Диод с магнитной изоляцией
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(511 Н 05 Н 5 00 Я ПИСАНИЕ Н ЕТЕЛЬСТВ кт Тезисы озиума электрони. рототип).ЗОЛЯЦИЕЙ,с соос- индричесГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ К АВТОРСКОМУ 4 5 2/18- 218 . 8.13 . 84 . Бюл . М 1 2Кими П . А . Хряповитут сильноточной эле роАН СССР3 8 4 . б ( 08 8 . 8 )Кошелев В . И . Физика плазмы1 9 7 9 , с . 6 9 8еломытцев С . Я . и др .111 Всесоюзного симлоточной импульснойк, 1978, с. 84 (пДИОД С МАГНИТНОЙ Ищий вакуумную камеруложенными в ней цил(54)(57)содержано распо ким катододержателем, катодом и анодной трубой дрейфа и магнитную систему для создания в трубе дрейфа одно-родного поля, параллельного оси электродов, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью увеличения длительности и средней плотности тока, формируемого диодом, катод выполнен ввиде кольцевого лезвия, закрепленного на катододержателе на расстоянии1-3 радиуса катододержателя от еготорца и выступающего над поверхнос- .тью катододержателя на 0,3-0,7 расстояния между боковой поверхностьюкатододержателя и внутренней поверх.ностью анодной трубы.1001843 ВНИИПИ ййаз 2410/4 Тираж 783 Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул,Проектная, 4 Изобретение относится к техникеполучения импульсных электронныхпучков и может врыть использовано,например, для генерации СВЧ-излучения и коллективного ускорения ионов.Известна конструкция диода с ,гнитной изоляцией, в котором катод,помещенный в однородное магнитноеполе, выполнен в виде острий, укрепленных на оси системы и удаленных наравные расстояния от цилиндрического 0анода Я , В результате искаженияэлектрического поля в межэлектродномпромежутке, вносимого остриями, изменяются условия дрейфа катоднойплазмы в скрещенных электрическом15и магнитном полях, что приводит куменьшению скорости движения катодной плазмы Чупоперек магнитного поля.Однако в этом устройстве электронныйпучок имеет неодродную азимутальную .структуру, что ограничивает областьего применения.Известен также диод с магнитнойизоляцией, содержащий вакуумную камеру с соосно расположенными в нейцилиндрическим катододержателем,катодом и анодной трубой дрейфа имагнитную систему для создания втрубе дрейфа однородного поля, парад.лельного оси электродов 2, Цилиндрический пучок электронов, формируемый диодом таКой конструкции, имеетоднородную азимутальную структуру.При ".-.ом, однако, скорость движениякатодной плазмы Чусоставляет5 10 см/с,35Основным недостатком прототипа является большая скорость движения катодной плазмы Уи поперек магнитного поля,что вызывает уменьшение длительностиимпульса тока, формируемого диодом, 40и снижение плотности тока, усредненной по длительности импульса тока,Целью изобретения является увеличение длительности и средней плотнос.ти тока, Формируемого диодом, путем 45уменьшения скорости движения катод- сной плазмы поперек магнитного поля,Указанная цель достигается тем,что в диоде с магнитной изоляцией,содержащем вакуумную камеру с сооснорасположенными в ней цилиндрическимкатододержателем, .катодом и аноднойтрубой дрейфа, и магнитную системудля создания в трубе дрейфа однородного поля, параллельного оси электро.дов, катод выполнен в виде кольцевого лезвия, закрепленного на катододержателе на расстоянии 1-3 радиусакатододержателя от его торца и выступающего над поверхностью катододержателя на 0,3-0,7 расстояния 60между боковой поверхностью катододержателя и внутренней поверхностью анодной трубы.Устройство изображено на чертеже и состоит из вакуумной камеры 1, к которой при помощи изолятора 2 крепится катододержатель 3, имеющий торец 4 в форме полусферы. На катодо. держателе установлено кольцевое лезвие 5, Катододержатель расположен внутри анодной трубы б дрейфа, где находится также коллектор 7 пучка. Анодная труба дрейфа расположена на оси соленоида 8 и соединена с вакуумной камерой 1 коническим переходом.Диод работает следующим образом.При подаче импульса высокого напряжения отрицательной полярности на катододержатель 3 интенсивная эмиссия электронов первоначально происходит с кромки кольцевого лезвия, поскольку напряженность электрического поля на ней максимальна. Протекание тока н месте стыка катодо. держателя 3 и лезвия 5 вызывает образование плазмы, которая в дальнейшем является источником электронов пучка. При этом эмиссия электронов и образование плазмы на кромке кольцевого лезвия 5 прекращаются. Плазма, образовавшаяся в месте стыка катододержателя 3 и лезвия 5, имеет хороший электрический контакт вдоль магнитного поля с плоской поверх- костью лезвия 5, что приводит к закорачиванию поля поляризации плазмою и уменьшению скорости ее движения поперек магнитного поля. Формируемый электронный пучок осаждается на коллектор 7 и имеет однородную структуру, так как плазма образуется по всей окружности, образованной стыком катододержателя и лезвия. Размещение лезвия 5 в однородном магнитном поле соленоида 8 обеспечивает малость поперечной скорости электронов. Торец 4 катододержателя выполнен в Форме полусферы для уменьшения на нем напряженности электрического поля и предотвращения образо. вания плазмы. Таким образом, предложенное устройство позволяет значительно увеличить по сравнению с прототипом длительность импульса тока , формируемого диодом, и усредненную по длительности импульса плотность токапоскольку1/1 р а сЛ 1 Ягде- среднее по длительности тока 3 сечение пучка. Отметим, что увеличениесвязано с тем, что величина В в предложенном устройстве остается меньшеи по сравнению с прототипом в течение более длительного времени.
СмотретьЗаявка
3328452, 07.08.1981
ИНСТИТУТ СИЛЬНОТОЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ СО АН СССР
КИМ А. А, ХРЯЛОВ П. А
МПК / Метки
МПК: H05H 5/00
Метки: диод, изоляцией, магнитной
Опубликовано: 30.03.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1001843-diod-s-magnitnojj-izolyaciejj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Диод с магнитной изоляцией</a>
Предыдущий патент: Воздушная линия электропередачи
Следующий патент: Взрывоподавляющее устройство
Случайный патент: Система компенсации люфта в силовой передаче