Патенты с меткой «масс-спектрометрии»

Номер патента: 983826

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Ильинский, Попов

МПК: H01J 49/14

Метки: анализа, вторичноионной, жидких, масс-спектрометрии, методом

...- повышение воспроизводимости результатов и расширениедиапазона анализируемых материалов.Данная цельдостигается тем, что в 30устройстве для анализа жидких материалов методом вторично-ионной масс-спектрометрии, содержащем источник первичных ионов, держатель образца, масс=анализатор и детектор, держатель образцавыполнен из пористого материала.На фиг. 1 изображена схема предлагаемого устройства; на фиг, 2 - масс-спектры вторичных ионов для мишени на основе монолитного молибдена (а) и на 40основе пористого молибдена (б).Устройствосостоит из источника 1ионов, держателя 2 исследуемого образца, масс-спектрометра 3,Перед анализом исследуемое вещество вводится в жидком состоянии в капилляр 50 ные каналы пористого твердого тела, являющегося...

Номер патента: 1100656

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Аникин, Жуков, Киреев, Черепин

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, идентификации, ионной, масс-спектрометрии, пиков, соединений, химических, элементов, эмиссии

...массой, если же это отношение не зависит от температуры, то ионы с меньшей массой являются осколком молекулы и в образце отсутствуют31.Недостатками этого способа являются:узкая область применения, так как он позволяет идентифицировать толькоВпики, соответствующие ионам, образовавшимся в результате диссоциации более сложной молекулы,усложнение установки за счет применения дополнительного устройства для нагревания образцов и регистрации температурной зависимости вторичных ионов;увеличение времени проведения анализа, что приводит к повышенным требованиям на стабильность экспериментальных условий.Цель изобретения - повышение точности и упрощение анализа. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу идентификации циклов...

Номер патента: 1188808

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Барбашев, Власюк, Пристер

МПК: H01J 49/26

Метки: анализа, вторичных, ионов, масс-спектрометрии, методом, мишеней, непроводящих, подготовки, порошкообразных

...ей способность сохранять форму при любой ориентации35в пространстве. Полученная такимобразом дисперсная система наноситсятонким (Ь=0.2 - 2 мм) слоем на проводящую подложку, которая химическис ней не взаимодействует.Интервал толщин Ь=0,2 - 2 мм выбран из следующих соображений. ПриЬс 0,2 мм дисперсная система быстрораспыляется (при энергии первичныхионов аргона, равной 10 кэВ, скоростьраспыления доходит до 1 мм(ч) и ужечерез 10-15 мин масс-спектр состоитв основном из пиков, соответствующихматериалу подложки, При слое, большем 2 мм, начинает сказываться зарядка поверхности, которая ведет к ис,"кажению масс-спектра.Для того, чтобы при малых толщинах масс-спектр подложки не наклады. -вался на масс-спектр исследуемого55общества, ее средний...

Номер патента: 708794

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Арифов, Джемилев, Курбанов

МПК: G01N 27/62, H01J 49/26

Метки: вторично-ионной, масс-спектрометрии, твердого, тела

...элемента пропорционально амплитуде вторичногоионного тока.На фиг. 4 показана зависимостьраспределения по тощине слоев литияс эквивалентной толщиной 0,35, 0,72 40и 1,3 монослоя от времени бомбардировки ионами неона с энергией 13 кэВи плотностью тока на мишень 0,5х 0, 109 А/см . 1 ак видно,для представ-ленных кривых характерно экспоненци-. 45альное уменьшение интенсивности ионов 1 Эти результаты свидетельствуют о том, что осажденный слой лития присутствует только на поверхности пленки меди. Особенно это хорошо наблюдается для слоя с эквивалентной толщиной 0,35 монослоя. Однако дпя кривых 11 и 111 (эквивалентнаятолщина 0,72 и 1,3 монослоя) выходионов перестает меняться приблизительно после 200 и 340 с бомбардиров.ки соответственно,...

Номер патента: 1737560

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Миловзоров, Шерозия, Шишлаков

МПК: H01J 49/40

Метки: времяпролетной, масс-спектрометрии

...частицы приобрели .большэнергию. Отражающая система 5 сост ит из сетки 6, через которую проходят ионы, и пластины 7, на кото,ны пакета до отражения Дт и после него ДС , можно определить велицину разброса цастиц по энергиям ДЕ, который необходимо создать для фокусировки частиц в плоскости детектора.(Рассмотрим общий случай, когда длина дрейфового пространства Ьь до системы отражения и длина Ь дрейфового пространства от системы отражения до детектора не равны. В этом случае Так как длина бесполеяого дрейфового пространства должна быть вйбрана с. условием, что временной промежуток между пакетами, образующийся в процессе дрейфа, должен быть большем, чем временная протяженность пакета в области фокусировки, т,е. йп1 ОДе=- ----2" Р"...