Сресели

Номер патента: 1589733

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Беляков, Горячев, Сресели

МПК: G01J 4/04

Метки: излучения, импульсного, монохроматического, поляризационных, характеристик

...которых зависит от поляризационных характеристик излучения, 251 риемная поверхность Фотоэлектрического узла выполнена в виде трехразлично ориентированных дифракционных решеток для возбуждения трех различных по интенсивности ПЭВ и, какследствие этого, трех различныхпо величине сигналов Фотоответа.Металлический слой на каждой решетке изолирован от слоев па другихрешетках для сохранения указанныхразличий,Штрихи второй решетки ориентированы под углом Г/4 к штрихам первойрешетки, а штрихи третьей решеткиперпендикулярны штрихам первой решетки.Фотоответ структуры металл-полупроводник с дифракционной решеткойна поверхности характеризуется двумяпараметрами: чувствительностью с/СВсм /Вт) к интенсивности падающего линейно-.поляризационного...

Номер патента: 1322370

Опубликовано: 07.07.1987

Автор: Сресели

МПК: G11B 27/36

Метки: ленты, магнитной, намагниченности, стабильности

...воспроизведения и подключенного выходом к входу измерителя 8 уровня.Контроль стабильности намагггиченности магнитной ленты посредством предлагаемого устройства происходит следуюгцим образом.Калибровку устроства производят нажатием на кнопку переключения на режим воздействия калибровочного магнитного поля в дополнительном усилителе 12 воспроизведения. При этом калибровочное магнитное поле воздействует ца П-образный пленочный проводник 11, в котором наводится электродвижущая сила, служащая для калибровки.При контроле стабильности намагниченности магнитную ленту 4, на которой записан сигнал, устанавливают в лентопротяжном механизме 3 и церемецгают относительно воспроизводящей магнитной головки 2 и П-образного пленочного проводника 1....

Номер патента: 1216765

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Беляков, Горячев, Сресели

МПК: G03C 5/00

Метки: закиси, меди, поверхностей, состав, травления, фотохимического

...при хранении.В таблице приведены показатели дифракционной решетки, концентрации компонентов травителей взяты по минимальному, среднему (оптимальному)и максимальному их значениям (примеры 1-3), пример 4 иллюстрирует роль гидрохинона (травитель содержит 50 г/л тиосульфата натрия).Во всех опытах зеркально полированную пластину поликристаллической эакнси меди погружают в приготовленный травитель и одновременно на поверхность пластины проецируют синусоидальное распределение света с пространственной частотой=200 или 2000 мм (двухлучевая интерференцнонная картина от лазера, работающего на длине волны 441,6 мкм), По достижении максимальной глубины травления или максимальной дифракционной эффективности образующейся дифракционной решетки...

Номер патента: 635451

Опубликовано: 30.11.1978

Авторы: Агаронов, Зейналлы, Лебедева, Парицкий, Сресели

МПК: G03B 15/00

Метки: изображений

...газоразрядный промежуток (зазор) 8, толщина которого определяется прокладкой 9.Устройство работает следующим образом,При подаче напряжения между прозрачным электродом и контрэлектродом загорается тлеющий разряд в газоразрядпых зазорах 4 и 8, создавая плазменные контакты к полупроводниковому слою с обеих его сторон, Оптическое изображение проектируется через входное окно, 2, прозрачный электрод 1 и газоразрядный зазор 4 на поверхность полупроводникового слоя 3. Плотность протекающего в системе тока, а также интенсивность газовых разрядов в зазорах распределяется по площади фотоприемника соответственно спросктированному изображению. Под дей 20 25 30 40 45 50 ствпсм свечения газа и электронно-ионной бомбардировки в фиксирующей среде...

Номер патента: 632975

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Парицкий, Сресели

МПК: G03B 15/00

Метки: изображений

...между прозрачными электродами плотность протекающего в системе тока и интенсивность свечения газа в зазорах распределяются по площади 1 О фотоприемника пропорционально освещенности каждого элемента его поверхности, Под действием свечения газа и электрон но-ионной бомбардировки в среде, фиксирующей изображение, формируется изобра жение, В качестве среды используются светочувствительные системы полупроводник-металл. Под действием света и электронно-ионной бомбардировки происходит фотохимическое разложение светочувстви тельного полупроводника, Получаемые компоненты дрейфуют в электрическом поле к слою металла и образуют с ним новые соединения, Наличие электрического поля и. протекание тока через оба 2 слоя являются существенным элементом в...

Номер патента: 587432

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Беляков, Горячев, Сресели

МПК: G02B 5/32

Метки: голографических, дифракционных, процессом, решеток

...непрерывногоконтроля интенсивности дифрагированногосвета в процессе формирования поверхностно го рельеФа фотохимическим травлением ирегистрации времени достижения максимапьного значения.интенсивности дифрагированного светаФдс . Пока поверхность термоппастического 1 материала яладкая, без репье-.5 Офа, вспомогательный пуч отражается от неезеркально. При нагревании предваритепьноэкспонированной поверхности возникает отражение света в. направлении дифракционногомаксимума 1-го порядка. Этот сает регистрируется фотоприемником. Таким образом,регистрируется вепйчина, пропорционапьнаяДЭ. Недостатками этого способа явпяются; отсутствие контропя на стадии экспозиции, которая подбярается методом проб;невозможность определения момента достижения...