Шмин

Номер патента: 1615582

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Секоян, Шмин

МПК: G01L 9/12

Метки: давления

...)К, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 10 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано дляизмерения высоких гидростатичаских давлений.Цель изобретения - повышение чувствительности и расширение диапазона измерения высоких давлений.На фиг. 1 изображена схема устройства;на фиг. 2 - размещение тензорезисторов напротивоположных сторонах монокристаллического диэлектрика.Устройство содержит два идентичныхтонкопленочных тензорезистора 1 и 2 фиг. 1),расположенных на одном и том же монокристаллическом элементе 3, например на 15кварцевом диске У-среза, помсщенном всосуд 4 высокого давления, заполненныйжидкостью 5, передающей давление. Тензорезистор 1 ориентирован...

Номер патента: 1233963

Опубликовано: 30.05.1986

Авторы: Гаврилова, Горбань, Дерябин, Долганов, Музалевский, Синицын, Трикин, Шмин

МПК: B07B 4/08

Метки: зернистых, разделенея

...Ио плотности.Цель изооретеция - цовышсшс эффсктивцости процесса разлелсция з счет уве гичеци 51 кицстичсской эц(ргии И 01 ка ВО 3. луха.С.ЦСОО 13 КЛ 10 с ЕТ Н) с 1 Ч М ИСХОДЦОГОс 1- 1 СРИ 1 с 1 В ГОРИЗОЦ 1 Л ЬЦ 1 Й ЦОТОК ВЗЛ) Хс 1, аэролицямическос взаимлсйствис частиц с потоком возлуха и улалеццс цролуктВ разделения. В поток возлуха цсрел Вз- И М О)С И С Т В И Е т Е 1 С) С с с С 1 И Ц Я М И 1 с Т С Р Рс, 1 с 1 3 ВОЛЯТ )Л 51 ЖСЛ И 1 гЕЛ Ь В и ИЛЕ Ц 11( С В И ЛЦ ОЙ фракции.Разяелсцис мспсрил цо црллагясмомх сцосоом Осе цестВЛ 51 стс 53 слс,мк)цР) бразом.1 оллсжаций разлслсцио зсрцистьй х)- ГЕРИ1 ЦО 1 К)Т Цс 1 П)РИЗОЦТссьЫР 1 ТОК взлух, котс)рый солсржит оцрслслсццук) массу цылсвилцых частиц. 1 орцзоцтальЦ 3 И ЦООК сЭРСХСЦСЦЗРИ О.а(ае...

Номер патента: 879285

Опубликовано: 07.11.1981

Автор: Шмин

МПК: G01B 7/16

Метки: диэлектриков, констант, податливости, твердых, упругой

...6, а другой - с внешнимвысоковольтным электродом 7 и внут"ренними двумя. охранными. электродами8 и 9, и внутренним измерительнымэлектродом 1 О. Охранные электроды 4и 5 8 и. 9 в каждом конденсатореразмещены.по разные стороны. от измерительных электродов 6 и.10. Пары.электродов подключаются.в мостовуюсхему, образованную частями вторичной обмотки. трансФорматора 11, питаемого от источника 1 2. Нуль-орган 13служит для регистрации. баланса моста.Нагружение образцов 1 и. 2 осуществляется плитой 14.Способ определения. констант улругой.податливости. твердых диэлектриков реализуется. следующим образом(Фиг. 1 ).Один конденсатор. каждой пары.выполняют с внутренним высоковольтнымэлектродом 3, другой - с внешним высоковольтным электродом...

Номер патента: 775126

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Ващук, Цыбулин, Шмин

МПК: C21B 3/10

Метки: чугуновоз

...в про 10 цессе эксплуатации, а также неровностей, вызванных скоплением скрапамежду платформой 1 и поддонами 4,шарнирное соединение 5 выполнено свозможностью вертикального переме щения эа счет паза.Для исключения перемещения поддонов 4 в направлении продольной осичугуновоэа передвижная платформа 1снабжена упорами 6. Поддон 4 снабжен 20 проушиной 7, а по его периметруподдон имеет обрамление 8. Пространство между поддоном 4 и обрамлением8 заполняется огнеупорной массой 9,например жаропрочным бетоном.25 При обработке чугуна (например,на установке десульфурации чугуна)происходят выбросы металла, и наподдонах 4 скапливается скрап. Крюком грузоподъемного устройства, на пример краном, зацепляют поддон 4за проушину 7 и производят его...

Номер патента: 608068

Опубликовано: 25.05.1978

Автор: Шмин

МПК: G01L 9/12

Метки: высоких, гидростатических, давлений

...высоко из конденсаторов на внутренних поверхностях полых монокристаллических цилиндроводинакового среза помещены измерительный5 и охранный 6 электроды. Высоковолвтыыйэлектрод 7 первот.о конденсатора помещенна боковой поверхности внутреннего сттлощного монокристаллического цилиндра того жесреза, что и полые цилиндры. Высоковолвгный электро:д 7 второго конденсатора рас. Ужгород, ул те положен иа боковой поверхности внутреннегосплошного монокристаллического цилиндрадругого среза, чем полые цилиндры, Описанные конденсаторы включаются в плечи трех"зажимного трансформаторного моста, В диагональ моста вжцочен нуль-индикатор 8,Устройство работает следующим образом,Изменение давления в сосуде 4 вызываетизменение емкостей Си С, конденсаторов 1...

Номер патента: 386294

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Шмин

МПК: G01L 9/12

Метки: гидростатических, давлений

...5 датчиков 1 и 2 имеют пластины 7 разных срезов, например кварцевые пластины Х и Л-среза, а измерительные электроды б датчиков 1 и 2 - соответственно пластины Л и Хсреза.Датчики 1 и 2 включены в плечи мостовой измерительной схемы, в другие плечи которой включены эталонные конденсаторы постоянной и переменной емкости 8 и 9, В диагональ моста включен нуль-индикатор 10. Датчики 1 и 2 снабжены охранными электродами 11,Устройство работает следующим образом.Изменение давления в камере 4 вызывает изменение емкостей С 1 и С датчиков 1 и 2 и нарушение баланса моста. Подстраивая конденсатор 9 до момента баланса моста, фиксируемого по нуль-индикатору 10, отсчитывают по шкале этого конденсатора 9 значение С 1 - С, По указанной разности судят о...

Номер патента: 314087

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Шмин

МПК: G01L 7/18

Метки: гидростатическихдавлений

...СС, Сз, включающий в себя один или несколько датчиков, помещенных в каме- Зо ру 1 высокого давления, заполненную гидравлической жидкостью.В одной группе датчиков С 1 между обкладками расположены две плоскопараллельные пластины 2 и 3 из монокристаллического диэлектрика, например кварца, вырезанные перпендикулярно к направлению одной из главных осей тензора его диэлектрической проницаемости. Между этими пластинами расположена плоскопараллельная пластина 4, вырезанная перпендикулярно к направлению другой из главных осей тензора, неэквивалентной предыдущей оси. В двух других группах датчиков С и Сз расположено между обкладками по одной пластине 5 и 6, причем пластины каждой группы датчиков выполнены соответственно двум вышеуказанным...