Способ регулирования магнитных параметров эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИДЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИН О 1 С 111 НЫЙ НОМИТЕТ СССОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ ГОСУДАРСТ ПО ДЕЛДМ ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ юл. Р 3 В.Т.Довгий, А Е.Ф,Ходосов ко.-техной ССР8.8) ский и 47, 96,4060798,ублик. 197 АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(71) Донецкий фивиститут АН Украинск(54) (57) СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯМАГНИТНЫХ ПАРАМЕТРОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙФЕРРИТ-ГРАНАТОВОЙ ПЛЕНКИ, основанныйна воздействии на эпитаксиальную феррчт-гранатовую пленку сжимающих напряжений, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью упрощения регулирования магнитных параметров эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки,сжимающие напряжения создают всесторонним радиальным давлением в плоскости пленки величиной 0,1-5 кбайт.Изобретение относится к вычислительной технике и может найти применение при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).Информационная плотность носителей информации в эпитаксиальных феррит-гранатовых пленках определяется параметрами магнитной доменной структуры, т,е, размерами (диаметром) ЦМД и периодом решетки ЦМД (минимальным расстоянием между центрами смежных ЦМД) или шириной полосового домена.Известен способ регулирования магнитных параметров эпитаксиальной Феррит-гранатовой пленки, основанный15 на нагреве пленки вместе с подложкой до 1100-1300 С и ее выдержке при данной температуре в течение 3-10 ч 1 3.Этот способ обладает недостатками: изменение магнитных параметров пленки 20 необратимо; решетка ЦМД становится неустойчивой, особенно при приложении магнитных полей н плоскости пленки, и самопроизвольно переходит в полосоную страйп-структуру, многократ ные отжиги могут вызывать разрушение пленки.Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ регулирования магнитных параметрон эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки, основанный на создании в плоскости пленки сжимающих напряжений либо с помощью двух сил, приложенных к противоположным граням образца квадратной Формы, либо с помощью множества ребер из эпоксидной смолы, сформированных на поверхности пленки и нызынающихизгиб пленки за счет разных коэффициентов термического расширения материала подложки и наносимого полимерного материала 21.Недостатком известного способа является трудоемкость создания ребер на понерхности пленки . Кроме того, способ не позволяет увеличить плот ность доменной структуры и при воздействии одноосных напряжений определенной величины на магнитную пленку ЩфД и решетка ЦМД переходят в систему полосоных доменов.50Целью изобретения является упрощение регулирования магнитных параметров эпитаксиальной Феррит-гранатовой пленки.Поставленная цель достигается тем,55 что согласно способу регулирования магнитных параметров эпитаксиальной Феррит-гранатовой пленки, основанному на воздействии на эпитаксиальную Феррит-гранатовую пленку сжимающих 60 напряжений, последние создают всесторонним радиальным давлением в плоскости пленки величиной 0,1-5 кбар.При таком режиме создания сжимающих усилий происходит изменение параметра кристаллической решетки подложки и пленки и, вследствие отличия откуля константы магнитострикции пленки (эффекта магнитострикции), :.роисходит изменение целого ря.,а ее емагнитных параметрон. одноосной анизотропии, характеристической длины,намагниченности насыщения, шириныстрайпа, диаметра одиночного ЦМД,плотности решетки ЦМД и т.д.Нижний предел 0,1 кбар выбраниэ услония начала влияния данления намагнитные параметры, а верхний 5 кбаропределяется прочностью эпитаксиальной пленки.На чертеже приведены зависимостимагнитных параметров эпитаксиальнойпленки от внешнего давления.В соответствии с предложенным способом регулирование магнитных параметров эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки может осуществляться н триэтапа.Первый этап заключается н подготовке образцов пленок на подложке,Образцы, как правило, нырезаются нвиде круглого диска нужного диаметра и торцы их притираются. Всесторонние радиальные сжимающие напряженияи плоскости пленки создают, помещаяобразец н обжимающие устройства различных конструкций или специальныеобоймы из немагнитного материала:бериллиевой бронзы, дюралюминия ит.д. Давление передается от внутреннего торца цилиндрической поверхности обойм на торцовую цилиндрическуюповерхность образца.Второй этап сводится к измерениюполученных давлений и осуществляетсяс помощью рентгеновского метода следующим образом,На рентгеновском,дифрактометреДронизлучение ,Кизмеряетсяпараметр кристаллической решеткипленки (по положению линии 888 дляисходного и находящихся под внешнимдавлением образцов, По данным рентге.ноструктурных исследований рассчитываются напряжения н пленкеИ2"де Е - модуль Юнга гранатакоэффициент Пуассона;ась6цоо - параметр кристаллическойОрешетки пленки при внешнемдавлении р=У,йь - разность между параметрами решеток пленки при р.=0и р 0,Третий этап состоит н измерениимагнитных характеристик исходныхпленок, который обычно проводитсязаранее, и измерении магнитных характеристик тех же пленок, но нахо5 10 у Филиал ППП "Патент",ф 06 г.ужгород, ул.Проектная,В дящихся под давлением. Измерение магнитных параметров производилось на магнитооптических установках с ис-, пользованием эффекта Фарадея.Графически ход изменения ряда магнитных характеристик пленок в зависи-мости от внешних давлений приведен на чертеже, где Е, - константа одноосной анизотропии; Г - характеристическая длина, ФЛАМ - намагниченность насыщения, д - обменная константа, 10 Ы - фактор качества, Н - поле магнитной анизотропии 6 щ - энергия доменной стенки, Н - поле коллапса одиночного ЦМД; и - ширина полосового домена В ; а - диаметр и параметр 15 решетки ЦМД.Предложенный способ позволяет не изменяя технологии получения пленок,состава, толщины магнитной пленкиизменять воздействием всестороннихрадиальных сжимакщих напряжений еемагнитные параметры. В частности,для пленок с отрицательной константой магнитострикции возможно переводить исходную пленку в область сменьшими размерами доменов. При этомвесьма важным является обратимостьдействия прикладываемого давления,т,е. исходные магнитные характеристики пленок сохраняются при снятиицавления. Предложенный способ технологичеси прост и позволяет производить широкий выбор материала обойм и пленок и получать фиксированные давления в течение длительного периода времени. И ИПИ 3 аказ 114 80/4раж 5 79 Подписное
СмотретьЗаявка
3485906, 17.08.1982
ДОНЕЦКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ АН УССР
ГАЛКИН АЛЕКСАНДР АЛЕКСАНДРОВИЧ, ДОВГИЙ ВЛАДИМИР ТИМОФЕЕВИЧ, КАЛКИН АЛЕКСАНДР АНДРЕЕВИЧ, МАНЯНИН ГЕННАДИЙ НИКОЛАЕВИЧ, ХОДОСОВ ЕВГЕНИЙ ФЕДОРОВИЧ, ШАПОВАЛОВ ВЛАДИМИР АНТОНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: магнитных, параметров, пленки, феррит-гранатовой, эпитаксиальной
Опубликовано: 23.01.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1069002-sposob-regulirovaniya-magnitnykh-parametrov-ehpitaksialnojj-ferrit-granatovojj-plenki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ регулирования магнитных параметров эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки</a>
Предыдущий патент: Оперативное запоминающее устройство
Следующий патент: Статический регистр
Случайный патент: Способ регулирования двигателя внутреннего сгорания