Патенты с меткой «волнах»
Устройство на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 726648
Опубликовано: 05.04.1980
Авторы: Андреев, Багдасарьян, Гуляев, Кмита
МПК: H03H 9/00
Метки: акустических, волнах, поверхностных
...соответствующих электродов 12 и 13, В результате в пьезоэлектрическом Материале возбуждаются ПАВ в полосе частот вблизи центральной частотыполосы пропускания устройства, Амплитуда ПАВ, возбуждаемых каждой парой алектродов 10 и 11, пропорциональна величине напряженности электрического поля между нйми и, следовательно, зависит от величины участков перекрытия соответст вующих электродов 12 и 13, Таким обра зом, взвешивание интенсивности возбужде ния ПАВ электродов 10 и 11 и, соответственно, формирование заданного импульсного отклика осуществляется путем задания определенного закона покрытия электродов 12 и 13. При атом ПАВ, возбуж- даемые в структуре 6, имеют равномерный волновой фронт по апертуре луча, твк как все электроды этой...
Узкополосный фильтр на акустических поверхностных волнах
Номер патента: 726651
Опубликовано: 05.04.1980
Авторы: Жуков, Никитин, Сиротин, Чернышев
МПК: H03H 9/00
Метки: акустических, волнах, поверхностных, узкополосный, фильтр
...четверти длины акустической поверх ностной волны, а относительная ширинаэлектродов биполярной решетки и меандрового электрода должна быть не более. одной восьмой длине. волны на центральной частоте фильтра, Для исключения влияния отра жеций акустической поверхностной волныот торцов звукопровода 1 последние покрыты звукопоглошвюшей мастикой 5; Входной преобразователь 3 электрически соединен с генератором 6, а выходной 4 - снагрузкой 7.При подведении радиосигнала ко входному преобразователю 3 возбуждаетсяакустическая поверхностная волна, которая распространяется в обе стороны отпреобразователя 3 и при достижении отражвюших структур 2 отражается каждойотражающей полоской, соэдвя тем самым 4стоячую акустическую поверхностную волцу...
Фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 729817
Опубликовано: 25.04.1980
Авторы: Бондаренко, Клешнев, Орлов, Савченков, Сиротин
МПК: H03H 9/00
Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр
...шиной одного7298 7 предлагаемой конструкции позволяет получитьподавление сигнала тройцого прохождения, икак следствие, уменьшение искажений АЧХ вцгирокой полосе частот.Предложенный фильтр обладает малыми ис.кажециями АЧХ, менее 0,3 дЬ при давлениисигнала гройцого прохождения до (45-48) дБПредложенный фильтр технологичец в изго.товлеции. Фильтр на поверхностных акустических волнах, содержаший пьезоэлектрический звукопровод ц расположенные ца его поверхности двавстречно.штырсвых преобразователя, один изкоторых вьшолнец из двух парциальных преоб.раэователей, расположенных ца одинаковомрасстоянии от другого преобразователя и сое.дицецгпях электрически противофазцо друг сдругом с цомошыо общей шины, и входныец выходные клеммы,...
Устройство для формирования и обработки сложных сигналов на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 777606
Опубликовано: 07.11.1980
Авторы: Ананских, Голиков, Козловский, Комарова, Куцева, Лернер, Романов
МПК: G01S 7/28
Метки: акустических, волнах, поверхностных, сигналов, сложных, формирования
...того же спектра. Линии задержки 3 расставляют расфильтрованные сигналы по времени через интервалы ть Далее эти сигналы поступают на входные электроды б двухканальной МЛЗ 4, расставленные через интервалы т 2 так, что т + т = Т/У, где Т - полная длительность сигнала. Затем, пройдя по звукопроводу МЛЗ 4, акустический спгнал попадает на выходные решетки 6 с равномерно расставленными через Л/ = = У/1 электродами. Равномерная расстановка электродов позволяет получить на выходной решетке б спектры шириной Р/У, периодически повторяющиеся через ту же величину Ч/У, т. е, сплошной спектр.МЛЗ разделена вдоль на два акустических канала, работающих в квадратуре, так как верхние и нижние части входных электродов 5 сдвинуты друг относительно друга на...
Анализатор спектра на ультразвуковых поверхностных волнах
Номер патента: 789870
Опубликовано: 23.12.1980
Авторы: Забузов, Кравец, Петров, Семенов, Сиротин
МПК: G01R 23/16
Метки: анализатор, волнах, поверхностных, спектра, ультразвуковых
...совмещенными с входнымипреобразователями, причем входныепреобразователи расположены с линейно возрастающим смещением относительно излучающих краев волноводав зависимости от номера входногопреобразователя, а выходные преобразователи расположены по дуге окружности, радиус которой равен минимальному значению границы дальней зоныизлучающих краев волноводов, размещенных по дуге окружности с вдвое боль.шим радиусом.На чертеже схематично изображена 40конструкция анализатора спектра радиосигналов,Устройство содержит звукопровод1, выполненный из пьезоактивнаго материала, на рабочую поверхность которого нанесены входные преобразователи поверхностных волн 2 и волно воды 3, излучающие края которых располагаются по дуге окружности, радиус которой...
Датчик на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 792539
Опубликовано: 30.12.1980
Автор: Сыромолотнов
МПК: H03H 9/00
Метки: акустических, волнах, датчик, поверхностных
...Подвижная пластина 6 устанонле792539 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 9598/62 Тираж 995 Подписное илиал ППП Патент, г, Ужг Проектная,на на неподвижной оси над преобразователями 3 и 4 параллельно плоско.сти их расположения. Преобразователи 2,3,4,5 представляют собой слой7 и, 8 пьезоэлектрического вещества,выполненные на диэлектрической подложке 1, с нанесенной на них системой электродов. Датчик работает следующим образом.С помощью преобразователя 2 возбуждается поверхностная акустическая волна, которая распространяется вдоль поверхности пьезоэлектрического слоя 7 и достигает преобразователь 3, который возбуждает ПАВ на поверхности подвижной пластины, б, Преобразователь 4 принимает акустическую поверх.ностную волну от подВижной пластины и...
Акустоэлектронный коррелятор аналоговых сигналов на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 792540
Опубликовано: 30.12.1980
Авторы: Боженко, Лямов, Солодов
МПК: H03H 9/00
Метки: акустических, акустоэлектронный, аналоговых, волнах, коррелятор, поверхностных, сигналов
...например, из ниобата лития. На однойиз его сторон расположена пара преобразователей ПАВ - первого входногосигнала 2 и опорного сигнала 3, Напротивоположной стороне расположенапара преобразователей ПАВ - второговходного сигнала 4 и выходного сигнала 5, Все четыре преобразователямогут быть выполнены, например,встречно-штыревого типа. Смещение х ЗОмежду преобразователями 3 и 4 вдольпродольной оси 6 звукопровода 1 составляет величину, выбранную из условия равенства отношения этого смещения к толщине звукопровода 1 отношению скоростей ПАВ и объемной волны. Поверхности звукопровода 1 могутбыть покрыты пленкой полупроводника (на чертеже не показано.На преобразователи 2 и 4 подаются 40входные сигналы равных частот. Напреобразователь 3...
Циклическая линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 792547
Опубликовано: 30.12.1980
Авторы: Анисимкин, Котелянский, Морозов
МПК: H03H 9/30
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных, циклическая
...с бруском 2 и, распространяясь в области перекрытия по нижней поверхности бруска 1, возбуждает на верхней поверхности бруска792547 В месте состыковки брускон для болееэффективного перехода волны черезвоздушный зазор должны выполнятьсяусловия синхронизма,Кроме уменьшения уровня паразит ных сигналов устройство позволяеттакже увеличить длительность входныхимпульсов. Это достигается увеличением длины пробега волны между входным и выходным преобразователям засчет покаскадного соединения брускови спирального распространения волныв пределах каждого из покаскадносоединенных брусков,Использование устройства позволитповысить чувствительность цикличесИ ких линий задержки, а увеличение длительности входных импульсов позволитувеличить объем...
Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 792553
Опубликовано: 30.12.1980
Авторы: Акпамбетов, Брицын, Карпеев, Киселев, Речицкий
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, поверхностных, полосовой, фильтр
...обратно пропорциональны проходнойемкости фильтра. Варианты выполненияиэображения предполагают размещениемежду секциями многополоскового ответвителя,заземленных электродов,а также равенство расстояний междуЗаказ 9599/ 3 Тираж 995 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,краями заземленных электродов и соседних с ними электродов зазорам между электродами многополоскового ответвителя,, На чертеже представлена структурная схема фильтра.Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах содержит входной 1 и выходной 2 встречно-штыревые преобразователи, расположенные на поверхности звукопровода 3 и акустически...
Анализатор спектра на ультразвуковыхповерхностных волнах
Номер патента: 813302
Опубликовано: 15.03.1981
Авторы: Забузов, Кравец, Петров, Сиротин
МПК: G01R 23/16
Метки: анализатор, волнах, спектра, ультразвуковыхповерхностных
...входными преобразователями больше максималь ной рабочей длины волны, то существует, кроме нулевого дифракционного максимума, левый и правый дифракционные максимумы первого порядка. Угловое положение дифракционных максимумов первого порядка зависит от частоты подаваемого сигнала при постоянном расстоянии между вхоцными преобразователями. Выходные преобразователи 3 находятся в зоне расположения какого-либо дифракционного максимума первого порядка, т.е. под углом к решетке входных преобраэо813302 Формула изобретения Анализатор спектра на ультразвуковых поверхностных волнах, содержа 5 щий звукопровод, на поверхность которого нанесены звукопоглощающее покрытие, входной преобразователь, образованный параллельно соединеннымидвухфазными...
Акустоэлектронное устройство на поверхностныхакустических волнах
Номер патента: 836777
Опубликовано: 07.06.1981
Авторы: Добровольский, Лаповок, Леманов, Морохов, Смоленский, Трусов, Шерман
МПК: H03H 9/42
Метки: акустоэлектронное, волнах, поверхностныхакустических
...контуром 5, подключенным ко входу осциллографа 6, Фотоприемник 4 может быть выполнен в виде матрицы отдельных парциальных фотоприемников, Число входных преобразователей 2 в предложенном устройстве может быть от одного и более, в зависимости от конкретного назначения устройства. Расстояние от фотоприемника 4 до слоя люминофора 3 в зависимости от назначения устройства может составлять от долей до десятков мм. Вместо слоя люминофора 3 на звукопроводе 1 может быть расположен светодиод (или матрица светодиодов) .Предложенное устройство может выполнять различные функции: линии задержки, линии задержки с регулируемым временем задержки, фильтра, коррелятора и др.В случае простейшей линии задержки устройство может содержать только один входной...
Ультразвуковая линия задержки на поверхност-ных акустических волнах
Номер патента: 836778
Опубликовано: 07.06.1981
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхност-ных, ультразвуковая
...и расположенные на его поверхности излучающий и приемный встречно-штыревые преобразователи и слой диэлектрика, слой диэлектрика размещен между электродами преобразователей, а в качестве диэлектрика использован 0 окисел,металла, служащего материаломэлектродов.На чертеже показана конструкцияложенной линии задержки.Она содержит пьезоэлектрический звукопровод 1 и расположенные на его поверхности излучающий 2 и приемный 3 преобразователи. В межэлектродных промежутках преобразователей 2 и 3 размещен слой диэлектрика 4, В качестве материала диэлектрика использован окисел металла, из которого выполнены электроды преобразователей 2 и 3. Тс гущина слоя диэлектрика 4 равна толщине лектродов преобразователей 2 и 3.При подаче сигнала на...
Рециркулятор на поверхностныхакустических волнах
Номер патента: 836779
Опубликовано: 07.06.1981
Автор: Муратов
МПК: H03H 9/42
Метки: волнах, поверхностныхакустических, рециркулятор
...и выходной 3 ВШП. Гальванически связанные секции штырей выходного ВШП 3 через усилитель 4 подключены к входу сумматора 5, а секции штырей 15 входного ВШП 2 гальванически развязаныи каждая из них через эмиттерный повторитель 6 и узкополосную согласую 1 цую цепь 7 подключена к выходу сумматора 5.Принцип работы рециркулятора с широкополосной ЛЗ ПАВ заключается в следуЗ 1 ющем.Широкополосный сигнал, подаваемыйна вход рециркулятора, с выхода сумматора 5 поступает одновременно на п входов836779 формула изобретения Составитель Т. Панина Техред А. Бойкас Корректор Ю Макаренко Тираж 988 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патенй, г. Ужгород, ул....
Устройство для определения автокор-реляционных функций переходных xapak-теристик фильтров ha акустическихповерхностных волнах
Номер патента: 840923
Опубликовано: 23.06.1981
Авторы: Гурьев, Тимошенков
МПК: G06F 17/15, G06G 7/19
Метки: xapak-теристик, автокор-реляционных, акустическихповерхностных, волнах, переходных, фильтров, функций
...объединен со входом сбросаинтегратора и подключен к выходублока индикации, выход сч тчика подключен к первому входу измерителявременных интервалов, к управляющим 15входам генератора прямоугольных импульсов, блока индикации и ключа, информационный вход которого соединен с выходом детектора, а выход подключен ковходу интегратора, второй вход измери теля временных интервалов подключенк выходу генератора прямоугольных импульсов,Предлагаемое устройство представлено на чертеже.25Устройство состоит иэ генератора 1прямоугольных импульсов с изменяемойдлительностью, выход которого выведенна фильтр АПВ 2, на выход измерителявременных интервалов 3 и на первыйвход счетчика 4.Исследуемый фильтр АПВ 2 соединенчерез усилитель 5 с детектором б,...
Пьезоэлектрическое устройство наакустических поверхностных волнах
Номер патента: 849428
Опубликовано: 23.07.1981
МПК: H03H 9/00
Метки: волнах, наакустических, поверхностных, пьезоэлектрическое
...тонкий слой диэлектрика, жесткость которого меньше, чем жесткость подложки, что приводит к еще большему замедлению волны на поверхности, покрытой электродами. Аналогичный результат может быть достигнут при, напылении на свободную часть поверхности подложки диэлектрика, жесткость которого больше жесткости подложки.Цилиндр не обязательно должен быть круговым, однако поверхность его должна быть плавной с радиусами кривизны, в 10-20 раз превышающими длину волны. Подложка может быть выполнена из пьезоэлектрического монокристалла или из пьезокерамики, или же снабжена пленкой пьезоэлектрика, нанесенной на цилинд ио непьеэоэлектрического материала. В случае использования подложки из монокристалла скорость поверхностной волныможет быть различной...
Многоотводная линия задержки наповерхностных акустических волнах
Номер патента: 849440
Опубликовано: 23.07.1981
Автор: Речицкий
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, многоотводная, наповерхностных
...0 П И С А Н И Е р 1849440ИЗОБРЕТЕН ИЯ38494Поставпеннвя цепь достигается тем,что в многоотвоаной нинин зааержки, содержащей пьезоэлектрический эвукопровоа в форме камертона с плавно закругленным торцом и расположенные на па 5 раллельнык рабочик поверкностяк ветвей звукопровода акустически последовательно входной и выходные преобразователи поверхности акустических воин, входной преобрвзоватепь состоит из двух секций, 10 расположенных на одной из ветвей звукопровоав и сдвинутых друг относительно друга вдоль ее длины и ширины, при этом все выходные преобразоватепи расположены на другой ветви эвукЬпровода. 15На фиг. 1 показана конструкция пред-, лагаемой пинии задержки, на фиг. 2 а, б - рабочие поверхности первой и второй ветвей...
Многоотводная линия задержки наповерхностных акустических волнах
Номер патента: 849441
Опубликовано: 23.07.1981
Автор: Речицкий
МПК: H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, многоотводная, наповерхностных
...структурная схдки на поверхностных акустических волнах, ма многоотводной пинии задержки; на.5содержащая пьезоэлектрический звукопро- . фиг, 2 графики работы линии эааержки.воа и расположенные на его поверхности . Входной преобразователь 1 и вьпсодньтевходной и выходные преобразователи по-преобразователи 2 расположены в общем .верхностных волн 1:, акустическом потоке на поверхности пьезоюНедостатком известной линии задержки, электрического звукопровода 3. Шаг выявляется искажение электрических харак- . хоЗаых преобразователей 2теристик.Цель изобретения - уменьшение искажений электрических характеристик. т6 =б, ф Ц 4 ЮПоставленная цель постигается тем,что в многоотводной линии задержки, содержащей пьезоэлектрический звукопровод...
Перестраиваемый фильтр на поверхностныхакустических волнах
Номер патента: 849446
Опубликовано: 23.07.1981
Автор: Вьюн
МПК: H03H 9/64
Метки: волнах, перестраиваемый, поверхностныхакустических, фильтр
...области расположенияприемного преобразователя 4. Налинейными акустоэлектрическими свойствами повсей поверхности обладает подложка, выпопненная, например, из ниобата лития, 15пьеэокерамики, арсенида галлия. На участке 6 в области расположения приемногопреобразователя 4 может, быть нанесенаполупроводниковая пленка, например, изкремния, германия, обладающая нелинейными акустоэлектрическими свойствами,при этом сама подложка может и не обладать такими свойствами,Излучающие преобразователи 2 и 3представляют собой обычную встречноштыревую систему из двух гребенок с небольшим числом электродов, благоцарячему они имеют достаточно широкую полосу лропускания. Один из излучающихпреобразователей, например, преобразователь 3, подключен к источнику 5...
Устройство на поверхностных акусти-ческих волнах
Номер патента: 849447
Опубликовано: 23.07.1981
Авторы: Дашенков, Синица, Юревич
МПК: H03H 9/64
Метки: акусти-ческих, волнах, поверхностных
...с частотными характеристиками без пульсаций.Таким образом, технико-экономические преимущества предлагаемого изобретения по сравнению известными заключается в возможности частотно-независимого подавления сигналов, испытывающих тройное прохождение более 50 дВ по отношению к сигналу, испытывающего однократное прохождение и расширение области применения данного устройства нв ПАВ. Формула изобретения Устройство на поверхностных акустических волнах, содержащее пьезоэлектрический звукопровод, входной преобра зователь и расположенные в разных акустических каналах первый и второй выходные цреобразователи, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью частотно- независимого подавления сигналов, испытывающих тройное прохождение, продоль ная осьсимметрии...
Согласованный фильтр на поверхностныхакустических волнах
Номер патента: 849448
Опубликовано: 23.07.1981
Автор: Муратов
МПК: H03H 9/64
Метки: волнах, поверхностныхакустических, согласованный, фильтр
...5 цистантного встречно-штыревого преобразователя 6 и соответствующим секциям дисперсионного встречно-щтыревого преобразователя 5, гальванически отдепенными 10 пруг от цруга, и кажцая из которых прецставпяет собой ВШП из двух групп штырей с расстоянием между группами, равным ппительности секции С, и с частотой Гцисперсного ВШП первого фильтра. цКаскадный согпасованный фипьтр работает следующим образом.При подаче на ВШП 2 д -импульса возбуждается поверхностная акустическая волна в виде короткого акустического им пульса, который достигает первой секции ВШП 3 с длительностью Си наводит в ней ЭРС, прикладываемую одновременно к двум группам штырей первой секции ВШП 5 как к нагрузке, что приводит к 25 озбуждению каждой группой акустической...
Параметрический преобразователь частоты на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 860177
Опубликовано: 30.08.1981
Авторы: Балакирев, Богданов, Федюхин
МПК: H01L 41/08
Метки: акустических, волнах, параметрический, поверхностных, частоты
...штыревые преобразователи 2 и 3 и слой полупроводника 4. Зазор между пьезоди электрической пластиной 1 и полупроводником 4 обеспечивается за счет диэлектрической пленки 5, расположенной вне апертуры преобразователей 2 10 и 3. На слое полупроводника 4 расположены регулярные металлические полоски 6, параллельные электродам преобразователей 2 и 3. Ширина полосок 6 и расстояние между ними равны дгине 15 синхронного взаимодействия волн. В качестве пьезодиэлектрика может быть использован, например, монокристалл .ниобата лития. В качестве полупроводника - например, монокристалл гер-, мания.Нелинейный параметр дисперсионной среды периодически изменяется вдоль длины слоя полупроводника 4 за счет наличия металлических поло 25 сок 6. При этом...
Линия задержки на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 860283
Опубликовано: 30.08.1981
Автор: Рождественский
МПК: H01L 41/04, H03H 9/42
Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных
...положением воздушного пузыря 5 на поверхности пьезоподложки 1. Акустический луч, распространяющийся по пьезоподложке, имеет ширину, равную апертуре преобразователей и размеру воздушного пузыря 5. Места склейки полуцилиндра 3 с пьезоподложкой 1, а также молекулярный слой жидкости между воздушным пузырем 5 и рабочей поверхностью пьезоподложки 1 вносят незначительное постоянное затухание в линию задержки, порядка 1-3 дБ. Следовательно, начальное затухание в ЛЗ, обусловленное влиянием мест склейки полуцилиндра 3 с пьезоподложкой 1 и 35 молекулярным слоем жидкости между воздушным пузырем 5, перекрывающим: акустический луч, и рабочей поверхностью пьезоподложки 1, не превышает 3 дБ, При изменении пространст О венного положения ЛЗ...
Анализатор спектра на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 868618
Опубликовано: 30.09.1981
Авторы: Карпов, Харлампиев
МПК: G01R 23/16
Метки: акустических, анализатор, волнах, поверхностных, спектра
...од.- нолепестковой диаграммы излучения ПАВ на выходе пространственного спектрального разветвителя прямоугольные замедляющие электроды размещают ступенчато относительно направления Фронта распространения ПАВ от входного преобразователя (Фиг.4).Работа анализатора осуществляется следующим образом.Входной высокочастотный сигнал, спектр которого подлежит измерению или разделению, поступает на входной йреобразователь 3, где он преобразуется в ПАВ, распространяющуюся через прямоугольные замедляющие электроды 7 пространственного спектрального разветвителя 4. Пространственный спектральный разветвитель 4 для ПАВ 15 26 25 ЗО 35 4 О 45 50 еО представляет фазовую дифракционную решетку, на выходе которой в ее дальней зоне образуются...
Анализатор спектра на ультразвуковых объемных волнах
Номер патента: 871091
Опубликовано: 07.10.1981
Авторы: Бубнов, Гусева, Шевелько
МПК: G01R 23/00
Метки: анализатор, волнах, объемных, спектра, ультразвуковых
...изготовления.Целью изобретения является повыаение точности анализа радиосигналаЦель достигается тем, что в анализаторе спектра на ультразвуковых объемных волнах торцы звукопровода выполнены многогранными и на одном из них расположены два входных преобразователя, а на другом - выходныНа чертеже представлен анализатор спектра,Анализатор сп вукопровод 1 в вид сталлического кварца, торцы которого выполнены многогранными. На одномторце расположены входной широкополосный преобразователь 2, на который заводится исследуемый сигнал, ивходной узкополосный с опорным сигналом, Преобразователи 2 и 3 расположены на площадках звукопровода,ориентация которых относительно осикристалла задана угламид,1 и О, аугол между площадками составляет 2,5 очем...
Фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 871301
Опубликовано: 07.10.1981
Авторы: Акпамбеков, Карпеев, Речицкий
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр
...структур по и электродов в каждой.В871301 формула изобретения Составитель В.Банков актор Н.Ахмедова Техред М. Голинка Корректор С,ЩомаЗа 54/28 Тираж 991 ВНИИПИ Государственно по делам изобретЕн 113035, Москва, Ж, Подписноекомитета СССРи открытийушская наб., д. 5 лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 общем случае электродная структура преобразователя 2 представляет собой периодическую решетку, в частном случае - разреженную решетку.Расстояние между группами возрастает в направлении распространения поверхностной акустической волны пропорционально номеру группы (1 - М) и предельному разрешению фотошаблона ЬТ, причем это расстояние кратноьТ .1 Числа элементов в группепропорционально, а в случае периодической решетки равно...
Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 875589
Опубликовано: 23.10.1981
Авторы: Банков, Карапетьян, Стремовский
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, поверхностных, полосовой, фильтр
...- задаваемая функция огибающей импульсного отклика;Х - координата центра И -го штыря;Ь = полупериод расположения штырей(расстояние между центрами штырей);Цу - переменная интегрирования;К-со .Ж Йи2 ЬНа чертсже изображен предлагаемый полосовой фильтр на ПАВ.Фильтр содержит первый ВШП 1 с перемен.ным отношением 6 Ь и второй ВШП 2 спостоянным отношением с нанесенные напьезоэлектрическую подложку 3, Для устраненияотражений ПАВ от краев подложки используется акустический поглотитель 4,При подаче на ВШП 1 гармонического сигнала в подложке 3 генерируется ПАВ, амплитудакоторой равна2.(Н) - функция распределения электрическо.го поля под штырями ВШП, котораяпри постоянной ширине штырей имеет вид- полный нормальный эллипт - )ческий интеграл 1-го...
Перестраиваемый фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 875591
Опубликовано: 23.10.1981
Автор: Глушков
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, перестраиваемый, поверхностных, фильтр
...5-8 расположены так, что выполняется условие расстояние между дополнительным преобразователем иближайшей к нему дополнительной отражательной структурой;Ч - скорость распространенияПАВ на участке свободнойповерхности пьезоэлектрической подложки между отражательными структурами; Ч - скорость распространенияПАВ на участке свободнойповерхности пьезоэлектрической подложки между входными преобразователями иближними к ним отражательными структурами. Протяженность фотопроводящего слоя 10 х, на пути распространения ПАВ от любой частотной составляющей Й, спектра сигнала выбрана из условия компенсации соответствующих частотных составляющих, которое может быть определено соотношениемЯ дЧ(1 )И,дЧ Чгде дЧ - изменение скорости распространения...
Анализатор спектра на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 885912
Опубликовано: 30.11.1981
Автор: Карапетьян
МПК: G01R 23/00
Метки: акустических, анализатор, волнах, поверхностных, спектра
...не может быть сделана меньше нескольких длин поверхностных акустических волн.Цель изобретения - увеличение разрешающей способности.Поставленная цель достигается тем, что анализатор спектра, содержащий пьезоподложку с акустическими поглотителями на концах, на полированной поверхности которой расположены первый и второй встречно-штыревые преобразователи с изменяющимся вдоль апертуры периодом, снабжен генератором коротких видеоимпульсов, соединенным.Тыкей Техред Е.Харитончик орректор А.Д Редакто з 10536/66ВНИИПИ 1"опо Тираж 735 Подписи ударственного комитета СССР елам изобретений и открытий ква, )(-35, Раушская наб д, е 1 о иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная,составляющими исследуемого сигнала, которые еще могут быть разрешены,...
Регулируемый фазовращатель на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 886214
Опубликовано: 30.11.1981
МПК: H03H 9/72
Метки: акустических, волнах, поверхностных, регулируемый, фазовращатель
...в регулируемом фазовращателе на ПАВ на рабочейповерхности пластины между преобразователями под управляющим электродом размещен слой жидкого кристалла, имеющегопланарную ориентацию,На чертеже показана конструкщи предложенного фазовращателя.Он содержит пьезоэлектрическую пластину 1, входной 2 и выходной 3 встреч-.но-штыревые преобразователи, управляющие электроды 4 и 5, подключенные кисточнику 6 регулирующего напряжения,и слой жидкого кристалла 7. Слой жидкого8862кристалла 7 имеет планарную ориентацию и расположен в электрическом поле, соэ даваемом электродами 4 и 8, и может быть выполнен на основе метоксибенэилиден-бутиланилина5При изменении величины регулирующего напряжения происходит переориентация молекул в слое жидкого кристалла,...
Фильтр на поверхностных акустических волнах
Номер патента: 892659
Опубликовано: 23.12.1981
Авторы: Биргер, Дашенков, Синица
МПК: H03H 9/64
Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр
...4, а для снижения вносимых преобразователем потерь расстояние между штыревыми электродами 4 и П-образными элементами 7 должно выполняться минимальным. Для устранения искажений фазового фронта волн, возникающих при прохождении ПАВ, под металлизированными и неметаллизированными участками поверхности введены холостые штыревые электроды 8, которые соединены с П-образными элементами 7.Для снижения уровня отраженных ПАВ от границы электрод-звукопровод расстояние между краями штыревых, электродов и внешними краями П-образных элементов выбирается по возможности близким к/4.фильтр работает следующим образом.При подаче на преобразователь 2 сигнала на штыревых электродах 4 возникают разнополярные электрические заряды. Дополнительные...