Патенты с меткой «ионных»

Номер патента: 484797

Опубликовано: 15.06.1980

Автор: Лаврентьев

МПК: H01J 39/00

Метки: ионных, потоков

...в ускоряющее поле;+ С 05 0 7 05 П(Аили 0 ( 0 ( 1,27 радиан (5) 45Скорость электрона при возвращении на поверхность отражательного электрода после периода колебания (Х= О,аг =2%)2 ЕЕ Е Ео 250Х щпСХ щ- -- (6)пШ и ОЭ т.е электрон набирает скорость, эквивалентную его ускорению в постоянном электростатическом поле Ео за время одного периода колебаний. Ес ли эта скорость окажется достаточной для выбивания вторичных электронов с поверхности отражательного элект- . рода, то все новые и новые порции вторичных электронов будут поступать в объем, пока не наступит ограничение по объемному заряду или по вводимой высокочастотной мощности.Граница отражения электронного потока отрицательно заряженной сеткой д 5находится из уравнений (2) и (3)...

Номер патента: 504391

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Володина, Еременко, Лохмачев, Тищенко, Федосеев

МПК: D21C 9/00

Метки: ионных, отмывки, примесей, производствадиэлектриков, целлюлозы

...1% на диэлектрические свойства отливок приведеныв табл.1. Данные о влиянии способа обработки водной суспенэии целлюлозы ЭИпри концентрации массы 2 Ъ на ди.электрические свойства отливок приведены в табл.2.Данные о влиянии способа обработкиводной суспензии целлюлозы ЭИ при концентрации массы 1 на диэлектрические свойства отливок приведены в табл.,З.Как видно из табл.1-3, наилучшие диэлектрические свойства показали образцы целлюлозы, обработанныеуглекислым газом и содержащие во массе 0,1 Ъ сульфата магния, при этомприменялась обычная водопроводнаяводаП р и м е р 2. Предлагаемыйспособ обработки целлюлозы был про 15 верен в полупромышленных условияхна целлюлоэном заводе г.Питкяранта,для чего была изготовлена опытнаяустановка.Через сосуд...

Номер патента: 926089

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Зильберман, Исаков, Савинцев

МПК: C30B 33/00

Метки: ионных, контактного, кристаллов, плавления

...электростатического поля для системы ЕМО-Маей.Цилиндрические образцы из кристаллов ИаМО и КМО помещают в термостат и приводят в контакт. Образцы располагают между двумя плоскими 20 электродами, служащими для полученияоднородного электростатического поля.Электроды подключают к высоковольтному стабилизированному выпрямителю, Между образцом и электродом остав- р 5 ляют воздушный промежуток 1-2 мм. После прогрева до заданной температуры 2800 С с появлением жидкой фазы включают электростатическое поле. Наблюдение за процессом ведут с помощью микроскопа через наблюдвтельное окошко термостата. Изменяя величину напряженности электростатичес, кого поля, можно изменять и скорость протекания самого процесса.35При наличии внешнего...

Номер патента: 936100

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Громов, Кузьмин, Попов, Укше

МПК: H01M 10/08

Метки: ионных, твердых, типа, электролитов

...ул;Проектная, 4 3 93610 ции расплава и повышение его термодинамической стабильности.Цель достигается тем, что согласно способу получения твердых ионных электролитов типа Ад, М , где М- .ионы калия, рубидия или аммония, включающему плавление стехиометрической смеси иодидов аммония или ще лочного металла и серебра в инертной атмосфере с последующим охлаждением 10 расплава на воздухе, в расплав добавляют 1,3-1,75 мас.Ф сульфида серебра при 350-450 С.П р и м е р 1. 50 г смеси, содержащей 40-78 г Ад 1 и 922 г ВЫ, , з расплавлено в стеклянной ампуле в атмосфере аргона при 450 С. В расплав добавлено 0,65 г (1,3 мас.Ф)Ад 8. После 5-минутной выдержкИ с периодическим перемешиванием расплава встря- гф хиванием ампула извлечена из печи и...

Номер патента: 983589

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Батурин, Климов, Малюгин, Шиповский

МПК: G01R 31/01

Метки: замыканий, ионных, обрывов, приборах, электровакуумных, электродов

...сравнению с паразитными емкостями монтажа См, коэффициент трансфор мации будет больше единицы, т.е.и = -- 1, где и - коэффициентИ11трансформации, ы 1 - число витков первичной обмотки, и - число витков вторичной обмотки.2В случае контроля ЭОС цветного кинескопа оптимальное значение и 3-5. При и 7 5 будет сильнО сказываться емкость вторичной обмотки трансформатора.При постоянных ССщ. 12 значение емкости Сп зависит от Сэ, т.е. от емкости проверяемых цепей вывод-электрод. В свою очередь Смз зависит от состояния цепей вывод- электрод. Смэ будет равно сумме емкостей первой и второй проверяемых цепей (Сз 1 и С 2 соответственно),В случае обрыва в цепи вывод- электрод общая емкость равняется емкостям двух последовательно включенных емкостей:...

Номер патента: 1052955

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Воробьев, Кузнецов, Погребняк

МПК: G01N 23/18

Метки: дефектности, ионных, кристаллов, полупроводниковых

...65 Эти чва процесса ведут к увеличению концентрации позитрончувствительных дефектов, При последующем облучении образца позитронами и измерении параметрой аннигиляции увеличивается относительное число позитронов аннигилирующих с электронами н дефектных местах контролируемого образца. Это ведет к изменению функции импульсного распределения аннигилирующих электроннопозитронных пар, что вызынает соответствукщие изменения параметров аннигиляций. Это позволяет повысить чувствительность метода контроля дефектности материала, Энергия заряженных частиц для предварительного облучения не должна превышать порог смещения атома из регулярного узла решетки контролируемого кристалла, Для ряда бинарных полупроводниковых соединений, таких как 2 л...

Номер патента: 1067973

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Батечко, Дьячков, Зиненко, Петруша

МПК: H01J 21/00

Метки: быстрых, водорода, зарядового, ионных, компонента, неиспользуемого, преобразования, пучка, пучков, состояния, удаления, устройствах, частиц

...быстрых частиц водорода водородные частицы термалиэуются и десорбируют в объеме в виде молекулярного газа, что приводит к понижению эффективности удаления быстрых частиц водорода из вакуумного объема устройства.Целью изобретения является повы- .; шение эффективности удаления .з1Цель достигается тем, что при удалении неиспользуемогокомпонента пучка быстрых частиц водорода в устройствах для преобразования щелочно-зарядового состояния ионных пучков способом, включающим орошение рабочей поверхности токоприемника неиспользуемого компонента жидким щелочным металлом, производят орошение жидким щелочным металлом рабочей поверхности токоприемника, покрытой слоем материала, образующего химические соединения или раствор со щелочными...

Номер патента: 663254

Опубликовано: 15.12.1985

Автор: Ковальский

МПК: H05H 5/02

Метки: интенсивных, ионных, пучков, формирования

...решением кизобретению является устройство дляфор 1 щрования интенсивных ионных пучков, содержащее электростатическуюкольцевую электродную систему с уско" 30ряющей и эквипотенциальной областямии электромагнитную систему.Электромагнитная система выполненав виде аксиально-симметричной магнитной линзы, которая осуществляет формирование пучка, ускоренного в электрической системе.Недостатком известного устройстваявляется недостаточная плотность ионного пучка при заданной расходимости, 40что обусловлено расходимостью ионного пучка, формируемого в . электростатической системе.Целью изобретения является повышение плотности ионного пучка прималой расходимости.Цель достигается тем, что электромагнитная система выполнена ввиде...

Номер патента: 886699

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Гусев, Кузнецов, Нечаев

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтного, инжекторов, ионных, источников, питания, реакторов, термоядерных

...модуляторы к управляющим электродам зарядных ключей, выходы микропроцессора через модуляторы подключены к управляющим входам разрядных1 О ключей, а дополнительный выходмикропроцессора подключен черезмодулятор к зарядному ключу первойформирующей линии.Функциональная схема устройствавысоковольтного питания ионных источников инжекторов термоядерныхреакторов изображена на фиг. 1, нафиг. 2 - диаграмма выходного высо-ковольтного напряжения питания ион 20 ного источника,Устройство состоит из набораформирующих линий 1, 2, 3 и 4, ко-,торые через зарядные ключи иэ последовательно соединенных диодов 5,25 6, 7 и 8 и управляемых разрядников9, 10, 11 и 12, и общий зарядныйреактор 13 подключены к управляемому источнику 14 питания...

Номер патента: 1123392

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Аруев, Байдаков, Мамырин

МПК: G01T 1/29

Метки: детектор, ионных, пучков

...тритий способны накапливаться на поверхностях по мере работы с ними, причем их удаление связано с большими трудностями. Таким образом, при работе прибора даже с минимальными количествами трития со временем происходит увеличение фона,Цель изобретения - обеспечение возможности измерений ионных токов при наличии в приборе-активной газовой компоненты.Цель достигается тем, что в детекторе ионных пучков для масс-спектрометра, включающем размещенные в вакуумной камере ионно-электронный преобразователь, анализатор энергий электронов, сцинтиллятор и регистрирующее устройство, сцинтиллятор выполнен в вице монолитного экрана из СаГ (Еи) с вакуумно-плотным защитным2слоем фоторезиста, а в качестве защитнбго слоя сцинтиллятора использован фоторезист...

Номер патента: 1226228

Опубликовано: 23.04.1986

Автор: Зильберман

МПК: G01N 25/02

Метки: ионных, кристаллов, превращений, температуры, фазовых

...изобретения является упрощение способа и повышение достоверности определения.Способ осуществляется следующим образом.Исследуемое вещество помещают в ячейку термостата с двумя электродами, один из которых эаземлен, нагревают с определенной скоростью, измеряют температуру нагрева и регистрируют амплитуду сигнала ионного тока, возникающего в момент образования расплава. Начало плавления вещества определяют по скачкообразному возрастанию амплитуды сигнала ионного тока.На чертеже представлена блок-схема установки.Устройство включает термостат 1 с регулируемой скоростью нагрева (охлаждения), ячейку 2 с исследуемым веществом, электрод 3 для индикациисигнала ионного тока, датчик 4 температуры, усилитель 5 сигнала, пере 226228 2 счетный...

Номер патента: 1226358

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Климов, Лялин, Шиповский

МПК: G01R 31/02, G01R 31/25

Метки: замыканий, ионных, обрывов, приборах, электровакуумных, электродов

...за;.рыт илампа 27 не горела, а при замыканииодного из резисторов 6(ь+1) резис"тивного делителя напряжения, имеющего наименьшее сопротивление,индикаторная лампа должна загораться.Устройство работает следующимобразом,После подключения проверяемогоприбора, например, приемной электронно-лучевой трубки цветного изображения, каждым выводом к соответствующей клемме 7.1-7., устройстваи включения генератора 1 (Фиг.2) напряжения с его выхода через разделительные катушки 2.1-2. индуктивностии блокировочные конденсаторы 5.1-5.поступает на соответствующие цепиконтролируемьгс электродов, Причемемкости блокировочных конденсаторов5.1-5. выбираются значительно большими суммарных емкостей цепей электродов и подстроечных конденсаторов4.1-4 поэтому...

Номер патента: 1157797

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Бухтиаров, Голышин, Кабанов, Кузьмин, Поливанов, Чернышев

МПК: C07C 13/15

Метки: ионных, общей, растворов, соединений, формулы, циклопентадиена

...этил - С НВг.При этом наблюдается образование бромистого 1магния, который выпадает из раство,ра электролита, После пропускания 1,18 А ч электричества ток выключают и продолжают црикапывание.галоидалкила еще в течение 20 мин, Общее " количество добавляемого бромистого этила эквивалентно количеству генерированного анидна - С Н - в процессе,синтеза (определяют по количеству пропущенного электричества, считая на одноэлектронный процесс восстановления), Затем реакционную смесь отфильтровывают от солей магния и обрабатывают пентаном, отделяют пентановый раствор и растворитель упаривают. Получают 3.1 г С Н .С .Н ., что составляет выход по току .и веществу 757, т.кип.97-99 С (лит.данные: т,кип.96-98 С), и 4,04 г ИуВг (выход по току 1007.)....

Номер патента: 1539609

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Громов, Сигаев, Шапурко, Штанько

МПК: G01N 21/33

Метки: водородсодержащих, ионных, концентрации, кристаллах, примесей

...равный 10 мА, в течение 5 мин,при этом отрицательный потенциал подавали на острийный электрод. По истечении 5 мин острийный электрод заменяли на плоский и избыточныронные центры выводили из крипри визуальном наблюдении в течение130 с. Затем кристалл охлаящали до к натной температуры. Концентрацию об" , разовавшихся гидрид-ионов определяли спектрофотометрически по полосе поглощения 248 нм.Результаты определения приведенытаблице.1539609 Результаты определения концентрации ОН -ионов (кол-во ионов/смэ ) 10 Концентра- Определенция вве- ная конценденной при- трациямеси ОН" Пример Материал образца Р об- разца 1 СзВг (0,005 мольн.Ж СзОН) 6,0 5,8 6,0 2КВг 1 2 3 0,34 0,32 0,34 3 СзВг 1(0,005 моль.Е 2 СвОН и 0,001 мольн.Ж 3 ВаВг) 6,0 6,0 6,0...

Номер патента: 1580456

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Дацко, Земсков, Стукан, Шишленко

МПК: H01J 49/26

Метки: диагностики, заряда, ионных, компенсации, магнитного, пучках, сепаратора

...на это защитным увеличением потенциала, 15".) 5635 40 45 50 то зя счет отсоса электронов потенциал объема пучка достигнет значенийзондирующего импульса, т.е. 25 В. Ноэто кяк ряз тот максимальньп (пороговый) потенциал пространства пучка,который дает предел возможности использовать изотопные пучки в целяхкачественного разделения изотопов в магнитных сепараторах.Воздействие импульса осуществляют на пучок в его начальном участке с плотной пучковой. плазмой, Это обусловлено темчто, как показали первые испытания предлагаемого способа, в плотности тока и,токе быстрых ионов генерирует плотная пучковая плазма, сконцентрированная на его начальном участке (там, где пучок интенсивно ионизует неионизованный пар источника при выходе его...

Номер патента: 1463051

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Варенцов, Матышев

МПК: H01J 27/00

Метки: ионных, источник, пучков

...резервуар 6 с жидким .металлом подается напряжение порядка 3"1 О кВ отцосительно заземленного сверхзвукового сопла 1 и корпуса иоцизатора 4, Острие 7 является анодом, а отверстие 10 в торце корпуса ионизатора выполняет роль экстрактора ионов.Работает источник ионов следующим образом.При истечении нейтрального газа- носителя (водород, гелий, неон, азот, аргон, криптон, ксеноц, воздух) из камеры 2 цапуска через сверх звуковое сопло 1 в вакуум образуется сверхзвуковая струя газа, Сверхзвуковая струя гаэа-носителя обтекает корпус иоциэатора 4 и смыкается за его торцом, образуя в области зкстрактора разрежение. Таким образом реализуются условия, позволяющие поддерживать разность потенциалов между экстрактором и острием 7. Ионы рабочего...

Номер патента: 1755127

Опубликовано: 15.08.1992

Автор: Шапурко

МПК: G01N 21/33, G01N 21/62

Метки: водородсодержащих, ионных, концентрации, кристаллах, примесей

...поглощения гидрид-ионов в течение времени, необходимого для прекращения прироста интенсивности в полосе поглощения собственных электронных центров окраски, на полосе поглощения собственных электронных центров окраски,Сущность способа иллюстрируется следующими примерами:П р и м е р 1, Для определения концентрации водородсодержащих ионов был взят монокристалл бромистого цезия с введенной в шихту при выращивании гидроокисью цезия 0,005 моль,о), Кристалл диаметром 16 мм и длиной 15 мм помещали в ячейку для электролитического окрашивания, представляющую собой плоский и острийный электроды, помещенные в нагревательное устройство, После выдержки кристалла в течение 15 мин при 550 С через него пропускали электрический ток, равный 10 мА, в...

Номер патента: 1108943

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Пузиков, Семенов, Сивко, Харченко, Чайковский

МПК: H01J 3/04

Метки: интенсивных, ионных, пучков

...замедления расходящегося пучка. В этом случае даже использованиеэлектродов замедления оптимальнойгеометрии приводит к большим потерямпучка ионов, .Этого можно избежать,если на вход системы замедления подавать сходящийся пучок с углом схо"димости, который бы обеспечивал формирование в промежутке замедлениянерасходящегося пучка,. что устранитпотери ионного:.пучка. Величину требуемого угла сходимости можно определить несколькими способами: электродинамическим расчетом, иСходя изгеометрии электродов замедления,экспериментально, а также используясимметрию электродов ускорения и замедления и известные расчеты для пушек Пирса. 108943 6 статические линзы,. Однако использо.вание конструкций линз, известныхиз литературы, не дало...

Номер патента: 1685172

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Зуев, Севастьянов

МПК: G01T 1/29

Метки: ионных, плотности, потока, пучков, распределения

...ее поверхности на устанооке "ЧОБсептИс". Размер ионного пучка превышдег размер пластинки. Глубина внедрения ионов в 9 составляет - 600 А. Ток ионов 100 мкА, время имплантации 10з с, Определение концентрации внедренных ионов в кремний осуществляют на лазерной масс-спектрометрической устанооке, Луч лазера (АИГ;ЙО) фокусируетсл с помощью лазерного микроскопа от установки П 4 А(ГДР) нд поверхность образца, помещенного в вакуумную камеру с оптическим иллюминатором. Вакуумная камера соединяется с омегдтронным масс-спектрометром ИПД 0-2 А, Всл система откачиваетсл до даоленил 10 торр. Мдксимдльцдл энергия лазерного импульса о режиме свободной генерации 1 Дж. Под действием лазерного импульса происходит плдолецие и испарение микропробы...

Номер патента: 1790258

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Будник, Горбач, Долбеев, Дугельный, Дьяков, Зарубицкий, Захарченко, Корюков, Мелехин, Омельчук, Опанасюк, Попенков

МПК: C25C 7/02

Метки: анодное, ионных, оловоконденсатов, преимущественно, разделения, расплавах, электролизера

...- (1,4-1,6):1 (где 1.- высота углубления, Ь - ширина хомута) и крепление шины-хомута таким образом, что ее верхняякромка находится на уровне дна углубления, обеспечивает наиболее оптимальноераспределение потоков электричества поосновному и дополнительному токоподводу, что обеспечивает тем самым повышениеэксплуатационной надежности анодного узла электролиэера. Об этом свидетельствуеттакой фактор определения надежности, какпоказатель напряжениятока на ванне. Притаком указанном конструктивном выполнении анодного узла напряжение на ваннепрактически не изменяется в течение длительного эксплуатационного времени, чтосвидетельствует о хорошем контакте и отсутствии окисления шин в месте контакта санодом вследствие перегрева. Другое выполнение...

Номер патента: 1501806

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бикбаева, Григорук, Полонский

МПК: G11C 13/04

Метки: дефектов, ионных, кристаллах, радиационных

1. Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий облучение ионного кристалла тяжелыми заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности получения равномерного профиля распределения радиационных дефектов путем увеличения интервала концентрации радиационных дефектов и снижения флюенса заряженных частиц, перед облучением ионного кристалла его насыщают водородом до концентрации отрицательных ионов замещения водорода 5 1016 - 3 1018 см-3.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что...

Номер патента: 1725695

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Бикбаева, Григорук, Трофимов

МПК: H01L 21/26

Метки: дефектов, ионных, кристаллах, радиационных

Способ получения радиационных дефектов в ионных кристаллах, включающий насыщение ионных кристаллов водородом и последующее их облучение заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей управления шириной области с равномерным профилем дефектов, кристаллы облучают импульсными потоками электронов с длительностью в наносекундном диапазоне: одиночным импульсом с плотностью тока электронов в импульсе, равной или большей 182 А/см2, или последовательностью импульсов с плотностью тока в импульсе, равной или большей 6 А/см2, с суммарной поглощенной дозой, равной или большей 0,6