Устройство для ионно-плазменного распыления ферромагнитных материалов

(51)5 С 23 С 808 ЕННЬЙ НОМИТЕТНИЯМ И ОТНРЫТИЯ СУД АРСТБО ИЗОБРЕТЕИ ГННТ С ЯРЕ ГЕН(4 О полупроводниковой прого шглешгости,Цель изобретения состоит в повышениикачества покрытия путем уменьшенияпримесей в напыляемом слое. Для достижения этой цели в мишени 1 выполнено центральное глухое отверстие 5,соосно с которым установлен магггит б,закрепленный в водоохлаждаемом держателе мишени 2 а замкнутый паэ образован внешней втулкой 3, выполненнойиз магнитопроницаемого материала исоединенной с ммгггеньго так, что ее гсвободный торец расположен на уровнесреза экрана, а распьгляемая поверхность мишенивыступает над торцомвтулки, 1 ил,43476/2 04,08(57) ЗЕЛЕННОГО ЕРИАЛОВ куум- нане мдтериа- машиноск акреглен агнит рстии с обр к вакуумнои оии нанесенияименение в причем 7 нахо ая част н итв крытии,ь изобретени покрытия повышениепутем уменьшеачества ей стано вл е ия прим На че жкодержатель ения образцо во работает ически изображе агаемого устрой же схем пр укц рез оис ства, ра Устро мишень 1ра е подготовки к работе ча миподается отрицательное наггрямежду анодом 9 и мигггенью 1 ется вакуумная дуга. Пр ита б и внешней втулкино локализуется на р;,с ости мишени и происходит ггное ее распнггегггге, (;оггеноггдам алавоечь апри жение,и оджи ггпи маг доохлахд снабжена кой 3, с вани и помо катодгпгля ег гои ное пяповеохн ем гл р альн енси лухое В.Суладзе, Ю, К,Рубано(5 б) Авторское свидетельство ф 901357, кл, С 23 С 13/12,Патент ГДР 1 г 26259,С 23 С 15/ОО, 1984. УСТРОЙСТВО ДНЯ ИОННО=ПЛА ЛЕНИЯ ФЕРР 01 АГНИТНЬЗХ МА Изобретение относится кной иоинорплазменной техноло сения покрытий Ферромагнитнь лов и может найти применение строении, электронной химичИзобретение относитсонно:плазменной технолокрытий и может найтиашиностроении для нане с содержит распыляемуюи ферромагнитного материкобальта, закрепленную вемом держателе 2. Мишеньвненей тонкостенной втулединенной с мишенью с образухого замкнутого паза 4, Вой части мишени выполненовгрстие 5, соосно с которым лена в отвго кранавой цели 8срез экранне, а рябонадторцом(анода ) 9и 11, Подлдля закрепл ишень установлектроизолированн зованием кольцеторец втулки 3 дятся на одном ур ь мишени выступае Снаружи корпусаны соленоиды 1012 служит15808 б 5 Составитель С.МирсшкинРецахтор И.Кузнецова Техред И,Ходаич К.рректор С,Черни Заяз 1 303 ВНИ 1 ПИ Гссудар Подписноетета по изооретениям и открытиям при ГКНТ СЧСРква, И, Раушская наб., д. 4/5 Тира, нного ко 3035, Мо Проиэводстэенноательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагаргна 101Ф 10 н 11 обеспечивается формироваиие и ускорение плазмы в сторону подложксдержателл 12, После расходования выступающей над втулкой части мишени держатель мишени демонтируется иэ устройства вместе с мишенью и свободный торец втулки 3 подреэается для формирования выступа рабочей поверху ности мишени над торцом втулки. 1 ОПредельные раэмерьцентрального отверстия мишени определяются требуемой напревеггостью магнитного поля, а превышение торца мишени над торцом втулки выбрано экспериментально: увеличение размера выступающей поверхности больше 0,25 толщины мишени способствует перемещению катодных пятен дуги на поверхность экрана и появлению примесей в пленке, а уменьшение указанного размера меньше 0,05 толщины мишени приводит к нестабильности горения разряда,Сравнительгпе испытания, проведенные на установке "БУЛАТ" с различными конструкциями мишеней, показали, что данная геометрия обеспечивает стабильное удержание катсдных пятен дугина рабочей поверхности мишени в течение длительного времени работы испарителя, 1 етаплографическгЯ анализ покаэал наличие однородной структурыбез примесей материала конструкцийкатодного уэла,Формула изобретенияУстройство для ионно"плазменного распъцения ферромагнитных материалов, содержащее мишень. закрепленную в держателе, электроиэолированный экран, размещенный с зазором от мгшени, и магнитную систему стабилизации разряда, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества наносимых покрытий путем уменыпения примесей, в геометрическом центре мишени выполнено отверстие диаметром д, равным с 1 = (0,1-0,3)Б, где 0 - наружный диаметр мишени, и глубиной Ь, равной Ь = (0,9-0,95)Н, где Н - толщина мипени, соосно с мишенью установлен магнит, закрепленный в держателе, причем рабочий торец мишени расположен над экраном на расстоянии 1, равном 1 = (0,05-0,25)Н.