Электролит вольфрамирования
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 478889
Авторы: Балихин, Доронькин, Павловский, Резниченко
Текст
(1 ц 478889 Союз Советскии Социалистических Республик(23) Приоритет -Опубликовано 30.07,75, Бюллетень28Дата опубликования описания 24,02.76 1. Кл. С 23 Ь 5/3 осударствеииыи комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий К 621.357,7:66 .278 (088.8) 2) Авторы изобретени Павловский, В. С, Балихин, В, АЕ Д ДоронькинИнститут металлургии им. А. А. зниченко 1) Заявите йкова) ЭЛЕКТРОЛИТ ВОЛЬФРАМИРОВАНИЯ мее ХазЧ30 Ма С Изобретение относится к области электролитического осаждения металлических покрытий, в частности к области осаждениявольфрамовых покрытий из расплавленныхсред,Известен электролит вольфрамирования,содержащий расплав соединения вольфрама,например вольфрамата щелочного металла,и хлорида щелочного металла.Предлагаемый состав электролита отличается от известного тем, что в качестве соединения вольфрама он содержит оксифторвольфрамат щелочного металла.Это позволяет повысить пластичность ичистоту вольфрамовых покрытий.Согласно изобретению, электролит иследующий аостав, вес, %:Оксифторвольфрамат щелочногометалла 20 - 50Хлорид щелочного металла 50 - 80Оксифторвольфрамат щелочного металлаМез%0 зРз получают сплавлением стехиометрических количеств фторида щелочного металла и вольфрамового ангидрида.Процесс осуществляют в инертной атмосфере при температуре 850 - 950 С и катодной плотности тока 0,01 - 0,05 а/см. Аноднаяплотность тока составляет 0,001 - 0,05 а/см 2,Для получения прочного сцепления покрытияс основой покрываемое изделие перед осаждением покрытия оорабатывают анодно приплотности тока 0,01 - 0,05 а/см в течение0,5 - 1 час.После окончания процесса полученное по 5 крытие обрабатывают 1 - 3%-ным растворомщелочи, затем нейтрализуют 1%-ным раствором соляной кислоты и промывают дистиллированной водой,Полученные вольфрамовые покрытия об 0 ладают плотностью литого вольфрама и от.личаются высокой чистотой (прнмеси кислорода и углерода менее 0,002%, водорода иазота менее 0,001 %), что обеспечивает низкую твердость и высокую пластичность покрытий. При этом можно получать покрытияразличной толщины вплоть до несколькихмиллиметров при сохранении их качества.Предлагаемый состав электролита позволяет осаждать вольфрамовые покрытия на0 медные подложки без образования на ннхГ-бронз и может быть использован для получения вольфрамовых изделий методомгальванопластики,П р и м е р. Для осаждения вольфрама на25 поверхность молибденовой проволоки диаметром 0,5 мм испольэовали электрозпт состава, вес, %:478889 4материалов с никелевой композиционныхматрицей. Составитель Л, КазаковаТехред 3. Тараненко Редактор Е. Шепелева Корректор Л. Денискина Заказ 7686 Изд. ЛЪ 664 Тираж 966 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5МОТ, Загорский филиал 3Процесс осуществляли при температуре 930 С, катодной плотности тока 0,2 а/см 2 и анодной 0,05 а/см. Перед осаждением покрытия проводили анодную обработку при плотности тока 0,01 а/см 2 в течение 1 час. В результате было получено плотное вольфрамовое покрытие, прочно сцепленное с основой, толщиной от 10 до 50 мкм в зависимости от количества пропущецного электричества.Покрытия, полученные из предлагаемого состава электролита отличаются высокой коррозионной стойкостью в различных агрессивных средах, в том числе в расплаве никеля, что дает возможность использовать такие покрытия в производстве жаропрочных Предмет изобретения 5 Электролит вольфрамирования, содержащий расплав соединения вольфрама и хлорида щелочного металла, отличающийся тем, что, с целью повышения пластичности и чистоты покрытий, в качестве соединения воль- О фрама в электролит введен оксифторвольфрамат щелочного металла при следующем содержании компонентов, вес, %:Оксифторвольфрамат щелочногометалла 20 - 50 5 Хлорид щелочного металла 50 - 80.
СмотретьЗаявка
1922409, 18.05.1973
ИНСТИТУТ МЕТАЛЛУРГИИ ИМ. А. А. БАЙКОВА АН СССР
ПАВЛОВСКИЙ ВЛАДИМИР АКИМОВИЧ, БАЛИХИН ВЛАДИМИР СЕРГЕЕВИЧ, РЕЗНИЧЕНКО ВЛАДЛЕН АЛЕКСЕЕВИЧ, ДОРОНЬКИН ЕВГЕНИЙ ДМИТРИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C23B 5/30
Метки: вольфрамирования, электролит
Опубликовано: 30.07.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-478889-ehlektrolit-volframirovaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электролит вольфрамирования</a>
Щелочной цианистый электролит для получения гальванических цинковых покрытий, легированных более электроположительным, чем цинк, металлом
Номер патента: 122657
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Кудрявцев, Тютина, Фиргер
МПК: C25D 3/02, C25D 3/24, C25D 3/56
Метки: более, гальванических, легированных, металлом, покрытий, цианистый, цинк, цинковых, чем, щелочной, электролит, электроположительным
...Достигается это удачным сочетанием и правильной дозировкой компонентов, входящих в состав электролита.Описываемый электролит содержит:Цинка (в виде комплексной поли) 32,0 г/лНикеля075Цианистого натрия (в сумме) 73,5 - 98,0Едкого натра 60,0 - 80,0Никель вводят в электролит в виде сернокислой соли.Электролиз ведут при 18 - 20 и плотности тока на катоде 1 - 3 а/дмг и на аноде 2 а/дмг.Аноды цинковые заключены в чехлы из стеклоткани. Выход по току при электролизе достигает 90 - 9 б%. Осаждаемый в таких у,"ловиях катодный осадок состоит из цинка, содержащего- 2% никеля.Осадок достаточно тверд, коррозионно устойчив и имеет красивый вид, вследствие чего описываемый электролит может быть широко использован при защитно-декоративной отделке...
Способ получения фторкомплексов редкоземельных элементов со щелочными металлами
Номер патента: 1581695
Опубликовано: 30.07.1990
Авторы: Бреховских, Киселев, Попов
МПК: C01B 9/08, C01D 3/02, C01F 15/00, C01F 17/00, C01G 25/04, C01G 27/04
Метки: металлами, редкоземельных, фторкомплексов, щелочными, элементов
...данных, проведение синтеза при нагреванииодо температуры выше 170 С ведет к загрязнению .фторкомплекса продуктаИзобретение относится к способамполучения фторкомплексов редкоземельных элементов со щелочными металлами,которые могут быть использованы приизготовлении оптических материалов,керамических композитов,Цель изобретения - увеличение выхода фторкомплекса и уменьшение в енем содержания кислорода,П р и м е р 1, 1 О г стехиометрическои смеси оксида скандия и тетрафторхлората цезия помещают в лабиринтный никелевый реактор и нагревают до 100 С со скоростью 8 град/мин.Затем реактор охлаждают до комнатной н(56) Решетников Лдвойных фторидовДоклады АН СССР,с. 877-880.Авторское свидМ 430062, кл. С 0 2УЧЕНИЯ ФТОРКОМПЛЕКСОВ ЭЛЕМЕНТОВ СО...
Способ получения слоистых соединений графита с щелочным металлом из группы с, r, к и устройство для его осуществления
Номер патента: 1638108
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Каландаришвили, Карба, Кашия, Мургулия, Тодуа, Хорава, Шенгелия
МПК: C01B 31/04
Метки: графита, группы, металлом, слоистых, соединений, щелочным
...остаточных газов Рдин = 1 10 Па и ведут дальнейшее обезгаживание металлических частей при 800 - 850 К до достижения Рдин = 5 - 6 10 Па, Температура цезиевого резервуара 4 при этом не превышает 450 К, После этого вскрывают ампулу с цезием и последний при комнатной температуре конденсируют в цезиевый резервуар 4. Температура контейнера составляет при этом 700 К. После восстановления нервоначального вакуума клапан 5 закрывают при температуре 650 К, а клапан 8 при - 600 К, температуру реакционного объема 1 поднимают до 750 К и включают нагреватель 13. Тепло, поступающее от электронагревателя 13 +О) испаряет цезий, который устремляется вверх, потом в зоне конденсации отдаст скрытую теплоту парообразования (-0). конденсируется и по...
Расплав для электрохимического нанесения тонкопленочных покрытий на основе оксидных бронз вольфрама или молибдена
Номер патента: 1671738
Опубликовано: 23.08.1991
Авторы: Гасаналиев, Калиев, Крылов, Минченко, Смыков
МПК: C25D 11/26, C25D 3/66
Метки: бронз, вольфрама, молибдена, нанесения, оксидных, основе, покрытий, расплав, тонкопленочных, электрохимического
...металла 25-75 Расплав готовят смешением и плавлением компонентов в кварцевои ячейке, Вкачестве нитратов и нитритов щелочных металлов берут соли натрия, калия, цезия, обеспечивающие образование расплава при рабочих температурах электролиза 200- 270 С. При электролизе под действием приложенного электрического поля между электродами в расплавах указанного состава возникает ориентация полимеризованных полосчатых структур, направляющих развитие кристаллов, образующих на аноде тонкопленочное покрытие вдоль каналов в объеме электролита, Создающееся упорядочение на фронте кристаллизации оксидных бронз вызывает развитие текстуры, что является причиной усиления электрооптических и адгеэионных характеристик покрытий. Полимеризующий эффект...
Способ получения производных тиазола или их солей с щелочными металлами
Номер патента: 1554763
Опубликовано: 30.03.1990
Авторы: Есио, Кацуо, Масаки, Микио, Томеи, Хитоси
МПК: A61K 31/426, A61P 37/08, C07D 277/24, C07D 277/28, C07D 277/64
Метки: металлами, производных, солей, тиазола, щелочными
...пс крыти из сдхдрд или же пленочно покрытие Тдким путем получают ссдхдреццую тдблетну и таблетку с плецс)чным покрытием,П р и м е р 8, Изготовление капсул. 1000 г тщдтел Но измельчсццог до порошкообрд зногс с с.тсяция- ( транс- ( ис-кдрб о к с и прогц сзмцГдо) стирил бси зотидо.д н Виг 1 С натв риевой соли (солиц цц 5), 30 г кукурузного крахмала, Ь 900 г лдктозы, 1000 г кристдллиской 1 с г)лкг)- эь и 100 г ст.ардтд мдгция перомшип д н) Т И И с П ОЛ 11.3 у юТ П Я 3 д П ол Н ц и Я капсул, каждая цэ ццх с иржит 10 мг указанного сс дицциц н 12) мг кдпсул.И р и и е р 9, )РзОт нпеципр- паратд для ингаляции. 5 г цд 1 рцной соли 2 - (транс- (Ис -- к,рб,)ксипрс - пецдмидо) стирнсбс цэ гид з .Нд1 цдтельно и.,мельчццогс и пс рокок (со 5547...
Предыдущий патент: Блескообразующая добавка
Следующий патент: Барабан для обработки мелких деталей
Случайный патент: Устройство для силового срезания деревьев