Патенты с меткой «комплексных»

Номер патента: 1432044

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Бурова, Васильев, Володкович, Гришаев, Красюк, Мельникова, Одерберг, Федюшкин, Цветков

МПК: C05C 11/00, C05D 1/00

Метки: комплексных, удобрений

...7.растворимо го, % ка в гсто вом растворе удобрении у 7 а 60 : 40 70 ; ЗО 80 ; 20 05 4,23 9 90 ." 10100 ; О 40 : 60ЗО : 70 20 : 80 10; 90 420 О: 100 4,4 Из данных таол. 1 видно, что соотношение потоков азотной кислоты позволяет получить прозрачный раствор с минимальным количеством осадка, тогда как при изменении этого условия ьозрастает количество твердой фазы, которое при введении процесса аналорый идет на затаривание. Соотношениепотоков азотной кислоты составляет70:30. Содержание нерастворимого остатка - 0,57, рН раствора нитратамагния - 4,5, В результате получают25%-ный раствор удобрения марки 4,3::4,3:4,3:0,43(М 80) жЗ В, Сп, Кп,Ип; Мо).Предложенный способ позволяет получать удобрения с любым вариантоммикроэлементов, обладающих...

Номер патента: 1433419

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Вейкко, Каарло, Пекка, Симо

МПК: C22B 11/02

Метки: выделения, золота, комплексных, концентратов, руд, серебра, сульфидных

...исходного материала и предпочтит льному для последующего цианирования физическому распределению на поверхности золота и серебра, Во время сульфидирования разрушаются кристаллические решетки компонентов концентрата, препятствующих последующему выделению благородных металлов в цианистый раствор и образуются новые сульфидные решет- А 0 ки, стабильные в условиях цианиро" вания.Таким образом, при сульфидировании примеси и/или их сульфиды, в частности сульфиды мышьяка, сурьмы, висмута,5 селена, полностью или частично испаряются по мере их образования. Легко- растворимые сульфиты, карбонаты, гидроокиси, оксикарбонаты и окиси железа, кобальта, никеля, марганца, меди и цинка сульфидируются и становятся инертными при цианировании....

Номер патента: 1434438

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Дрозд, Огинский, Полин, Шапо

МПК: G06F 11/08

Метки: комплексных, модулю, три, умножения, чисел

...исходных кодов вквадрат.Первые разряды колов К 1 и К 2 поступаютна входы третьего узла 12 свертки по модулю лва, а также на входы элемента И 11.При этом с учетом нулевых вторых 40 разрядов кодов К 1 и К 2 на выходахтретьего узла 12 свертки по модулю два и элемента И 11 формируются первый и второй разряды кода К=(К 1+К 2)гпос 3.Действительно, младший разряд кода К принимает единичное значение при взаимо- инверсных значениях младших разрядов кодов К 1 и К 2, что соответствует выполнению над этими разрялами операции сло- жения по модулю два, а старший разрядкода равен единице в том и только в том случае, если единичное значение при.нимают и младший разряд кода К 1, и младший разряд кода К 2, т. е. являетсяих коньюнкцией.Разряды кода К...

Номер патента: 1448302

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Зайцев, Пятаев

МПК: G01R 27/06

Метки: комплексных, коэффициентов, отражения, свч-двухполюсников

...фазовый сдвиг,вносимый двойным мостом 9Взаимное влияние опорного и измерительного каналов исключается засчет вентиля 3 и свойства развязки 15 входов двойных мостов 9 и 10.Из (8) и (9) следует: 1 ф ГнС совд, = (Р, - Р - Р, )/2 ЧР, 1вРг Рг РгС в 1 пд, =2 Рг- ас еееч, Сев ч 1 та е 1 п(э, ),т)0) Здесь (1),О, + Т, что обеспечивается использованием моста на частоте,отстроенной от центральной частотымоста,30Из соотнощений (10) Аналогично по трем показаниям из мерителей мощности 14 и 12 определяется величина ц (с)(с отсчетом фазы относительно опорного сигнала цоз(С62 400 совд = (Р -Р -Р )/2 Р;г э 3 з-р 0 совЧу сов(Д (р в 1 пу ); (11) После полученного деления уравнений (5) одно на другое, и введения обозначений С 2С/0 откуда при...

Номер патента: 1454968

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Жуков, Проценко, Соболев, Чурочкин

МПК: E21C 41/00

Метки: газа, ископаемых, комплексных, месторождений, полезных, природного, разработки, твердых

...цементации внутри- трубного пространства эксплуатационной колонны 3 до отметки + 0,00 почвы нижнего добычного уступа 4. Верхнюю незацементированную часть колонны заполняют глинистым раствором до устья скважины вытесняя им оставшиеФ50 ся углеводородные газы, что необходимо для осуществления безопасной срезки и удаления из забоя отрезков колонныЗатем осуществляют зачистку колонны скважины вспомогательным оборудованием, например драглайнами, слоями5, мощностью, безопасной для срезкии удаления технической и эксплуатапбдходе верхнего вскрышного уступа к,20 ционной колонн, например 1/3 - 1/4высоты уступа (при высоте уступа 10 ммощность отрабатываемого слоя 3,32,5 м , а также срезку и удалениеотрезков колонны из забоя.лПосле зачистки...

Номер патента: 1455324

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Братус, Василенко, Михайленко, Орнатский, Сурду, Тучин

МПК: G01R 17/12

Метки: комплексных, мост, параметров, переменного, сопротивлений, трансформаторный

...перестройка измерительной цепи в такую конфигурацию, при которой уравновешиваниепроводится по схеме сравнения напря жений.Такая конфигурация образуется,благодаря следующему состоянию переключателей: подвижный контакт 27 первого переключателя 22 соединен с неЗ 5 подвижным контактом 36, подвижный контакт 28 второго переключателя 23с неподвижным контактом 37, подвижный контакт 29 третьего переключателя 24 - с неподвижным контактом 38, 40 подвижный контакт 30 четвертого переключателя 25 - с неподвижным контактом 35, а подвижный контакт 31пятого переключателя 26 отсоединен отнеподвижного контакта 40 этого пере 45 ключателя.В этом случае происходит сравнение,двух измерительных напряжений: напряжения Пдействующего на выводах вторичной...

Номер патента: 1456907

Опубликовано: 07.02.1989

Авторы: Грибок, Романюк, Савенко

МПК: G01R 27/02

Метки: измеритель, комплексных, сопротивлений, составляющих, цифровой

...этомна вход знаменателя подается модульусиленного и повернутого на 90 поофазе входного напряжения, т,е. На выходе аналогового делителя 16 устанавливается напряжение, внд которого соответствует фиг.2 а. В первом полупериоде постоянная составляющая . равна а, +аК,Са 1 пЦ) ф) ю где а - аддитивный дрейф аналогового делителя 16,а, - коэффициент передачи аналогового делителя 16,) - эквивалентное смещение, вызванное квадратичным членомФункции преобразования аналогового делителя 16.В Формирователе 12 прямоугольной весовой функции по сигналу из цифровой части Формируется либо весовая функция ,(С), либо дИ), причем Формированиепроисходит следующим образом (Фиг.2, 5). Иэ входного нап" ряжения формируется с помощью компаратора 50 импульсная...

Номер патента: 1456909

Опубликовано: 07.02.1989

Автор: Хома

МПК: G01R 27/26

Метки: комплексных, сопротивлений, составляющих

...выходах генератора 1. Формирователь 2 тестового сигнала с частотой, представляющий собой, например, фильтр с двойным Т-образным звеном, преобразует импульсную последовательность в синусоидальное тестовое напряжение О = ио зЫ 2 тйе.Выходное напряжение операционного усилителя (ОУ) при измерении комплексного сопротивления Е = К Е+ 11 Е составляетеЕх (1 + РВ, 4 оо3 В (1 + )11 оогде К - сопротивление образцовогоорезистора 4;Зи 8- относительные погрешностипреобразования соответственно активной (КеЕ) и 1.ареактивной (1 2) составляющих комплексного сопротивления 2 измеряемого двухполюсника.Фазочувствительный детектор 6 выФ деляет синфазную напряжению Б составляющую 0 напряжения 0 соответствующую с точностьЮ до величины 3 активной составляющей...

Номер патента: 1475978

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Вейник, Ляхович, Ожередова, Шматов

МПК: C23C 10/52

Метки: жаропрочных, изделиях, комплексных, покрытий, состав, сплавов

...повысить устойчивость алюминидов диффузионного слоя, что снижает на 20-307. рассасывание алюминия в поверхностном слое при длительном воздействии высоких температур, а также ведет к образованию на поверхности сплава14759 78 1-2 ростойостав насыщающей сме мас.Ж олщина Состояние Пример ость при=10000 ове хоя,ности км Мо 1 НС Т еличениегам звестный став 26Неудо летво 0 70 ельн Предлагаемый состав 20,5 1 16,5 1 12,5 1,5 8,5 2 4,5 110 40 00 80 70 27 18 16 19 29 20,5 55 16,5 61 12,5 668,5 71 4,5 77 2 2,3 54 7,рошее11 12,5 Удовлет- воритель оль ое,на ос о рых х тонкой, но прочной пленки типа А 1 О -МоО - ТаО, тем самым позволяетувеличить жаростойкость получаемыхтанталомолибденоалюминидных слоев,Введение активатора процесса (ВН 4 С 1)в...

Номер патента: 1477724

Опубликовано: 07.05.1989

Авторы: Геладзе, Дубович, Думма, Жданов, Кирилюк, Кувшинников, Флоринская

МПК: C05C 1/02, C05G 5/00

Метки: гранулированных, комплексных, удобрений

...приведено втабл.2,15Из данных табл.2 следует, что присодержании плава ПФЛ 5 мас,Х и влажности 0,5 мас,Х удобрение не слежиВается, но уменьшать влажность неце-,лесообразно во избежание дополнитель"ных затрат. При влажности 3,0 мас. .слеживаемость равна 10 кПа - удобреНие также не слеживается. Обрабатывать плавом ПФА удобрения с влажностью более 3,0 мас.Х нецелесообразно,так как при увеличении влажности до3,5 мас.слеживаемость увеличиваетсядо 32 кПа - удобрение слеживается.Влияние степени конверсии на слеживаемость комплексного удобрения,содержащего 23/ Х и 23 Р 20, влажо 30ность удобрения 3,0 мас.Х, количество нанесенного плава 5,0 мас, , при,ведено в табл.3,Из данных табл.З следует, что пристепени конверсии менее 10 положительный...

Номер патента: 1478211

Опубликовано: 07.05.1989

Авторы: Демидов, Нелуп, Сабельников, Семотюк

МПК: G06F 7/49

Метки: комплексных, накоплением, умножения, чисел

...и четвертом циклах аналогично выбираются ячейки блоков 1 и 2 с адресами, содержащими единицу соответственно во втором, третьем и четвертом разрядах, причем содержимое каждых 40 первых выбираемых во втором, третьем и четвертом цикле ячеек складывается со сдвинутым на один разряд вправо содержимым регистров 5 и 1 О. Сдвиг осуществляется сдвигателями 11 и 12 45 подачей на один такт сигнала "Сдвиг" с седьмого выхода блока 19, причем в самых младших выходных разрядах сдвигателей 11 и 12 устанавливается "О и является арифметическим, т.е. 50 с заполнением освобождающихся разрядов и знаков. Одновременно с указанными действиями осуществляется обнуление ячеек памяти блоков 1 и 2, Вовтором цикле не используется содержимое первых, выбираемых в...

Номер патента: 1479444

Опубликовано: 15.05.1989

Авторы: Барбарий, Ганш, Каганский, Лембриков, Стерлин, Чумак, Эрайзер

МПК: C05B 7/00

Метки: базисных, жидких, комплексных, растворов, удобрений

...Степеньгидролидоля карбамида,%отРО. лученного удобрения СО(ИКг),План ПФА Н К, -1(г после до растворения К,растворенияКг Прототип 0 56,2 Предлагаемый 0 72,3 1 72,3 2,5 723 85 72,3 150 72,3 190 72,3 250 723 50 50 0 41,3 способ 48,3 48,3 60,7 62,3 63,3 64,6 64,85-36 - 0 0,3 50 50 О 50 50 0,36 50 50 0,90 50 50 30,60 50 50 54,00 50 50 68,40 50 50 90 00 5-36-0 5,235,8-0 5,4-35,7-0 14,0-26,5-019,4-23,4-0 21,6-21,4-0 24,4 - 18,9-0 0,3 0,3 0,16 0,14 О,12 0,11 0,11 вают с карбамидом и получают новый план ПФА с более высоким коэффициентом конверсии. Часть карбамида (60% от массы 1 гОБ внесенной В реакцию) остается неразложенной.Для получения базисных растворов ЖКУ план растворяют н воде.Для получения сравнительных данных параллельно смешивают ПйА с...

Номер патента: 1481263

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Филинов, Шатинский

МПК: C23C 10/22

Метки: диффузионных, изделиях, комплексных, покрытий, стальных

...- барьерный слой - жаростойкоепокрытие в сложных температурно-временных режимах при соотношении толщин жаростойкого слоя твердорастворного состава и барьерного слоя карбидного состава соответственно 10;1.Для Асрмирования покрытия с такимсоотношением толщин жаростойкого и барьерного слоев в расплаве лития при проведении процесса в железной ампуле количество компонентовдолжно быть следушщим, мас,%: А 1 1,5; 81. 2; Б 1. 10; Сг 10; Т 1 10, литий остальное, Карбидообразующие 1Сг и Т 1 взять. в ксличест;:е, необходимом для создания минимальной толщины карбидного слоя, достаточной для выполнения Аункцнй барьера. Требования к точности дозировки невысоки ввиду того, что количество всех компонентов введено с избыткомпо отношению к...

Номер патента: 1481653

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Вольфштейн, Иванов

МПК: G01N 23/223

Метки: комплексных, рентгенорадиометрического, рудах, содержания, элемента

...ширине окна анализатора РАГ-М, на следующих модельных средах (фиг. 1):1-А 1, 2-А.1.+1,4 мм АВ; 3-А 1+2,0 мм Сс 1;4-АТ+2,2 мм Бп; 5-А 1+1,5 мм БЪ.Границы первого интервала были установлены в области аналитического пика серебра равными Е, =20,3 кэВ, Е=21,8 кэВ, Первый подинтервап второго интервала установлен,в области максимума К - линии кадмия: Е= =22,5 кэВ Е =23,5 кэВ, В соответствии с укаэанной методикой нижняя граница Ез второго подинтервала установлена в области пересечения зависимостей К=Г(Е):Е. =12,8 кэВ, а верхняя Ецэ=15,0 кэВ (фиг. 1,2). Избирательность и чувствительность измерения содержания серебра иллюстрируется фиг, 3. Сравнение с прототипом показывает, что чувствительность определения серебра увеличилась в два...

Номер патента: 1501044

Опубликовано: 15.08.1989

Автор: Лилеин

МПК: G06F 7/52

Метки: комплексных, умножения, чисел

...соответственно5 150104на входы 42 - 45 узла 16 сложения.На выходах 46 и 47 действительной имнимой частей результата получаемсоответственно Х=Х,-Уг, У=У, +Хг,т,е, узел 16 сложения выполняет опе 5Рацию С=С+1 Сг (С=Х+ь.У).Узел 31 вычитания работает следующим образом, Пусть на входы уменьшаемого и вычитаемого узла вычитанияпоступают комплексные числа С,=Х 1++хУ, и С =Х +Лг, где Х, и У, - соответственно действительная и мнимаячасти первого слагаемого, Хг и Усоответственно действительная и мнимая части второго слагаемого, Дейсттупают соответственно на входы 5053 узла 31 вычитания. На выходах 54и. 55 действительной и мнимой частей 20результата получаем соответственноХ=Х,+Уг, У=У(-Хг, т.е, узел 31 вычитания выполняет операцию...

Номер патента: 1514853

Опубликовано: 15.10.1989

Авторы: Гандурин, Доронин, Ерофеев, Ершов, Лопатина, Цайлингольд, Швецов, Шлычкова, Эйдинова

МПК: D06M 15/263, D06M 15/693

Метки: комплексных, композиция, нитей, полиэфирных, шлихтующая

...и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул, Гагарина,101Ф 1514853 6 Ф о р м у л а и з о.б р е т е н и я где Ме - К, Иа, НН,щ=55-65;1 цлихтующая композиция для обработ- п=15-10; ки полиэфирных комплексных нитей на р=25-35, основе водорастворимого акрилового с мол.м. 10000-100000 и донолнительсополимера и воды, о .т л и ч а ю- но - синтетический бутадиениетилвищ а я с я тем, что, с целью улучше- нилпиридиновый латекс при массовом ния перерабатывающей способности ни- соотношении мономеров в сополимере тей в процессе ткачества, она содер 90-97:3-10, в виде ЗОХ-ной водной жит в качестве водорастворимого ак- дисперсии, при следующем содержании рилового...

Номер патента: 1517023

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Кравец, Мельник, Москаленко, Седов, Цмоць, Шиллер, Явич, Якимов

МПК: G06F 7/49

Метки: комплексных, умножения, чисел

...КеА и мнимая1 шА части множимого А, а во входныерегистры 3 и 4 - соответственно действительная КеВ и мнимая 1 шВ частимножителя В. Числа А и В представлены в дополнительном коде,На первые, вторые, третьи и четвертые входы групп 7 и 9 коммутаторов поступают соответственно КеФ 152 КеА, 2 НеА и КеА. На первые, вторые,третьи и четвертые входы группы 8коммутаторов поступают соответственно 1 шА, 21 шА, 21 шл, 1 шА, а на первые,вторые, третьи и четвертые входыгруппы 1 О коммутаторов - соответственно 1 шА, 21 шА, 21 шА и 1 шА. Информацияс выходов (21 - 1)-го, 21-го и(21 + 1)-го разрядов регистров 3 и 4поступает на входы соответственногрупп 5 и 6 дешифраторов и устанавливает на их выходах коды Информация с выхода дешифратора 5 управляет...

Номер патента: 1518725

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Валинчюс, Кайрис

МПК: G01N 13/02

Метки: комплексных, компонент, натяжения, переменного, поверхностного

...Е = - 1,5 В, что соответствует реальной эпектрохимической системе, эстансограммы которой приведены на Фиг. 3, при потенциале электрода Е = 1,4 В ,относительно нормального водородного электрода).Настройку устройства в случае, когда уровень наводок незначителен ц ими можно пренебречь проводят следующим образом. Б данном случае переключатель 13 ставится в отключенноеположение, при этом на экране регистратора появляется синусоида, произвольно сдвинутая по отношению к началу развертки, например как на Фиг. 2, график а. Напряжение с генератора 15 подается на вход комларатора 16 и если первоначально на нем установлен нулевой уровень срабатывания, тогда запускаемый положительным фронтом импульса компаратора 16, генератор 17 начинает генерацию...

Номер патента: 1549941

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Бразаускене, Гедвилас, Петраускене, Свиклас

МПК: C05G 1/06

Метки: жидких, комплексных, согеда, удобрений

...Агрохимические испытания проводились в Литовском научно-исследоватЕльском институте плодоовощного хозяйства, В полиэтиленовых неутепленных теплицах проводились точные опытыпо удобрению помидоров предлагаемымиудобрениями и удобрениями состава попрототипу. Удобрения вводились впочву 3 раза: перед посадкой помидоров и 2,раза дополнительно по нормамсогласно всесоюзным рекомендациям,Отчетная площадь участка б,48 м, каж.дый вариант повторялся 4 раза,Полученные данные приведены втабл,2. 35Результаты, приведенные в табл. 1,показывают, что осуществление способа получения жидких комплексных удобрений возможно только при предлагаемых соотношениях реакционных компонен тов, а также питательных веществ вготовом продукте, Отклонение от предельных...

Номер патента: 1551756

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Терешин, Черниенко

МПК: D02G 1/16

Метки: комплексных, нитей, синтетических, текстурирования

...от коццл нитепроводного сопла 5,Нитепроводное соцло 5 ьцг,2 имеет конусный участок Явершиной у конца 15 нитепров днов соццл цо углом наклона стороць к( ц:сл 10-45 предпочтительно 3 О - 45, 1 1 анжесферический участок 19 с радиусомкривизны 4 - 8 мм, предпочтительно5 - 6 мм.Устройство работает следующим об 5разом.Горячая рабочая среда под давлением 0,5 - 0,6 МПа и температурой180 - 210 С через отверстие 3 (Фиг,)подается в верхнюю полость 4 и черезкольцевое сопло 7, камеру 8 смешения,диффуэор 9 истекает в нижнюю полость11,В результате истечения газообразного потока в районе конца 15 нитепроводного сопла 5 создается давление, эначйтельно меньшее 0,1 МПа,что способствует поступлению атмосферного воздуха в устройство и созданию второго...

Номер патента: 1561870

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Артемьев, Игонин

МПК: A01C 15/00, A01C 23/00

Метки: жидких, комплексных, разбрасыватель, удобрений

...регулировочными кольцами 8, Под кожухом установлен гибкий вал 9 с крилачами 1 О. Вращение передается от опорного колеса 2 через цепную передачу 11 и муфту 12 включения промежуточному валу 13, с него цепной переда чей 14 на привод 15 пружин 5 и цепной передачей 16 на гибкий вал 9 кры 35 лачей, Труба 6 резиновыми рукавами 17 через тройник 18 соединена с отсека- тельным клапаном 4. Привод отсека- тельного клапана и муфты включения40 осуществляется из кабины трактора гид. равлически или любым другим, способом, Регулировочные кольца 8 выполнены с калиброванными отверстиями 19 и име. ют фиксаторы 20.4 ГРазбрасыватель работает следующим образом.Из резервуара 3 удобрения черезотсекательный клапан 4.поступают вгоризонтальную трубу 6,...

Номер патента: 1570649

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Кацуми, Кохити, Масамитсу

МПК: C07F 15/00

Метки: комплексных, платины, соединений

...зверьков в каждой, и каждоймыши внутрибрюшинно вводилось испытуемое соединение, Через 1 О днейпосле начала приема соединения каж-.дую мьппь умерщвляли, опухоль взвешивали для вычисления отношения ингибирования роста (ОИР) по следующемууравнению:л ТОИР /Х) = ;100, (1)ь-15где С и Т - средняя масса опухоли соответственно контрольной и подвергнутой лечению группы.Полученные результаты приведены50 в табл. 3 - 7. Для сравнения использо вано известное соединение цисплатин (ПЦД 1) и известное соединение по па.тенту США У 4410544.Испытание 2, Испытание п ъ 1 о противоопухо-.левой активности против ракового чо"вообразования колон 26,Небольвгие кусочки опухоли колон 26 (1-2 мм ) имплантибуют подкожно в боковой области живота мужских особей мышей...

Номер патента: 1572821

Опубликовано: 23.06.1990

Автор: Семенов

МПК: B28B 5/04

Метки: комплексных, линия, плит, покрытий, технологическая

...24 кассеты 23 полностью израсходован, кассету 23 с помощью мостового крана технологической линии с машины 14 снимают и устанавливают на стойки 43 (в пазы 53) приспособления 42 для перезарядки кассет 23, а на ее место устанавливают перезаряженную кассету 23, находящуюся на посту, после чего машина 14 готова к укладке пароизоляции на поверхность следующих плит и т.д.Поворотом ручным инструментом гайки 58 зажима 57 катушки 24 против часовой стрелки осуществляют расфиксацию катушек 24 на штангах 25 и катушки 24 сдвигают к концам штанг 25. Включением в работу силовых цилиндров 54 рамки 55 поворачивают на шарнирах и подводят под штанги 25 таким образом, чтобы под штангами 25 оказались раскрытые зажимы 56. Зажимы 56 закрывают, в результате...

Номер патента: 1574664

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Аревадзе, Джапаридзе, Майсурадзе, Цкитишвили, Чубинидзе

МПК: C22C 33/00

Метки: брикет, комплексных, кремния, марганца, основе, сплавов

...(варианты 1-5) 45;35:20; 57:30: 13;70:25:5; 55:20:25 и 57:40:3 (мас,Х),Состав известных брикетов соответствует варианту 6,1 40С целью проверки влияния предложенных брикетов на технологические показатели процесса для получения комплексных сплавов на. основе кремния и марганца в печи мощностью 45 1000 кВА проведены опыты по выплавке сплавов высококремнистого силикомарганца с алюминием и кремний-марганец-кальций-алюминий (СМнКА).П р и м е р 1 Получение Высоко 50 кремнистого силикомарганца.Из-за нехватки марганца в брикетах для поддержания его содержания в сплаве в пределах 55-607. к шихте было добавлено соответствующее количество шлака углеродистого ферромарганца бесфлюсоной плавки.Состав колош-шихты по вариантам опытов приведен в...

Номер патента: 1576870

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Жуган, Конник, Плотников, Штамбергер

МПК: G01R 27/00

Метки: комплексных, напряжение, параметров, сопротивлений

...включены 55 параллельные колебательные контуры на катушках 11 и 12 индуктивности и спаренных переменных конденсаторах 13о вшхК = -тоВх К Кх выходное напряжение преобразователя;входное напряжение преобразователя;комплексное сопротивление исследуемого двухполюсника;соответственно сопротивления резисторов 3 и 8; собственный коэффициент усилителя 2 на резонансной частоте. где Ц Вьп ех К и К Поскольку идеальный коэффициент передачи преобразователя имеет вид К= К /К 4, то относительная погрешность о коэффнонента наедена Онана 3= -- - 100%.Р(1)К,КСравним статическую погрешность предлагаемого преобразователя с такой же погрешностью серийно выпускае. мого операционного усилителя (ОУ). и 14, Усилитель сопротивления собранна операционном...

Номер патента: 1580282

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Горин, Малашихин, Мирошник, Нуров, Хмелевский

МПК: G01R 27/00

Метки: двухполюсников, комплексных, параметров

...вторым выводом резистора 9 непосредственно и через конденсатор 11 - с вторым выводом ключа 10, управляющий вход которого соединен с третьим выводом 18Устройство работает следующимК, КнийЦд чины Коиз выраж.3 е вО Цо111 5 х; Хг,1 1 г Цот- - 1Ц где а, К,ЮГ Щ Цо ч Ц оСЦкг =К +1 Х =ек цчЦ иен мллексный ко к, Х- соответст нно деиствитель сньге части полвлений 21, е начение активно й сопротивления е импул х сопрот- известное составляю зистора 3 на частоте изрения,осле выполненичных операцийруемый двухполюажимам 13 и 14 занных кал вычислений сник подклю ро тт регистрирую разомкнутом ключе 4 и замкнутом ключее6 регистрируют напряжение Ц . К зажимам 13-15 подключают калибровочный 5двухполюсник 8 и нри разомкнутых ключах 4, 6 и 1 О регистрируют...

Номер патента: 1587029

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Бурова, Володкович, Гришаев, Дементьев, Иевкин, Маймур, Мельникова, Одерберг, Сухов, Федюшкин

МПК: C05G 1/06

Метки: жидких, комплексных, удобрений

...удобрения от концентрации применяемой кислоты. начинается кристаллизация растворенных компонентов, резко уменьшается стабильность продукта, а также возрастает вязкость смеси, затрудняется перемешивацие и возрастает продолжительность процесса. Повышение температуры не влияет на стабильность полученного продукта, но требует дополнительного подогрева.В табл.3 показана зависимость. стабильности готового продукта от соотношения АосАора и калия в смеси.Как видно иэ табл.3, снижениесоотношения Г.К в смеси ниже 2 приводит к снижению стабильности продукта за счет образования в смеси в кислой среде гелеобразных соединений,трудно отделяемых от раствора. Крометого, снижается Аизиологическая ценность питательных растворов. При повышении...

Номер патента: 1587230

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Демидов, Сабельников

МПК: G06F 7/52

Метки: комплексных, накоплением, умножения, чисел

...в регистрах 26,28,31 и 33 тдкже осуществляется общим тактирующим сигналом), В последуощих тактах первого этапа устройство работает аналогично, причем в случае равенствд адресов ячеек памяти па первых и вторых входах "Адрес" блоков 1 и 4 сигнал Ю е с выхода блока 32 устанавливается в "0", что обеспечивает запрещение записи инФормации по первым портам блоков 1 и 4. Суммирование в этом случае ведется только сумматорами 9 и 12 (сигнал П устанавливается в "1", разрешая загрузку инФормации по вторым входам сумматоров 9,12)Этим устраняется неопределенность, возникающая при записи различной информации в одну и ту же ячейку двухпортовых блоков 1,4 памяти Кроме того, для правильной работы устройства сигналы Пе, 0должны быть равными (на87230...

Номер патента: 1587503

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Василевич, Коляда, Селянинов

МПК: G06F 7/72

Метки: комплексных, модулярной, системе, счисления, умножения, чисел

...номер1 константы И с первого выхода элемента 10 задержки поступает на третьиадресные входы блоков 11.1-11,1 с-,1памяти. В блоке 5 осуществляется формирование дополнительного кода15 ( / - М,/ /- Ы,",/ ) числа (-Аф),который с выхода блока 5 через первую группу информационных входовблока б поступает на входной регистр7, В регистре 8 посредством блока 920формируется модулярный код (ос(,ффЫ) числа А ; из блока памяти 11,считывается набор константЧ; ( о(;, ос" 1) = ( К, (о, Ы 1)1"1 о о/ 1)(формулы 1 и 2), При этом первая компонента данного набора К (осо 1)с первого выхода блока 11. памятипередается на -й вход блока 14 суммирования вычетов по вспомогательному модулю, а 3-я компонента набора-В ( Ы. , о 1 ) Ц = 2 3 . . ., ц + 1 )поступает на х...

Номер патента: 1452192

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Васильева, Степанова, Юрков

МПК: C23C 12/00

Метки: деталях, комплексных, покрытий, стальных

...предела приводит к диФФузионному рассасыванию углерода, т,е, идетего диФФузия в матрицу, и снижаетсяконцентрация в подслойной зоне, чтоснижает износостойкость покрытия.При 950-1100 С. происходит осаждение на поверхности изделия карбидообразующего элемента (хром и т,п,)и образование слоя его карбида.Снижение температуры и продолжительности выдеожки не обеспечиваетдостаточную скорость осаждения пок рытия и уменьшает его экономичность,Увеличение температуры нагрева более.. 1100 С приводит к росту зерна сталии снижению ее прочности. Увеличениевремени выдержки более 1,8 ч нецелесообразно, так как при этом образуется карбидный слой с меньшейконцентрацией углерода, что отрицательно влияет на его твердость и износостойкость в условиях...