Способ определения полей анизитропии эпитаксиальной ферритовой пленки

.(51)6 01 В ЗЗУ ТЕНИ НИЕ И К АВТОРСКО ВИДЕТЕЛЬСТВУ 2, 1987, т, 29,ИЯ ПОЛЕЙ АНИЬНОЙ ФЕРРИНКИ ение о ктроник измер эпита ледуему 2 и выхоают ме с возм я к твердотельет быть испольлей (констант) ых ферритовых ку 1 размещают преобразоватеюсами электротью вращения тноситс е,имож ения по ксиальн ю плен дном 3 жду пол ожнос ф ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(21) 4837139 (22) 11.06,90 (46) 30,10.9 (71) Сарато техники и э (72) , Т, иЮ.А.Ф (56) 1, Физ М 1, с. 110 (54)СПОСО ЗОТРОПИ ТОВОЙ ПЛ (57) Изобре ной СВц-эл зовано для анизотропи пленок. Исс на входном лях и помещ магнита 4 2, Бюл, %40вский филиал института радиолектроники АН СССР Казаков, А. В. Кожевников илимоновика твердого тела- 1 15.Б ОПРЕДЕЛЕНИ ЭПИТАКСИАЛ пленки относительно преобразователей.При этом изменяется угол р между кристаллографическим направлением и проекцией поля в плоскости пленки, Сигнал от генератора 5 через аттенюатор 6 поступает на входной преобразователь 2; где преобразуется в магнитостатическую волну, которая распространяется в пленке 1 до выходного преобразователя 3. С помощью аттенюатора 6 увеличивают мощность входного сигнала до тех пор, пока в спектре сигнала, снимаемого с ьыходного преобразователя, появится и достигнет максимума по амплитуде шумоподобный сигнал с нижней границей на частоте Ьш = 21 н. По зависимости частоты нижней границы шумоподобного сигнала в качестве выходной характеристики от угла поворота пленки судят об искомых (.Г 1 величинах, 3 ил. С;Изобретение относится к твердотель-. ной СВЧ-электронике и может быть использовано для измерения полей (констант) анизотропии эпитаксиальных ферритовых пленок,Целью настоящего изобретения является повышение чувствительности определения полей анизотропии.На фиг. 1 представлена схема устройства для осуществлении способа; на фиг. 2 схематично приведен спектр входного сигнала при различных поворотах; на фиг, 3 показан спектр магнитостатических волн (МСВ) для случая касательно намагниченной пленки, поясняющий положение минимальной частоты Ь спектра МСВ в ферритовой пленке и процесс появления шумоподобного сигнала с нижней границей на частоте Ь,Способ заключается Г 3 следующем.Исследуемую пленку 1 (фиг. 1) размещают на входном 2 и выходном 3 преобразователях и помещают между полюсами электромагнита 4 так, что имеется возможность вращения пленки относительно преобразователей, При этом изменяется угол р между кристаллографическим направлением(1, п, к) и проекцией поля ГГв плоскости пленки, Сигнал с частотой 1 от генератора 5 через аттеноатор б поступает на входной преобразователь 2, где преобразуется в МСВ, которая распространяется в пленке 1 до выходного преобразователя 3. Сигнал с преобразователя 3 поступает на анализатор спектра 7, С помощью аттенюатора 6 увеличивают мощность входного сигнала до тех пор, пока ее величин не вызовет трехмагнонный распад МСВ Интенсивность этого распада столь вь.сока, что взаимодействие продуктов распада МСВ между собой приводит к образованию кинетической неустойчивости. которая проявляется в спектре прошедшего сигнала в виде шумоподобного пика с нижней границей на частоте: где 1, - млнимальная частота спектра МСВ в пленке 1 (см. фиг, 2),Вращением пленки 1 мы изменяем угол р(см. фиг. 1) и тем самым меняем величину поля аниэотропии Нд в пленке, которое определяет вместе с полем Н спектр МСВ- пленки, а значит, и частоту 1(см. фиг. 3). Эта частота практически не зависит от волнового числа МСВ, а определяется лишь собственными параметрами пленки и внешним полем. Поскольку частота 1 ш образуется в результате слияния двух МСВ с законом сохранения энергии: "тш=тн +ни импульса:Кщ=Кн +Кн10где К - волновой вектор соответствующей МСВ, Гш и Кш удовлетворяют спектру МСВ, возбуждаемой непосредственно преобразователем, то совершенно очевидно, что ве личина изменения частоты 1 ц при вращениипленки:д ьщ = 1 ш (фя) 1 Ш (щ20 вдвое больше величиныд х,=ь" (ф 1) - 1 н (ъ)Отметим также, что а данном случае нет 25 необходимости измерять волновое числоМСВ, поскольку частота 1 н является предельной граничной частотой спектра МСВ,Кроме того, поскольку частота входногосигнала 1 фиксирована в процессе измере вия, а значения 1 ш не совпадают с 1, топрямая электромагнитная наводка с входного преобразователя 2 на выходной преобразователь 3, имеющая частоту 1, не оказывает влияния на результат измерения, 3;Формула изобретенияСпособ определения полей аниэотропии зпитаксиальной ферритовой пленки,включающий намагничивание пленки, воз 40 действие частоты, превышающей удвоенное произведение гиромагнитногоотношения и напряженности магнитногополя, вращение пленки вокруг оси, совпадающей с. нормалью к ней, и определение из45 зависимости выходной характеристики отугла поворота пленки искомых параметров,о т г, и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения чувствительности определенияполей анизотропии, мощность входного сиг 50 нала увеличиваютдо появления и достиженияв спектре максимума по амплитуде шумоподобного сигнала с нижней границей, соответствующей удвоенной минимальнойчастоте спектра магнитостатических волн в55 ферритовой пленке, по зависимости частоты нижней границы шумоподобного сит;алаот угла поворота пленки определяют искомые величины,,Кравцов оизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Уж ул. Гагарина, 101 каз 3845 Тираж Йодписное ВНИИПИ Государственного комитета па изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4 Л