Эмиттерный повторитель

ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ТЕ вляетпутем ся вверы 1 и илизи дов Ю.М.; Ясюкеви институт быторадру валяет ость и ЕЛЬэлектротехнике иектронных схемах Комитет Российской Федерации по патентам и товарным знакам(71) Шахтинский технологический институт бытового обслуживания(73) Шахтинский технологическийвого обслуживания(57) Изобретение относится кможет быть использовано в эп(51) 5 НОЗРЗ 50 различного назначения. Целью изобетения я ся увеличение точности и повышение КПД снижения токопотребления, Цепь достигает дением в устройство, содержащее транзисто 2 различного типа проводимости, токостаб рующий двухпопюсник Э, повторитель тока полнительного повторителя тока 5, транзис такого же типа проводимости и транзистора гого типа проводимости. Устройство поз увеличить статическую и динамическую точн повысить КПД. 2 ил.Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электронных схемах различного назначения.Известно устройство, содержащее три транзистора, повторитель тока, токостабилизирующий двухполюсник, причем входной сигнал подается на базу первого транзистора, а выходной снимается с его амиттера,Недостатком данной схемы является низкая точность, так как разность входного и выходного напряжений не может быть меньше 0,60,8 В,Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство, содержащее первый транзистор, база которого соединена с входной шиной, эмиттер - через генератор тока с первой шиной питания и непосредственно с базой второго транзистора, эмиттер которого соединен с выходной шиной, первый отражатель тока, первый и второй выводы которого соединены соответственно с коллектором первого транзистора и со второй шиной питания.Недостатком данной схемы является большой ток потребления и невысокая точность,Целью изобретения является увеличение точности и повышение КПД путем снижения токопотребления.Цель достигается тем, что в устройство, содержащее первый транзистор, база которого соединена с входной шиной, эмиттер - через генератор тока с первой шиной питания и непосредственно с базой второго транзистора, эмиттер которого соединен с выходной шиной, первый отражатель тока, первый и второй выводы которого соединены соответственно с коллектором первого транзистора и со второй шиной питания, введены третий и четвертый транзисторы и второй отражатель тока, первый вывод которого соединен с коллектором второго транзистора, второй с первой шиной питания, и коллектором третьего транзистора, база которого соединена с третьими выводами первого и второго отражателей тока и с базой четвертого транзистора, коллектор которого соединен со второй шиной питания, змиттер- с эмиттером третьего транзистора и с выходной шиной, при этом тип йроводимости первого и четвертого транзисторов отличается от типа проводимости второго и третьего транзисторов.На чертеже изображена схема заявляемого устройства.Устройство содержит транзистор 1, база которого соединена с входной шиной, эмиттер - через генератор тока 3 с шиной питания 8 и непосредственно с базой транзистора 2, эмиттер которого соединен с выходной шиной, отражатель тока 4, первый и второй выводы которого соединены соответственно с коллектором транзистора 1 и 5 со второй шиной питания 9, транзисторы 6и 7 и отражатель тока 5, первый вывод которого соединен с коллектором транзистора 2, второй - с шиной питания 8 и коллектором транзистора 6, база которого соединена с 10 третьими выводами отражателей тока 4 и 5и с базой транзистора 7, коллектор которого соединен с шиной питания 9, змиттер - с эмиттером транзистора б и выходной шиной, при этом тип проводимости транзисто ров 1 и 7 отличается от типа проводимоститранзисторов 2 и 6.Предлагаемое устройство работает следующим образом. При появлении положительного приращения входного напряжения 20 ток коллектора транзистора 1 уменьшается,ток коллектора транзистора 2 увеличивается. одновременно возникает ток базы транзистора б, при этом ток нагрузки увеличивается. При появлении отрицатель ного приращения процесс происходит наоборот.Разность напряжений между входом ивыходом определяется разностью напряжений база - эмиттер транзисторов 1 и 2, кото рая зависит от отношения их токовколлекторов;ЬОэБ = щтп( - )+ ЛОтехн, (1)1 о1 югде Й 3 эв - разность напряжений эмиттер - база; 1 к - ток коллектора 1-го транзистора; ут - температурный потенциал (при 20 Срт = 25 мВ); Л Отехн - технологический раз-. брос ( й 3 техн= 1 ,5 м В).Приращение тока коллектора транзистора 2 определяется как1 кг р-,(2) где 1 н - приращение тока нагрузки; Кб - коэффициент передачи отражателя тока 5; приращение тока коллектора транзистора 1 равно:Рк 4(3)где К - коэффициент передачи отражателя тока 4; - коэффициент усиления тока каскада на транзисторах 6 и 7, Следовательно разность напряжений вход - выход равна;1 к К 455Щ = срт(п( - ) = р тп( - ). (4)кг К 5Подставив в (4) реальные значения коэффициентов передачи отражателей тока можно определить, что разность приращений входного и выходного напряжений не превышает 34 мВ.. 2003217 1 нвдх = 13 32 (об + 1)1 нпздх 13 ф 7В то же время у прототипа эта разностьравна ЛО = рт 1 п(, ), (5) где Р 2 - коэффициент передачи тока второго транзистора и может составлять сотни милливольт,Максимальный ток нагрузки для предлагаемого устройства составляет Формула изобретенияЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ. содержащий первый транзистор, база которого соединена с входной шиной, эмиттер через генератор тока - с первой шиной питания и непосредственно с базой второго транзистора, змиттер которого соединен с выходной шиной, первый отражатель тока, первый и второй выводы которого соединены соответственно с коллектором первого транзистора и второй шиной питания, отличающийся тем, что, с целью повышения точности при одновременном повышении КПД, в него введены третий и где 13 - ток генератора тока 3; ф - коэффициент передачи тока 1-го транзистора, в то время как у прототипа1 нвах = 13 ф5 1 нщах = 13Таким образом, при одинаковых токахнагрузки токопотребление предлагаемого устройства более чем на порядок ниже, чем у прототипа, а точность в 30100 раз выше.10(56) Патент США М 4103871, кл. Н 03 Г 3/50, 1976. 15четвертый транзисторы и второй отражатель тока, первый вывод которого соединен с коллектором второго транзистора,второй - с первой шиной питания и с кол лектором третьего транзистора, база которого соединена с третьими выводами первого и второго отражателей тока и с базой четвертого транзистора, коллектор которого соединен с второй шиной питания, 25 эмиттер - с эмиттером третьего транзистора и выходной шиной, при этом тип проводимости первого и четвертого транзистора отличается от типа проводимости второго и третьего транзисторов.30