Патенты с меткой «материалах»

Номер патента: 2003080

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Андреев, Васильков, Химич

МПК: G01N 23/20

Метки: материалах, напряжений, рентгенопрозрачных

...приводит к значитель- -;ым ошибкам для рентгенопрозрачных ма;ериалов, где глубина проникновения составляет несколько миллиметров, В частности, если напряжения сосредоточены в ;иком приповерхностном слое,.например после механической обработки, результат .:,мерений оказывается не чувствительным к попобнь 1 м напряжениям, так как в результате усреднения по большому обьему, измен-"змые напряжения будут нулевыми.1 ель изобретения - повышение. чувствительности измерения напряжений,Поставленная цель достигается применением щели, экранирующей часть дифрагированного пучка и расположенной непосредственно на поверхности образца в(Бб) Русаков А.А, Рентгенография металлов. М. Атомиздат, 1977, с. 286-299.35 ГСтри р м а изобретени СПОСОБ И В РЕНТГЕНО...

Номер патента: 1665667

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Волокитин, Соловьев, Шишковский

МПК: C04B 35/48, C04B 41/87

Метки: материалах, огнеупорных, покрытия

...2,6 МДж/м, а при содержании углерода в количестве 0,5 от массы циркона энерго- вклад в единицу поверхности будет соответ ствовать 2,9 МДж/м при мощностидугового размера 60 кВт."Плазменная обработка поверхности строи тельных изделиЯ для создания химическистойких покрытий. Генераторы низкотемпературной плазмы, Тез. докл. Х Всесоюзной конф. по генераторам низкотемпературной плазмы. Новосибирск, 20-23 июня 1989, 4- 20 2, с.318-319. Формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ НАОГНЕУПОРНЫХ МАТЕРИАЛАХ путем на-,25несения на поверхность пасты, включаю-щей . циркон, добавки окислов,стабилизирующих диоксид циркония и свя. Составитель В.СоколоваРедактор А.Кондрахина Техред М.Моргентал Корректор С,ПатрушеваЗаказ 3336 Тираж Подписное НПО...

Номер патента: 1185861

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Веревкин, Гудков, Марочкина, Торгов, Шульман, Яценко

МПК: C22B 11/00

Метки: материалах, осмия, природных, технологических

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОСМИЯ В ПРИРОДНЫХ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛАХ, содержащих золото, включающий облучение исходного материала, сплавление облученного продукта с перекисью натрия с получением плава, содержащего осмий, выщелачивание плава водой с получением раствора, содержащего осмий, экстракцию осмия из полученного раствора органической фазой, содержащей толуол, в присутствии азотной кислоты, реэкстракцию осмия из органической фазы, отделение реэкстракта от органической фазы и последующую регистрацию осмия в реэкстракте нейтронно-эктивационным методом, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и точности определения, перед экстракцией осмия в органическую фазу вводят раствор олефинов до содержания олефинов в толуоле 1-10%...

Номер патента: 1808210

Опубликовано: 20.04.1995

Автор: Болдин

МПК: G01J 9/02, G01N 21/45

Метки: материалах, оптических, разностей, фотоупругих, хода

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ РАЗНОСТЕЙ ХОДА В ФОТОУПРУГИХ МАТЕРИАЛАХ, содержащее последовательно установленные и оптически связанные источник излучения, двухлучевой интерферометр с поляризаторами с взаимно перпендикулярными плоскостями поляризации в каждом плече интерферометра, компенсатор, анализатор и жидкостную кювету для исследуемого материала, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности измерений, источник излучения выполнен немонохроматическим, устройство снабжено дополнительным поляризатором, плоскость пропускания которого составляет равные углы с плоскостями пропускания поляризаторов в плечах интерферометра, установленным за источником по ходу излучения, эталонной пластиной, установленной в одном из плеч...

Номер патента: 1344165

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Заболотская, Захаров, Мальчевская, Селянина

МПК: H01M 4/62

Метки: аккумуляторов, активных, дубителей, количества, материалах, расширителей, свинцовых, типа, электродов

Способ определения количества расширителей типа дубителей в активных материалах электродов свинцовых аккумуляторов путем измерения светопоглощения комплекса переноса заряда в анализируемой пробе, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и точности, комплекс переноса заряда получают путем обработки анализируемой пробы раствором щелочи при нагревании.

Номер патента: 1785223

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Другов, Кокушкин, Кравецкий, Яковлев

МПК: C04B 35/52

Метки: материалах, оксидных, покрытий, углеродных

Способ получения оксидных покрытий на углеродных материалах путем нанесения слоя органического полимера, сушки с последующей обработкой в электролитической ванне в режиме дугового электролуча, отличающийся тем, что, с целью повышения ресурса работы материала, в органический полимер дополнительно вводят порошкообразный огнеупорный наполнитель с размером частиц 50-70 мкм в количестве 40-75 мас.

Номер патента: 1122141

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Ашманова, Журба, Ратникова

МПК: G03C 5/32

Метки: бромиодсеребряных, изображения, композиция, латенсификации, материалах, скрытого, фотографических

Композиция для латенсификации скрытого изображения на бромиодсеребряных фотографических материалах, включающая соль металла и воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения чувствительности фотографических материалов и уменьшения оптической плотности вуали, в качестве соли металла композиция содержит водорастворимую соль кадмия, выбранную из ряда сульфат кадмия, азотнокислый кадмий, хлористый кадмий, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Водорастворимая соль кадмия - 0,1 - 2,25Вода - 97,75 - 99,9

Номер патента: 1473611

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Ерохин, Итальянцев, Мордкович

МПК: H01L 21/26

Метки: ионно-легированных, материалах, полупроводниковых, слоев, формирования

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах, включающий имплантацию ионов в полупроводниковый материал с одновременным его облучением потоком фотонов и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров ионно-легированных слоев, облучение проводят при энергии фотонов 1,1 - 8,0 Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала, и плотности мощности потока 0,01 - 10 Вт/см2.

Номер патента: 1394899

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Киселев, Козленко, Легостаев, Овчаров

МПК: G01N 21/17

Метки: короткоживущего, лазерных, материалах, поглощения, фотоиндуцированного

1. Устройство для измерения фотоиндуцированного короткоживущего поглощения в лазерных материалах, содержащее облучатель и источник зондирующего излучения в виде импульсных ламп, монохроматор, фотоэлектрическую схему регистрации, блоки управления и питания, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и расширения временного диапазона измерений, источник зондирующего излучения выполнен в виде прямой импульсной лампы, в одном торце которой расположен катод, а другой торец, служащий выходным окном, выполнен в виде плоскопараллельной пластины, прозрачной в диапазоне длин волн от 190 до 1000 нм, при этом анод расположен перпендикулярно разрядному каналу со стороны выходного окна и выведен...

Номер патента: 676109

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Короткова, Коршунов, Миркин, Тихонов

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществляют в режиме образования выпуклой зеркальной поверхности рекристаллизованного слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6) 104...

Номер патента: 631017

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: алмазоподобных, инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 10-1 до 10-9 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности...

Номер патента: 1063184

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Голованов, Крюков, Повстянко

МПК: G01N 7/16

Метки: газов, материалах, неорганических, содержания

Устройство для определения содержания газов в неорганических материалах, содержащее источник инертного газа, газоанализатор, электрическую печь сопротивления, включающую два токоподвода, один неподвижный, а другой подвижный, вкладыши с рабочей камерой, в которой размещен графитовый нагреватель с полостью для образца, отличающееся тем, что, с целью повышения точности определения за счет исключения адсорбции газов из атмосферы, устройство снабжено закрепленным на подвижном токоподводе бункером, выполненным в форме части кольца с внутренней полостью, во вкладыше и подвижном токоподводе выполнен осевой канал, при этом в токоподводе выполнен дополнительный канал с горизонтальной осью,...

Номер патента: 915594

Опубликовано: 27.01.2002

Авторы: Косвинцев, Кушнир, Морозов, Терехов

МПК: G01T 1/34, G01T 3/00

Метки: материалах, нейтронов, поглощения, сечения, ультрахолодных

Способ определения сечения поглощения ультрахолодных нейтронов в материалах, состоящий в облучении исследуемого материала потоком тепловых нейтронов и измерении количества ультрахолодных нейтронов, образовавшихся при взаимодействии тепловых нейтронов с материалом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения сечения поглощения, исследуемый материал облучают импульсами тепловых нейтронов и измеряют изменение во времени количества нагретых ультрахолодных нейтронов после облучения, по которым вычисляют искомое сечение.