью изобретения является снижение потерь энергии и увеличениегарантированного затухания сигналавне полосы пропусквния .Поставленная цель достигаетсятем, что в фильтре на ПАВ, содержащем расположенные на пьезоэлектрической подложке входной и выходнойВШП и два элемента связи У -образнойформы с коллинеарными ветвями, образованными рядами металлизированныхполосок во внутренней области каждогоиз которых параллельно его...

Номер патента: 1050096

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Балакирев, Белостоцкий, Федюхин

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...расположены излучающий иприемный преобразователи и размещенная между ними пленочная структура, пленочная структура выполненаиз слоя диэлектрика и расположенно- .го поверх него слоя проводника, 3при этом толщина слоя диэлектрикаЪ и толщина слоя проводника Ъвйбраны из условияЧ.( 1Э н 4 аз еЬ +Ъ (013,где Я и Е - диэлектрические проницаемости слоя ди-.Ээлектрика и материала звукопровода соответственно;Ч - скорость ПАВ,и У - нижняя и верхняян ечастоты соответственно полосы пропускания ЛЗ;3 - длина ПАВ,На чертеже показана конструкцияпредложенной ЛЗУстройство содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, излучающий преобразователь 2, приемный преобразователь 3, пленочную структуру, состо-.ящую иэ слоя диэлектрика 4 и...

Номер патента: 1054885

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Кабаков, Петров

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...отражакдпей струк ттреНедостатком известной ЛЗ является нали,чие на ее выходе ложных сигналов, возникающих при повреждениях электродов многополосковых элементов и при отклонении параметров отражающей структуры ,от расчетного значения, так как в этих случаях происходит неполное гашение волн в начальном акустическом канале.Цель изобретения - уменьшение ложных сигналов ЛЗ на ПАВ.Цель достигается тем,что в ЛЗна ПАВ, содержащей пьезоэлек трический звукопро вод и расположенные на его поверхности в параллельных акустических каналах входной и выходной преобразователи и размещенные на пути распространения поверхност- ной акустической волны аве отражаюшие структуры, каждая из которых образована прямым и О -образным многополосковыми 885...

Номер патента: 1054886

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Калинин, Михайлов, Штыков, Юрьев

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, полосовой, фильтр

...присоздании фильтров на поверхностныхакустических волнах (ПАВ 1, использующих наклонные отражательные решетки ОР ,Известен фильтр на ПАВ, содержа"щий звукопровод, на поверхности которого расположены в. двух параллельных каналах входной и выходной встреч-но-штыревые преобразователи (ВИП 1и две аподиэнрованные отражательныерешетки, длина и ширина которых равны, причем они формируют 7.-образныйпуть распространения ПАВ 11.Недостатком этого фильтра являет"ся сложность в его изготовлении,ошибки в воспроизведении топологиикоторого приводят к снижению уровняподавления боковых лепестков.Наиболее близким техническим решением к изобретению является нолосовой фильтр на ПАВ, содержащий эвукопровод, на поверхности которого впервом канале...

Номер патента: 1054887

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Булюк, Гуляев, Кмита, Кундин, Мальцев

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторный, фильтр

...четыре аопопнитепь ных ВШП 6 ф 7,9 и 10 крайние из которых 6 и 7 размещены в эффективных центрах отражения отражатепьных струк тур, т. е. расстояние межцу ними равноффгце , - расстояние межцу краямиотражатепьнык структур;,Ь о - цпина проникновения ПАВв кажаую отражатепьнуюструктуру.С оцним иэ крайник цопопнитепьных ВШП 6 соецинены парарпепьно включенные вхоцы фазовращатепей 8, 11 и 12, выкоцы которых через соответствующие усипитепьные эпементы 13 14 и 153 10548соецинены с соответствующими цополнительными ВШП 7, 9 и 10, Отражательные структуры 2 и 3 в фильтре (фиг. 2)выполнены в вице разомкнутых провоцящих полосок, нвнесеннык нв поцложкуннобвта лития. Фаза отраженного вкустического сигнала от края элементов этикотражательных...