Раствор для активирования поверхности диэлектриков

Соеэ СоветсиикСоциалистическихРеспублик . ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ и 1905317но делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения Белорусский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им, В. И, Ленина и Научна-иссЛвдоацтельский институт физико-химических проблем БелорусскогоФгосударственного университета(54) РАСТВОР ДЛЯ АКТИВИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКОВ 50 -60 45-50 КомплексообразовательЩелочь Изобретение относится к нанесениюметаллических покрытий на диэлектрики, в частности к растворам для активирования поверхности перед нанесением покрытий,Известны растворы для активирования поверхности диэлектриков на основе солей палладия или серебра Е 1 .Однако использование их затруднено иэ-за большого расхода палладия,а также незначительной стабильностирастворов,Известны также коллоидные растворы активирования на основе соединений неблагородных металлов,Наиболее близким к предлагаемомупо техническому существу и достигаемому результату является раствор, содержащий соединение неблагородногометалла, например меди, кобальта,никеля или железа, стабилизатор, например поверхностно-активное вещество, и щелоць 21 . Однако известный раствор не дает возможности получать достаточно плотные покрытия с хорошей адгезией к подложке, Кроме того, использование известного раствора не дает воэможности получать покрытия заданной конфигурации в процессе фотохимицеской металлизации. Цель изобретения - повышение ад 1 о гезии и плотности покрытий при фотохимической металлизации,Поставленная цель достигается тем,цто раствор, содержащий соединениенеблагородного металла и щелочьдополнительно содержит комплексообраэователь, а в качестве соединения металла - соединение висмута(1 ЕЕ) приследующем соотношении компонентов,г/л:20Соединение висмута (111) 1 ЭСОЬО5 Н 20Кйа Са НАОьМаОН 170 50 ЗСс 1508 Н,О Таблица ренябработки,Приме ТА Глицерин МаОН 50 21 о 1 о 5 о 3 90531.В качестве комплексообраэователяраствор содержит тартраты, цитратыщелочных металлов, глицерин, винную кислоту, этилендиаминтетрауксусную кислоту, 3В качестве соединения висмутатартрат, цитрат или гидроокись висмута,Для приготовления раствора соединение висмута обрабатывают щелочнымраствором комплексообразователя, рНраствора ъ 1,Рктивирование проводят при комнатной температуре. На поверхности диэлектрика, обработанной активирующим раствором, при облучении Уф-светом образуются частицы металлического висмута, которые каталиэируют осаждение металлов, 20При использовании предлагаемого раствора обезжиренную и высушенную поверхность диэлектрика (стеклотекстолит, гетинакс, полиметилметакрилат, ткань, целлофан, бумага и др,) П обрабатывают в составах согласно с примерами 1-7, представленными в табл, 1.Для улучшения смачиваемости поверхности к указанным составам могут быть Зо добавлены поверхностно-активные вещества, например ОП, ОПи др. Рктивированная поверхность после сушки экспонируется УФ-светом (Л 400 мм), причем для проведения избирательной металлизации экспонирование проводят через трафарет или фотошаблон, На обработанную поверхность (энергия пото 7 4ка в среднем -10 дж/см диэлектрикка осаждают медь или другие металлыиэ известных растворов химическойметаллизации, например из раствора,содержащего, г/л; а затем при необходимости, гальваническое покрытие,В результате металлизации образуются плотные, равномерные покрытиянеобходимой конфигурации и требуемой толщины,Плотность и адгезия получаемых покрытий выше, чем у покрытий, получаемых после обработки в известномрастворе,Данные по испытаниям медных покрытий толщиной 2 мкм, представлены втабл. 2,Как видно из данных таблицы, обработка в предлагаемом раствореактивирования позволяет получатьплотные металлические покрытия с высокой адгезией к основе,Качество покрытий сохраняетсяпри выдержке обработанной в активирующем растворе и Уф-светом поверхности в течение 30 ч, что свидетельствует о сохранении свойств активированной в предложенном раствореповерхности,Раствор стабилен при хранении,905317 Таблица 2 ивание покрыри нанесениицарапин сооной а квадрамм Активаци в раство Величина тиясетстор г/30 2 стн 450 3500 дит 900-100 е проис и любых Предложенн мула изобретениявор для активирования подиэлектриков, содержащинеблагородного металлао т л и чающий с поп,1, отличм, что в качествевателя он содержитты щелочных металлою кислоту, этилендиую кислоту,опп 1 и 2 отл Ра верхности соединени щелоч тем, что, с ц и плотности и ской металлиз содержит комп лью повышения крытий при Фот ции, он дополн ексообразовате нения металла та (Ш) при с мпонентов, г/л адгези охимичеи тельно ль, а в - со- ледующем идин мание с С,и астма мута (1 1 1.) 1 Оенце Тираж 1048 ударственного м изобретений сква, Ж, Р Подписно каэ 295/39 ВНИИПИ Го по дел 113035, М4/5 илиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 качестве соед единение висм соотношении кСоединение Комплексоо 1,елочь 2, Раствор ющийся т комплексообраз тартраты, цитр глицерин, винн аминтетрауксус Раствор ч а ю щ и й с соединения вис рат, цитрат ил Источни принятые во вн 1, Шалкауск металлиэация иичто в качествен содержит тартоокись висмута,Формации,при экспертизедр, Химическаясс. Л Химия