Патенты опубликованные 07.11.1981
Запоминающее устройство с самоконтролем
Номер патента: 879655
Опубликовано: 07.11.1981
МПК: G11C 29/00
Метки: запоминающее, самоконтролем
...сравнение, считанная информация поступает на выход устройства, Одновременно в каждом такте происходит считывание начально записанной информации из дополнительных накопителей 6 в регистры 7 и ее перезапись обратно по тем же адресам,Для осуществления этого условия дополнительные накопители 6 должны обладать большим быстродействием, чем накопители 1, а рлок управления 8 должен вырабатывать из сигнала запрос ЭВМ второй, сдвинутый во времени, запрос дополнительных накопителей 6. Возможно также использование в качестве дополнительных накопителей. БИС ОЗУ, в которых предусмотрен дополнительный режим работы считывание-модификация-запись.В. случае неисправности одного из накопителей 1 произойдет несовпаде5 879655 6ние информации хотя бы в одном...
Способ изготовления микропровода в стеклянной изоляции
Номер патента: 879656
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Елина, Кочержинский, Фирсов
МПК: H01B 13/06
Метки: изоляции, микропровода, стеклянной
...между каплей расплавленного металла и металлическим наконечником, из которого истекает струя кристаллизующей жидкости, образуется замкнутая электрическая цепь. Стеклянная оболочка микропрОвода в месте ее соприкосновения со струей находится в разогретом состоянии и потому обладает свой879656 замкнутая цепь, в которой протекаетпостоянный ток , величина которогоизмеряется микроамперметром 7, а падение напряжения, вызываемое этим током на сопротивлении 8, записываетсясамопишущим прибором 9, например,ОПП.Использование изобретения позволитнадежно обеспечить контроль постоян О ства диаметра микропровода в процессе его изготовления. Формула изобретения каз 9731/23 Тираж 787 Подписное ИИПИ П "Патент", г. Уж Проектная Фили ду ствами...
Резистивный материал
Номер патента: 879657
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Левкин, Макевнина, Проценко
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
...вес,йтПалладий 17,87-18,61Серебро 42;33-44,06Окись серебра 14,27-18,85Окись индия 7,06-7, 34Окись висмута 1,77-1,84Стеклосвязка 14,70-13,30.Для получения реэистивного материала были приготовлены три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.йтЗаказ 9731/23 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 415Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная 4 Каждую смесь приготовляли путемнеремешивания указанных компонентов,усреднения пятикратным просевом через капроновое сито с ячейками 65 мкмдобавления органической связки1,22 вес.Ж от веса порошковой композиции), состоящей из ланолина, вазелинового масла и циклогексанола, взятых в отношении 15:3:1, и...
Резистивный материал
Номер патента: 879658
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Капитонов, Коконбаев, Петров, Ташкулов
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
...количественном содержании компонентов, мас.ХМетилцеллюлоза 4,0-12,0 Хлорпреновый каучук 1,0-3,0.Диспергатор 0,1-1,0 Прокаленная тонкодисперсная сажа 3,0-5,0Вода Остальное Ниже приведены.конкретные примеры приготовления резистивных материалов предлагаемого состава с различным содержанием исходных компонентов с минимальным, средним и максимальным содержанием исходных компонентов.Приготавливали раствор метилцеллюлозы в воде, который после фильтрачастями вводили тонкодисперсную прокаленную сажу при работающей мешалке и перемешивали до достижения однородной массы.Полученную массу наносили на предварительно подготовленные керамические стержни (заготовки) соответствующих резисторам типа КЭВ для изучения электКоличество компонентов, .мас.%...
Магазин малых проводимостей переменного тока
Номер патента: 879659
Опубликовано: 07.11.1981
МПК: H01C 10/46
Метки: магазин, малых, переменного, проводимостей
...недокомпенсацию реактивной составляющей резисторов для набора проводимостей более 10 ф См либо перекомпенсацию проводимостей менее 1 0 См.Так как значительное увеличение ,частотной погрешности обуславливает,ся емкостъю между контактами переклю, чателя 2 и 10, то для уменьшения проходнойемкости и, соответственно, частотной погрешности между подвижным 2 и неподвижным 10 контактами переключателя (Фиг, 1, 3) вводится комбинированный экран 11 и 15, соединенный электрически с корпусом 3, Комбинированный экран состоит из неподвижной 11 и подвижной 15 металлических экранов- шторок с системой отверстий 17, 18 в них. На основании толкателя подвижного контакта 21 укреплен клиновидный упор 16 подвижной шторки.В выключенном состоянии контакты 2, 10...
Высоковольтный импульсный трансформатор
Номер патента: 879660
Опубликовано: 07.11.1981
МПК: H01F 19/08
Метки: высоковольтный, импульсный, трансформатор
...основании корпуса. 35 На фиг. 1 изображен высоковольтный импульсный трансформатор, фронтальная проекция; на фиг. 2 - то же, горизонтальная проекция.Высоковольтный импульсный транс.форматор содержит изоляционный тороидальный корпус 1 с окном, внутри которого поверх корпуса расположена первичная обмотка 2, вторичную обмотку 3, состоящую из секций, соединенных последовательно, и магнитопровод, состоящий из отдельных соосно расположенных кольцевых сердечников 4, закрепленных на изоляционном каркасе 5, высоковольтный ввод 6,55 причемвнутренняя поверхность корпуса 1, образующая окно, смещена относительно центральной оси корпуса,604изоляционный каркас 5 магнитопровода выполнен в виде изоляционного полу- цилиндра и расположен в узкой части...
Импульсный трансформатор
Номер патента: 879661
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Гавритенков, Емануилов, Ершов, Остроумова, Сазонов
МПК: H01F 19/08
Метки: импульсный, трансформатор
...Вторичная обмотка трансформатора выполнена в виде токо- проводящей пластины б с ответвлениями 7, 8 и 9 и представляет двухвитковую обмотку со средней точкой, Ответвления 7 и 8 отогнуты в одном направлении и охватывают сердечник 1 с обмотками 2 и 3. Вследствие этого ответвления 7 и 8 имеют согласно послебудет постоянное значение длительности импульса, передаваемой на выходтрансформатора, т.е. в этом случаетрансформатор выполняет функцию времязадающего элемента. 5Под действием напряжения О черезвитки вторичной обмотки трансформатора и мифистор М, сопротивление которого в замкнутом состоянии составляет0,015+0,025 Ом, протекает импульсный 10ток 3) длительностью Си,Под действием количества электричества З си, значение которого должно...
Электроиндукционное устройство
Номер патента: 879662
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Гельман, Русин, Чепарухин
МПК: H01F 27/28, H01F 38/02
Метки: электроиндукционное
...207. электрическая доб-.ротность, снижается на 20-253 пере грев обмотки, на 10-157 паразитная ем- кость Устройство работает следующим образом,30Каждый из слоев обмотки 1 в сущности эквивалентен магнитному листку,характеризуемому в произвольной точке пространства вдоль геометрическойоси тороида вектором напряженности35магнитного поляЯН =-тджх 1где 3 - вектор тока, протекающего вобмотке 1;Я - телесный угол, под которым40контур листка виден из точкинаблюдения.Направление вектора тока, а следовательно, и напряженности магнитного поля определяется, как следует из45приведенной формулы, направлением шага намотки. Поскольку конструкция обмотки 1 предусматривает противоположные направления шага. намотки в смежных слоях, то поле в верхнем...
Конденсатор с тепловой защитой
Номер патента: 879663
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Биленко, Лодгауз, Лясковский
МПК: H01G 2/14
Метки: защитой, конденсатор, тепловой
...состояния в металлическое, вызывающий закорачивание,электродов 5 и срабатывание управляющего элемента, отключающего участокцепи, содержащий конденсатор. Послеотключения температура внешней поверхности корпуса 1 снижается нижетемпературы фазового перехода, происходит обратный переход материала6 из металлического состояния в полупроводниковое. При этом электродыразмыкаются, и происходит включениеучастка цепи, содержащего конденсатор. Слой . диэлектрика 7, нанесенного на корпус 1, препятствует возможному замыканию электродов черезкорпус. Число зубцов электродов должно быть настолько большим, насколькоРлпозволяет техно%огня, так как с увеличением их числа возрастает вероятность срабатывания защиты при локальном перегреве...
Трехуровневый тонкопленочный неполярный конденсатор
Номер патента: 879664
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Лабунов, Можухов, Сокол, Уваров
МПК: H01G 4/10
Метки: конденсатор, неполярный, тонкопленочный, трехуровневый
...сквозное пористое анодное окисление слоя А 1, окисляя всю его толщину в участках, незащищенных фоторезистом и плотным анодным диэлектриком А 0 5, При этом формируется часть вспомогательного пористого анодного диэлектрика А 0 7, окружающего по периметру трехуровневую структуру. После этого, не снимая второй фоторезистивной маски, проводят еще одно электролитическое анодное окисление незащищенных участков, но уже в электролие для плотного анодирования, При этом происходит формирование слоев плотного анодного диэлектрика,13 за счет бокового анодного окисления А торцов нижнего электрода 2 и его контактной площадки 8, примыкающих к вспомогательному пористому анодному диэлектрику 7, и частичного заполнения пор элементарных ячеек пористого...
Накопитель сигналов
Номер патента: 879665
Опубликовано: 07.11.1981
МПК: H01G 9/22
Метки: накопитель, сигналов
...электроды накоротко и выдеРживая в таком состоянии несколько часов. После размыкания электродов разность потенциаловна клеммах равна нулю и накопительготов к работе, После зарядного лолуцикла разность потенциалов принимаетконечное значение (не выше 0,5 В) .В разрядном полуцикле ток пропускается до тех пор, пока разность потенциалов не упадет до нуля, В непрерывном режиме работы количество пропущенного при заряде электричества может быть определено по величине разности потенциалов электродов послеразмыкания цепи.П р и м е р 1. В цилиндрическуюформу из оргстекла последовательно за -прессованы первый электрод, состоящийиз смеси порошков твердого электролита следующего состава, г: СцВЬС 110,08, Сц 5 0,1, СцВг 0,01, графита0,02, слой...
Устройство для сборки и пайки конденсаторов
Номер патента: 879666
Опубликовано: 07.11.1981
МПК: H01G 13/00
Метки: конденсаторов, пайки, сборки
...элемент б выполненразъемным из 2-х перемещаемых штоком 5533 оснований 34 с пазами для конденсаторов 35, образующих при смыканиигнезда для конденсаторов. Для проведения одновременной пайки и электротренировки устройство снабжено контактами 36, приводными в движение от кулачка 19 через шток 37, С целью улучшения условий пайки (уменьшение теплоотвода от корпусов конденсаторов 3 к кассете 2) устройство снабжено толкателями 38, перемещаемыми рычагом 39 от кулачка 40,Устройство работает следующим образом.Оператор загружает кольца 12 припоя в вибробункер 22, который от кулачка 18 через рычаг 27 занимает нижнее наклонное положение. От кулачка 1 б, приводимого в движение распределительным валом 15 от привода 13 через редуктор 14,...
Контактная пара реле
Номер патента: 879667
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Баташов, Кривоносов
МПК: H01H 1/06
Метки: контактная, пара, реле
...площ движных контактов, В процессе реле происходит быстрая прираоверхностей контактов, после нтактная пара начинает работат как с гладкой поверхностью. ью изобретения является увелисрока службы контактов релеров.тавленная цель достигается тем,контактной пары реле, содержаподвижные контакты и подвижныйт, установленный с возможностьющения, причем на рабочей поверх.одного из контактов выполненыия, а именно рифления выполнены3 87на рабочей поверхности подвижного,контакта.На чертеже изображена контактнаяпара реле, продольный разрез.Контактная пара состоит из неподвижных контактов 1 с гладкой рабочей поверхностью и дискового контакта 2, подвижного в осевом и угловомнаправлениях и имеющего на рабочейповерхности рифления 3, которые могутбыть...
Контактная система мостикового типа
Номер патента: 879668
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Мергольд, Мишкович, Полибин, Резников
МПК: H01H 1/20
Метки: контактная, мостикового, типа
...в виде косо отсеченных частей полого 25 кругового цилиндра и установленными, соосно с осью вращения контактного мостика 9. Неподвижные контакты 12 расположены под контактным мостиком 9 в плоскости, перпендикулярной плосв 30 кости траверсы 1879668 формула изобретения ИПИ Заказ 9732/24 Тираж 787 Подписно филиал ППП фПатент", г.ужгород, ул. Проектная,4 В исходном (разомкнутом) состоянии цилиндрической контактный мостик 9 удерживается в одном из Фиксированных положений пружинящей собачкой 7 за счет взаимодействия ее с храповым колесом 10. При этом поворачивающая собачка 3 своим свободным концом 5 не давит на зуб храпового колеса 10.4При замыкании контактов совместно с траверсой 1, изолятором 2 и поворачивающей собачкой 3 движутся...
Реле времени
Номер патента: 879669
Опубликовано: 07.11.1981
МПК: H01H 47/18
...переход которого включен между управляющим электродом основного тиристора первогокаскада и одной из вторичных обмотокимпульсного трансформатора последнего каскада, база транзистора соединена с выходом триггера, вход ко-,торого соединен с выходом счетчикаимпульсов, а вход счетчика импульсовподключен к точке соединения управляющего электрода вспомогательноготиристора и вторичной обмотки импульсного трансформатора первого каскада.На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устрой"ства.Устройство содержит каскады, состоящие из основных тиристоров 1-1=1-2,вспомогательных тиристоров 2-1=2"2, Щнагрузки 3-1=3-2, 4-1=4-2, коммутирующих конденсаторов 5-1=5-2, времязадающих цепей на резисторах 6-1=6-2и...
Герконовое реле с двумя устойчивыми состояниями
Номер патента: 879670
Опубликовано: 07.11.1981
МПК: H01H 51/28
Метки: герконовое, двумя, реле, состояниями, устойчивыми
...состоянии какой"либо изгерметиэированных контактов, предположим 1, замкнут под действиемполя магнита 5. При этом, в зависи 5 О 5 20 25 30 35 40 45 50 55 Если в исходном состоянии был замкнут геркон 2, то в зависимости от направления тока, подаваемого в обмотки 3 и 4, также возможны два случая:в) если направление тока в обмот- ках такое, что поля магнита 5 и об- . мотки 3 совпадают, а поле обмотки мости от полярности тока, подаваемого в обмотке 3 и 4, возможны два случая:а) если направление тока в обмотках такое, что поля магнита 5 и обмотки 3 совпадают, а поле обмотки 4 при этом противоположно, то устрой-. ство не изменяет своего состояния, так как на геркон 1 воздействует суммарное поле магнита 5 и обмотки 3 и положение этого...
Устройство для электроконтактной обработки изделий
Номер патента: 879671
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Алексеев, Беклемишев
МПК: H01J 9/02
Метки: электроконтактной
...токосъемный, например графитовый электрод 8.Устройство работает следующим образом.Система игольчатых электродов 5 й электрод 8 посредством привода (на чертежах не показан) перемещаются относительно предметного стола 1 и закрепленного на ней иэделия 2 фс напыленным слоем 3, Ток источника, протекающий по напыленному слою между токосъемным и игольчатыми электродами, имеет наивысшую плотность вблизи острия игольчатых электродов, Когда плотность тока достигает заданной величины, происходит тепловая эрозия напыленного слоя точно под острием игольчатого электрода. Величина плотности тока, необходимая для конкретной детали, рассчитывается заранее и поддерживается посредством автоматически регудируемого Источника питания. Наличие токосъемного...
Способ определения неравномерности коэффициента вторичной электронной эмиссии эмиттера
Номер патента: 879672
Опубликовано: 07.11.1981
Автор: Кутенин
МПК: H01J 9/12
Метки: вторичной, коэффициента, неравномерности, электронной, эмиссии, эмиттера
...чего определяют неравномерность КВЭЭ Ф из следующего соотношения:б О-Огде С - КВЭЭ при облучении всей поверхностиО - максимальный, а б - минимальный КВЭЭ.Для эмиттеров с отрицательным электронным средством (ЭОС) неоднородность КВЭЭ Ф определяют из соотношения 0-ф щ ,б(В эффективных эмиттерах разница между участками с максимальным и )минимальным КВЭЭ может быть значительной. Поэтому справедливо предположить, что существуют две группы поверхнОстей 6,( и 62 с резко отличающимися КВЭЭ О и 62 соответственное Тогда 5 Я+ Бд и б б + бяСуммарный йоток первичных электронов 3 состоит из первичных элект ронов, падающих на поверхностьр.,-3( и из первичных электронов, падающих на поверхность 32- (". Эти потоки вызывают соответственно потоки вто и...
Способ получения люминофорного покрытия
Номер патента: 879673
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Васильев, Круглицкий, Куприенко, Литвин, Петухов, Ройз, Салдугей, Тюркина
МПК: H01J 9/22
Метки: люминофорного, покрытия
...от веса суспензии.Введение окислительного агента 10 на технологической операции приготовление люминофорной суспензии позволяет одновременно (в одну технологическую операцию) приготовлять суспензию и ввоцить в люминофорное покрытие окислитель, При этом исключаются необходимость в дополнительных операциях приготовления раствора окисляющего вещества и нанесение его на люминофорное покрытие, что значительно сокращает трудоемкость процесса и способствует его интенсификации. Применение дополнительного оборудования для обеспечения процесса.нанесения окисляющего агента на слой люминофора также исключается, 25 Способ получения Время созданиялюминофориого по- люминофорногокрытия покрытия (мин) Известный способ(прототип) 7,0 Рыхлый, с локальными...
Электрический контакт
Номер патента: 879674
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Лисс, Лопатин, Соколова
МПК: H01J 29/92
Метки: контакт, электрический
...по отношению кладываемым к стержневперпендикулярно поверрической пластины.площадки в данном контакте могут быть наерхности диэлектричеспо крайней мере частичот пленочного покрытия.представлено предластво в двух проекциях.879674 Составите Техред А,дотов едактор Тираж 787 НИИПИ Государственног по делам изобретений 35, Москва, 3-35, РаЗаказ Подписное о комитета СССР и открытий ушская наб., де 4/5 илиал ППП 1 Патентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Диэлектрическая пластина 1 с нанесенным на нее электропроводным пленочным покрытием 2 имеет свобод" ные от пленочного покрытия поверх" ности 3, перекрываемые контактными площадками 4, что обеспечивает увеличение прочности конструкции за счет выбора материала контактных площадок, имеющего хорошую...
Электродинамический газовый насос
Номер патента: 879675
Опубликовано: 07.11.1981
МПК: H01J 41/00
Метки: газовый, насос, электродинамический
...65 ля, которое проникает в газ, находящийся в диэлектрическом вакуумпро- воде 3. Когда напряженность электрического поля в вакуумпроводе превысит то значение, при котором зажигается разряд, происходит ионизация газа, Предл гаемые варианты выполнения насоса обеспечивают те условия, при которых образовавшиеся ионы и электроны приобретают направленное в одну сторону движение, и сталкиваясь с нейтральными частицами, увлекают их за собой. Электрическое и магнитное поля в резонаторах взаимно ортогональны и сдвинуты по времени друг относительно друга на четверть периода колебаний (фиг. 1 и 2) поэтому частицы газа в вакуумпроводе, как заряженные, так и нейтральные, приобретают скорость в направлении, перпендикулярном направлениям электрического...
Фотоэлектронный прибор
Номер патента: 879676
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Кучеров, Липатов, Миллер, Степанов, Титков
МПК: H01J 43/00
Метки: прибор, фотоэлектронный
...геттера производят в изолированном от катодной колбы отсеке манипулятора после отпая оболочки с вакуумного поста, а монтаж реттера осуществляют после переноса фотокатода в прибор путем одновременного пережима штенгеля и пластичной подложки.На фиг. 1 изображен фотоэлектронный прибор; на фиг. 2 - узел 1 на фиг. 1; на.фиг. 3 - устройство для изготовления предлагаемого прибора.Электроннооптический преобразователь с металлокерамической оболочкой 1 снабжен металлическим, например, медным штенгелем 2. В штенгеле смонтирован геттер 3. Изготовленный вне прибора вводной фотокатод 4, например многощелочной, смонтирован на фотокатодной манжете 5Геттер 3 выполнен, например, в виде бариевой или титановой пленки б на плоской медной подложке 7,...
Омегатронный масс-спектрометр
Номер патента: 879677
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Герценштейн, Хованович
МПК: H01J 49/38
Метки: масс-спектрометр, омегатронный
...пространственной неоднородности магнитногополя в значительной степени исключается,Число оборотов Я резонансногоиона равно: Высокочастотное поле группирует 25ионы в сгустки, причем сдвиг фазмежду скоростью иона и полем равен,согласно формуле (4): и поэтому в качестве условия резонанса Ь:О можно взять" Условие (10) устанавливается методами микрофазометрии: подается наэлектроды ионного источника небольшое переменное напряжение низкойчастоты, тем самым модулируется скорость ионов и тем самым время пролета: где о, - коэффициент модуляциимр1) - частота модуляции. 5 О Для переменной компоненты фазы имеем; При синхронном детектировании переменной компоненты фазы с низкочастотным напряжением, подаваемым на ионный источник, можно определить...
Устройство для локальной электрохимической обработки полупроводниковой пластины
Номер патента: 879678
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Вигдорович, Коровина, Струков, Урывский, Чуриков
МПК: H01L 21/00
Метки: локальной, пластины, полупроводниковой, электрохимической
...корпуса выполненосъемным,На чертеже показано предлагаемоеустройство.Оно содержит корпус 1, на основании 2 которого установлен жестко катод 3, выполненный в виде токопроводящей пластины с помощью винта 4Образец 5, в качестве которого берутполупроводниковую пластину,с пленкойб прижимается к катоду 3 с помощьюкольца 7 с резьбой через уплотнители 158. Кольцо 7 установлено на выступахкорпуса 1 и образует зону обработкипластины. В корпусе ванны выполненыкольцевые проточки 9 для удобствазагрузки пластин различного диаметра. 2 ОПрижимное усилие, создаваемое кольцом,выполненным из диэлектрика, регулируется так, чтобы электролит 10 непроникал в кольцевую проточку 9 и несоздавал замыкания электрическоготока через электролит, минуя пористуюокисную...
Устройство для ориентирования полупроводниковых приборов
Номер патента: 879679
Опубликовано: 07.11.1981
Автор: Мамаев
МПК: H01L 21/00
Метки: ориентирования, полупроводниковых, приборов
...с подпружиненнымФиксатором 5, а на другом конце рабочая поверхность имеет скос С, соответствующий линии ориентации.(нафиг. 3 линия ориентации проходит порадиусу ротора 1). Скос С может бытьвыполнен в любом направлении в состветствии с выбранным положениемориентации полупроводникового прибора в пределах сектора, ограниченногопунктирными линиямина фиг. 3.Копир б имеет две рабочие пРофилированные поверхности для взаимодействия с подпружиненным фиксатором 5 ироликом 11,Устройство работает следующимобразом,55При загрузке полупроводниковогоприбора 12 в паз транспортирующегоротора 1 подпружиненный фиксатор 5находится в выемке копира б, а запирающая планка 10 прижимается пружиной7 через рычаг 8 своей поверхностью 60к части...
Устройство для сборки гибридных интегральных микроузлов
Номер патента: 879680
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Лопухин, Фарберов, Чудаковский, Шелест
МПК: H01L 21/00
Метки: гибридных, интегральных, микроузлов, сборки
...19, второй выход которого соединен с входомгенератора 21 колебаний, а третийс первым входом блока 10 задержки исчетчиком 20, выход которого соединен с вторым входом второй ключевойсхемы 14, выход генератора 21 соединен с электрическим входом координатного стола 3, электрический выходкоторого соединен с входом блока 7.Работа предлагаемого устройствазаключается в следующем,На координатный стол 3 устанавливается эталонная подложка, параметры напыленных элементов которой доведены до расчетных значений, иэ механизма 1 механизм 2 присоединяет кэталонной подложке поочередно всенавесные элементы, образовывая каждый раз функциональный микроузел. Синхронизатор 19 запускает генератор 21, который вырабатывает стимулирующий сигнал и подает...
Устройство для ориентации полупроводниковых подложек по базовому срезу
Номер патента: 879681
Опубликовано: 07.11.1981
МПК: H01L 21/00
Метки: базовому, ориентации, подложек, полупроводниковых, срезу
...двух сторон приводного ролика и установленными своэможностью их перемещения перпендикулярно базовому срезу подложки.На фиг. 1 изображен общий видустройства ориентации; на фиг. 2устройство ориентации в момент базирования,Устройство ориентации содержитоснование 1 (фиг. 1, ), на которомориентируется полупроводниковая подложка 2 с базовым срезом 3, в основании выполнены ориентирующие сопла 4, по которым подается воздухдля создания воздушной подушки между основанием, и подложкой, а такжеустановлены упорный ролик 5 , приводной ролик 6 для вращения подложки, вращаемый приводом 7, базирующий упор 8, дополнительные базирующие упоры 9 и 10, фиксаторы 11и 12 базирующих дополнительных упоров.Устройство ориентации работаетследующим образом.Подложка 2...
Способ получения изображения
Номер патента: 879682
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Гранкин, Коломейко, Погребняк
МПК: H01L 21/302
Метки: изображения
...4 , например серебра, толщиной 0,01-0,05 мкм. После первогоселектинного облучения через трафарет 5 образуется область полупроводникового соединения, легированнаяметаллом. Химическая реакция в растворе, содержащем красную кровянуюсоль и тиосульфат натрия, удаляетостатки слоя 4Второе облучение.распределяет металл иэ областей бна всю толщину слоев 2 и 3Послехимической обработки в щелочном илпониронании дифракционные явления .практически не сказываются на раэре" шающей способности, что объясняется непосредственно контактом легированных областей и основного слоя полупроводника, при котором дифракционные явления сводятся к минимуму.55Следует отметить, что, н случаеиспользования однослойного полупроводникового покрытия, изложенные выше...
Преобразовательное устройство
Номер патента: 879683
Опубликовано: 07.11.1981
Автор: Наконечный
МПК: H01L 25/02
Метки: преобразовательное
...на фиг, 1.Преобразовательное устройство содержит направляющий корпус 1, в котором установлены полупроводниковые приборы 2 и радиаторы 3 с радиально расположенными плоскими ребрами 4. На наружных кромках ребер 4 со стороны стенок направляющего корпуса 1 выполнены кольцевые пазы 5, в которых между стенками корпуса 1 и ребрами 4 установлены уплотняющие вставки 6,выполненные, например,.в виде упругих раэрезных колец, плотно прилегающих к внутренним стенкам направляющего корпуса, Поперечное аечение уплотняющих вставок выполнено преимущественно обтекаемой формы круглой, овальной, эллипсной и т.д.). При установке радиаторов 3 в направляющий корпус 1 уплотняющие вставки 6 могут перемещаться вдоль стенок направляющего корпуса, сохраняя при этом...
Устройство для зарядки аккумуляторов
Номер патента: 879684
Опубликовано: 07.11.1981
Авторы: Белоножко, Зайцев, Кривонос
МПК: H01M 10/44
Метки: аккумуляторов, зарядки
...3, 4 имеющие подвижные 5, б, 7 и не" подвижные 8 - 16 контакты , инвертор 17. Заряжаемые батареи аккумуляторов 18, 19, 20 подключены соответственно к подвижным контактам 5, б, 7 переключателей 2, 3, 4Неподвижные контакты 8, 9, 10 переключателей 2, 3, 4 соединены между собой и подклю,чены к источнику питания 1. Неподвижные контакты 11, 12, 13 соединены между собой и подключены к входу инвертора 17. Неподвижные контакты 14, 15, 16 соединены между собой и подключены к выходу инвертора 17. Подвижные контакты 5, б, 7 переключа" телей 2, 3, 4 установлены со смещением относительно одноименно подсое диненных неподвижнйх контактов, так подвижный контакт 5 переключателя 2 установлен против неподвижного контакта 8, соединенного с источником питания...