Способ изготовления мишени для распыления в вакууме
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ ДЛЯ РАСПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ, включающий выполнение углубления в основании мишени, расплавление распыляемого компонента и заполнение им углубления с одновременным охлаждением основания, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения его производительности, распыление компонента осуществляют после заполнения им углубления основания мишени в плазме магнетронного разряда.
Описание
Целью изобретения является упрощение процесса изготовления мишени и повышение его производительности за счет использования энергии магнетронного разряда на процесс расплавления распыляемого компонента мишени.
Для изготовления мишени планарного магнетронного источника использовался в качестве основания алюминиевый диск диаметром 125 мм и толщиной 8 мм.
Углубление в основе мишени формировалось в форме эрозионной канавки глубиной 4 мм ионным распылением мишени в планарном магнетронном источнике при следующих режимах распыления: давление аргона 2
10-1 Па, ток разряда 4,5 А, потенциал мишени 600 В.Углубление мишени можно формировать также и механическим путем.
Полученное углубление заполнялось распыляемым компонентом гранулами алюминия диаметром 5 мм. Мишень с заполненным углублением помещалась в магнетронный источник, где плазмой магнетронного разряда в вакууме в скрещенных электрических и магнитных полях при одновременном теплоотводе от участков нерабочей стороны основания мишени материал компонента в углублении расплавлялся и вращался.
Отведение тепла осуществлялось за счет плотного прижатия основания мишени к медному корпусу, имеющему выборку глубиной в 2-3 мм под зоной углубления и охлаждаемому водой с температурой 10-15оС.
При расплавлении материала распыляемого компонента он в углублении вращался, и это способствовало его активному перемешиванию и самоочистке от шлаков и газовых включений.
Полученную мишень использовали для распыления алюминия в магнетронном источнике. При этом удельное сопротивление напыленной пленки составило 0,04-0,043 Ом/
. Данным способом можно также восстанавливать выработанную мишень.Способ позволяет получать высокочистое проводящее покрытие, что обеспечивает снижение удельного сопротивления покрытия и повышает его электропроводность. Так, например, для алюминиевого покрытия достигнуто снижение удельного электросопротивления на 15-20% При этом значительно упрощается процесс изготовления (восстановления) мишени и повышается производительность этого процесса, так как исключается дополнительный источник нагрева, используемый ранее для процесса расплавления распыляемого компонента.
Изобретение касается нанесения покрытий в вакууме, в частности способов изготовления мишеней для магнетронного распыления, и может быть использовано для металлизации изделий электронной техники. Цель изобретения - упрощение процесса изготовления мишени и повышение его производительности - достигается путем использования энергии магнетронного разряда на процесс расплавления распыляемого компонента мишени. Мишень для планарного магнетронного источника выполняется с углублением, например, в форме эрозионной канавки. Затем углубление заполняют распыляемым компонентом. Отведение тепла осуществляется в результате плотного прижатия основания мишени к медному корпусу, охлаждаемому водой. Способ позволяет получать высокочистое проводящее покрытие. При этом упрощается процесс изготовления мишени и повышается производительности этого процесса, т.к. исключается дополнительный источник нагрева, используемый ранее для расплавления напыляемого компонента.
Заявка
4070010/21, 28.05.1986
Ярославское научно-производственное объединение ЭЛЕКТРОНПРИБОР"
Бердников А. Е, Казаков Г. В, Куфирин А. Б, Кудряшов О. А
МПК / Метки
МПК: C23C 14/32
Метки: вакууме, мишени, распыления
Опубликовано: 10.03.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1494559-sposob-izgotovleniya-misheni-dlya-raspyleniya-v-vakuume.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления мишени для распыления в вакууме</a>
Установка для поточного литьяпо вакуум-процессу
Номер патента: 852445
Опубликовано: 07.08.1981
Авторы: Алексеев, Вишнев, Мосунов, Синолицин
МПК: B22C 9/03
Метки: вакуум-процессу, литьяпо, поточного
...опок, на каждой секции 16 установлены по два поддона 22 с шибером 23. Поддоны 22 предназначены для установки на них рорм 24.На каруселях 5 и 7 изготовления полу- форм верха и низа на радиальных направляющих 25 установлены подмодельные плиты 14 с моделями для изготовления одинаковых или разных отливок. Подмодельные плиты 14 выполнены с возможностью перемещения посредством привода 26 по радиальным направляющим 25 на опорное перекрытие 13 для полуформы верха и перекрытие 15 для полуформы низа.В акуумные каналыот подмодельных плит 14, установленных на столах каруселей 5 и 7, соответственно соединены с коллекторами 4 и 6, которые, так же как и коллектор 8 заливочной карусели 9, имеют уплотнения 27 на стыке с буртами секций 1 - 3 оси...
Замкнутая линия транспортировки форм, изготовленных по вакуум-процессу
Номер патента: 1652023
Опубликовано: 30.05.1991
Авторы: Ильницкий, Ниязбеков, Поповян, Фельдман, Щедрина
МПК: B22C 9/02
Метки: вакуум-процессу, замкнутая, изготовленных, линия, транспортировки, форм
...сетью, а талежки конвейера соединены между собой армированными шлангами и подсоединены с электромагнитными клапанами к опокам. Применение изобретения позволит исключить дополнительные механизмы, служащие для передачи вакуума движущимся формам с многократными подсоединениями. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. единены с контактной сетью 5, а тележки конвейера соединены между собой армированными шлангами 6 и подсоединены шлангами 7 с электромагнитными клапанами 8 к опокам 9,Линия транспортировки вакуумных форм работает следующим образом.Установленные на тележках 1 вакуумные насосы 3 включаются и создают в замкнутой полости тележек 1 движущегося конвейера 2 рабочее разрежение. Заформованные вакуумные опоки 9 выставляются на тележки 1 движущегося...
Способ изготовления мишени для магнетронного распыления
Номер патента: 1785808
Опубликовано: 07.01.1993
Авторы: Варавин, Любимов, Пилипенко, Степаненко, Татаринский, Хлебцевич
МПК: B22F 3/02
Метки: магнетронного, мишени, распыления
...6 и осуществляют совместную осадку оболочки 3, вставки 4 и порошковой заготовки 5 до требуемой толщины (фиг. 1). Отпрессованную мишень 7, находящуюся в бандаже 8, образованном компактированием вставки 4 из порошкообразного материала, извлекают из полости оболочки 3 (фиг, 2) и подвергают спеканию, После спекания бандаж 8 удаляют (при необходимости), например, распиливанием,При осадке оболочка 3 обжимает порошковую вставку 4, создавая в ней радиальные сжимающие напряжения, которые передаются также и порошковой заготовке 5. Таким образом в заявляемом способе порошковая заготовка 5 подвергается деформированию как в осевом (под действием пуансонов 1 и 6), так в радиальном (под действием упругой кольцеобразной оболочки 3) направлениях. Под...
Способ изготовления мишени магнетронного источника
Номер патента: 1025754
Опубликовано: 30.06.1983
Автор: Сейдман
МПК: C23C 15/00
Метки: источника, магнетронного, мишени
...основы отматериала основы. Форма углублениязависит только от конфигурации электрических и магнитных полей,В основе, снабженной углублениемсовпадающим по форме с эрозионной канавкой и заполненным материалом покрытия, во время работы магнетронного источника будет расти эроэионнаяканавка, которая в определенныймомент совпадает с углублением, сде 50ланным в основе. К этому моментувесь распыляемый материал покрытиябудет полностью распылен, а основа. мишени распылению не подвергается.Углубление в основе мишени в форме эрозионной канавки полуцается ионВНИИПИ Заказ 1503/21Филиал ППП "Патент", г,ным распылением пластины в данном магнетронном источнике. Длительность распыления и соответственно. глубина углубления зависит от количества материала...
Мишень для магнетронного распыления в вакууме
Номер патента: 1580860
Опубликовано: 27.09.2013
Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Корж, Столетов
МПК: C23C 14/32
Метки: вакууме, магнетронного, мишень, распыления
Мишень для магнетронного распыления в вакууме, содержащая диск из распыляемого немагнитного материала с углублениями и концентричные полюсные наконечники, расположенные в углублениях, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности в работе за счет уменьшения деформации мишени при ее разогреве, углубления выполнены с нераспыляемой стороны диска, а полюсные наконечники выполнены из материала, коэффициент линейного расширения которого превышает коэффициент линейного расширения материала диска, и жестко соединены с поверхностью углублений, причем их толщина составляет 0,3-0,5 толщины диска.
Предыдущий патент: Симистор
Следующий патент: Стенд для испытания вертолетных редукторов
Случайный патент: Соединение деталей