Травитель

О П И С А Н И Е 11 568986ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(43) Опубликовано 15.08.77. Бюллетень М 30(51).1.Кл.- Н 01 1. 2 Государственный комитет Совета Министров ССпо делан изобретени открытий 153) УЛК 62 1.382(72) Авторыизобретени (7) Заявитель Ю, Сииявичю А ас и 54) ТРАВИТЕЛ 65 - 70= С.или ии люмцний: скоростью Латный Скорость т Кроме того прц 65 - 70 = 0,004 лк раоотает прцтитана = 0,13йстзует царяет его со травтелравленця, О: ЗОЗДС раствгалии,Наиболее бл:1 зкцм является состаз трав для титана, содержа кислоту и воду 2. части) НГ; Н О = 1: пературе тразцт .= 0,24,икз 5 лин, но маскцр 5 ющ:й слой сго со скорост 110 = О,;нем енно 1 НУО 1 НЫЕ темстыо т и:1 ряет техн:чески м рошецтеля, преимушествщцй фторцстозодоро,Травцтель (объс5 прц комнатнойт;та 51 со скоропрц этом деСтв са л ю м ц н 11 51 ц 1 1 с т 3 06 лил лик. Изооретецие относится к электронной техике, а 51 х 1 енно к процессу фотолитографии тодслоя титана в процззодстзе планарных ИС. В процессе производства планарных полупрозодн;козых приоороз з технологии ИС с открытым эмиттером з качестзе металлизацзн це может быть применена однослойная система раззодкц цз алюм,нця из-за закорачцзан 11 я перехода э. пттер-база. Переход наход 51 тся Вол 1 зи поверхности, ц тонкий слой ЯО создающийся зо время травления, не может маскировать от диффузии алюминия легированных областей во время получения омцчсских контактов. Чтобы избсткать закорачизация перехода, в качестве подслоя применяют некоторые тугоплавкие металлы, име ющце намного меньший коэффициент дцффузцц в 5102, чем алюминий, это могут быть 20 Мо, 1, Т и др. С применснцем дзл;слойных с;стем возникает проблема качественного зы гразлцза 1 ня рисунка металлцзации. Иззсстс состав для травления пленки титана, содержащий хлор истый ам мои ий, фторцстый аммоний, соляную кислоту и вод 5 . Целью изобретеня язляется улучшение селектцвных сзоцств трав:.1 теля. Это достигается з предлагаемом траз:теле тем, что оц дополн 1 ггельно содерж 1 т фтор".стый аммо 1:1 й, перец 1 сь водорода 11 позсрх 110 сцо-актцзное зещестзо при следующем соотношении компоне:1 тоз з растворе, зес. ч.: фторцстозодороднчя кислота 2,5 - 25, фтогшстый аммоций 36 - 75, перекись зодорода 20 в 1, поверхностно-актцзцос вещество 2 - 5, вода 15 в 1,Был Изготозле;1 ы тр: состава тразцтеля. Они приведены в табл. 1.568986 Таблица 1 Содержание, вес. ч 1 2, 3 Компонент 2,5 19,5 25 Фтористоводородная кислотаФтористый ахгмонийГ 1 ерекпсь водорода 75 , 60 36160 23 20 2, 3 5 Поверхностно-активное вещество СВ.1017 (ТУ-14-934-73) 15 84 1 О Вода Таблица 2 Формула изобретения Скорость травления, нк.н/яия 10 Травитель А 1 Т 1 Поверхность А 1 пасси. впрует= 0,16 - 0,180,007 2,5 - 25 36 - 75 20 - 160 Фтористоводородная кислотаФтористый аммонийПерекись водородаПоверхностно-активноевеществоВода 20 2 - 515 - 110 25 30 Составитель В. Мякиненков Техред М. Семенов Редактор Т. Юрчикова Корректор В. Гутман Заказ 681/1710 Изд, Мз 676 Тираж 995 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Тип, Харьк. фил. пред. Патент Каждый из составов был опробован при травлении учасгков пленки титана, маскированного слоем алюминия, толщиной 0,04 - 0,45 мкм при рабочей температуре 20-2 С в течение 15 - 20 с. Полученные результаты приведены в табл, 2. Как видно из табл. 2, наиболее качественные характеристики травления показывает травитель 2. При травлении титана пленка алюминия практически не подтравливается, так как в этом травителе алюминий пассивируется. Поверхность окисла в местах травле. ния титана чистая. Элементы полупроводниковых структур и токоведущие дорожки чисты.Таким образом, предлагаемый травитель по сравнению с известными работает при комнатной температуре, пленка алюминия им практически не подтравливается. При изготовлении микросхем с большей степенью интеграции, когда токоведущие дорожки выполняют узкими порядка 3 - 5 лк.ц, боковое подтравливание приобретает решающее воз действие, Применение предлагаемого травителя обеспечивает увеличение выхода годных и надежность микросхем. Травитель, преимущественно для титана,содержащий фтористоводородную кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью улучшения селективных свойств травителя, он 15 дополнительно содержит фтористый аммоний, перекись водорода и поверхностно-актив.ное вещество при следующем соотношении компонентов в растворе, вес, ч. Источники информации, принятые во вни-,мание при экспертизе,1. Авторское свидетельство СССРЪЪ 391613, кл. Н 01 1. 27/306, 1970.2. Иванов-Есипов Н. К. Технология микросхем, Высшая школа, М., 1972, с, 93.