Патенты опубликованные 15.11.1993

Номер патента: 2003196

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Андреев, Григорьев, Саблев

МПК: H01J 27/08

Метки: большого, генерирования, ионного, пучка, сечения

...перемещения в направлении, по меньшей мере, одной из стенок разрядной полости камеры. Кроме того. установка снабжена дополнительным электродом 16 и управляемым двухполюсным ключом 17, Дополнительный электрод 16 установлен напротив катода в рабочей полости 7 камеры и электрически изолирован от последней. Анод 3 электро-дугового разряда и электрод 16 посредством двухполюсного ключа 17 электрически соединены с положительным полюсом источника 11 электропитания разряда с возможностью поочередного их подключения к указанному источнику,5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Работает установка при выдвинутых сетке и перегородке и при подаче положительного потенциала от источника 11 на анод 3 (двухполюсный ключ в положении "В") следующим образом,...

Номер патента: 2003197

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Горфинкель, Русина

МПК: H01J 31/12, H01J 31/20

Метки: катодолюминесцентный, матричного, многоцветный, типа, экран

...и графической информацииДля создания трехцветного, в том числе полноцветного экрана, обеспечивающего возможность отображения универсальной, цветной как знакографической, так и ТВ-информации в известном многоцветном катодолюминесцетном экране матричного типа, содержащем вакуумную оболочку, систему прямонакальных катодов, изолирующую основу, по крайней мере, ряд нанесенных на нее сегментов, электрически соединенных между собой, модуляторные электроды по числу анодных сегментов ряда, выполнен.- ных в виде стержней, расположенных перпендикулярно ряду с двух сторон каждого из аноднцх сегментов, при этом каждый анодный сегмент содержит, по крайней мере, три электрически изолированных элемента, покрытых люминофором с различными составами,...

Номер патента: 2003198

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Акулов, Аруев

МПК: G01T 7/10, H01J 47/06

Метки: диффузионная, ячейка

...при комнатной температуре она может быть помещена в светонепроницаемый кожух и для повышения чувствительности используется активная защита - сцинтиллятор, окружающий второй счетчик, включенный в схему анти- совпадений, Это позволяет уменьшить фон, а эначит увеличить чувствительность еще в 3 - 5 раз, и довести ее до -10 о монослоя,Второй счетчик является частью замкнутого обьема, в котором расположен первый счетчик, Известное соотношение объемов второго счетчика и всего замкнутого объема позволяет при измеренной эффективности регистрации определить полное количество трития, прошедшего через мембрану из первого счетчика.Боковой вакуумно-плотной поверхностью второго счетчика является стеклянная 20 25 30 35 40 45 цилиндрическая поверхность,...

Номер патента: 2003199

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Бочкарев, Колесников, Семкин

МПК: H01J 49/40

Метки: времяпролетный, масс-спектрометр

...упр. поля а,чь= ч /аг(с) б 1 (2)ат - ускорение иона на участке 0 привозврате иона,ч - скорость на выходе ускоряющегопромежутка ба,50 55 времени) и каждый раз включается источник ионов 1. В динамическом режиме обеспечивается обработка задаваемых блоком управления 12 диапазонов масс с разрешающей способностью на 1 - 2 порядка более высокой, чем в статическом режиме, Это достигается за счет формирования генератором 10 управляющего переменного во времени поля в промежутке о 1, Закон управления синтезируется из условия компен сации разброса, времен прихода ионов с одинаковой массой в плоскость приемника 7, а также с учетом требования обеспечения постоянства ускорения, действующего на ионы на возвратном участке траектории 15 сбе 1, Это...

Номер патента: 2003200

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Джон, Зорина, Иванов, Кулик

МПК: H01L 21/203

Метки: алмазных, алмазоподобных, газовой, пленок, фазы

...поскольку длина пробега для неупругих 20 взаимодействий много больше толщины пограничного слоя, Однако, в результате упругих столкновений в пограничном слое активные частицы теряют кинетическую энергию, Таким образом, при очень высокой 25 плотности потока активных частиц и, следовательно, большой скорости Физико-химических процессов на поверхности радиационные нарушения практически исключены, чем и достигается высокое качество ЗО обработки. В силу того, что тепловой потокк поверхности велик (температура плазмы достигает (10-15) 10 К), обработку такой, плазмой можно проводить только в режименестационарнойтеплопроводности,т,е. при З 5 кратковременном воздействии плазмы наповерхность, Толщина осаждаемого на поверхность слоя определяется...

Номер патента: 2003201

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кулик, Павлов

МПК: H01L 21/306

Метки: плазмохимического, поверхности, твердого, тела, травления

...показывают, что время протекания гетерогенной реакции плазмо-химического травления при указанных условиях, существенно зависит от большого количества параметров и должна определяться при отработке конкретного процесса плаэмо-химического травления. Максимальное время воздействия мальная температура поверхности твердого тела при воздействии определяется условиями разрушения поверхности (например, началом ее плавления), либо условиями аморфизации приповерхностного слоя, либо недопустимым развитием рельефа поверхности при травлении и другими причинами. Эти условия определяются экспериментально, при разработке конкретного процесса травления. При известной максимально-допустимой температуре Тд поверхности твердого тела из конкретного...

Номер патента: 2003202

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Болтарь, Корольков

МПК: H01L 21/425

Метки: имплантированных, кадмия, ртути, слоев, теллурида, формирования

...через нее ускоренных ионов легирующего элемента бора и светового отжига, в качестве капсулирующейпленки используют систему, состоящую изо5 слоев АЬО з толщиной порядка 2000 А и 3102отолщиной порядка 1000 А, имплантированный слой КРТ получают внедрением ионовбора с энергией 120-150 кэВ и дозой в диа 10 вазоне 5 х 10 -1 х 10 ион/см, а отжиг про 12 34 2водят ступенчато (1 - 5 ступеней) с режимомкаждой ступени 100 С 15 - ЗО мин,Сопоставительный анализ предлагаемого решения с прототипом показываетчто15 предлагаемый способ отличается от известноготем, что, во-первых, используютдругуюкапсулирующую пленку (систему, состоящую из слоев АЬОз толщиной порядкао о2000 А и ВОр толщиной порядка 1000 А,во-вторых, имплантированный слой КРТ,получают...

Номер патента: 2003203

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Мурин, Хейфец

МПК: H01L 21/50

Метки: гибком, микросборка, носителе

...тем, что в устройстве, содержащем подложку, изготовленную из гибкого фольгированного диэлектрика и навесные компоненты, закрепленные на подложке, коммутирующий элемент выполнен из части подложки,В микросборке на гибком носителе в сравнении с прототипом в качестве коммутирующего элемента используется часть Формула изобретения МИКРОСБОРКА НА ГИБКОМ НОСИТЕЛЕ, содержащая подложку, выполненную из гибкого фольгировэнного диэлектрика,подложки, изготовленной из гибкого фольгированного материала, что позволяет сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию "новизна", 5 Использование подложки в качестве коммутирующего элемента, контактирующего с двумя или несколькими поверхностями навесного элемента (одного или...

Номер патента: 2003204

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Назаров

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, монтажа, плате

...вышеуказанных материалов, в качестве лазера 10 могутиспользоваться лазер на СО (длина волны15 излучения 5 - б мкм, поглощение в монокристалле кремния - 1,610 см) или лазер наСО 2 длина волны излучения 10,4 мкм и 9,4мкм, поглощение в монокристалле кремния- 1,8 см). В обоих случаях кристалл 1 может20 считаться прозрачным для излучения 11 лазера 10, Коэффициент поглощения двуокисикремния намного больше коэффициента по-глощения монокристаллического кремниядля данных типов излучения,Излучение СО 2 - лазера с длиной волны9,4 мкм особенно эффективно поглощаетсяслоями двуокиси кремния, что может позволить производить сварку контактов с наи. меньшими энергетическими затратами.Общеизвестно свойство алюминия образовать на воздухе...

Номер патента: 2003205

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Егоров, Питулин

МПК: H01L 27/00

Метки: выводов, контактными, площадками, свч-элементов, соединение

...выполняют с зазором между витками и предварительно залуживают в местах соприкосновения с выводом и контактной площадкой, а пайку производят общим нагревом,Сущность предлагаемого способа опреде яется совокупностью механических и электрических свойств круглого одиночного витка спирали, как одного из М элементов промежуточного электрического монтажа. Выбранная геометрия элемента допускает смещение соединяемых поверхностей во всех трех плоскостях изменением формы витка без растяжения проволоки, т.к. разрушающие механические усилия в точках пайки отсутствуют,Активное и реактивное сопротивления соединения уменьшаются приблизительно в Й раз по сравнению с одиночным витком, поэтому выбором диаметра и шага спирали эти величины могут быть...

Номер патента: 2003206

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Лифшиц

МПК: H01L 27/00

Метки: затворами, кмоп-интегральная, поликремниевыми, схема

...области подложки и кармана иметаллические шины истоков, параллельные шинам питания,На фиг.1 приведена электрическая схема О-триггера, на примере которой рассматриваются различные конструкции ИС; на фиг.2 - конструкция ИС О-триггера по прототипу, в которой металлические шины питания и межсоединений элементов размещены непосредственно над МОП транзисторами, на фиг.З - та же, в которой ширина МОП транзисторов сделана минимально возможной с целью минимизации тока потребления, шины питания размещены по обе стороны параллельно рядам транзисторов, а межсоединения вдоль рядов транзисторов выполнены с использованием поликремниевых "подныров" под шинами питания; на фиг.4 - та же, в которой ширина транзисторов сделана минимальной. э питание к...

Номер патента: 2003207

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Пырченков

МПК: H01L 27/12

Метки: гибридной, интегральной, схемы

...планарной структуры, охлаждают структуру до затвердевания расплава и отделяют промежуточныйноситель. Затем Формируют .ФотолитограФией многослойную коммутацию.В результате погружения кристаллов МС в эвтектический расплав образуется прочное соединение этих элементов между собой и со сплавом, чем достигается высокая механическая прочность многокристальной структуры и надежнрсть ГИС (гибридная интегральная схема). При погружении кристаллов МС в расплав происходит плотное заполнение зазоров между кристаллами, и на стыках кристалл-металл микрорельеф высокого качества за счет приплавления кристаллов, что также новышает надежность устройства.Кристаллы, смонтированные на подложке в застывшем расплаве, находятся в одинаковых условиях для отвода...

Номер патента: 2003208

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Лебедев, Шнитников

МПК: H01L 29/06

Метки: диод, ограничительный, полупроводниковый

...время пролета т носителей заряда через обедненную область было мало посравнению с периодом Т СВЧ колебаний: т =О,1; Т = 1/Т. С учетом дрейфового характера движения носителей при высоком уровне мощности можно записать в случае 5 В/5В/4: т = ЧЧ 4/Чз, где Ч - дрейфоваяскорость. При использовании кремния име- ем 10В/4() = (4) Толщина базы В/ предложенного диодавыбирается иэ соображений малых вносимых потерь в режиме низкого уровня мощ ности и большой рабочей мощности врежиме ограничения, но не оказывает влияния на величину постоянного токаспоэтому целесообразно наложение условия 40 В/1 ) (5 - 10) В/4. (б) Увеличение толщины В/1 сверх указанного предела влечет эа собой рост времени восстановления, а также (при неизменной толщине В/4)...

Номер патента: 2003209

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Абрамов, Тагунов

МПК: H01P 1/165

Метки: вращатель, поляризации

...где Л- длина волны в свободном пространстве; я - относительная диэлектрическая проницаемость упомянутого диэлектрического стержня, образующего с прилегающими к нему частями внешнего проводника бесконтактные драссельные соединения. При этом диэлектрический стержень жестко скреплен с указанным отрезком внешнего проводника коаксиальнай линии и связан через него с валом привода, а концы диэлектрического стержня образуют с неподвижными частями внешнего проводника коаксиальнай линии подшипники скольжения.В заявленном устройстве вращение излучающего зонда осуществляют путем вращения отрезка коаксиальной линии. При этом вращающаяся часть внутреннего проводника, жестко скрепленная с излучающим зондом, и вращающаяся часть внешнего проводника...

Номер патента: 2003210

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Маринов

МПК: H01P 1/18

Метки: дискретный, фазовращатель, широкополосный

...4 - фазочастотные характеристики фазовращателя на 90 в зависимости от величин активных сопротивлений в П-образном контуре; на фиг. 5 - зависимость амплитудно-частотных характеристик фазовращателя на 90 от величин активных сопротивлений.Широкополосный дискретный фазовращатель (фиг. 1) содержит первый и второй однополюсные двусторонние переключатели 1 и 2, входные плечи которых являются соответственно входом и выходом фазовращателя, к одним их выходным плечам подключен своими концами первый отрезок линии передачи 3, электрическая длина которого на средней частоте рабочего диапазона частот фазовращателя превышает величину управляемого фазового сдвига на четверть длины волны, а между другими выходными плечами включен второй четверть-...

Номер патента: 2003211

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Маринов

МПК: H01P 1/18

Метки: дискретный, фазовращатель, широкополосный

...широкополосного дискретного фазовращателя на 180 О; на фиг, 2 - принципиальная схема фазовращателя, в котором элементы с, активным сопротивлением реализованы в виде полевых транзисторов; на фиг. 3 - схема фазовращателя, в котором однополюсные двусторонние переключатели выполнены на основе переключающих полевых транзисторов, а элементы с активным сопротивлением, соединяющие боковые поперечные участки П-образного контура с землей, реализованы в виде полевых транзисторов, созданных в том же кристалле монолитной интегральной схемы, что и переключатели; на фиг. 4 - расчетные фазочастотные характеристики фаэовращателя в зависимости от величин активных сопротивлений. Характеристики получены с помощью численного моделирования на...

Номер патента: 2003212

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Белов, Дивакова

МПК: H01Q 1/38

Метки: антенна, микрополосковая

...линий, один из которых заземлен. Это обеспечивает хорошее согласование входного сопротивления антенны и волнового сопротивления питающей линии в широком диапазоне частот.На чертеже приведен вариант конструкции предлагаемой микрополосковой антенны.Микрополосковая антенна содержит излучатель 1 в виде незамкнутой микрополосковой линии, средняя линия которой имеет выпуклую форму. Один из концов микрополоскового излучателя 1, расположенного на подложке 2, заземлен. К точке 3 5 10 15 20 25 30 запитки подведена питающая линия (не показана), Длины отрезков 4 и 5 микрополоскового излучателя 1 от точки 3 запитки до его концов находятся в соотношении12 11 =й8 ГЕ ф где Ло - рабочая длина волны;Еэф - эффективная...

Номер патента: 2003213

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Петров

МПК: H02H 3/16

Метки: замыкания, защиты, землю, однофазного, переменного, сети, электрической

...напряжения выполняют функцию питания электрической схемы устройства защиты двуполярным напряжением+Оп и-Оп при появлении на их входах напряжения Оо, т.е. при 033. Стабилизаторы могут быть реализованы с помощью простой схемы эмиттерного повторителя,При включении питания в электрической схеме устройства защиты протекает переходный процесс. В результате в течение примерно одного периода промышленной частоты на выходе релейного усилителя появляется выходной сигнал, вследствие чего может сработать исполнительный орган. Для предотвращения этого имеется элемент запрета, который при подаче питания примерно на 0,01 с запрещает (блокирует) протекание тока в выходной цепи (по обмотке выходного реле) релейного усилителя. Фильтр низких частот...

Номер патента: 2003214

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Антонова, Василенко, Ивашов, Оринчев, Степанчиков

МПК: H02K 13/14

Метки: микродвигатель, помещениях, постоянного, работы, чистых, электрический

...получение постоянной скоростипри изменении выходной нагрузки. 45Минимальное количество узлов внешнего трения, отсутствие замкнутых (трудноочищаемых) полостей в обмотках, а такжепростота конструкции сводят к минимальной вероятность образования и скапливания загрязняющих микрочастиц износа, чтопозволяет использовать электрический микродвигатель постоянного тока в чистых помещениях.На фиг. 1 показан электрический микродвигатель постоянного тока для работы в чистых помещениях, общий вид; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.Электрический микродвигатель постоянного тока для работы в чистых помещениях содержит внешний 1 и внутренний 2 статоры, полый якорь 3, щетки 4 и коллектор 5 в виде набора коллекторных пластин 6, Полый якорь 3 выполнен в...

Номер патента: 2003215

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Ненад

МПК: H03C 1/60, H03C 5/00, H04B 1/04 ...

Метки: амплитудно-модулированных, боковыми, независимыми, полосами, сигналов, формирователь

...функции почти равны нулевым переходам последовательностей считываемых величин, возникающих при указанном циклическом считывании компонент Х и У. Поэтому сначала определяют нулевые переходы, затем формируют требуемую функцию, Произведение амплитудного сигнала А(т) и фазового сигнала и представляет собой требуемый ЗВ-сигнал.Вышеописанное функционирование осуществляется следующим образом. Оба независимых низкочастотных модулирующих сигнала МР 1 и МР 2 поступают на входы первого 5 и второго 13 образователей Гиль- берта и там раскладываются на свои ортогональные компоненты соответственно Х 1, У 1 и Х 2, У 2, первый 6 и второй 8 сумматоры, складывают соответствующие компоненты с соответствующей первой или второй несущей...

Номер патента: 2003216

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Шейн

МПК: H03F 1/32

Метки: полупроводниковый, усилитель

...транзистора, а другой вывод - с общей шиной,причем между точкой соединения резистора нагрузки и стабилитрона и базой первоготранзистора введен резистор обратной связи, а второй вывод двухполюсника соединенс второй шиной питания.На фиг. 1 изображена электрическаясхема выполнения и подключения усилителя; на фиг, 2 - графики режимов работыусилителя и его элементов.мы. 1983, с. 161, рис. 5.2, с. 182, рис, 5.15 а.50 Степаненко И.П, Основы теории транзисторов и транзисторных схем, 1973, с. Полупроводниковый усилитель содержит элементы, представленные на фиг. 1 совместно с устройством электропитания, резистором нагрузки и источником входного сигнала, подключенными к усилителю при помощи разборных контактных соединений.На фиг, 1 показаны...

Номер патента: 2003217

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Исаков, Попов, Соколов, Ясюкевич

МПК: H03F 3/50

Метки: повторитель, эмиттерный

...генератор тока 3 с шиной питания 8 и непосредственно с базой транзистора 2, эмиттер которого соединен с выходной шиной, отражатель тока 4, первый и второй выводы которого соединены соответственно с коллектором транзистора 1 и 5 со второй шиной питания 9, транзисторы 6и 7 и отражатель тока 5, первый вывод которого соединен с коллектором транзистора 2, второй - с шиной питания 8 и коллектором транзистора 6, база которого соединена с 10 третьими выводами отражателей тока 4 и 5и с базой транзистора 7, коллектор которого соединен с шиной питания 9, змиттер - с эмиттером транзистора б и выходной шиной, при этом тип проводимости транзисто ров 1 и 7 отличается от типа проводимоститранзисторов 2 и 6.Предлагаемое устройство работает следующим...

Номер патента: 2003218

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Чистозвонов

МПК: H03G 11/00

Метки: двусторонний, ограничитель

...выражение (2) принимает видЙн 1 о 1 оОвыхд 1 = - 1 мЗ 1 П(аГССОЗ -- 1 а ГССОЗЗ - , (3)Л 1 и 1 м 40 а для сигнала типа "меандр"ОвыхД 1 е (4) где 1 м - амплитудное значение тока входного сигнала.При симметричном ограничении входного сигнала, с учетом малости базовых токов первого и четвертого транзисторов 1 и 4 передаточные характеристики по выходу Д 2 аналогичны характеристикам по выходу Д 1. При этом продетектированное напряжение сигнала нэ выходе Д 2 имеет противоположную полярность и привязано к уровню напряжения питания.Постоянная времени установления напряжения на выходе Д 1 (Д 2) определяется фОРМУЛой Т= ВнСн, ГДЕ Вн И Сн - СООТВЕТСТ- венно полное активное сопротивление и полная емкость нагрузки в коллекторной цепи третьего...

Номер патента: 2003219

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Васильев, Фурман

МПК: H03K 3/53

Метки: генератор, импульсный, магнитный

...последовательно подключенными к нему конденсатором 6 и дросселем насыщения 9 входное звено генератора. К общей точке соединения конденсаторов 5, 6 и вторичной обмотке импульсного трансформатора 4 подключена балластная индуктивность 12 системы размагничивания, запитываемая током размагничивания от источника постоянного тока 13. Величина 40 балластной индуктивности 12 выбирается из расчета, чтобы она существенно не шунтировала конденсатор 6 во время его зарядки,Магнитный импульсный генератор содержит несколько звеньев сжатия, каждое из которых имеет дроссель насыщения Ю, 11, которые как и дроссель насыщения 9 входного звена выполнены в виде тороидальных ферромагнитных сердечников, охваченных намагничивающими витками. К внешним выводам этих...

Номер патента: 2003220

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Стеценко

МПК: H03K 4/02

Метки: ступенчатого, формирователь

...К 1 01, где 01 - напряжениена входной шине 10 устройства, а К 1 - коэффициент передачи по второму входу сумматора 7. При этом конденсатор 49 черезмалое вь 1 ходное сопротивление сумматора7 через замкнутый ключ 48 заряжается донапряжения К 1 01,Параметры схемы запоминающего элемента выбраны так, чтобы выполнялись соотношенияЯСт (1)Явх СТ Р)где й) - выходное соп ротивление сумматора7;С - емкость запоминающего конденсатора в запоминающих элементах 4, 5, 6;т - длительность управляющего импульса;Ввх - входное сопротивление согласующего усилителя.в запоминающих элементах4, 5, 6;Т - период повторения цикла работыустройства.При выполнении неравенства (1) напряжение, до которого заряжается конденсаторзапоминающего элемента, не зависит от...

Номер патента: 2003221

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Иваницкий, Чкалов

МПК: H03K 4/06

Метки: генератор, треугольного

...прочих равных условиях, чем больше А. Но увеличение А за счет каскадного включения двух и более ОУ снижает увеличения его петлевого усиления.Целью изобретения является повышение линейности и симметричности выходного напряжения генератора путем увеличения стабильности тока, переэаряжающего конденсатора, без снижения устойчивостии интегратора.Для достижения укаэанной цели в генераторе треугольного напряжения, содержащем инвертирующий интегратор, состоящий из операционного усилителя, конденсатора и резистора. причем конденсатор включен между выходом операционного усилителя, являющимся выходом интегратора и генератора, и одним выводом резистора, и компаратор, вход которого соединен с выходом и выход - с входом интегратора, в интегратор...

Номер патента: 2003222

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Лисенков, Немировский, Синкевич

МПК: H03K 4/08, H03K 4/50

Метки: генератор, пилообразного

...дин р-и переход, управляемый сигналом запуска(а не два, как в прототипе).Предлагаемый генератор пилообразного напряжения отличается от прототипа наличием дополнительных элементов и связей, что свидетельствует о соответствиипредлагаемого технического решения критерию изобретения "новизна".Следует отметить, что вновь введенныеэлементы широко известны и каждый в отдельности выполняет в предложенном устройстве традиционно присущие емуфункции. Вместе с тем, за счет новых указанных выше связей эти элементы обеспечивают уменьшение задержкиформирования пилообразного сигнала относительно сигнала запуска, т.е. в конечном итоге вновь введенные элементы придают заявленному устройству новое, не вытекающее впрямую из их известных свойств, свойство,...

Номер патента: 2003223

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Ларионов

МПК: H03K 5/01, H03K 5/153

Метки: импульсном, подавления, помех, сигнале

...напряжения с выхода компаратора 8, что свидетельствует о выполнении условия40 К 1КО/2; (2)в противном случае дешифратор 5 вырабатывает двоичный код 10.Третий вход дешифратора 4 (5) имеетприоритет над первым и вторым входами, а 45 первый вход - над вторым входом.Тактирующий сигнал, поступающий через входную шину 2 на вход синхронизации дешифратора 4 (5), синхронизирует по срезу импульсов его работу во избежание гонок 50 фронтов между выходом и входом счетчика14 (15).), 7Вы ражеТсч ( СГ ТС 4 ТсчтО И т 1 ПОЛК 1 8, (8) в (19) и (7)ТЬ40 двух полуцгде 8 и М - скорости роста линейно нараста- то и т 1:ющего кода КО (К 1) соответственно для слу)2 К 2+К 2 2 М), К 2В)2, К 2+К 2 2, К 2чая, когда код КО (К 1) меньше кода К 1(КО) и Условие...

Номер патента: 2003224

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Галкин, Грибок

МПК: H03K 5/153

Метки: импульсов, одиночных, формирования

...оказываются единичные сигналы, что приводит к формированию на выходах этих элементов нулевых сигналов.Таким образом, все выходные сигналы элементов устройства в начальный момент определены.При воздействии помехи по шине 19 в промежуток времени между то и О никакой реакции устройства не наблюдается, выходной сигнал ни у одного из элементов не меняется,В момент т начала импульса на шине 18 на обоих входах элемента И - НЕ 16 оказываются единичные сигналы, что приводит к появлению на его выходе нулевого сигнала, который формирует единичный сигнал на выходе нулевого сигнала, который формирует единичный сигнал на выходе элемента И - НЕ 5 и переключает триггер 7, при этом на выходе элемента И - НЕ 9 появляется единичный сигнал, а на выходе...

Номер патента: 2003225

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Гарифуллин

МПК: H03K 5/153, H03K 5/26

Метки: компаратор, частотный

...с каналом входного сигнала, выход первого одновибратора соединен с входом сброса второго одновибратора, выход которого соединен каналом выходного сигнала.В качестве одновибраторов с повторным запуском можно испольэовать одновибраторы микросхемы К 564 АГ 1, причем 5 10 15 20 25 30 35 40 первый и второй одновибраторы должны быть включены одинаково, т.е. оба одновибратора срабатывают либо по нарастающему, либо по спадающему перепаду входного сигнала. В качестве примера описания работы частотного компаратора используется вариант срабатывания одновибраторов по нарастающему перепаду импульса, Вход сброса первого одновибратора микросхемы К 564 АГ 1 не используется.Принцип действия частотного компаратора основан на сравнении периода входного...