Пучкарева

Способ повышения износостойкости поверхности изделий из металлов и сплавов

Номер патента: 1723840

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Пучкарева, Толопа

МПК: C23C 14/48

Метки: износостойкости, металлов, поверхности, повышения, сплавов

Способ повышения износостойкости поверхности изделий из металлов и сплавов, включающий очистку поверхности изделий и последующую имплантацию ионов металла в атмосфере азота, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости за счет увеличения эффективности легирования, очистку производят путем облучения поверхности изделий ионами металла в импульсном режиме с дозой 5 1015 5 1016 ион/см2, после чего напускают азот до давления 5 10-4 1

Способ ионно-лучевой обработки режущего инструмента из твердых сплавов

Загрузка...

Номер патента: 1707997

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Полетика, Полещенко, Пучкарева

МПК: C23C 14/48

Метки: инструмента, ионно-лучевой, режущего, сплавов, твердых

...диапазоне скоростей резания (подача 5 = 0,14 мм/об, глубина резания= 1,5 мм). Снижение адгезионно-диффузионных процессов после+ +, +упрочнения ионами г фд г подтверждается результатами исследования изношенных поверхностей режущего инструмента. Изношенная площадка контакта имплантированного инструмента характеризуется меньшим количеством адгезионных вырывов.Исследование режимов имплантации и испытаний обработанных твердосплавных пластин позволило выбрать оптимальные режимы облучения по дозе и энергии ионов (см. табл. 1). Указанный нижний порог дозы 510 ион/см при энергии свыше 30 кэВ1 б 2обеспечивает некоторое повышение износостойкости. Однако уже при этой дозе при низких энергиях (25 кэВ) эффекта не наблюдается, поэтому снижение дозы...

Способ упрочнения ионно-плазменных покрытий

Номер патента: 1485666

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Карпов, Пучкарева, Теплоухов, Тимошников

МПК: C23C 14/00

Метки: ионно-плазменных, покрытий, упрочнения

Способ упрочнения ионно-плазменных покрытий, включающий обработку поверхности изделия ионами азота с последующим осаждением покрытий из нитридов или боросилицидов металлов конденсацией с ионной бомбардировкой, отличающийся тем, что, с целью повышения износостойкости покрытий и прочности сцепления покрытия с подложкой, обработку поверхности изделия проводят путем облучения пучком ионов азота с энергией 3 10 кэВ в течение 10 45 мин, а после нанесения покрытия проводят облучение изделия -квантами дозой 107 - 108 рад при 10 300oС.

Способ определения теплофизических свойств металлов

Загрузка...

Номер патента: 820388

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Груич, Загромов, Косицын, Куликов, Пучкарева, Раджабов

МПК: G01N 25/18

Метки: металлов, свойств, теплофизических

...этой термопары, предварительно усиленный Фотоэлектрическим усилителем 11 Ф/2), подается через магазин 12 сопротивлений на самопишущий потенциометр 13 КСП). Вблизи образца помещается датчик 14 парциального давления газов типа И ПДО, сигнал от которого поступает на самопишущий потенциометр 15 КСПи электрометр 16.Для того, чтобы определить количество частиц, десорбируемых с поверхности образца при электронной бомбардировке, вакуумный объем 2 35 изолируют от средств откачки цеолитовый насос 17, магниторазрядный насос 18) с помощью высоковакуумного крана 19 и регистрируют изменение парциального давления с помощью дат чика 14 и общего давления с помощью ", высоковакуумного датчика 20 типа МИв течение 5 мин после изоляции вакуумного объема при...

Устройство для исследования диэлектриков ионными пучками

Загрузка...

Номер патента: 776389

Опубликовано: 07.09.1981

Автор: Пучкарева

МПК: H01J 37/00

Метки: диэлектриков, ионными, исследования, пучками

...Схема измеренийвключает измеритель б тока и потенциометр 7. Экран 2 перекрывает пространство вблизи мишени, а для входапучка и выхода излучения снабженсоответствующими отверстиями. Он изолирован от другихэлементов устрой"ства и заземлен через потеициометр 7,Металлический держатель 4 образцазаземлен через измеритель 6 тока.Устройство работает следующим образом.Ускоренный до некоторой эйЕ 4 гиипучок первичных ионов из источника 1через отверстие в экране 2 йоотупа-ет на образец 5,При взаимодействии первичноГопучка ионов с поверхностью образца" последний распыляется в вйденейтральных атомов, положительных и:отрицательных ионов. Часть первич"ныхиойов, претерпевая упругое вза- "имодействие с атомами, рассеивается.Как-вторичные, так и...