Калкин

Номер патента: 1434449

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Борисенко, Возыкин, Калкин, Тохтамыш

МПК: G06F 11/00, G06F 15/00

Метки: вычислительное

...операции, и формируютсигналы признаков сравнения К, которые поступают с вторых выходов сумматоров 8-10 на входы дешифратора 19и элемент И 18 выход которого подключен к выходу 29 устройства, приэтом состояние регистров 14-16 неизменяется. В случае сравнения результатов операции в сукаторах 8-10элемент И 18 выдает сигнал разреше"ния, в соответствии с которым в четвертом такте производится запись результатов операции из регистров 1415 либо 16 через блок 17 в блок. 1 памяти по управляющему сигналу на входе 22 разрешения приема. Запись результатов операции в блок 1 осуществляется по адресу А , синхронно подаваемому на входы 20, 21,При сбое или отказе одного из вы"числительных узлов устройства в соответствующих сумматорах...

Номер патента: 1336022

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Борисенко, Возыкин, Калкин, Сапрунов

МПК: G06F 7/38

Метки: вычислительное

...В третьем такте по управляющим сигналам (входы 5 и 20) открываются вторые входы мультиплексоров 2 - 5 и результаты выполненной в каждом сумматореоперации с выходов регистров 10 и 11 поступают на входы сумматоров 6 и 7.Начиная с третьего такта, сумматоры 6и 7 работают в режиме компаратора в соответствии с кодом микрокоманды вычитания (таблица), поступающим на вход 19, иформируют сигналы признаков сравнения К,которые поступают с вторых выходов сумматоров 6 и 7 на вход элемента 13, выходкоторого подключен к выходу 17, при этомсостояние регистров 10 и 11 не изменяется. В случае сравнения результатов операции в обоих сумматорах элемент 13 выдаетсигнал разрешения, в соответствии с которым в четвертом такте производится зались результатов...

Номер патента: 1069002

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Галкин, Довгий, Калкин, Манянин, Ходосов, Шаповалов

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитных, параметров, пленки, феррит-гранатовой, эпитаксиальной

...пленку сжимающих 60 напряжений, последние создают всесторонним радиальным давлением в плоскости пленки величиной 0,1-5 кбар.При таком режиме создания сжимающих усилий происходит изменение параметра кристаллической решетки подложки и пленки и, вследствие отличия откуля константы магнитострикции пленки (эффекта магнитострикции), :.роисходит изменение целого ря.,а ее емагнитных параметрон. одноосной анизотропии, характеристической длины,намагниченности насыщения, шириныстрайпа, диаметра одиночного ЦМД,плотности решетки ЦМД и т.д.Нижний предел 0,1 кбар выбраниэ услония начала влияния данления намагнитные параметры, а верхний 5 кбаропределяется прочностью эпитаксиальной пленки.На чертеже приведены зависимостимагнитных параметров...