Патенты опубликованные 23.10.1985

Страница 38

Кольцевой лазер

Загрузка...

Номер патента: 698468

Опубликовано: 23.10.1985

Автор: Сардыко

МПК: H01S 3/083

Метки: кольцевой, лазер

...этот лазер нельзя испольэовать в области оптимальных расстроек вблизи центра контура усиления. чено продольное магнитное поле, которое накладывается на магнитооптический элемент,Активный элемент выбран изотропным по поляризации. Магнитооптический элемент характеризуется тем, что обладает магнитным круговым дихроизмом, который не имеет дис. персии в частотной области генерации лазера. Он может быть изготовлен из граната, стек. ла, активированного редкоземельными элемен. тами, ферромагнитными материалами и т.д, Элемент 9 изготовлен из вещества, обладаю. щего естественной или индуцированной с помощью внешних полей линейно.фаэовой анизотропией. Четвертьвалновые пластинки 6 и 7 ориентированы таким образом, что их одноименные оптические...

Устройство испарительного охлаждения металлургических агрегатов

Загрузка...

Номер патента: 293440

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Андоньев, Белецкий, Гольдин, Пустовар, Сомченко

МПК: C21B 7/10

Метки: агрегатов, испарительного, металлургических, охлаждения

...цнклонныевуаром залапитки воды ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ293440 Техред З.Палий Корректор И. Эрдейи едэктор Л. Утехина Тираж 552 ВИИИЛИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж - 35, Раушская набд.22/2 сное Филиал ППП "Патент, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 Известно устройство для испарительного охлаждения металлургических агрегатов, вклю чающее сепараторы, охлаждаемые элементы, подъемные и опускные трубы, коллекторы пара и воды. В известном устройстве на каждом циркуляционном контуре установлен отдельныи бак.сепаратор.В предлагаемом устройстве, с целью повышения степени отделения пара от воды и уменьшения металлоемкости устройства, на циркуляционных контурах установлены цнклонные сепараторы,...

Способ усиления излучения в резонансно-поглощающей среде

Загрузка...

Номер патента: 766501

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Апанасевич, Афанасьев

МПК: H01S 3/10

Метки: излучения, резонансно-поглощающей, среде, усиления

...так и в случаевырожденного взаимодействияПри доЮсусиление обусловлено нестационарными переходными процессами.Недостатком этого способа в случаевырожденного взаимодействия является мальй диапазон длительностей(СТР световых потоков, используемых для усиления. Это обусловлено тем, что в области большихдлительностей 7 Русиление слабого излучения оказывается возможным только на смещенной частоте,а соответственно при ш ц наблюдается ослабление слабого потока,Целью изобретения является расширение диапазона длительности световых потоков, используемых для усиления, что даст возможность усиливать слабые оптические сигналь нд несмещенной частоте практически при любой длительности вэаимоГ ( 2 К,Ч сои Е с ,66,20 25 30 Ы"- + - +С у 3 766...

Способ очистки молибдени вольфрамсодержащих растворов электродиализом

Загрузка...

Номер патента: 479376

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Борисов, Глазкова, Зеликман, Калинина, Мякишева, Смирнова

МПК: C22B 34/30, C25C 1/06

Метки: вольфрамсодержащих, молибдени, растворов, электродиализом

...при плотности тока 150 - 250 А/м,температуре 30-35 С, линейной скорости по.тока 3 - 3,5 см/с. ЮЭто позволяет повысить степень очисткирастворов вольфрамата и молибдата аммонияот примесей металлов,Способ заключается в следующем.В растворах, содержащих молибден и вольфрам, а также примеси Си, Хп, Ре, %, поддействием тока происходит направленное движение катионов и анионов соответственночерез катионообменную и анионообменнуюмембраны, В результате концентрирующие раст 3 пворы содержат до 96 - 97% Мо и 0,01% Си,а примесей и щелочных металлов не было обнаружено. В обессоленном растворе молибдена остается до 3 - 4%, примесей также не об.на ружено.П р и м е р 1. Исходные растворы мо.либдата аммония готовят выщелачиванием огарка...

Электронный плотномер

Загрузка...

Номер патента: 1056726

Опубликовано: 23.10.1985

Автор: Сорокин

МПК: G01N 23/22, G01N 9/24

Метки: плотномер, электронный

...цилиндра 33 с двумя отверстиями 34 в стенках, оси которых лежат в разных диаметральных плоскостях цилиндра, но в одной плоскости с общей осью отверстий 19. Синхронизатор коррекции 35 соединен с блоком регулирования отношения коэффициентов передачи трактовс ФЭУ и устройством 36 перемещениякорректирующего поглотителя на торецколлиматора, выполненного в видеповоротного диска с электромеханическим приводом, на котором постоянно закреплен корректирующий поглотитель 8 и временно фиксируютсяконтролируемые образцы,Устройство работает следующим об"разом, 1056726В момент излучения бетатронакак в рабочем цикле контроля плотности объектов, так и в рабочем циклекоррекции электроны проходят по трак 5ту формирования 2 и каналу коллиматора 4 на объект...

Композиция для получения пенопласта

Загрузка...

Номер патента: 533318

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Валгин, Митрофанов, Мурашов, Новак

МПК: C08J 9/06

Метки: композиция, пенопласта

...конденсации парафенолсульфокислоты сформальдегидом и выливают в форму,имеющую в разрезе профиль трапеции, 20расширенный кверху. Полученный пенопласт полностью заполняет форму.В разрезе он имеет тонкую однородную структуру (отсутствуют каверныи раковины), При использовании в 25качестве вспенивающего агента фреонапенопласт неполностью заполнял форму (не были заполнены верхние углы формы) из-за недостаточнойтекучести композиции и имел в раэре- Зозе раковины и каверны общей площадьюдо 10 ЕеП р и м е р 2, Смесь, состоящую из 100 мас.ч. жидкого резола ,2 мас.ч. продукта ОП, 10 мас.ч.охры и 8 мас.ч, вспенивающего агента, включающего 4 вес.ч. фреона -11и 4 вес.ч. четыреххлористого углерода, тщательно смешивают с 35 мас.чс сульфированной...

Устройство измерения длительности сгустка заряженных частиц циклотрона

Загрузка...

Номер патента: 1111672

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Ваганов, Васильев, Гордин

МПК: H05H 13/00, H05H 7/00

Метки: длительности, заряженных, сгустка, циклотрона, частиц

...и с входом интервалапреобразования устройства. Выходырегистра памяти подсоединены квходам разрядов установочного счетчика, счетный вход которого подключен к выходу генератора ста-.бильной частоты, а выход - к входузаписи и к первому входу второгологического элемента И, второй входкоторого связан с выходом первогостробоскопического преобразователя. Выход второго логического элемента И подсоединен к счетному входу второго счетчика, выходы разрядов которого соединены с шинамичтения регистра памяти,Принцип действия устройства измерения длительности сгустка заряженных частиц циклотрона заключается в том, что в реальном масштабе времени измеряется преобразованный с помощью стробоскопического преобразователя эталонный временной интервал....

Блок оптического считывания информации для оптического ассоциативного запоминающего устройства

Загрузка...

Номер патента: 917644

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Вербовецкий, Федоров

МПК: G11C 11/42

Метки: ассоциативного, блок, запоминающего, информации, оптического, считывания, устройства

...инфор мации (БОСИ) для ОАЗУ содержит матрицу волоконных световодов (МВС) 2,растровую матрицу цилиндрических линз 3, цилиндрический коллективныйг объектив 4, цилиндрический проекционный объектив 5 и матрицу фотоприемников 6.МВС 2 преобразует, например, любое выходное изображение ОАЗУ 1 в растр параллельных или гомоцентрических ,пучков, оси которых параллельны оптической оси блока, либо осуществляет проецирование любого выходного изображения ОАЗУ 1 на растровую матрицу цилиндрических линз 3.Растровая матрица цилиндрических линз 3, например, преобразует падающие на нее гомоцентрические пучки в параллельные и осуществляет фокусировку блоков пучков и отдельных пучков во взаимно ортогональных плоскостях. В случае падения на матрицу 3...

Устройство для очистки природного и попутного газа от жидких и твердых включений

Загрузка...

Номер патента: 830688

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Бурных, Евтушенко, Слесарев, Сорока

МПК: B01D 45/12

Метки: включений, газа, жидких, попутного, природного, твердых

...газа и включений, размещенными соответственно в верхней и нижних частях корпуса-коллектора.Недостатком этого устройства являются большие габариты и невысокая35 степень очистки газа.С целью повышения эффективности очистки газа устройство для очистки природного и попутного газа от жидких и твердых включений, содержащее корпус-коллектор, выполненный с патрубками отвода очищенного газа и включений, размещенные соответственно в верхней и нижней частях45 корпуса-коллектора патрубки отвода включений смещены относительно патрубков отвода газа на половину диаметра. 50Кроме того. корпус снабжен козырьками и отбойниками, размещенными над патрубками отвода включений .и под патрубками отвода газа, при этом длина козырьков и отбойников боль...

Ворота промышленных зданий

Загрузка...

Номер патента: 774304

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Эльянов, Якушев

МПК: E06B 3/00

Метки: ворота, зданий, промышленных

...что приводит к охлаждению помещений в районе ворот.Наиболее близкими к изобретению являются ворота промышленных зданий, включающие обрамление, нижнюю. раму с боковыми стойками, обшивку, закрепленную на раме и стойках, уплотнения притворов и вентиляционную установ-ЫТеплозащита помещений от проникно вения холодных потоков наружного воздуха такими воротами также недостаточна.Для повышения теплозащитных качеств за счет создания воздушной завесы притворов в воротах промьппленных зданий; включающих обрамление, нижнюю раму с боковыми стойками, обшивку, закрепленную на раме и стойках, уплотнения притворов и венти,ляционную установку, в нижней раме и боковых стойках образованы воэдуховоды с отверстиями, а в обшивкевыполнена камера, в которой...

Дигидроксивиннокислый теллур в качестве компонента электролитов теллурирования для получения блестящих теллуровых покрытий и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 1061421

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Абраров, Бигелис, Парманов

МПК: C07C 165/00, C25D 3/02

Метки: блестящих, дигидроксивиннокислый, качестве, компонента, покрытий, теллур, теллурирования, теллуровых, электролитов

...меньших плотностях, чем30 мА/см 2, вести электролиз невыгодно из-за значительного уменьшенияскорости образования синтезируемоготеллурового комплекса. Температура40-60 С устанавливается непосредственно в процессе электролиза, В принципе предел температуры не играет существенной роли. Соотношениеобьемов анолита и католита и электродов 5 лимитируется тем, что в маленьких объемах католита и на больших катодах наблюдается бурное выделение газов, разогрев и выделение НТе, образование которого ведет к загряз нению раствора коллоидным Те и умень.шению выхода продукта. Поэтому диафрагма необходима для отделения катодного и анодного пространства:П р и м е р 1. Приготовляют вод ный раствор следующего состава: 0,1 М Н,БО 4 + 2 М С 4 Н 606 в...

Способ количественного определения концевых гидроксильных групп в сложных ароматических полиэфирах

Загрузка...

Номер патента: 594812

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Емелин, Лепина

МПК: G01N 21/75, G01N 31/00

Метки: ароматических, гидроксильных, групп, количественного, концевых, полиэфирах, сложных

...к раствору полимера той же концентрации, В этом случае на кривой зависимости оптической плотности (Э) от Я также наблюдается.,четкий максимум (кривая 1).Сущность способа заключается в следующем,Навеску полимера 0,1 - 0,5 г (в зависимое. ти от предполагаемого содержания ОН-групп) ( помешают в мерную колбу на 100 мл и растворяют в хлороформе. После полного растворения навески 40 мл раствора переносят в делительную воронку и приливают туда 10 мл 20 - 25%-ного раствора ЦАН в 0,01 н. ННОЕ (водной) и 7 мл концентрированной ("15 н.) НАВОЗ. Содержимое во. ронки встряхивают и оставляют на 5 - 10 мин, После расслоения нижний хлороформный слой сливают в коническую колбу, приливают 10 мл диметилсульфоксида, перемешива. ют и после выдерживания в...

Устройство для укладки пленочного покрытия на земляное полотно

Загрузка...

Номер патента: 833018

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Дивин, Самарина, Самохин

МПК: E01B 27/11

Метки: земляное, пленочного, покрытия, полотно, укладки

...под углом 45 к упомянутой оси машины.На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг.2 -то же, вид сзади; на фиг. 3 - разрезА-А на фиг. 1. Рабочий орган для укладки пленочного материала на земляное полотно со держит базовую машину 1, польм нож 2, установленный под рельсошпальной решеткой и закрепленный на раме 3 при помощи основных полых стоек 4, расположенных с обеих сторон от оси . машины, и питатели 5 пленочного материала. В полостях ножа 2 и стоек 4 установлены направляющие 6-8. Впереди основных стоек 4 на раме 3 установлены дополнительные полые стойки 9 с подсоединенными к ним консольными полыми ножами 10.Дополнительные полые стойки 9 смещены относительно основных стоек 4 к продольной оси ,базовой машины на величину...

Координатное устройство для проекционной печати

Загрузка...

Номер патента: 1063210

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Зайцев, Кадомский, Кужелев, Онегин, Плавинский, Почкаев, Райхман, Свидельский, Чухлиб

МПК: G03B 27/32

Метки: координатное, печати, проекционной

...фотоприемным блоком, установленными на основании, при этом штрихи дифракционных решеток ориентированыперпендикулярно плоскости перемещения координатного стра.На фиг. 1 схематически показанопредлагаемое координатное устройство;на фиг. 2 - ход лучей в одном из датчиков перемещения, вид сбоку; на 2 бфиг. 3 в . ход лучей, вид сверху,Координатное устройство содержиткоординатный стол 1 с установленнымина.нем прозрачными одномерными дифракционными решетками 2, 3, 4, уголковые отражатели 5, 6, 7, фотоприем"ные блоки 8, 9, 10 и осветители 11,12, 13. Координатный стол 1 несетфотопластину 14 и имеет воэможностьперемещаться вдоль координатных ЭОосей Х, У и поворачиваться по углучна рабочей поверхности основания 15.Отражатели 5, 6, 7,...

Способ определения стартового состояния двухсекционного ядерного реактора

Загрузка...

Номер патента: 1064785

Опубликовано: 23.10.1985

Автор: Колесов

МПК: G21C 7/08, G21C 7/34

Метки: двухсекционного, реактора, состояния, стартового, ядерного

...способовявляется большая длительность и невысокая точность процедуры поискатребуемого стартового состояния.Цель изобретения - ускорение иповышение точности определения стартового состояния,Поставленная цель достигаетсятем, что по способу определения стартового состояния двухсекционногоядерного реактора, заключающемусяв том, что в секции помещают вспомогательный источник нейтронов, изменяют положение блоков БРР, определяют интенсивности и интегралы делений в секциях, вспомогательный источник нейтронов помещают в одну изсекций, изменяют положение БРР другой секции, определяют отношениеинтенсивностей интегралов делений вкаждой секции и фиксируют положениеэтого блока при заданном значенииотношения интенсивностей или интегралов делений, а...

Способ разделения встречных волн в кольцевом лазере

Загрузка...

Номер патента: 716480

Опубликовано: 23.10.1985

Автор: Сардыко

МПК: H01S 3/083

Метки: волн, встречных, кольцевом, лазере, разделения

...Элемент, обладающий естественным круговым дихроизмом, создаетн резонаторе лазера два уровня потерьравной величины для излучения,поляризованного по правому и левомукругу. Уровни потерь для правой илевой круговых поляризаций волныв одном из направлений распространения совпадают с уровнями потерь длялевой и правой круговых поляризаций (в системе координат, связаннойс первой волной) соответственно вовстречном направлении распространения. Элемент 5 выбран таким, чтобыуровень потерь был меньше коэффициента усиления на каждом активномэлементе только для волны с однойкруговой поляризацией (левой дляволны, направленной по часовойстрелке). Этот уровень потерь показан на фиг,2.Таким образом, при включении только одного активного элемента б...

Способ получения слоев тройного полупроводникового соединения

Загрузка...

Номер патента: 1123467

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Георгобиани, Грузинцев, Дону, Спицын, Тигиняну

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводникового, слоев, соединения, тройного

...слоя образующегося тройного соединения СЙСа,Б 4, ПриТ ( 693 К процесс "залечивания" радиационных дефектов идет крайне медленно, и .и-этому требуется время отжига1800 с, Если проводить отжигменее 600. с, то решетка нового соеинения не успевает упорядочиться.,.ля высоких температур отжига Т753из подложки СЙБ начинается улетучивание кадмия и серы, а внедренный галлий диффундирует по всемуобъему подложки,. так что в поверхностном слое его становится недостаточно для образования СИСа Б 4.При дозах внедрения, меньших 10 " смв любой точке подложки СЙБ галлиянедостаточно для образования новоготройного соединения, а при дозах,больших 10 см 2, на поверхностиподложки образуется слой галлия,ухудшающий оптичеСкое свойствасистемы СЙСаБ-...

Способ получения жидких водных фенолформальдегидных новолачных смол

Загрузка...

Номер патента: 440887

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Валгин, Городецкая, Мурашов, Новак, Столярова

МПК: C08G 8/10

Метки: водных, жидких, новолачных, смол, фенолформальдегидных

...проводят щелочами либо основаниями. При применении оснований щелочноземельных металлов и серной кислоты, как катализатора конденсации, образуется соль, нерастворимая в продукте конденсации, и возможно удаление катализатора конденсации путем фильтрации смолы.Воду из смолы можно удалять любым способом, наиболее эффективна вакуум-сушка, обеспечивающая в конечном продукте оптимальное количество воды, т,е. 7,5-15 мас.%.По предложенному способу получают смолу - жидкость с вязкостью не выше 200 пауз при 20 С, слабымо запахом фенола и формальдегида. Она растворима в полярных органичес. ких растворителях и нерастворима в воде. Совмещается с различными наполнителями.Смола содержит, мас.%: свободного фенола 8-20, свободного формальдегида...