Патенты с меткой «волнах»

Номер патента: 1750406

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, резонаторов, центральной, частоты

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий обработку в плазме аргона в течение 120 - 600 с, отличающийся тем, что, с целью повышения точности настройки, перед обработкой в плазме аргона проводят предварительную настройку частоты путем отжига кристаллов в атмосфере водорода при 250 - 450oС, а обработку в плазме аргона проводят в течение времениt = ,где t - время обработки/ с;f - частота резонатора перед окончательной подстройкой, Гц;

Номер патента: 1591729

Опубликовано: 30.08.1994

Автор: Зеленов

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

ФИЛЬТР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку с расположенным на ее рабочей грани двунаправленным входным преобразователем ПАВ, по обе стороны от которого размещены первый и второй выходные преобразователи, отличающийся тем, что, с целью уменьшения вносимых потерь, выходные преобразователи выполнены из полосковых электродов, объединенных с одной стороны контактными площадками, которые электрически соединены между собой через резистор, причем расстояния между продольными осями симметрии соседних электродов в выходных преобразователях и расстояния между вертикальной осью симметрии входного преобразователя и ближайшими к нему электродами первого и второго выходных преобразователей выбраны из...

Номер патента: 1313314

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/10

Метки: акустических, волнах, кварцевых, поверхностных, подстройки, резонаторов, частоты

СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ КВАРЦЕВЫХ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение частоты резонатора и сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют нагрев резонатора при температуре, превышающей 250oС, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов подстройки частоты и повышения ее точности, нагрев резонатора осуществляют в течение 20 - 40 мин, а температуру нагрева выбирают из выражения500 C > T = 250 C + A ,где Т - температура...

Номер патента: 1335110

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/10

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), включающий формирование на рабочей грани пьезоэлектрической подложки системы канавок отражательных решеток, заполненных электропроводящим материалом, и электродов встречно-штыревых преобразователей, формирование защитного покрытия для встречно-штыревых преобразователей, вытравливание электропроводящего материала из системы канавок отражательных решеток, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет уменьшения разброса центральной частоты, в процессе формирования системы канавок отражательных решеток их дополнительно вытравливают на величину, равную 10 - 15% от заданной глубины, а перед вытравливанием электропроводящего...

Номер патента: 1313317

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Кисляков, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонатор

РЕЗОНАТОР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку, по крайней мере один встречно-штыревой преобразователь (ВШП) ПАВ, электроды которого расположены в углублениях на рабочей грани пьезоэлектрической подложки, и отражательные структуры, выполненные в виде системы канавок, глубина которых меньше глубины углублений под электродами ВШП ПАВ, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности конструкции резонатора, область пьезоэлектрической подложки с электродами ВШП ПАВ выполнена с выступом над областями пьезоэлектрической подложки с канавками отражательных структур, причем высота выступа выбрана в соответствии с выражениемh = h1-h2 ,где h - высота выступа...

Номер патента: 1419474

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Колковский, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, устройств

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий формирование на пьезоэлектрической подложке токопроводящего слоя электродов и электрических шин встречно-штыревых преобразователей (ВШП), регистрацию амплитудно-частотной характеристики, сравнение ее с заданной по результатам которого осуществляют отбраковку изготавливаемых устройств, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготавливаемых устройств, одновременно с формированием токопроводящего слоя электродов и электрических шин ВШП формируют между электрическими шинами ВШП токопроводящий слой в виде меандра, измеряют его сопротивление, производят сравнение его значения с заданным; по результатам которого осуществляют дополнительную отбраковку...

Номер патента: 1783947

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, резонаторов, центральной, частоты

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты резонатора, сравнение ее с заданной и плазмохимическое травление рабочей поверхности кристалла резонатора в плазме фторсодержащего газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных резонаторов, перед измерением центральной частоты дополнительно проводят обработку резонатора в плазме нейтрального газа в течение 200 - 300 с.

Номер патента: 1258281

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Алексеев, Ермолов, Злоказов, Проклов

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, пав, поверхностных, регулируемая

РЕГУЛИРУЕМАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ (ПАВ), содержащая звукопровод, выполненный из монокристалла редкоземельного молибдата в виде бидоменной пластины, плоскость доменной границы которой перпендикулярна большим граням звукопровода, размещенные на рабочей поверхности звукопровода входной и выходной встречно-штыревые преобразователи (ВШП), акустические оси которых взаимно ортогональны и образуют с плоскостью доменной границы углы /4 и 3 /4 соответственно, управляющие электроды, размещенные на больших гранях звукопровода между входным и выходным ВШП, источник регулируемого...

Номер патента: 1634113

Опубликовано: 20.09.1996

Автор: Жуков

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, поверхностных

...шагу двух соседних электродов ВШП. Устройство на поверхностных акустических волнах, содержащее пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в общем акустическом канале размещены входной встречно-штыревой преобразователь (ВШП), выходной ВШП и отражающая решетка, отличающееся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения заданной амплитудно-частотной характеристики за счет уменьшения уровня ложных сигналов, элементы отражательной решетки размещены перпендикулярно оси При распространении области "сжатия " (или "растяжения" ) под углом к электродам выходного ВШП 3 она попадает одновременно в соседние промежутки между электродами выходного ВШП 3. Величина напряжения, возникающая на паре электродов ВШП, прямо...

Номер патента: 1662324

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Доберштейн, Литвинов, Малюхов, Николаенко

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

...ЫМЬОз рекектирование будет эффективно в достаточно широкой полосе частот и позволит подавать частотные отклики на третьей и пятой гармонике,Следует заметить, что на работу однонаправленного ВШП такое выполнение электродов МПО никак не скажется, поскольку эквивалентная "отражательная решетка" "прозрачная" для акустической волны основной частоты.Улучшение избирательности предложенного фильтра связано с выполнением последнего электрода 7 каждого МПО и последнего электрода 8 центральных аподизованных ВШП 5 и 6 без зазора между собой и с зазором относительно общих входных 9 и выходных 10 клемм. В этом случае источник напряжения 12 или нагрузка 14 подключаются к фильтру симметрично через эквивалентный развязываю щий акустоэлектрический или...

Номер патента: 1256654

Опубликовано: 10.10.1996

Автор: Николаенко

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, генератор, поверхностных

1. Генератор на поверхностных акустических волнах, содержащий первый и второй усилители, соединенные последовательно, в цепь обратной связи каждого из которых включены соответственно первая и вторая акустические линии задержки с размещенными на поверхности звукопровода входным и основным выходным встречно-штыревыми преобразователями (ВШП), нулевые контактные шины которых заземлены, отличающийся тем, что, с целью улучшения спектральной чистоты выходного сигнала, основной выход первой акустической линии задержки соединен с входом первого усилителя, выход первого усилителя соединен с входом второй акустической линии задержки, основной выход второй акустической линии задержки соединен с входом второго усилителя, выход второго усилителя...

Номер патента: 1489552

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Болотюк, Евдокимов, Николаенко

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, многоканальный, поверхностных, фильтр

Многоканальный фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ), каждый канал которого содержит первый и второй развязывающие дроссели, первый вывод каждого из которых соединен с катодом первого и второго диодов соответственно, третий и четвертый диоды, развязывающий конденсатор, включенный между общей шиной и клеммой управления, полосовой фильтр, один из выводов которого соединен с общей шиной, аноды первого и второго диодов соединены соответственно с входом и выходом этого же канала фильтра, а вход и выход каждого из каналов фильтра соединены с входной и выходной клеммами фильтра соответственно, между каждой из которых и общей шиной включены соответственно входной и выходной развязывающие дроссели фильтра, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1762726

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Кондратьев, Тимошев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, резонаторов, центральной, частоты

Способ подстройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий плазмохимическое травление рабочей поверхности кристалла резонатора при использовании в качестве рабочего газа соединений фтора, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, перед плазмохимическим травлением обрабатывают рабочую поверхность кристалла резонатора пучком ионов аргона при энергии 4 5 кэВ в течение 2 15 мин, а плазмохимическое травление проводят в течение 1 8 мин.

Номер патента: 1783948

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, кристаллов, поверхностных, резонаторов

Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий фотолитографию встречно-штыревых преобразователей и отражательных решеток, ионно-химическое травление канавок в материале подложки, напыление металла, взрывное травление фоторезиста и последующее удаление металла из канавок отражательных решеток, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных резонаторов, после напыления металла наносят второй слой фоторезиста, в котором вскрывают окна над структурами электродов встречно-штыревых преобразователей, в этих окнах вытравливают металл, затем проводят ионно-химическое дотравливание канавок под электроды встречно-штыревых преобразователей заданной глубины, напыляют второй слой металла с толщиной,...

Номер патента: 1811350

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Гарова, Григоревский, Кундин, Плесский

МПК: H03H 9/44

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая звукопровод, на поверхности которого в одном акустическом канале размещены преобразователь ПАВ, решетка наклонных отражательных элементов и дисперсионная решетка отражательных элементов, перпендикулярных продольной оси этого акустического канала и разделенных по длине на две части, взаимно смещенные вдоль акустического канала на расстояние, равное ширине соответствующего отражательного элемента, и дополнительная решетка отражательных элементов, расположенная в направлении, перпендикулярном продольной оси акустического канала соответственно напротив решетки наклонных отражательных элементов, отличающаяся тем,...

Номер патента: 1627049

Опубликовано: 20.07.1999

Автор: Боритко

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

Линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая звукопровод и расположенные на его рабочей грани в одном акустическом канале входной встречно-штыревой преобразователь, соединенный с генератором синусоидального сигнала, и выходной преобразователь, выполненный в виде поперечных относительно продольной оси звукопровода металлических полосок, между которыми размещен слой полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью увеличения полосы пропускания и расширения рабочего диапазона частот в сторону нижней границы, между электродами входного встречно-штыревого преобразователя размещен слой полупроводника, а пространственный период расположения электродов в этом преобразователе...

Номер патента: 1378608

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Ватолин, Рубан, Черняков

МПК: G01V 1/00

Метки: волнах, нарушений, параметров, пластов, проходящих, разрывных, угольных

Способ определения параметров разрывных нарушений угольных пластов на проходящих волнах, включающий установку, состоящую из системы наблюдений источников колебаний в одной и профилей сейсмоприемников в другой горной выработке, оконтуривающих участок наблюдений, возбуждение и прием колебаний, выбор используемого типа каналовой волны, прием волн выбранного типа приемниками ориентации Х или Y соответственно, определение преобладающей длины волны, определение сейсмических лучей, прошедших через нарушение и граничных сейсмических лучей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения длины линии скрещения и амплитуды перемещения крыльев разрывного нарушения, после определения...

Номер патента: 1655280

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Никитин, Орлов, Шепшелей

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

Фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в параллельных акустических каналах размещены две секции входного встречно-штыревого преобразователя (ВШП), первый дополнительный ВШП и идентичные секции входного ВШП, второй дополнительный и два выходных ВШП, расположенные по обе стороны от входного ВШП, а выходные ВШП, соединенные с выходными клеммами фильтра, включены относительно дополнительных ВШП, соединенных с соответствующими эквивалентами нагрузки, с фазовым сдвигом 90o, отличающийся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения заданной амплитудно-частотной характеристики за счет...

Номер патента: 1501876

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Никитин, Шепшелей

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, фильтр

Фильтр на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого размещены входной секционированный преобразователь, содержащий последовательно соединенные секции, и выходной преобразователь, выполненный секционированным, эквиваленты проводимостей нагрузки, источники сигналов, соединенные соответственно с одними суммирующими шинами входного и выходного преобразователей, другие суммирующие шины которых соединены с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью уменьшения уровня паразитного сигнала тройного прохождения (СТП), в него введены индуктивный и резистивный элементы, включенные параллельно входному преобразователю, в качестве...

Номер патента: 1598818

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Молотков, Рогачев

МПК: H03H 9/145, H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

Линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в общем акустическом канале размещены входной и выходной веерные встречно-штыревые преобразователи (ВШП) с переменными вдоль апертуры каждого преобразователя шириной каждого штыря и величиной зазора между соседними штырями, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения искажений обрабатываемого сигнала, штыри выполнены расщепленными, причем зазор между электродами каждого штыря выполнен в форме клина с шириной в любом сечении апертуры акустического канала, определяемой выражениемгде...

Номер патента: 1683478

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Малюков, Молотков, Рогачев

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

Линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей грани которого в общем акустическом канале размещены входной и выходной встречно-штыревые преобразователи (ВШП) с переменными вдоль апертуры каждого ВШП шириной каждого электрода и величиной зазора между соседними электродами, отличающаяся тем, что, с целью повышения технологичности, угол между продольными осями симметрии центральных электродов входного и выходного ВШП выбран из выражениягде

Номер патента: 1793821

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Малюков, Молотков

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волнах, дисперсионная, задержки, линия, поверхностных

Дисперсионная линия задержки на поверхностных акустических волнах, содержащая пьезоэлектрический звукопровод и расположенные на его рабочей поверхности в одном акустическом канале два наклонных неэквидистантных встречно-штыревых преобразователя (ВШП), отличающаяся тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудно-частотной характеристики, в нее введены две неэквидистантные отражательные структуры (ОС), внутренняя контактная площадка каждого ВШП выполнена удлиненной в сторону сближения с другим ВШП до края апертуры преобразователя, соответствующего величине электрода этого преобразователя, ближайшего к другому ВШП, причем ОС размещены между электродами удлиненной части ВШП в...

Номер патента: 1552958

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Вызулин, Выродов, Тимошенко, Филичкин

МПК: H01P 1/215

Метки: волнах, магнитостатических, свч-устройство

СВЧ-устройство на магнитостатических волнах, содержащее первую немагнитную подложку, на которую нанесены входной и выходной преобразователи, и обращенную к ним стороной, на которой нанесена магнитная пленка, вторую немагнитную подложку, отличающееся тем, что, с целью управления величиной потерь, входной и выходной преобразователи выполнены копланарными, а первая и вторая немагнитные подложки установлены с возможностью перемещения одной относительно другой.

Номер патента: 1753918

Опубликовано: 27.08.2001

Авторы: Берковский, Малюков, Молотков, Рогачев

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных

Устройство на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащее пъезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в одном акустическом канале расположены два встречно-штыревых преобразователя (ВШП), первый из которых выполнен веерным, при этом средние линии его электродов является ломаными линиями, вершины которых лежат на отрезках гипербол, отличающееся тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудно-частотной характеристики, второй ВШП выполнен веерным, средние линии его электродов являются ломаными линиями с вершинами, лежащими на отрезках гипербол, при этом сечения апертуры акустического канала (ААК), соответствующие вершинам средних линий электродов второго ВШП,...

Номер патента: 1840095

Опубликовано: 20.07.2006

Авторы: Александров, Безматерных, Владимиров, Лисовский, Лукашев, Парфенова, Рагзин, Савин, Хализов

МПК: H01P 7/06

Метки: волнах, магнитостатических, многоканальный, свч, фильтр

Многоканальный фильтр СВЧ на магнитостатических волнах, содержащий, размещенную в магнитных полях смещения и катушки управления, на подложке пленку железоиттриевого граната, на которой размещены входные и выходные преобразователи каналов, отличающийся тем, что, с целью термостабилизации, в него дополнительно введено разомкнутое кольцо фазовой автоподстройки частоты, на разомкнутых концах которого соответственно установлены СВЧ генератор, выполненный с резонатором, и датчик сигнала ошибки, причем один из каналов фильтра подключен к СВЧ генератору и является его резонатором, а катушка управления подсоединена к выходу датчика сигнала ошибки.

Номер патента: 778665

Опубликовано: 20.09.2006

Авторы: Белиц, Дряхлов, Сиротин, Сиротина

МПК: H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

Линия задержки на поверхностных акустических волнах, содержащая звукопровод с расположенными на нем двухканальными встречно-штыревыми преобразователями, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения френелевских пульсаций амплитудно-частотной характеристики, все электроды с одинаковым порядковым номером, за исключением первых, обоих каналов преобразователей смещены относительно друг друга в направлении распространения поверхностной акустической волны пропорционально порядковым номерам электродов на расстоянии lk, величина которого выбрана из соотношения

Номер патента: 544323

Опубликовано: 20.09.2006

Автор: Дряхлов

МПК: H03H 9/42

Метки: волнах, задержки, линия, поверхностных, ультразвуковая

Ультразвуковая линия задержки на поверхностных волнах, содержащая звукопровод с расположенными на его поверхности входным и выходным преобразователями штыревого типа, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения входной (выходной) емкости преобразователя и улучшения согласования линии задержки с электронными схемами, входной (выходной) преобразователь разделен на n последовательно соединенных секций, путем выполнения разрывов в токопроводящих линиях, при этом одна шина каждой предыдущей секции соединена с противоположной шиной последующей при симметричном расположении разрывов в токопроводящих шинах.

Номер патента: 1840460

Опубликовано: 20.03.2007

Авторы: Жданухин, Камишкерцев, Хильченко

МПК: H01H 9/00, H03H 9/36

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, объемных, сверхвысокочастотная

1. Сверхвысокочастотная линия задержки на объемных акустических волнах, содержащая монокристаллический звукопровод и размещенные на его торцевых гранях пьезоэлектрические преобразователи, соответствующие электроды которых соединены с входным и выходным согласующими элементами, отличающаяся тем, что, с целью расширения рабочей полосы частот, каждый из согласующих элементов выполнен в виде нагруженной компланарной линии передачи и расположен на соответствующей торцевой грани монокристаллического звукопровода, при этом токонесущие части нагруженных компланарных линий передач выполнены совмещенными с соединенными с ними электродами пьезоэлектрическими преобразователями. 2. Сверхвысокочастотная линия задержки на объемных акустических...