Каразеев

Номер патента: 1729799

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Каразеев, Карманов, Свиридович

МПК: B41J 2/32

Метки: термопечатающее

...кремния 2 толщиной 0,3-1 мкм и удельным поверхностным сопротивлением 10;1000 Омно,Поверх резистивного слоя расположен проводниковый слой 3, выполненный, например, из пленки алюминия толщиной 0,3- 1 мкм, Внутренняя пленка защитного слоя выполнена из чередующихся слоев нитрида алюминия 4 и пятиокиси тантала 5. Толщина пленок нитрида алюминия составляет 1-10 мкм, а пятиокиси тантала 0,2-1 мкм. Внешняя пленка защитного слоя выполнена нки тантала 6 тол инойТираж Подписноерственного комитета по изобретениям и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 ГКНТ СС роизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10 ной имплантации (ИИ) осуществляют ее легирование сурьмой.Температура активации после ионной...

Номер патента: 1141438

Опубликовано: 23.02.1985

Автор: Каразеев

МПК: G08C 19/16, G08C 25/00

Метки: информации, приема

...счетчики 4, четвертый элемент И 5, дешифратор 6, 50 датчики 7, третьи элементы И 8 - 10 элемент ИЛИ 11, первый 12 и второй 13 элементы И, элементы 14-15 управления, индикаторы 16-17 реле 18 времени. 55формирователь 2 управляющих импульсов содержит триггер 19, элементИ 20, инвертор 21. Блок 3 содержит первый триггер 22, элемент И 23 и второй триггер 24.Устройство работает следующим образом.При необходимости проверки оператор нажимает кнопку "Пуск", тем самым приводит блок 3 выделения первого импульса в рабочее состояние (в исходном. состоянии - триггер 22 находится в " 1", а триггер 24 - в "0").Передним фронтом первого целого импульса (точка е, фиг. 2) открывается,элемент И 5 и импульсы иэ формирователя 2 поступают на вход...

Номер патента: 1137567

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Алексеев, Ермолов, Каразеев, Плужников, Теряев

МПК: H03H 9/00, H03H 9/64

Метки: акустических, волн, поверхностных

...магнитного поля магнитоодноосная пленка 2 однородно намагниченадо насыщения (как в областях низкокоэрцитивных каналов 3, так и в окру-.жающем их высокоэрцитивном массиве).При приложении внешнего магнитногополя, направленного параллельно осилегкого намагничивания (ОЛН)пленки ипревышающего по значению напряженности порогового поля Н, происходитперемагничивание низкокозрцитивных,каналов 3, Величина напряженностипорогового поля Н опреДеляется вы- ражением где Н, - коэрцитивная сила доменныхстенок;6 л - плотность энергии доменнойстенки;е 11- - намагниченность насыщенияпленки;О - ширина низкокоэрцитивного "канала.Перемагничивание низкокоэрцитивныхканалов начнется пои наппяженности внешнего поляее,"еее - .л 5 омах и закончится...

Номер патента: 1123096

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Алексеев, Ермолов, Каразеев, Теряев

МПК: H03H 9/00

Метки: акустических, волн, поверхностных

...до на" сыщения, как в областях низкокоэрцитивнык каналов 3, так и в окружающем их высококоэрцитивном массиве.В рабочем состоянии преобразователя ПАВ в ниэкокоэрцитивных каналах 3 пленки 2 образуются домены обратной намагниченности, Пля их образования от источника 9 управляющего сигнала по центральному управляющему электроду 4 пропускается импульс то" ка, параметры которого выбираются таким образом, чтобы знак и величина создаваемого им магнитного поля обес" печивали зарождение доменов обратной намагниченности в областях низкокоэр" цитивных каналов 3 магнитной пленки 2, примыкающих к данному управляюще" му электроду.Далее, при включении внешнего постоянного магнитного ноля (продвигающего), в зоне действия источника которого...

Номер патента: 1113883

Опубликовано: 15.09.1984

Авторы: Алексеев, Ермолов, Каразеев, Плужников

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, поверхностных, режекторный, фильтр

...вид (двепроекции); на фиг. 2 - состояниенамагниченности магнитострикционнойпленки в исходном состоянии (а) и. 50после приложения постоянного магнит-ного поля (б) в направлении, обратном первоначальной намагниченностипленкиРежекторный фильтр на ПАВ содер жит звукопровод 1, входной и выходной преобразователи ПАВ 2 и 3, полос.ковые отражательные элементы 4, выполненные, например, в виде металлических полосок, поликристаллическуюмагнитострикционную пленку 5 регулируемого источника постоянного магнитного поля 6.фильтр работает следующим образом,В исходном состоянии, в отсутствии внешнего магнитного поля, пленка 5 с одноосной анизотропией полностью намагничена вдоль ОЛН (фиг, 2 а).Амплитудно-частотная характеристикарежекторного фильтра в этом...

Номер патента: 945835

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Бондаревский, Каразеев, Теряев

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитометр

...шунтирующий конденсатор 22, Выход эмиттерного повторителя является выходом магнитометра.Устройство работает следующим образом.Высокочастотный сигнал с выхода транзистора 1 генератора тока возбуждения подается на делитель напряжения, составленный из последовательно соериненных конденсатора в связи и измерительного кантуоа, конденсатора 7 и катушки 8.Собственная резонансная частота измерительного контура Яо выбрана ниже частоты генератора тока возбуждения (и,., поэтому сопротивление контура носит емкостной характер. При воздзйствии измеряемого магнитного поля на пленочную срецу серцечника 9 вдоль ОЛН изменится инпуктивность контурной обмотки катушки 8, что приведет к изменению ы измерительного контура; Это вызывает измерение емкостного...

Номер патента: 851217

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Казак, Каразеев, Нестеров

МПК: G01N 24/02

Метки: возбуждения, пленках, спиновогоэха, тонких, ферромагнитных

...сигнала спиновогоэха от каждой решетки. Эффект увеличения амплитуды эха-отклика достигается за счет того, что возбуждается не вся площадь ферромагиитнойпленки, а отдельные ее участки, эхосигнал с которых впоследствии сум мируется на последовательно соединенных индуктивных сопротивлениях решеток съема сигнала спинового эха,На фиг. 1 представлено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг,2 - то же, в плане,Устройство включает подложку 1 из диэлектрического или немагнитного материала, на которой размещены тонкие ферромагнитные пленки 2-б,изолированные друг от друга (а в случае металлической подложки и от.подложки диэлектрическими слоями 7-9, Над ферромагнитными пленками размещен узел 10 для создания высокочастотного магнитного поля и...