Электрохимический диод

сг П,Й,:, Е30 зФВ " я ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Есса Сссетскик сциалистически блик идетельствд,% Зависимое от вт аявлецо 23.1 Ч.1970 ( 1429687/1,/2 10) л, Н с присоедице вки Ъ ем орцтет Кснитет елан обретений и аткрытийри Сввете МинистровСССР 21.314,63/64 088.8) Оцубликовдцо 4.11.1972. Вюллет Дата оу)ли 7. Лидорецко, 10. А. Мазитов, Э. Г. Гурский, В. П. Сидоренко и В. Н. Оглоблев Заявцтел ЭЛЕКТР Ит 1 ЕСК ИОД Изобрстсцис относится к электронике и автоматикс и может быть цспользовдцо ири построении псреклочающих элементов.Извсстцый элекгрохимичсскцй диод с водородом в качестве электрохимичсской системы це позволяет использовать его в режиме переклочец ия.Цель изобретения - получсцие падаютцего участка вольт-амперцой характсристики с большим отношением тока вершины к току впадины при любой полярности цапряжеция.Для этого электроды, имеющие одинаковые по величине и гидрофильцые поверхцости, рдсположецы ца расстоянии, меньшем капиллярцой постоянной электролита от степки корпуса и один от другого, причем параметры каждого из электродов удовлетворяют соотцошецио 1 ( Х, где 1.длииа пленки элекгролита ца каждом из электродов, а Х - предельиая исшуитируемая объемом или столбиком электролита длина цлсцкц электролита, под которой поверхность анода пассивна процессу электролитцеского растворения водорода.Кроме того, для умецыиеци размеров однц цз электродов рдсположсц внутри другого. Нд фиг, 1 а ц б показано устройство элск рохцмцчсских диодов; ца фцг, 2 - цх (вольт амперцыс характеристики. Элсктрохимичсский диод содержит корпус1 из диэлектрического материала; электроды2; электролит ; столбики 4 электролита, шуцтцрующис омическое сопротивление пленки5 электролита, покрывающей часть поверхностикаждого из электродов; газ 5 (цаприкер, водород),Для усиления тока в открытохт состояцицдиода длицд электродов увеличена благодаря10 выиолцсцшо их в виде петель.Диод работает следующим образом.диц из электродов присосдицяется к поло.жцтельцому полюсу источцика напряжения,другой - к отрицательному. Прп этом ца пер 15 вом электроде в области потеццидлов 0 - 0,8 впроисходит элсктролитичсскос растворение(иоциздция) водорода, а па другом - выд(еле.цис его в эквивалентном количестве. Этой об,асти соотвгствуст у деток АЛ вольт-ампер 20 цой характеристики. В области потенциалов0,8 - 1,4 в ца первом электроде в результатобрдзовация повсрхцостцых окислов цд частиего повсрхиости процесс иоциздцн водородасцачалд перемещается ца более отддлеццые25 от крал шуцтирующих элсктролитическихстолбиков участки электрода (этоху соответствует участок ВС характеристики). Затем,когда эта пассцвация в силу указанного соотцошсция распространяется ца всю поверх 30 ность первого электрода, ток через диод прек.328803 и 2,1 орректор Т, Мироно Составители Г. Хараиовии Заказ 865/15 Изд.389 Тираж 448 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, )К, Раушскаи наб., д, 4/5 Типография, пр. Сапуно ращается, что соответствует участку Сй характеристики, При дальнейшем возрастании напряжения ца диоде 1 участок т)Е характеристики, диод остается в запертом состоянии вплоть до значения напряжения 1,8 - 2 в), когда вследствие выделения кислорода на первом электроде (присоединенном к плюсу источника напряжецтзя) ток через диод снова возрастает 1 участок ЕГ характеристики). Образующийся на участке ЕГ характеристики кислород вместе с имеющимся в диоде водородом вновь образуют воду.Прп уменьшении напряжения на диоде, находящемся в запертом состоянии, до величины около 1 в происходит восстановление поверхностных окислов и отпирание диода. Диод переходит,в открытое состояние,Из рассмотрения вольт-амперной характеристики диода видно, что работа диода эффективна на участках ВС и ОЕ характеристики, соответствующих открытому и закрытому состояниям, Участок С 1 Э соответствует неустойчивому состоянию диода, в кото 1 зом оц временно находится, переходя из открытого состояния в закрытое илц наоборот, Участок ЕГ является нерабочим для диода.Для устранения зависимости значений токов через диод от времени применяются шероховатые электроды, полученные платинированием.Предлагаемый диод отличается от туннельных полупроводниковых диодов, также имеющих на вольт-амперной характеристике участок отрицательного дифференциального сопротивления, тем, что отношение пикового тока к току впадины для него составляет величину 50-. в 1 и более, в то время как для полупроводниковых туннельных диодов гаран тируемая величина этого параметра равна50 - 10, а также значительно меньшей температурной нестабильностью параметров, чем у полупроводниковых диодов,Предмет изобретения1. Электрохимический диод, содержащийкорпус с размещенными в нем электродами, частично заполненный электролитом и водородом, образующими с электродами окисли тельно-восстановительную систему, отличаюи 1 ийся тем, что, с целью получения падающего участка вольт-амперной характеристики с большим отношением тока вершины к току впадины при любой полярности напряжения, 20 электроды, имеющие одинаковые по величинец гидрофцльцые поверхности, расположены ца расстоянии, меньшем капиллярцой постоянной электролита от стсцкц корпуса ц один от другого, причем параметры каждого из 25 электродов удовлетворяют соотцоцюццюУ,(Х, где т - длина пленки электролита ца каждом из электродов, а Х - предельная це.шуцтируемая объемом или столбиком элек.трол та длина пленки электролита, под кото- ЗО рой поверхность анода пассивна к процессуэлектролитического растворения водорода.2. Диод по п. 1, отличающийся тем, что, сцелью уменьшения размеров, один цз электродов расположен внутри другого.