Датчик ионной концентрации

Номер патента: 177144

Автор: Тищенко

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 177144ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистицеских РеспубликАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС ависимое от авт. свидетельствааявлено 07.Х.1963 ( 862086/26-25) Кл. 421, Зд 74 Ь, 8( 5 а, 18,; МПК С 01 п 6 08 с В 215 хДК 543.257(088.8) 654.94 1088.8) 622.143 (088.8)ем заявки Ъ 0 с присоеди Государственный комитет ло делам изобретений и открытий СССРПриоритетОпубликовано О.Х 11.1965. Бюллетень М 2 я опубликования описания 29.1.196 Автор зобретения В, П, Тищенк аявитель ЦЕНТРАЦИИ ТЧИК ИОННОЙ дписная группа17 Известны датчики для измерения ионнои концентрации (например, датчики рН), выполненные из электродного стекла в виде резервуара, в который заливают буферный раствор требуемой концентрации. В буферный раствор погружен металлический, например хлорсеребряный, электрод.Описываемый датчик отличается от известного тем, что между слоем электродного стекла и металлическим электродом установлена пластина из полупроводника, поверхность которой, обращенная к электродному стеклу, покрыта слоем оксида того же полупроводника. Между слоем оксида и электродным стеклом размещен слой диэлектрика. Такое выполнение датчика обеспечивает возможность теле- измерения ионной концентрации подключснием датчика в колебательный контур генераНа чертеже изображен один из возможных 2 вариантов выполнения предлагаемого датчика погруженного типа,Датчик представляет собой полупроводниковую управляемую поверхностную емкость - варикапу, одним электродом которой является 2 пластина 1 любой формы из электродного стекла, химический состав которого соответствует определяемому в растворе иону. Вторым электродом варикапы служит металлическая пластина 2, изолированная от исследуемого раствора. Между электродным стеклом и металлическим электродом располагают пластину 8 из полупроводникового материала р- или п-типа, например нз карбида кремния, На поверхность полупроводниковой пластины, обращенную к электродному стеклу, наносят тонкий поверхностный прнмесныи слой, например слой оксида кремния 4. Между слоем оксида и электродным стеклом размещают диэлектрический слой 5.Конструктивно варикяпа может быть выполнена в виде стержня из полупроводника, покрытого слоем примесной пленки и диэлек трика, а наружный слой - выполнен из электродного стекла. Один из токоотводо вваривают в стекло, а другой - прнпяивают к металлическому электроду, который состоит в контакте со стержнем из полупроводник,Предмет изобретенияДатчик ионной концентрации с диафрагмой из электродного стекла н металлическим элек. тродом, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности телепзмерення пу тем подключения датчика в колебятельный контур генератор, между слоем электродного стекла и металлическим электродом установлен пластина пз полупроводника, поверх. ность которой, обращенная к электродному стеклу, покрыта слоем оксида того же полупроводника, а между слоем оксида и электродным стеклом размещен слой диэлектрика.. А. Крец ва Техред А. А, Камышникова Корректоры: Е. Д. Курдюмова и О. Б. Тюринаедак ипография, пр Сапунова, д. аказ 3795/2 Тираж 1100 Формат бум. 6 131-1 ИИПИ Государственного комитета по Москва, Центр, и

Смотреть

Заявка

862086

В. П. Тищенко

МПК / Метки

МПК: G01N 27/416

Метки: датчик, ионной, концентрации

Опубликовано: 01.01.1965

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-177144-datchik-ionnojj-koncentracii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик ионной концентрации</a>

Похожие патенты