Патенты с меткой «волнах»

Номер патента: 1056428

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Алексеев, Бондаренко, Веневцев, Дуковский, Злоказов, Крутов, Плужников, Токарев

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, пав, поверхностных

...ксоседней. Последнее реализуется либоза счет относительного смещенияэлектрицески синфазных соседних секций на половину длины волны ПАВ внаправлении оси преобразователя, ли"бо за счет протирофазного электрического соединения соответствующихэлектродных штырей несмещенных соседних секций.Входной преобразователь характери"зуется наличием двух точек фокуса,расположенных на его осевой линиизеркально симметрично относительноцентра преобразователя. При этом вкаждом Фокусе собирается 4/Т частейвсей излученной преобразователемэнергии, а положение точек фокуса привозбуждении преобразователя на частоте синхронизма определяется отношением квадрата апертуры Ч 1 первой секции к учетверенному периоду встречноштыревого преобразователя. При...

Номер патента: 1064426

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Алексеев, Злоказов, Карпеев, Киселев

МПК: H03H 9/66

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фазовращатель

...преобразователи, и управляющий элемент,управляющий элемент, выполненный в видепленочного металлического нагревателя, размещен между пластинами биморфного элемента,На чертеже представлен предлагаемый фазов ращатель,Фазовращатель содержит звукопровод акусти.ческих поверхностных волнвыполненный ввиде биморфного элемента, образованного пластинами 1 и 2, На пластине 1 расположенывходной и выходной ВШП 3 и 4. Управляющий 45элемент 5 представляет собой нагреватель, выполненный в виде металлического пленочногопокрытия с малым удельным омическим сопротивлением, и может быль выполнен в формемеандра и покрывать большую часть поверх.ности одной из пластин биморфного элеМента. ВНИИПИ Заказ 10357/57 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород,3Фазовращатель...

Номер патента: 1064427

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Алексеев, Злоказов, Овсянкина, Плужников

МПК: H03H 9/68

Метки: акустических, волнах, поверхностных, регулируемый, фазовращатель

...фоторезистивным покрытием размещен источник света, между резистивным покрытием, параллельно его поверхности, и источником света установлен не. прозрачный экран с возможностью перемещения перпендикулярно продольной оси звукопровода, Чпри этом выходной встречно-штыревой преобра. зователь р"звернут относительно входного преобразователя на острый угол е, величина которого определяется из следующего соотношения: где ЧЧ - ширина непрозрачного экрана;Т - пространственный период штырей вовходном встречно-штыревом преобразователе;а отношение ширины Ф непрозрачного экрана .к апертуре входного преобразователя меньшеединицы.На чертеже приведена конструкция предлагаемого фаэовращателя,Фазовращатель содержит пьезоэлектрическийзвукопровод 1, входной и...

Номер патента: 1065823

Опубликовано: 07.01.1984

Автор: Гурьев

МПК: G04F 10/06

Метки: акустических, волнах, времени, задержки, поверхностных, устройств

...аналогично как и при регистрации времени задержки междуервым и вторым преобразователямиЧ а дуемого блока 3 на ПАВ многоотнодной линии задержки (МЛЗ) на ПАВ. Много- отводная линия задержки содержит число преобразователей равное числу отводов, но не меньше трех.Вход первого преобразователя 4 включен с обратной полярностью к входу второго преобразователя 5Оба входа указанных преобразователей 4 и 5 связаны с выходом генератора 2 импульсовТретий преобразователь б служит выходом исследуемого блока 3 на ПАВ и соединен через усилитель 7 с входом регистратора 8, в качестве которого используют, например, осциллографС помощью первого и второго преобразователей возбуждают первую и вторую УЗ однонаправленные волны,причем вторая УЗ волна...

Номер патента: 1067589

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Жгун, Калинин, Кравченко, Михайлов, Штыков, Юрьев

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, многоканальный, поверхностных, фильтр

...45Целью изобретения является уменьшение габаритов и величины вносимых потерь.Поставленная цель достигается тем, что в многоканальном Фильтре 5 О на поверхностных акустических волнах, содержащем пьезоэлектрическую подложку, на поверхности которой акустически последовательно расположены входной встречно-штыревой, преобразователь и прямоугольные отражающие решетки с наклонными элементами, а также выходные встречиоштыревые преобразователи, наклонныеэлементы прямоугольной отражающей решетки размещены с двумя пространственными периодами по взаимно пересекающимся направлениям, оси которых зеркально-симметричны относительно направления распространения поверхностной акустической волны, 65Таким образом, отличие периодовЭ данном случае Х-Мъ,и в...

Номер патента: 1073882

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Анисимкин, Гуляев, Котелянский

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...1 из 5 плавленого кварца. Входной преобразователь 4, а также углы 9 и р выполнены аналогично тому, как в устройстве, показанном на фиг.1. Выходной преобразователь 8 выпол нен в виде преобразователя поперечных ОАВ, изготовленного из пластины монокристаллического кварца У-среза, и расположен, на третьей вспомогательной грани 9 звукопровода 1. Четвер тая вспомогательная грань 10,противолежащая грани 5 звукопровода 1, выполнена под углом 2 к его рабочей грани 2, величина котооого отличается от величины угла Ч и под углом о к грани 9, на которой расположен выходной преобразователь 8. Угол с( равен углу отражения Р от грани 10 поперечной ОАВ ЯЧ-поляризации, образующейся при падении на эту грань возбуждаемой ПАЦ, распространяющейся...

Номер патента: 1073883

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Больбасов, Ворошень, Здоровцев, Чиркин

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, конвольвер, поверхностных

...электродов между ними, в которой гребенчатые электроды одной полярности соединены с общим сплошным электродом 23Недостатком этого устройства также является ограниченный динамический диапазон.Цель изобретения - расширение динамического. диапазона.Поставленная цель достигается тем, что в конвольвере на ПАВ, содержащем вакуумную колбу и размещенные в ней электронный эмиттер и пьезоэлектрический звукопровод, на котором расположены два входных преобразователя ПАВ и система гребенчатых электродов между ними, в которой гребенчатые электроды одной полярности соединены с общим сплошным электродом., эмиттер расположен в плоскости, параллельной поверхности звукопровода над системой гребенчатых электродов на расстоянии, не превышающем...

Номер патента: 1073884

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Груздев, Речицкий, Усов

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, полосовой, фильтр

...по закону четной функциитипа з 1 псх, усеченной симметричнопо любым нулям. 23.Недостатком известного фильтраявляется относительно высокийуровень боковых лепестков амплитудно-частотной характеристики (АЧХ).Цель изобретения - уменьшениеуровня боковых лепестков амплитудно-частотной характеристики.Поставленная цель достигаетсятем,что в полосовом фильтре наПАВ, содержащем пьезоподложку сразмещенными на ее рабочей поверхности двумя эквидистантными встречно-штыревыми преобразователями ВЧП,один иэ которых выполнен неаподизованным, а другой - аподизованнымпо апертуре по закону четной функции типа 81 псх, усеченной симметрично по любым нулям, в аподизованныйВР)П введены два дополнительныхэлектрода, по одному 8 каждойстороны, подсоединенных...

Номер патента: 1077055

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Бондаренко, Зебрин, Орлов, Речицкий

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, пав, поверхностных, полосовой, фильтр

...И ОТКРЬ АНИЕ ИЗОБР ОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(54)(57) ПОЛОСОВОИ ФИЛЬТР НА ПОВЕРХ.НОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, содержащий пьезоэлектрическую Подложку,на поверхности которой размещен полосоэадающий и расположенные по обе окополосные встречноазователи., о т л итем, что, с целью ательности при сохрав полосозадающем ом преобразователем евых электродов, расбе стороны от линии, от центра широкопо-штыревых преобразоваы и выбираются из слеЕг 4 его стороны шир штыревые преобр чающий с я повышения иэбир нении габаритов встречно-штырев шаги Е и Ег штыр положенных по о равноудаленной лосных встречно д е : +е а Е = (Е- Е Р; : ЧЧд - скорость поверхческих волн;й - ширина полосы п1070055Рфиг: ЯСоставитель Н.Чистякова Редактор М.Янович Техред М.Кузьма Корректор...

Номер патента: 1093891

Опубликовано: 23.05.1984

Автор: Пугачев

МПК: G01B 17/00, H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, датчик, поверхностных, поворота, угла

...поверхностных акустических волн,снабжен поглотителем акустических волнна одной из пластин, концентрично сосью поворота, выполнен паз в видеокружности радиусом не менее 100длин поверхностных акустических волни глубиной не менее одной длины, наэтой же пластине вдоль радиуса внутренней окружности закреплен поглотитель, а диаметрально противоположноему расположен встречно-штыревой.преобразователь.На чертеже представлена структурная схема предлагаемого датчика.Датчик содержит две параллельныепластины 1 и 2, установленные с возможностью поворота вокруг их общейоси 3 симметрии, н нанесенные симметрично на поверхность пластины 2встречно-штыревые преобразователи4 и 5 ПАВ. На пластине 1 концентричнос осью 3 выполнен паз 6 в виде...

Номер патента: 1113882

Опубликовано: 15.09.1984

Авторы: Алексеев, Бондаренко, Дугина, Злоказов, Соболев

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...ПАВ.Цель изобретения - уменьшение ам, плитудных и фазовых искажений сигнала. Поставленная цель достигается тем, что в линии задержки на ПАВ, содержащей монокристаллический звукопровод, входной и выходной электроакус тические преобразователи ПАВ, звуко- провод выполнен из полидомелного сегнетоэлаетического материала, содержащего две системы взаимноортогональных плоскопараллельных доменов, плоскости границ которых нормальны поверхности звукопровода, а входной и выходной электроакустические преобразователи ПАВ расположены по разные стороны от биссектриссы плоского прямого угла, образованного пере" сечением плоскостей границ взимо" ортогональных плоскопараллельных доменов с поверхностью звукопровода.На чертеже схематически представлена...

Номер патента: 1113883

Опубликовано: 15.09.1984

Авторы: Алексеев, Ермолов, Каразеев, Плужников

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, режекторный, фильтр

...вид (двепроекции); на фиг. 2 - состояниенамагниченности магнитострикционнойпленки в исходном состоянии (а) и. 50после приложения постоянного магнит-ного поля (б) в направлении, обратном первоначальной намагниченностипленкиРежекторный фильтр на ПАВ содер жит звукопровод 1, входной и выходной преобразователи ПАВ 2 и 3, полос.ковые отражательные элементы 4, выполненные, например, в виде металлических полосок, поликристаллическуюмагнитострикционную пленку 5 регулируемого источника постоянного магнитного поля 6.фильтр работает следующим образом,В исходном состоянии, в отсутствии внешнего магнитного поля, пленка 5 с одноосной анизотропией полностью намагничена вдоль ОЛН (фиг, 2 а).Амплитудно-частотная характеристикарежекторного фильтра в этом...

Номер патента: 1123098

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Карро-Эст, Поляков, Рябоконь

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...и расположенные на егопротивоположных плоских гранях входной и вщищной встречно-штыревыепреобразователи (ВШП), размещенныесо стороны мескругленного торца звуко провода Щ,Недостатком этой линии задержкина ПАВ являются большие вносимыепотери, обусловленные использованиемлишь той части акустической волны, 2 Оизлучаемой входным ВШП, которая раслространяется к выходному ВШП.Наиболее близким к изобретениютехническом решением является линиязадержки на пАВ, содержащая цнлиндрический ассиметричнцй звукопровод,выполненный в виде плоскопараллельной иьезоэлектрической пластины соскругленными торцами, и расположенее на его противоиоложных плоскихГранях входной и выходной ВШП 2.Недостатком известной линии задержки на ПАВ являются большие вносимые...

Номер патента: 1131024

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Акпамбетов, Брицын, Галанов, Ржанов

МПК: G01L 11/04

Метки: акустических, волнах, давления, датчик, поверхностных

...элементом, выполненным в виде пьезоэлектрической пластины, на одной грани которой выполнена выемка, 45 а на противоположной грани расположены два ВШП ПАВ, размещенные в одном акустическом канале и подсоединенные к актогенератору, выемка в пьезоэлектрической пластине выполнена с попе речным сечением в форме прямоугольника, две стороны которого параллельны электродам ВШП и полностью перекрывают акустический канал по апертуре, а глубина выемки постоянна по 55апертуре акустического канала и монотонно изменяется в направлении, перпендикулярном электродам ВШП, уменьшаясь от центральной области выемки к ее периферии.На фиг. 1 изображен датчик давления на ПАВ; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на Фиг. 3 - разрез Б-Б на фиг. 1.Датчик...

Номер патента: 1131025

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Биргер, Дашенков, Лайков, Синица

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...с ними, протяженность каждой из областей сплошной металлизации с окнами составляет 25-307 протяженности неаподизованного ,преобразователя, а числоэлектродов последнего выбрано из соотноше- ния 4161/где 1 - центральная частота полосыОпропускания фильтра;31 - частотный интервал междупервыми нулями АЧХ Фильтра.На чертеже изображен Фильтр на ПАВ, пример выполнения.Фильтр на ПАВ содержит пьезоэлектрический звукопровод 1 и расположенные на его поверхности ВШП 2 и 3, подключенные, соответственно, к источнику высокочастотного сигнала и нагрузке 5. Неаподизованный преобразователь 2 состоит из двух электродных структур, образованных штыревыми электродами 6 и 7, соединенными, соответственно, к контактным шинам 8 и 9. На поверхности...

Номер патента: 1131027

Опубликовано: 23.12.1984

Авторы: Абрамов, Бондаренко, Жуков

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...зователи электрически соединены между собой и расположены, по.,разные стороны и на различных расстояниях от входного, в одном с ним акустическом канале, введено два металлических покрытия, первое нэ которых расположено между входным и первым Ъыходным преобразователями, а второе - между входным и вторым выходным преобразователями, и каждое иэних выполнено с переменной по апертуре акустического канала протяженностью, при этом в любом-и сечении апертуры суммарная протяженностьобоих металлических покрытий одинакова по величине и вычисляется по формуле 2 к 6+ б Кг (Ь - Ья)где К - коэффициент электромеханической связи материала звукопровода для ПАВ;Ьи Ь 2- расстояния между входным ипервым и вторым выходными преобразователями...

Номер патента: 1136300

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Баржин, Колесник, Коропец

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линии, перестраиваемый, поверхностных

...потенциометрического трехполюсника, а вторые электрические выходы первого и второго однонаправленных акустических ответвителей подключены к другому входу регулируемого потенциометрического трехполюсника, первые акустические выходы первого и второго однонацравленных акустических ответвителей подключены к акустическим входам соответственно первого и второго выходных акустоэлектронных преобразователей, вторые акустические выходы первого и второго однонаправленных акустических ответвителей подключены к акустическим входам соответственно третьего и четвертого выходных акустоэлектронных преобразователей, электрические выходы которых подключены к соответствующим входам третьего сумматора, электрические выходы первого и второго...

Номер патента: 1136309

Опубликовано: 23.01.1985

Авторы: Бондаренко, Дугина, Соболев

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

...тому же дополнительными искажениямиамплитудно-частотной и импульснойхарактеристик Д 313. Цель изобретения - повышение степени интеграции Д 113Поставленная цель достигаетсятем, что в Д 313 на ПАБ, содержащуюпьезоэлектрический звукопровод, наповерхности которого в параллельных,акустических каналах расположенывходной и выходной ВШ 11 и и ОС с не 1равномерным шагом элементов в них,расположенных одна под другой по однусторонуот входного и выходного ВШП,введены иреверсивных элементовсвязи (РЭС) ПАВ, расположенных назвукопроводе между входным и выходным ЫШП в соответствующих ипаралельных акустических каналах смежныхОС,При этом каждая ОС выполнена ввиде двух отражательных решеток типаелочкаНа чертеже изображена дисперсионная линия задержки...

Номер патента: 1159149

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Баржин, Василенко, Колесник, Коропец

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линии, перестраиваемый, поверхностных

...источников высокочастотных коле бан ий, предп азн аче нных для различных радиотехнических систем.Целью изобретения является расширение диапазона перестройки и повы. шение стабильности выходных колеба О ний.На чертеже представлена структур.ная электрическая схема перестраиваемого генератора на линии задержки на поверхностных акустических волнах.15I )Перестраиваемый генератор на линии задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ) содержит линию 1 задержки на ПАВ, входной встречно- штыревой преобразователь (ВШП) 2, 2 О первый выходной ВШП 3, второй выходной ВШП 4, дополнительный фазовраща.тель 5, второй управляемы фазовращатель 6, первый управляемый фазовращатель 7, сумматор 8, блок 9 управ ления и усилитель 10Перестраиваемый...

Номер патента: 1159153

Опубликовано: 30.05.1985

Автор: Пугачев

МПК: G01L 9/08, H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, датчик, поверхностных, тензочувствительный

...к радиоэлектронике.и может быть использова- но в устройствах для измерения усилий, ускорений, давлецьй и линейных перемещений, 5Целью изобретения является поз вышецие точности измерений.На чертеже представлена структурная схема тензочувствительцого датчИка. 10Датчик содержит пьезопластицы 1 и 2, пьезоэлектрические звукопро -з воды 3 и 4, входной и выходной встречно-штыревые преобразователи 5 и 6 ПАВ, считывающие электроды 15 7 и 8, размещенные ца тордах держателя 9, основание 10,Датчик работает следующим образом.На ньезопластинах 1 и 2 в первом и втором пьезоэлектрических звукопроводах 3 и 4, где расположены входной и выходной встречно-штыревые преобразователи ПАВ 5 и 6, при подключении генератора ультразвуковых импульсов (не...

Номер патента: 1159155

Опубликовано: 30.05.1985

Авторы: Базлова, Бондаренко, Дроздова, Крутов, Савченков, Салынский

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...составляет 40-70 мас.Ж.1159155 Составитель В,Банков в Техред М.Пароцай Редактор И. Рыбченко Корректор А.Зимокосов Заказ Зб 07/55 Тираж 872 . Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ПГП 1 "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,Изобретение относится к радиоэлектронике иможет быть использованон акустоэлектронных устройствах на поверхностных акустических волнах (йВ),Целью изобретения является уменьщение уровня ложных сигналов н линиизадержки на ПАВ,На чертеже представлена конструкция линии задержки.Линия задержки на ПАВ содержит 1 Опьезоэлектрический звукопровод 1,расположенные на его рабочей поверхности входной и выходной электроакустические...

Номер патента: 1164856

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Василенко, Колесник, Коропец, Костенко, Сорокопут

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линией, поверхностных

...получения незатухающих колебаний необходимо выполнить условие баланса амплитуд и у - . ловие баланса фаз.Суммарный фазовый набег в замкнутой петле, образованной уселительным каскадом на транзисторе 1 и инвертором 2 равен2 Зс ине40 где У - суммарный фазовый набег;1,с - фазовый сДвиг, вносимыйусилителем на транзисторе 1,Ун - фазовый сдвиг, вносимый инвертором 2.Если выбрать величину.индуктивности первой катушки индуктивности 3 так, чтобы параллельный колебательный контур, образованный первой ка; тушкой индуктивности 3 и статической 50 емкостью первого ВШП 6 был бы настроен на частоту генерации, тогда Ч =я, Поскольку Чн, =я, то М =Т(+я=2 Г, т.е. выполняется условие баланса фазВ эмиттерной цепи транзистора 1 образуется колебательный...

Номер патента: 1170588

Опубликовано: 30.07.1985

Авторы: Кундин, Щукин

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, варианты, волнах, его, поверхностных, фильтр

...к радиоэлектронике и может быть использовано вразличных устройствах селекции высо,кочастотных сигналов.Цель изобретения - повышение избирательности при работе на нечетныхгармониках.а фиг. 1 и 2 представлены два варианта конструктивного выполненияФильтра, на Фиг. 3 - зависимость ин- Отенсивности возбуждения ПАВ на частоте акустического синхронизма 1 иее 3-ей гармонике О от коэффициентаметаллизации ОКаждый фильтр на ПАВ (Фиг. 1) содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, входной и выходной встречноштыревые преобразователи 2 и 3 ПАВ,металлизированное покрытие 4.Фильтр на ПАВ работает следующим 20образом.Амплитуды ПАВ, возбуждаемых илипринимаемых ВШП 2 и 3 зависят отномера возбуждаемой гармоники и отношения ширины электрода ВШП к...

Номер патента: 1190454

Опубликовано: 07.11.1985

Авторы: Василенко, Колесник, Коропец, Сорокопут

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линией, поверхностных

...кото.,рые поступают через цепочку, состоящую иэ последовательно соединенных ЗОпервой катушки индуктивности 6, истатической емкости входного встреч-.но-штыревого преобразователя 13, назатвор этого транзистора. Напряжениепадающее на входной встречно-штыревой преобразователь 13, возбуждаетповерхностную акустическую волну, которая вызывает появление напряженияна выходном встречно-штыревом преобразователе 14 которое прикладывается между затвором второго транзистора 2 и шиной питания. Это приводитк тому, что ток, протекающий через .второй транзистор 2,иэменяется всоответствии с изменением напряжения 45на его затворе, что в свою очередь,вызывает падение напряжения на втором резисторе 4, компенсирующем напряжение на этом же резисторе...

Номер патента: 1202012

Опубликовано: 30.12.1985

Автор: Реут

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линии, поверхностных

...и может быть использовано в автономных хранителях времени.Целью изобретения является повышение стабильности частоты путем расширения температурного диапазона термокомпенсации.На чертеже представлена структурная электрическая схема предложенного генератора на линии задержки на поверхностных акустических волнах,, Генератор на линии задержки на поверхностных акустических волнах 1,ПАВ) содержит пьезоэлектрический звукопровод 1, первый входнои встречно-штыревой преобразователь (ВШП) 2, первый выходной ВШП 3, второй входной ВШП 4, второй выходной ВШП 5, первый усилитель 6, первый регулируемый фазовращатель 7, второй усилитель 8, второй регулируемый фазовращатель 9, смеситель 10, полосовой фильтр 11.Генератор на линии задержки наПАВ...

Номер патента: 1223317

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Бахтин, Игнатьев, Мостовой, Стальмахов

МПК: H01P 1/215, H01P 9/00

Метки: волнах, магнитостатических

...волнах.Предлагаемое устройство содержит прямоугольную диэлектрическую пластину 1, на одной стороне которой выполнено Н-образное металлическое покрытие 2, образующее два идентичных отрезка 3 и 4 щелевых линий (отрезок 3 является входной, а отрезок- выходной линиями передачи), ферритовую пленку 5, расположенную на отрезках 3 и:4 со стороны Н-образного металлического покрытия 2, и магнитную систему .(не показана; стрелками Н ь отмечены, направления создаваемого ею магнитного поля). В прямоугольной диэлектрической пластине 1 выполнена выборка 6, расположенная между плоскостями короткого замыкания отрезков 3 и 4 на равном расстоянии от них. В устройство на магнитостатических волнах введен металлический экран, состоящий из двух...

Номер патента: 1224775

Опубликовано: 15.04.1986

Авторы: Васильев, Копп, Румянцев

МПК: G02F 1/11, G06G 9/00

Метки: акустических, акустооптический, волнах, модулятор, поверхностных

...215 2В описываемом АОМ на ПАВ выполнение планарного волновода в виде цилиндрической поверхности обеспечивает увеличение длины взаимодействиясвета со звуком, что позволяет уменьшить акустическую мощность, необходимую для получения высокой дифракционной эффективности. Длина взаимодействия при взаимодействии света с расходящимися акустическими волнамипрямо пропорциональна апертуре электроакустического преобразователя ПАВи обратно пропорциональна расходимости акустических волн, Полоса чвс.дотот дГ в таком АОМ прямо пропорциональна расходимости акустическихволн.На фиг.2 на призму ввода света 3входной оптический луч 5 падает так,что фронт расходящихся ПАВ он пересекает под углом. Причем, при движении луча света от призмы ввода допризмы вывода...

Номер патента: 1239638

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Евтихиев, Медведев, Преображенский, Фетисов, Экономов

МПК: G01R 27/32

Метки: амплитуднои, волнах, магнитостатических, устройств, фазочастотных, характеристик

...определения амплитудно- ифазочастотных характеристик устройствна магнитостатических волнах состоитв следующем,Амплитудно- и фазочастотные характеристики устройств на магнитостатических волнах (МСВ) целиком определяются интерференцией различных мод. МСВ между входной и выходной антеннами устройства на МСВ и поэтому обискомых характеристиках судят, знаякакие моды МСВ возбуждаются, каковыих амплитуды и какова их групповаяскорость расцространения. Моды МСВвозбуждаются электрическим сигналом,подаваемым на входную антенну. Выходная. антенна преобразует моды МСВобратно в электрический сигнал, чтоявляется первой операцией предлагаемого способа, Возбуждение тех илииных мод магнитостатических колебаний определяется .геометрией...

Номер патента: 1239670

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Вознесенский, Пасник, Резник

МПК: G01V 1/40, G01V 1/52

Метки: акустического, аппаратура, волнах, каротажа, отраженных

...24 датчика ориентадии е12396Синхроимпульсы в последовательности 23 имеют положительную полярность, в то время как видеоимпульсы в той же последовательности имеют отрицательную полярность. Поступая на се лектор 11, выполненный в виде триггера Шмитта, синхроимпульсы при достижении определенного положительного уровня опрокидывают триггер и на выходе селектора появляется последовательность отрицательных импульсов ,26, соответствующих по времени синхроимпульсам в последовательностях 20 и 23. Импульсы 26 с выхода селектора синхроимпульсов поступают на вход синхронизации блока 10 обработки и на вход запуска первого одновибратора 15 детектора 14 аномального времени.Перепады напряжения 27 с выходов выполненного на логических элементах...

Номер патента: 1250858

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Колешко, Мешков

МПК: G01L 11/00

Метки: акустических, волнах, давления, датчика, поверхностных, чувствительный, элемент

...частот генерации 11 и Ь генераторов на соответствующих ПАВ-структурах 4 и 5 в противоположных направлениях вследствие противоположного характера деформаций в центре и на периферии мембраны 3, В результате смещения частот в смесителе 8 получается разностная частота М=- Я, выделяемая ФНЧ 9. Частота Л 1 пропорциональная измеряемому давлению Р, причем температурный дрейф уменьшен вследствие включения ПАВ-структур 4 и 5 по дифференциальной схеме.Формирование мембранного УЭ проводят путем химического травления двухслойной структуры со стороны стекла 11 с большей скоростью растворения Ч 2 (фиг. 2 в). Процесс травления обычно ведут в смеси НГ и и Нй 04, причем Н 2504 служит для исклюО 5 20 25 30 .5 чения отложения на поверхности стекла...