Патенты с меткой «дифракционных»

Номер патента: 943625

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Стрежнев, Файзрахманов, Функ, Хайбуллин

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, копирования, реплик, решеток-матриц

...производят путем бомбардировки поверхности решетки ионами кислорода с энергией, превышающей 1 кэВ, перед упрочнением на поверхность решетки наносят слойФормула изобретения Составитель В.КравченкоРедактор Л.Авраменко Техред М, Тепер Корректор Ю.Макаренко Заказ 5101/51 Тираж 5 18 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений иоткрытий 113035, Москва,.Ж, Раушская наб., д. 4/5щФилиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,94362 родия,абомбардировку проводят при до эе, не превышающей 6 У ион/смйДифракционные решетки-матрицы изготавливают следующим образом.На полированную поверхность подложки решетки из стекла наносят термическим испарением в вакууме любым из известных методов слой алюминия с подслоем хрома толщиной,...

Номер патента: 968630

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Поповнин, Сазанов

МПК: G01J 3/18

Метки: дифракционных, налагающихся, порядков, разделения, спектра, спектрометров

...щели5-7. спектрометра, светофильтры 810, объектив 11 выходного коллиматора, ось 00 вращения диска. Направление сканируемого пучка лучей инаправление вращения диска для варианта расположения отверстий указаныстрелками (Фиг. 1), Светофильтр 8 соответствует начальному участку сканирования, 9- второму, 10 - конечному участку.Устройство работает следующим 35 образом.На начальном участке сканирования отверстие 2 диска находится перед цвелью 5 и на фотоприемник попадает излучение только от цели 5, проходя щее через светофильтр 8. Излучение от остальных щелей б и 7 перекрывается диском. Смена светофильтра 8 на светофильтр 9 происходит при подходе отверстия 3 к цели 7, причем смена 45 открытых щелей не приводит к потере информации, в чем можно...

Номер патента: 969687

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Балясников, Куинджи

МПК: C03B 23/09

Метки: высокочастотных, дифракционных, решеток

...Тираж 508 ИПИ Государственн по делам изобрете 035, Москва, Ж"35 Подписноего комитета СССРий и открытийРаушская наб.,иал ППП Патент, г.Ужгород, ул. Проектная,ность, образующая рабочую кромку резца, выполнена плоской и расположена перпендикулярно образующей цилиндрической поверхности,На чертеже изображены резец и на" резаемая решетка. 5Резец 1 выполнен с цилинцрической поверхностью 2 и плоской поверхностью 3, расположенной перпендикулярйо образующей цилиндрической поверхности 2, Поверхности 2 и 3 при пересе- )О чении образуют рабочую кромку 4.Формирование штрихов резцом 1 дифракционной решетки осуществляют следующим образом.Резец 1 устанавливают в резцедер жатель делительной машины на плоских пружинах (не показаны) и нагружают. Резцу...

Номер патента: 998928

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Ведерников, Гаврилова, Гундырев, Есин, Мотора, Мясников, Смирнова, Соловьева

МПК: G01N 23/207

Метки: дифракционных, монокристаллов, рентгеновских, топограмм

...установлены толкающий механизм24 с двигателем 25, взаимодействующийс подвижным основанием 2, и неподвижный коллиматор 26, Ось шарнира 23ползуна 20 центры щелей коллиматора26 и фокус А лежат в одной плоскости,Камера работает следующим образомПри среднем положении камеры(Фиг. 1) узкий пучок характеристического излучения направляется в центробразца и по детектору 14 образец выводится в отражающее положение К,компоненты излуцения, После этого раскрываются щели неподвижного коллиматора 26 в соответствии с требуемойгоризонтальной расходимостью первичного пучка, которая определяется шириной используемой цасти спектра, углом дифракции вертикальными размерами образца (вследствие изгиба линиедифракции). Шторки 12 устанавливаются в положение...

Номер патента: 1000777

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Куинджи, Стрежнев

МПК: G01J 3/18

Метки: дифракционных, рассеянного, решеток, света, спектрах

...решетки "духи" 14,образующие в совокупност рассеянныйсвет, вызванный ошибками деления.На фиг. 2 представлены "духи", соот-,ветствующие двум любым последователь.ным (К и ( К + 1)-йгармоникам вразложении функции случайных ошибокделения дифракционной решетки; результаты интерференции двух смежных"духов" 15 и 16 при различных положе.ниях прямоугольной диафрагмы 9 и относительно исследуемой дифракционной решетки 5. .ЭПредлагаемое устройство работаетследующим образом.При освещении входной щели 3 излу.чением.т источника 1 монохроматора2 с исследуемой дифракционной решеткой 5 образует в плоскости выходнойщели 6 спектраьное иэображение. Оносодержит спектральную линию 1 и суммарный фон, включающий в себя фонпомеху 12, обусловленную...

Номер патента: 1010027

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Куинджи, Стрежнев

МПК: C03B 33/10

Метки: делительной, дифракционных, нарезания, режущее, решеток

...горизонтального шарнира перпендикулярна оси основного горизонтального шарнира и проходит через лезвиерезца направляющая установлена параллельно направлению движения резца, а рычаг одним концом жестко зак-,реплен на реэцедержателе, а другимподжат к направляющей.При нарезании изменяют угол наклона рабочей грани каждого штриха,поворачивая рабочую грань резца. Ачтобы не вносить фазовых ошибок врасположении каждого штриха решетки.и снижению качества изображенияспектральных линий решеток), резецперед нареэанием каждого последующего штриха поворачивают вокругоси,проходящей через лезвие резца. Таким образом, конструкция режущегоустройства должна позволять произ -водить поворот резца вокруг оси,проходящей через лезвие резца, а для тогочтобы...

Номер патента: 1051481

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Стрежнев, Файзрахманов, Функ, Хайбуллин

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, копий, решеток, упрочнения

...упругих столкновений передают большую часть своей энергии атомам с.оя мегалла, в результате чего пост.едкие в большом количестве вбиваются в подложку, Благодаря этому слой метал.- ла прочно " пришивается" к полиэфирной смоле. Экспериментальным и теоретическим путем установлено что процесс "пришивания" слоя металла к полиэфирной смоле происходит при бомбардировке ионами любых элементов. Однако наибольшая эффективность процесса наблюдается при бомбардировке ионами элементов массой, равной или большей массы атомов бомбардируемого металла.Кроме того, экспериментальным и расчетным путем установлено, что наибольшая прочность сцепления слоя металла с подложкой достигает"я при выполнении определенного соотношения между величиной среднего...

Номер патента: 1138717

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Гусев, Дорожкин, Комяк, Левчук, Петрашень, Чернов

МПК: G01N 23/20

Метки: дифракционных, монокристаллов, отражение, рентгеновских, топограмм

...1 рентгеновских лучей располагается в одной плоскости с фотопластинкой 2 или дру гим регистрирующим устройством. При этом отражающие плоскости кристалла 3 должны быть параллельны,пласкОС". ти;регистрации., Во время съемки кристалл облучают расходящимся йубж рентгеновских лучей через щель 4 так, чтобы имело место одновременное отражение обеих составляющих К дуплета (3, и д ) и линейно сканируют в направлении, перпендикулярном к отражающим плоскостям. При этом как и согласно известному способу, имеет место фокусировка по длинам волн ( см, чертеж, штриховые линии А( А") и В 1,Вц) - точки на кристалле; А и В - соответствующие им точки в плоскости регистрирующего устройства ). В симметричном случае дифракции изображение всегда...

Номер патента: 1164640

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Вильхельм, Рейнхард, Эрнст

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, механизм, поворота, приводной, решеток, смены

...Диапазонами блеска. Линейный относительно волнового числа привод решеток с косекансным механизмом для дифракционных решеток с последовательными диапазонами блеска используется без дополнительного механизма смены решеток. Один рычаг для каждой решетки неподвижно соединен с деркателем, 1(аждая решетка применяется в двух порядках спектра, для этой решетки на держателе установлены два. рычага, т,е. каждому рабочему подциапазону этой решетки соответствует один рычаг.Форма держателя и установленные на держателе юстируемые рычаги представляют собой линейный относительно волнового числа излучения косекансный привод решеток. Параллельная по отношению к линии решетки ось поворота неподвижно соединена с держателем,При этом рычаг,...

Номер патента: 1185303

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Блинов, Кравцов, Телешов, Шац

МПК: G02B 27/42

Метки: дифракционных, линз

...СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к устройстваи для изготовления дифракционных оптических элементов и может быть использовано в частности при изготовлении дифракционных линз.Цель изобретения - увеличение производительности путем уменьшения времени экспозиции при повы" шении разрешающей, способности,На чертеже представлена оптическая схема устройства.Устройство включает источник 1 когерентного излучения, коллимационную систему 2, интерферометр и дергатель 3 фотопластины. При этом ипт.рферометр выполнен в виде склейки плоско-вогнутой 4 и плоско- выпуклой 5 линз с одинаковыми коэфВщиентами преломления. Поверхность 6 скчейки...

Номер патента: 1195316

Опубликовано: 30.11.1985

Автор: Стожарова

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, отражательных, решеток, светорассеяния

...кривая 1) и голографической отражательной дифракционной решетке с частотой 1800 лин/мм (экспериментальная кривая 2), а также расчетные кривые 3 (распределение интенсивности в плоскости измерительной щели) и 4 (распределение интенсивности в плоскости фотоприемника), которые характеризуют интенсивность света, дифрагированного на краях решетки.Устройство включает лазер 1, коллиматор 2, держатель 3 испытуемой решетки, первый объектив 4, измерительную щель 5, второй объектив 6, диафрагму 7 и фотоприемник 8. Держатель 3 установлен в передней фокальной плоскости обьектива 4 с возможностью вращения вокруг оси 9, перпендикулярной оптической оси 10 устройства. Измерительная щель 5 установлена в задней фокальной плоскости объектива...

Номер патента: 1245970

Опубликовано: 23.07.1986

Авторы: Корнеев, Сергиенко, Шамаров

МПК: G01N 23/201

Метки: биологических, дифракционных, исследований, объектов

...16 и 17, путем перемещения фильтра 25 механизмом 26. При этом в установке предусмотрена возможность выравнивания динамических характеристик систем регистрации светоприемник - усилитель за счет, например, изменения коэффициента усиления одного канала дифференциального усилителя 30.В качестве светоприемников 16 и 17 можно использовать фотодиоды, которые подбирают по зональной чувст вительности их Фотокатодов. По графику зональной чувствительности определяют допустимое перемещение по фотокатоду Ь, при котором возможные изменения, чувствительности адекватны пороговой интегральной чувствительности фотодиода Б, По следующим выражениям определяют динамический диапазон измерения л периода структуры 1 объекта исследования 3, исходя...

Номер патента: 1280560

Опубликовано: 30.12.1986

Авторы: Корольков, Полещук, Чурин

МПК: G02B 27/42

Метки: дифракционных, оптических, элементов

...Вт/см - кри 6 % вая 19; 3 О Вт/см - кривая 20), нормированные по отношению к коэффициенту отражения В неэкспонированной пленки.Из приведенных кривых 19 и 20 следует, что наибольшее изменение коэффициента отражения наблюдается в коротковолновой области спектра. На 488 нм (длина волны записи) уменьшение составляет 5-107 в зависимости от плотности мощности светового потока. Измерение коэффициентов отражения В и В производится с помощью вспомогательных световых пучков 16 и 17 (фиг. 2), которые после отражения от поверхности пленки проходят элементы 4-6 устройства (Фиг. ) и поступают соответственно на входы фотоприемников 10 и 11. Напряжение на выходах последних составляет11 о То Вз( )К д з(1)Ц =Т,-В(1-т)К ,где 1 - интенсивность светового...

Номер патента: 1288499

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Веселев, Лизунов

МПК: G01B 11/00

Метки: дифракционных, длин, измерителей, малых, мер, поверки

...образом. 50Излучение Не-Юе лазера 1 направляется на многозначную меру 2 малой длины, в качестве которой используется регулируемая щель в сочетании с уголковым отражателем 20, и дифрагирует на ш максимумов и минимумов. Первоначально устанавливается произвольный размер Й щели в заданном диапазоне, например, с помощью концевой меры 19 длины и дифференциального микровинта 18 или электромагнитной системы 22, измеряется волновой параметр 1 с помощью регистрируемого блока 4 и отсчетной системы 3, измерителя 5 и блока 6 индикации по второму каналу, а размер Йо щели определяется по формуле(1)о 1 ф где шЬ в известн волновые параметры; ш - порядок дифракционногомаксимума или минимума;- длина волны Не-Юе лазера; Ь - базовая длина -...

Номер патента: 1317342

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Дегтярев, Никольский, Разумовский, Чернов

МПК: G01N 23/20

Метки: дифракционных, рентгеновских, топограмм

...Таким образом осуществляются сканирование кристалла в характеристическом рентгеновском излучении. Фокусировка отраженных лучейна пленке 4 происходит за счет вращения пленки со скоростями 2 ы и -ывокруг осей О и О ., Экранирующаящель 5 отслеживает дифрагированныйпучок, поскольку она совершает вращение в плоскости дифракции вокругоси О с удвоенной по отношению ккристаллу скоростью при одновременном вращении ее в противоположномнаправлении в той же плоскости вокруг оси, лежащей в плоскости щелии проходящей через ее середину, сугловой скоростью, равной скоростивращения кристалла. Из анализа рентгенооптических схем (Фиг,1 и 2) следует, что радиус К вращения щели 5 может быть определен по Формуле: отсчет против часовой стрелки, знак "+- по...

Номер патента: 1318974

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Несруллаев, Шелемин

МПК: G02B 27/50

Метки: виде, дифракционных, записанных, изображений, наблюдения, ориентацией, полос, различной, угловой

...так и непрерывно от полного пропускания до полного поглощения (максимум оптической плотности)15 20 25 30 35 40 45 50 55 Устройство работает следующим образом.Излучение от источника 1 видимого диапазона, например лазера типа ЛГЬ=0,63 мкм) подают через формирующую оптическую систему 2, зеркало 3 и проекционную оптическую систему 4 на объект 5, на котором записано оптические изображение (например, пространственная структура пучка когерентного излучения) в виде дифракционных полос, имеющих различную ориентацию от 0 до 90 Излучение, претерпевшее дифракцию на обьекте б, собирают фокусирующим объективом 4, направляют в плоскость, в которой установлена маска 6. Маску 6 с помощью средства 8 вращения приводят во вращение вокруг оптической...

Номер патента: 1510990

Опубликовано: 30.09.1989

Авторы: Балясников, Лукашевич

МПК: B23B 27/00

Метки: алмазный, дифракционных, нарезания, низкочастотных, резец, решеток

...6 выполненаконической. Стрелка Р - направлениеподачиПлоские боковые грани 3 и 4.резца затачиваются по отношению к 20плоскости заготовки под углами ,и, определяемыми характеристиками дифракционной решетки. Задняя коническая поверхность 6 резца затачивается так, что ее ось симметрии 25Я-ы0-0 проходит под углом 3 =в - к2продольной оси инструмента, а такжечерез режущую кромку 5, при этомконическая поверхность 6 в зоне 7 сопрягается с поверхностями плоскихбоковых граней 3 и 4. Дуга сйЬ,представляющая часть окружности конусав его сечении, перпендикулярном оси0-0, примерно равна 180 . Плавноесопряжение задней конической поверхности 6 с поверхностями плоских граней 3 и 4 исключает образование острых ребер при их пересечении, вследствие...

Номер патента: 1569788

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Кит, Чобанюк

МПК: G02B 27/42

Метки: дифракционных, линз, цилиндрических

...выделенной части Фотошаблона на слое Фоторезиста, нанесенного на подложку,и экспонируют слой фоторезиста, перемещая подложку в направлении, перпендикулярном оси симметрии выделенной полосы фотошаблона, на величину, равную образующей изготавливаемой линзы, с последующей химическойобработкой слоя Фотореэиста, Приэтом ширину выделенной полосы фотошаблона выбирают равной 2 1 2 Я,где Г - фокусное расстояние Фотошаблона, Л - рабочая длина водны излучения для изготавливаемых линз,Установленная из приведенногоусловия ширина выделяемой полосыфотошаблона обеспечивает распределение величины экспозиции в пределах каждой зоны по несимметричномузакону, поскольку величина экспозиции в каждой точке на оси, перпендикулярной направлению движения...

Номер патента: 1582166

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Борисов, Душкин, Кузнецов, Ртищев

МПК: G02B 5/32, G03H 1/04

Метки: голографических, дифракционных, решеток, экспонирования

...активном элементе.Например, двумерный брэгговский ультразвуковой детектор (70 в 70 выходных прос транственных положений луча) на монокристалле парателлурита ТеО Д, В дефлекторе и пользуется кубик монокристалла ТеО со сторон:й 10 мм входная апертура световоУго пучка 55 мм . Поперечные акустические волны в двух взаимно перпендикулярных направлениях возбуждаются двумя преобразователями из ниобата лития, для возбуждения которых используются два генератора строчной и кадровой разверток. Раз- . вертка оптического луча осуществляется изменением задающей частоты ультразвукового преобразователя от 19 до 32 мГц (со средней частотой 24 мГц). Конкретные направлечия луча выбираются подачей или отключением импульса, который модулирует по...

Номер патента: 1615657

Опубликовано: 23.12.1990

Автор: Турухано

МПК: G02B 5/18, G02B 5/32

Метки: голографических, дифракционных, копирования, решеток

...в соответствии с амплитудно"фазовым распределением оригинала, дифрагируя на. нем, и интерферирует с недифрагированным лучом вглоскости фоточувствительного слоякопии При этом создаются стоячиеволны, тождественные стоячим волнам,в которых записывалась решетка-оригинал Они регистрируются копией. Зеркало 4 перемещается вдоль оригиналасо скоростью Ч, засчечивая всю длинуоригинала и копии, Это эквивалентноосвещению оригинала коллимированнымпучком света с апертурой. равной длине перемещения зеркала, Скорость Чопределяется экспериментально, исхо 1 О дя из требований засветки фоточувст-вительного слоя, соответственно сего характеристикой кривой фоточувствительности для получения максимальной дифракционной эффективности15 (1 2, с ) . значение Ос =...

Номер патента: 1631492

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Гончарский, Мананков, Окорков, Якунин

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, оптических, отражающих, элементов

...предварительно оптически отполированную подложку 1 наносят тонкие конструкционные слои 2 и 3 из двух различных материалов с количеством слоев, равным числу ступеней поверхностного рельефа. Материалы пленок должны удовлетворять следующим требованиям: селективностью по отношению к травителям; близкими коэффициентами термического расширения между собой и подложкой; напряжения в слоях 2 и 3 должны быть противоположного знака; слои должны иметь хорошую адгезию между собой и подложкой 1; Далее в соответствии с топологическим рисунком на фотошаблоне на подложке формируют первую фоторезистивную маску 4 и вытравливают соответствующие ей участки конструкционных слоев, Затем процесс повторяют и раз, где и-количество фотошаблонов для одного...

Номер патента: 1631493

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Герасимова, Денисов

МПК: G02B 5/18

Метки: вакуумной, дифракционных, области, решеток, спектра, ультрафиолетовой

...М,Моргентал Корректор Т.Палий Заказ 544 Тираж 327 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101(Ее), кремний (31), тяжелые металлы (Сц, РЬ, Мп), щелочность (М 90).Для сохранения высокого коэффициента отражения алюминиевых слоев конструкцией вакуумного аппарата ВАпредусмотрена возможность покрытия их сразу же после испарения в вакууме слоем фтористого магния, который защищает их от окисления, Вакуумный аппарат имеет специальное фотометрическое устройство, позволяющее производить контроль отражения во время испарения алюминия и фтористого магния при длине волны 121,6 нм. Слой фтористого...

Номер патента: 1656484

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Еникеева, Любимов, Мустафин

МПК: G02B 5/32, G03H 1/20

Метки: голографических, дифракционных, решеток

...исходной дифракционной решетки со светочувствительным слоем, определяется следующим образом.Для автоколлимационного освещения дифракционной решетки выполняется соотношение:2 зи а= гл А , (3) где а - угол дифракции в п 1-порядок;ю - частота штрихов решетки.Условие освещения совпадает с автоколлимационным освещением решетки, поэтому угол дифрэкции пучка п-го порядка, выбранного В качестве основного, будет определяться на основании соотношения (3): где а- угол между нормалью к поверхности исходной решетки и направлением дифрагирующего пучка,После освещения проводят фотохимическую обработку слоя светочувствительного материала 3. В результате получают голограммную дифракционную решетку с несимметричной формой профиля штриха, Степень...

Номер патента: 1675814

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Колчин, Корнейчик

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, решеток, фазовых

...вторую резку элементов 5 - 7 на две части по плоскостям, параллельным плоскостям их охвата, Благодаря реализации способа обеспечивается воэможность изготовления решеток с периодом 0,01 - 0,5 мм, 12 ил. ствляют обработку, например полировку плоскостей 8 и 9, сформированных в результате первой резки заготовки (фиг. 6), При этом указанные плоскости образованы рабочими гранями штрихов изготавливаемых решеток. Далее осуществляют расфиксацию частей 5-7 заготовки, например, путем удаления компаунда 4, В результате под действием внутренних сил слои 10 элементов 5-7 несколько раскручиваются, но не сдвигаются один относительно другого благодаря скреплению скобами 3 (фиг. 7), Формирование ступенчатого профиля штрихов 11 проводят путем деформации...

Номер патента: 1675815

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Ахремчик, Дич, Маламед, Рассудова, Скворцов, Трегуб

МПК: G02B 5/18

Метки: большой, дифракционных, длины, решеток

...заготовку и, перемещая каретку с заготовкой последовательно на величину шага решетки, нарезают группу штрихов 1. Затем перемеща 1 от каретку в исходное положение, заготовку передвигают в направлении каретки на длину нарезанного участка и разворачивают в плоскости штрихов на уголЗО.: длина шт 1 иха,Разворот заготовки контролируют с помощью автоколлиматора, При этом а выбран так, что изменение фазы сигнала по длине штриха составляет Зл.После разворота заготовки перемещают каретку, нарезак 1 Т на заготовке группу штрихов 2 с тем же приодом, что и у группы 1 (фиг. ) и выявляют зоны синфазности групп штрихов 1 и 2Для нахождения зоны синфазности используют вспомогательную прозрачную дифракционную решетку 3, которую накладывают на есО ста нюруп...

Номер патента: 1682123

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Балясников, Варфоломеев, Лукашевич, Рабинович

МПК: B23Q 16/02

Метки: дифракционных, нарезания, решеток, штрихов

...кронштейн 23 с упругой лентой 24. Концы ленты 24 с помощью шарниров 25 соединены жесткими тягами 26 с общей осью 27, жестко соединенной с винтом 28, проходящим через направляющую втулку 29 и соединенным с ней с помощью гайки 30, при этом втулка 29 соединена с кронштейном 23,Перед началом работы определяют исходную нагрузку на резец, для чего рабочей поверхности ленты придают плоскую форму и устанавливают параллельно поверхности заготовки 2 решетки, после чего перемещают по пазу 22 кронштейн 23 и устанавливают минимальное расстояние между магнитом 20 и лентой 24, которая выполнена иэ магнитопроводящего материала, Вводят алмазнцй резец 1 в контакт с гюверхностью заготовки 2, Так как магнит 20 взаимодействует с лентой 24 и притягивается к...

Номер патента: 1683873

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Балясников, Варфоломеев, Лукашевич

МПК: B23B 27/20

Метки: алмазный, дифракционных, нарезания, резец, решеток

...9 и металлического слоя 8, резец обеспечивает формирование криволинейного в плоскости Р-Р штриха 10 с минимальным искажением его профиля, 2 ил. чения кромки с поверхностью заготовки 7, как правило это металлический слой 8, нанесенный на стеклянную подложку 9, и ВА - задняя часть кромки б от вершины резца (точки В) до точки пересечения дополнительной грани 5 с режущей кромкой 6 (точка А), т.е, точка А расположена со стороны задней части режущей кромки 6 по направлению подачи Я, Такое расположение плоской грани 5 относительно элементов резца обеспечивает выглаживающую зону резца, которой в основном и формируется штрих 10 и обеспечивается выглаживание рабочей грани штриха до высокой чистоты ее поверхности, чем достигается высокий...

Номер патента: 1755240

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Лукин, Матвеев

МПК: G02B 5/32, G03H 1/04

Метки: вогнутых, голограммных, дифракционных, записи, настройки, подложках, решеток, устройства

...9. По центру синтезированного голограммного оптического элемента 4 установлен датчик положенйя 10,Способ осуществляют следующим образом. В устройстве для записи голограммных дифракционных решеток в положение зэготовки со светочувствительным слоем, на котором предстоит записать решетку, устанавливают синтезйровайный голограм- мный оптический элемент 4, таким образом., чтобы сформировать автоколлимационное 15 изображение первого точечного источника излучения, что соответствует положению синтезирОванного голограммного оптического элемента 4 (фиг. 3), Положение первого источника излучения фиксируют на 20 расстоянии 1 с помощью, например, ножа фуко. Это реализуют следующим образом. Сходящийся пучок излучения от синтезированного...

Номер патента: 1778732

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Чобанюк

МПК: G02B 5/18

Метки: голограммных, дифракционных, записи, решеток

...дифракционную решетку с частотой штриховР = Ро/р,где Ъ -требуемая частота штрихов записываемой г,д.р.;р=1,2,3 ,ориентируют интерферирующие пучки и вспомогательную решетку таким образом, чтобы в направлении дифрагированных на вспомогательной решетке в и-й и а-й поряд ки дифракции пучков, причем и+гл=р, наблюдалась интерференционная картина с бесконечно широкой полосой, после чего устанавливают в плоскости пересечения интерференционных пучков подложку со све точувствительным слоем и производят егоэкспонирование, дополнительно после установки подложки со светочувствительным слоем до его экспонирования формируют с помощью того же интерферометра интерфе ренционную картину с бесконечно широкой полосой, создаваемую отраженными от подложки...

Номер патента: 1781658

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Алещенко, Егоров, Женевская, Локтионов, Чистый

МПК: G02B 5/18

Метки: дифракционных, решеток

...едактор С,Купрякова орректорЛ,Лукач Тираж :ПодписноеИ Государственного комитета по изобретениям и открыти113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 каз 4273 ВНИИП при ГКНТ СССР Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Га,10 поверхности слоя, в процессе ионной бомбардировки подложке сообщают вращательное движение со скоростью, по крайней мере 2 - 3 об/мин, к слою металла прикладывают отрицательный относительно ионного пучка потенциал, а энергию потока ионов инертного газа выбирают в диапазоне 0,8 - 1 кэВ.Сущность заявленного,способа поясняется чертежом, где 1 - подложка из стекла, керамики либо ситалла, 2 - слой металла, на который нанесейы штрихи, 3 - основание, на котором укреплена подложка, 4 - скользящий...