Полупроводниковый диод для переключения на свч

Номер патента: 152035

Автор: Либерман

ZIP архив

Текст

Класс Н 01; 21 д, 11152035 ИОАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ одписная группа97 Л. С. Либерм.ПОЛ УП РОВ ОВЪй ДИОД ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИ СВЧ Заявлено 16 марта 1962 г. за769230/26.9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Минис Опубликовано в Бюллетене изобретений23 за 196в СС Полупроводниковые диоды для ЧВ этих диодах используется изменени р даствием приложенного напряжения.В предлагаемом диоде, предназначенном дляСВЧ, используется принцип резонансов.Сущность изобретения заключается в том, что для получелупроводниковом диоде двух резко отличающихся значений идиода, одно из которых соответствует состоянию пропусканигое состоянию запирания, величины емкостей патрона и зслоя и индуктивности вывода выбраны такими, что при положнапряжении смещения имеет место резонанс в параллельном.индуктивность вывода - емкость патрона, а при отрицательномпанс в последовательном контуре: индуктивность вывода -запорного слоя,На чертеже предст ивалентная схема диода, вклв линию передачи.Схема диода включает я: индуктивность Ены, емкость С - запорного , сопротивление г оника, емкость С в патро.Для переключения в целях СВЧ используется резонащий либо в параллельном, либо в последовательном контмости от знака напряжения смещения).При достаточно положительном смещении запорный слойи эквивалентная схема сводится к параллельному контуру ЕС звестны. под дейпереключения ния в помпеданса я, а друапорного ительном контуре: - резо- емкость авлена экв енно в себ слоя контактной бьема полу пружи- проводнс, во уре (в никаю ависи счезает соЕ = - ,1вС и 1, и Свыбраны так, что на рабочей частот152035 Предмет изобретения Полупроводниковый диод для переключения на СВЧ, отл и ч а ющи й ся тем, что, с целью получения двух резко отличающихся значений импеданса диода, одно из которых соответствует состоянию пропускания, а другое состоянию запирания, величины емкостей патрона и запорного слоя и индуктивности вывода выбраны такими, что при положительном напряжении смешения имеет место резонанс в параллельном контуре; индуктивность вывода - емкость патрона, а при отрицательном - резонанс в последовательном контуре: индуктивность вывода - емкость запорного слоя. Составитель П. И. Пятушко Редактор Е. Г. Манежева Техред А. А. Кудрявицкая Корректор Н. С. Сударенкова.Подп. к печ. 12/1 - 63 г. Формат бум. 70 Х 108/6Зак. 3798/6 Тираж 1150ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытийпри Совете Министров СССРМосква, Центр, М. Черкасский пер., д, 2/6. Объем 0,18 изд. л,Цена 4 коп, Типография, пр. Сапунова, 2,МРэквивалентное сопротивление контура будет высоким: Я= , чтогсоответствует при данном включении диода пропускному состоянию,Когда же подано отрицательное смещение и напряжение смещения1подобрано так, что го 1,= (С зависит от напряжения), возникаетспоследовательный резонанс, и остаточное сопротивление, равное приблизительно г, мало. Это соответствует состоянию запирания (при параллельном включении диода в линию передачи),Из изложенного следует, что нелинейное сопротивление р-п-перехода, не показанное на чертеже, можно не рассматривать, так как онолибо очень велико - при отрицательном напряжении смещения, либоравно практически нулю - при положительном смещении.Диод может быть выполнен различной конструкции.

Смотреть

Заявка

769230, 16.03.1962

Либерман Л. С

МПК / Метки

МПК: H01P 1/15

Метки: диод, переключения, полупроводниковый, свч

Опубликовано: 01.01.1962

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-152035-poluprovodnikovyjj-diod-dlya-pereklyucheniya-na-svch.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый диод для переключения на свч</a>

Похожие патенты