Теплопередающее устройство для схем с тепловой связью

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ДОСКон СВИДЕй:Т Союз Советских 568987 Соеалистических Республик(51) М.Кл ки-Государственный квинт 23) Приоритет -43) Опубликовано 15.08.77. Бюллетень3 света Министров СССРпо делам изобретений 21.382 088,8) ытии исания 02.01.7(45) Дата опубликован Авторы изобретени Аря моваитут, Путилин и 3 Н, П. Гапоненк ганрогский радиотехнический и им, В, Д. Калмыкова) Заявител 4) ТЕПЛОПЕРЕДАЮЩЕЕ УСТРОЙСТ ДЛЯ СХЕМ С ТЕПЛОВОЙ СВЯЗЪЮ Целью параметров уменьшении лагаемом стержень и жепы вблиз улучшение 2овременномого в предодниковыйы располоизобретения являетсяустройства при однего габаритов. Для э устройстве полупро зогнут так, что его кон и друг друга. Изобретение относится к области полупроводниковой радиоэлектроники, Устройсгво может быть использовано в качестве времязадающего элемента в микроэлектронных устройствах звукового диапазона частот.Известны теплопередающие устройства, содержащие теплоизолир ующее основание, размещенное на теплоотводе, и полупроводниковый кристалл с источником тепла и термочувстзительным элементом, приклеенный к 10 теплоизолирующему основанию 11.Известны теплопередающие устройства для схем с тепловой связью, содержащие теплоизолирующее основание и стержень с дифференциальными источниками тепла и термо чувствительными элементами, расположенны. ми на его концах 2.В известных устройствах требуется чрезмерно большая длина стержня, что приводит к ухудшению параметров устройства, напри мер вызывает значительный дрейф выходного напряжения, а также к увеличению габаритоз. Полупроводниковый стержень может представлять собой карман монокристаллического кремния на диэлектрической подложке.На фиг. 1 изображено полупроводниковое теплопередающее устройство со стержнем, представляющим собой карман монокристаллического кремния на диэлектрической подложке, вид сверху; на фиг. 2 показан разрезЛ - А фиг. 1.Теплопередающее устройство состоит из кармана 1 монокристаллического кремния, расположенного в диэлектрической подложке 2. В кармане методами полупроводниковой технологии выполнены источники тепла 3, 4 и термочувствительные элементы 5, 6. Между зонами 7 - 10, в которых расположены источники тепла и термочузстзительчыс элементы, расположены зоны 11, 12 и 13, проводимость,которых противоположна проводимости зон 7 - 10,Формирование кармана или островка монокристаллического кремния в виде изогнутого стержня позволяет использовать для размещения теплопроводящего стержня не только длину, но и ширину подложки 2. Бла. годаря этому длина теплопередающего устройства может быть уменьшена в несколько раз,Параметры полупроводника з зонах 7 и 10, расположенных вблизи друг друга, мало от568987 11 5 12 личаются, Поэтому параметры термочувствительных элементов 5 и б, расположенных в этих зонах, имеют высокую идентичность, что приводит к улучшению параметров устройства. Толщина кармана или островка монокристаллического,кремния, сформированного в диэлектрической подложке, может составить единицы и десятки микрон, а ширина - десятки микрон, В этом случае тепловое сопротивление между зонами 7 и 10 может достигнуть нескольких тысяч кельвин на ватт. При выборе геомепрических размеров кармана желательно, чтобы тепловое сопротивление по материалу подложки между зонами 7 и 10 было значительно больше теплового сопротивления между этими же участками по полупроводниковому стержню. На границах зон 7 и 11, 8 и 11, 8 и 12, 12 и 9, 9 и 13, 13 и 10 с различными типами проводимостей образуются р - а-переходы, с помощью которых осуществляется электриче. ская изоляция источииков тепла 3, 4 и термочувствительных элементов Б, б друг от друга. Формула изобретения 1. Теплопвредающее устройство для схемс тепловой связью, содержащее теплоизоли рующее основание и полупроводниковыйстержень с дифференциальными источниками тепла и термочувствительными элементами, расположенными на его концах, о т л и ч а ющ еес я тем, что, с целью улучшения пара.10 метров устройства и уменьшения его габаритов, стержень изогнут так, что его концы расположены вблизи друг друга.2. Устройство по п. 1, о тл и ч а ю щ ее с ятем, что стержень представляет собой карман монокристаллического кремния в диэлектрической подложке. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:20 1, Матцен В, Г. и др. Функциональныеэлектронные блоки, использующие тепловыеявления, ТИИЭР, т. 52,12, 1964, с, 1623 -1629.2, бгау Р. К., Напп 11 оп Э. 1. Апаузз о 1Еес 1 гойеггпа 1 п 1 едга 1 ег Сгсц 1 з 1 ЕЕЕ,