Патенты с меткой «мишени»

Номер патента: 1448370

Опубликовано: 30.12.1988

Автор: Хан

МПК: H01J 37/30

Метки: корпускулярного, мишени, облучения

...к параллельному выходу клавиатурного регистра 23 первой секции модулятора. Выход клавиатурного регистра 27 второйсекции модулятора линиями управления28 через мультиплексоры соединен свыключателями второй электродной гре -бенки 17. Распределение клавиатурного регистра 27 соответствует распределению потенциалов второй электродной гребенки 17. Необходимое для соответствующей штриховой топологиираспределение в клавиатурных регистрах 23 и 27, объясненное на фиг. 2-Ь.,возникает в резульгате последовательности тактов сдвига в универсальныхрегистрах сдвига 29, 30 и 31, 32 количество Т которых независимо от штриховой топологии ограничено величинойпримерно-10. Оба клавиатурных регистра 23 и 27 имеют по два параллельных входа, к которым...

Номер патента: 1584122

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Выскубов

МПК: H04N 3/16, H04N 5/21, H04N 5/228 ...

Метки: мишени, накоплением, передающей, потенциального, рельефа, считывания, телевизионной, трубки

...достигаетсяэффект, обратный действию факторов,вызывающих неортогональность пучказа счет его отклонения к краям изображения.Устройство работает следующим образом,Синхрогенератор 6 управляет работой формирователя 2 гасящих импульсовпередающей трубки, формирователя 3гасящих импульсов приемника и генератора 7 разверток. Последний обеспечивает сканирование поверхности мишенителевизионной передающей трубки 1электронным пучком. Электронный пучок запирается на время обратногохода разверток в соответствии с выходным сигналом формирователя 2 гасящих импульсов передающей трубки(Фиг, 2,в),Формирователь 3 гасящих импульсовприемника управляет цепями формирования видеосигнала, обеспечивая соответствие длительности активной частистрок и полей...

Номер патента: 1475470

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Архипов, Лукша, Толкачев, Цыбин

МПК: H05H 6/00

Метки: диагностики, заряженных, мишени, пучков, формирования, частиц

...позволяет формировать локализонанные мишени беэ применения дополнительных вакуумных насосов, спомощью конструктивно простых инжек"торов,Реализацию способа удобно рассмотреть на примере работы устройств,приведенных на фиг,1 и 2.Инжектор мелкодисперсного порошкавыполнен, например, в виде камеры 1с отверстием в одной из .стенок и сэлектромагнитным ее приводом 4(фиг,1,2). Движение камеры 1 можетиметь характер вибрации (виброинжектор), Виброинжектор устанавливаетсянад исследуемым объемом или под нимпо вертикали (фиг.1). На фиг,2 изоб475 При выборе значения 1 О может учитынаться также величина оптическойпрозрачности К мишени в целом, причемуК. При высокой прочности Кможно допустить большие возмущенияв элементарном акте взаимодействияс каждой...

Номер патента: 1521259

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Абрамович, Гужовский

МПК: H05H 6/00

Метки: исследований, мишени, ядерно-физических

...3-35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,101 натекания азота обеспечивается установлением экспериментально найденной величины зазора клапана-натекателя. После этого нагрев. столика образцов прекращали, и по достижении им комнатной температуры готовую мишень извлекали иэ-под колпака и помещали , в эксикатор.Во втором случае также проводилось 1 О . распыление металлического Лития, использовалась та же подложка. ПослеР нагрева столика образцов до 130 С н .прогрева подложки для обеэгаживания в течение 1 ч температуру подложки снижали до 11 О С (снижением нагрева столика) и при этой температуре распыляли металлический литий и производили его аэотирование. Скорость натекания азота...

Номер патента: 1656695

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Валыгина, Григорьев, Денискин, Завьялов, Корнетов, Новосадов, Обидин, Обросов

МПК: H04N 5/228

Метки: автоматической, мишени, регулировки, температуры, трубки, электронно-лучевой

...записывается (суммируется) в памяти в каждом цикле с уменьшенным весом р 1(р=0,01 - 0,1), что реализуется с помощью делителя 12, Обновление памяти осуществляется с определенной цикличностью, например, с частотой кадровой и строчной развертки.Таким образом, реализуется плавное возрастание во времени корректирующего сигнала, т, е. астатизм системы регулирования, При этом инерционность системы регулирования определяется инерционностью тепловых процессов мишени, которая зависит от режима ее работы и образца трубки,Меняя коэффициент деления р делителя 12, можно менять инерционности системы корректирования, что достигается с помощью измерителя 15 инерционности, который вырабатывает сигнал управления, пропорциональный задержке сигнала...

Номер патента: 1424707

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Алейник, Воробьев, Потылицын, Розум

МПК: H05H 6/00

Метки: кристаллической, мишени, ориентирования

...псплмт по ориентдционной зависимости отношения амплитуд поперечных50и продольных акустических волнГ(1 - Л/А 1. Ло минимуму этой эаигимос ти производят совмешение осипучка с кристлллографической осьюМИПНИ,Пусть пучок электронов с энерги"П Ес 1 ОО МэВ и угловой рдсходимогтьм Л)в О,Э мраа направлен ня моп)к)11 Г 1 лпп ллмл )л, 1 Г)ппп)1)П 112 мм устдполпнный и )опои 11 и, поэлопя" юсм и)я 11 ать кригтллп покру 1 верти" кдпьной и горизонтлпьпой огс П крис Стдппл с точностьм до 1 О рлп, Уг.- ПОВИЯ КДНДИРОВаинл ПРИ ЗТОМ ХОРОШО ныпопнлмтсл, тдк клк С)д . 04 мр 1 Й для любого низконнпкгпо)о нлпрдн" лсиия лпмлэл. Дилмтр пучкл электро 1 м)л гостллплет 2 н " Э нм. Попс рч" н) )й рлэмр длилзя с)стллплгт 10 мм в Высоту н 6 мм и ширину, пучок...

Номер патента: 1732502

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Галинский, Иванов

МПК: H05H 6/00

Метки: мишени, охлаждения, подвижной

...с вмонтированным в него управляемым запорным элементом, причем один конец трубопровода соединен с аккумулирующей емкостью, другой выведен в радиальный зазор между охлаждаемой головкой и внутренней поверхностью полого вала, а наружная поверхность полого вала с помощью уплотнения герметично сопряжена с мишенной камерой,На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид,Устройство для охлаждения подвижной мишени содержит полый вал 1, установленный с помощью подшипников 2 в опорной конструкции мишенной камеры 3, и мишень 4, закрепленную на посадочной поверхности полого вала 1, Внутрь полого вала 1 помещена охлаждаемая неподвижная головка 5 .с хвостовиком. В рабочую полость, образованную внутренней поверхностью полого вала 1 и...

Номер патента: 1734244

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Зиновьев, Пурыгин

МПК: H05H 6/00

Метки: мишени, нейтронообразующей

...кристаллической мишени 0,1-0,5 мм), Доза облучения выбирается из расчета, что на сто ионов кристалла приходится пять - десять внедренных ионов, точнее до 1 - 10 оот количества ионов монокристалла. Если количество имплантированных ионов меньше 1 о , то вероятность взаимодействия дейтона с тритоном будет недостаточной, Если количество имплантированных ионов больше 10 о , то частицы деканализируются изза кулоновских столкновений с ядрами трития,Возможен другой вариант, напримернасыщение кристалла дейтонами и облуче 5 ние ионами трития и дейтерия, В качествеисточника ионов (сотни кэВ, единицы мэВ)может быть использован ускоритель с малым угловым разбросом ионного пучка, например ускоритель Ванде-Граафа. Необхо 10 димо, чтобы поперечная...

Номер патента: 1385639

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Кричков, Подсухин, Савостиков

МПК: C23C 14/36

Метки: ионно-плазменного, мишени, распыления

...смеси.Поджцг осу 1 ествлялся путеи разряда конденсатора,емкостью 200 мкф, заряженного до 3 кВ, через изолированныйтокопвод 1 в верхнем пуансоне 3Сразу же после подачи поджигающего импу 1 ься ця электрод и воспламенениесмеси лоро)пковых компонентон осуществляпц прессовяцие под давлением(.О - 500) кгс/си . После оксГнчация реакции высокотемпературного синтеэ продолжительностью не более"пп 1 ГГГец 1 иэвлекалясь иэ раэборцой прессформы, Общее время изготовления иии.еци момента формовянияЭЯГОТ 011 К 11 ПОДЖЦГс 1С 1 ЕКЯЦ 1%Я Ц ГГЭНЛР" чецця мишецц иэ прессформы состаВГГяло це более 10 миц, Образцы спеченного мате риала ис следов алис ь на дифрактомере ДРОНс целью определения фазового состава.ДГГяпаэон давления 30 - 200 кгс/см н момент...

Номер патента: 1785808

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Варавин, Любимов, Пилипенко, Степаненко, Татаринский, Хлебцевич

МПК: B22F 3/02

Метки: магнетронного, мишени, распыления

...6 и осуществляют совместную осадку оболочки 3, вставки 4 и порошковой заготовки 5 до требуемой толщины (фиг. 1). Отпрессованную мишень 7, находящуюся в бандаже 8, образованном компактированием вставки 4 из порошкообразного материала, извлекают из полости оболочки 3 (фиг, 2) и подвергают спеканию, После спекания бандаж 8 удаляют (при необходимости), например, распиливанием,При осадке оболочка 3 обжимает порошковую вставку 4, создавая в ней радиальные сжимающие напряжения, которые передаются также и порошковой заготовке 5. Таким образом в заявляемом способе порошковая заготовка 5 подвергается деформированию как в осевом (под действием пуансонов 1 и 6), так в радиальном (под действием упругой кольцеобразной оболочки 3) направлениях. Под...

Номер патента: 1401918

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Лантратова, Любин

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, мишени, распыления, стеклообразных, халькогенидных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ ДЛЯ РАСПЫЛЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, включающий нанесение на электропроводное основание суспензии порошка халькогенидного материала, сушку, оплавление порошка, отжиг полученной заготовки с последующим ее охлаждением, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей процесса, перед нанесением суспензии порошка халькогенидного материала на часть поверхности основания наносят суспензию порошка оксидного стеклообразного материала с дисперсностью частиц 150 - 200 мкм с последующей сушкой и оплавлением порошка при температуре на 80 - 100oС выше температуры размягчения порошка в течение 30 - 40 мин и охлаждением, нанесение суспензии порошка халькогенидного...

Номер патента: 1706236

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Бессонов, Костюк, Ленников

МПК: C23C 14/34

Метки: катоду, кварцевой, мишени, присоединения

...мм и толщиной 20 мм и мишени из 502 диаметром 200 мм и толщиной 10 мм устанавливаются на барабане вакуумной установки УВН - 74 П - 3 с электронным испарителем. В керамический тигель загружают 40 г медного фракционирующего сплава (4,0-5,06 Мд, 5,0-6,0 ф 6 Се, 20,0-25,0 Яп, 64,0-71,0 оСо), откачивают установку до вакуума 5 10 мм рт. ст. с обязательным использованием ловушки, охлаждаемой жидким азотом, Включают вращение барабана и нагревают катоды и мишени до температуры 300+10 С и выдерживают при этой температуре 10 - 15 мин, Затем в рабочую камеру напускают аргон и проводят ионную очистку поверхности мишени и катода в течение 10 мин в режиме 0=3 кВ, 1=200 мА. Через вольфрамовый кольцевой катод электронного испарителя пропускают ток 0,8 -...

Номер патента: 1825222

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Емельянов, Занозина, Зорин, Тимофеева, Фещенко, Циновой

МПК: H01J 29/45

Метки: pin-фотодиодной, видикона, мишени

...связано, по-видимому, с локальными дефектами кристаллической структуры, сильнее проявляющимися в условиях неравномерного распределения напряженности электрического поля по толщине мишени.Для получения стабильной и достаточно высокой фоточувствительности в интересующей нас области спектра и отсутствия остаточных изображений необходимо, чтобы напряженность поля внутри кристаллитов была несколько выше, чем в плотной прослойке, В предлагаемом способе изготовления мишени за счет уменьшенной, по сравнению с прототипом, концентрации галогенов и некоторого превышения минимальной концентрации сурика, допускаемой формулой (2), над его минимальной концентрацией, соответствующей формуле (1) (см, фиг. 3), слой после нап ыления имеет небольшую...

Номер патента: 1300975

Опубликовано: 10.11.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/36

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий формовку материала мишени, обжиг, измельчение и повторную формовку с обжигом, обработку материала мишени в вакууме путем пропускания через него тока, отличающийся тем, что, с целью повышения долговечности мишени, перед обработкой материала мишени в вакууме проводят селективную металлизацию поверхности мишени, а пропускание тока осуществляют поочередно через участки металлизации с последующим их удалением.

Номер патента: 1300976

Опубликовано: 10.11.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/36

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий формовку заготовки, ее обжиг, измельчение, повторные операции формовки и обжига и обработку заготовки током разряда в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса, обработку заготовки током разряда в вакууме проводят при давлении не более 6,65 10-1 Па.

Номер патента: 1274339

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Левченко, Пасичный

МПК: C23C 14/36

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий синтез компонентов заготовки путем расплавления лучистым нагревом, измельчении заготовки, формовку и обжиг мишени, отличающийся тем, что, с целью повышения качества мишени путем увеличения плотности компонентов, измельчение заготовки проводят в процессе синтеза компонентов путем центробежного распыления расплава заготовки.

Номер патента: 1243397

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/38

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ для вакуумного нанесения пленок, включающий формовку заготовки из материала мишени с последующим обжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров получаемых пленок, после обжига мишень обрабатывают током разряда плотностью 10-400 мА/см2 в течение 9-12 ч.

Номер патента: 1409060

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Василянский, Дудко, Кравченко, Магаев, Марченко

МПК: H01J 9/20

Метки: кадмикона, мишени

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ КАДМИКОНА, включающий изготовление стеклянной подложки, катодно-реактивное нанесение слоя сигнальной пластины на стеклянную подложку, вакуумно-термическое нанесение фоточувствительных слоев n и p - типа и защитного слоя, отличающийся тем, что, с целью снижения инерционности мишени кадмикона, повышения чувствительности и увеличения выхода годных, после изготовления стеклянной подложки ее нагревают до 500 - 550oС со скоростью 10 - 30oС/мин, выдерживают при этой температуре 5 - 20 мин и однократно обрабатывают движущимся ленточным электронным лучом со скоростью 0,5 - 1,5 см/с и удельной мощностью 5 102 - 104...

Номер патента: 1494559

Опубликовано: 10.03.1996

Авторы: Бердников, Казаков, Кудряшов, Куфирин

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, мишени, распыления

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ ДЛЯ РАСПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ, включающий выполнение углубления в основании мишени, расплавление распыляемого компонента и заполнение им углубления с одновременным охлаждением основания, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения его производительности, распыление компонента осуществляют после заполнения им углубления основания мишени в плазме магнетронного разряда.

Номер патента: 1807796

Опубликовано: 27.04.1996

Автор: Шариков

МПК: H01J 9/20

Метки: бессеточной, бистабильной, запоминающей, мишени, трубки, электронно-лучевой

...приводит к образованию высокоомных контактов с выводами коллектора и коллимирующей линзы, а также к ухудшению коллимации электронного пучка воспроизводящего прожектора,Отжиг экрана проводится при температуре 440 - 460 С с целью полного выжигания ПВС, После этого сцепление между точками и.стеклом существенно уменьшается и они легко удаляются пульверизованной струей воды, интенсивность которой можно регулировать давлением воздуха, После этого отжига металлическое покрытие приобретает необходимый темный оттенок, При формировании люминофорных точек в окнах методом фотопечати высота их на периферии всегда получается меньше, чем в цент/ре. Это приводит к тому, что коллекторный потенциал для периферийной части точки ниже рабочего коллекторного...

Номер патента: 1154974

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Левченко, Лозоватский, Пасичный

МПК: C23C 14/56

Метки: мишени, сегнетокерамической

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОЙ МИШЕНИ, включающий синтез шихты сегнетокерамических компонентов, измельчение, формовку и обжиг полученной заготовки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества мишени путем снижения содержания загрязнений, синтез проводят расплавлением шихты лучистым нагревом с одновременным перемешиванием расплава, а измельчение осуществляют термоударом.

Номер патента: 1786749

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Афанасьев, Винокуров, Егорова, Олеск, Пряжкин, Таллерчик

МПК: B22F 3/12

Метки: мишени, пленок, тонких

...по предлагаемому, где 1 - керамикаВТСП, 2 - медное основание, На границе между ними образуется тонкий слой 3, обеспечивающий хорошую адгезию мишени к основанию и отвод от мишени тепла в процессе распыления, На фиг,3 изображена конструкция магнетрона, где 4 - магнитопровод, 5 - охлаждающая вода, 6 - мембрана, 7 - прижимная рамка, 8 - области локализации плазмы,Рассмотрим процессы, протекающие при распылении мишени, изготовленной по предлагаемому способу, Плазма разогревает поверхность мишени неравномерно, что приводит к механическим напряжениям. Медное основание выравнивает тепловое поле и благодаря хорошему тепловому контакту к мембране охлаждаемого магнетрона отводит тепло, что позволяет уменьшить эти напряжения. Кроме того,...

Номер патента: 1840312

Опубликовано: 10.09.2006

Автор: Цыплаков

МПК: F41G 9/00, G01C 21/00

Метки: взаимного, встречи, индукционный, мишени, параметров, положения, районе, ракеты

Способ измерения относительного расстояния и угла визирования ракеты и мишени в районе встречи, основанный на принципе магнитометрических измерений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений и уменьшения габаритов аппаратуры, на борту мишени измеряют текущие значения модулей сигналов, индуцированных в трех взаимно перпендикулярных рамочных антеннах приемо-измерительных каналов, соответствующих магнитным составляющим вращающегося поля, создаваемого на борту ракеты, и два текущих значения разности фаз этих сигналов в любых двух каналах относительно третьего канала, принимаемого за опорный, при этом полученную информацию при помощи телеметрического канала связи передают на пункт регистрации, где по полученным значениям...