Овчаренко

Номер патента: 1778790

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...остальные разрядные шины 2 - низкое положительное напряжение,Если пороговое напряжение выбранного запоминающего транзистора 3 низкое (высокое), не превышает (превышает) напряжение на адресной шине 1, то через него, разрядную шину 2, открытый адресный транзистор 4 выбранной строки протекает (не протекает) ток, что экивалентно единичному (нулевому) состоянию ячейки памяти. Через остальные ячейки памяти ток не протекает, так как закрыты адресные транзисторы 4,Считывание постоянно запрограммированной информации матричного накопителя, его ПЗУ части, определяемой наличием или отсутствием конденсаторов 5, проводится следующим образом.После стирания информации в матричном накопителе облучением его ультрафиолетовым излучением на все стирающие...

Номер патента: 1778451

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Болдырев, Лямаев, Николаев, Овчаренко, Синица, Скоков, Сосин-Ленский, Тютюнников

МПК: F24D 1/00

Метки: теплоснабжения

...пара сопровождается повышением концентрации соли в водяномобьеме котла, что вызывает перемещение раствора по левому трубопроводу 11 циркуляционного контура из нижней части котла 1 в нижнюю часть растворных камер 7 осмотического аппарата 6, В осмотическом аппарате таким образом создаются условия для протекания процесса прямого (естественного) осмоса, так как с одной стороны мембраны 9 имеется соленая вода, а с другой - конденсат (обессоленная вода)Вследствие осмоса конденсат проникает в контур циркуляции, преодолевая гидростатическое давление, имеющееся в нижней точке этого контура.Известно, что если в нижней части контура плотность жидкости уменьшать, а в верхней - увеличивать, то в контуре начнется циркуляционное движение этой...

Номер патента: 1776812

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Брегман, Миценгендлер, Овчаренко, Суслов

МПК: E21D 23/00

Метки: крепь, механизированная, пневматическая

...гибких шлангов 26. Нечетные пневмобаллоны 11, 12 соединены с коллектором 5 с помощью гибкого рукава 27, Нечетные пневмобаллоны 12 соединены с коллектором с помощью гибкого рукава 28, Нечетные пневмобаллоны 13 соединены с коллектором 6 с помощью гибкого рукава 29. Четные , пневмобаллоны 8 соединены с коллектором 3 с помощью гибкого рукава 30,Работа механизированнойпневматической крепи осуществляется следующим образом. В исходном положении базовые балки 1, 2 сближены, пневмобзллонь 8, 11, 12, 13 находятся на одной л, нии. Сжатый воздух подан в пневмобаллоны С, 11, 12, Валлон 13 спущен. Угол между тягами 21, 22 у оси 18 минимальный,После выемки очередной полось. угла выемочным органом четные пневмобаллоны 8 разгружаются, а в...

Номер патента: 1775681

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Гаджибабаев, Овчаренко

МПК: G01R 23/16

Метки: выделения, гармонического, известной, ортогональных, составляющих, частоты

...напряжения сигнала основан На решении системы уравнений 01- ОоЕ "+ ОавП(Вт 1+ уЬ);О Ч -41,+тг)++Ч 3 пв(ц+ 4 Т 1)+уь,где Оо, а- параметры апериодической составляющей определяющих мгновенные значения сигнала с апериодичеокой состав ляющей, различающиеся интервалом дискретизации Т 1.Решение системы уравнений относительно ортогональных составляющих синусоидального напряжения представляет 35 собой выражение ОвсозфЪ =Овсоз(в%1 +фЪ 1) = 08 09 - 06 07 Оя 3 пуЪ =Ч 3 п(В 11+уЪ 1) = 08 012 + 07 01 э где 06 ф К 101+ К 202+ Кзоз+ К 404+ К 606; 07 0104+ К 1 в 020 э+ К 19 ОЗ + К 210204 Ов - О 1 О 6+ К 220204+ К 2 ООЗ 2; 09" Ко 01 + К 702+ Кв Оэ+ К 904;55 012 К 2 з(К 1901+ К 1102+ К 120 З+ К 1 з 04) 01 З К 24 (К 1401+ К 1602+ К 160 З+ К 1704,где К -...

Номер патента: 1774398

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко

МПК: H01L 21/76

Метки: полупроводниковых, структур

...применяемого в элементах памяти зарубежных изготовителей.Указанные известные технические решения, уменьшающие влияние рельефа, могут применяться как по отдельности, так и в совокупности в предлагаемом способе.На фиг,1,2 показаны сечения полупроводниковой структуры на различных этапах ее формирования, на фиг.3,4 - аналогичные сечения другой полупроводниковой структуры с частичным размещением второго диэлектрического слоя на поверхности полупроводниковой подложки,На фиг,1(3) изображена структура после осаждения второго слоя поликристаллического кремния и легирования его азотом на всю толщину этого слоя,На фиг,2(4) показана полупроводниковая структура после термической обработки (отжига),На фиг,1 - 4 используются следующие обозначения;-...

Номер патента: 1774227

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Гинкул, Исаев, Кухтик, Овчаренко, Онищук

МПК: G01N 3/58

Метки: образца, после, состояния

...ИЯУЬгде й - собственная часснятия припуска с образЗу - статический мом1 - момент инерции;0 - вес образца;д - ускорение свободЕ - модуль упругостиЬ - длина образца.При снятии припускаа, происходит перечных напряженийавновешенных сил ивенная частота образца за счет этого перераспределения и изменения жесткости. Та.- ким образом, измерив собственную частоту детали до обработки и после обработки поверхности образца, можно иметь критерий оценки напряженно-деформированного состояния образца, а именно, велицину остаточных напрякений,Ча чертеке приведена схема устройства для реализации предлагаемого способа при измерении остаточных напрякений,Образец 1 устанавливают на опоры 2, 3 стола 4. Затем обрабатывают, т.е. снимают поипуск 1=5 мм с...

Номер патента: 1765444

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Асатурь, Брегман, Овчаренко, Панчишкин, Суслов, Чолак, Шевченко

МПК: E21D 23/00

Метки: крепь, механизированная

...поочередно разгружаются и перемещаются подачей воздуха в сопла жестко связанной с ними базовой балки, 5 ил. Крепь показана в очистном забое 11, примыкающем к откаточному штреку 12, на сопряжении которого с очистным забоем показана ниша 13, в которой размещен выемочный комбайн 14, управляемый лебедкой 15 с вентиляционного штрека 10.После снятия стружки угля шириной,равной г, комбайном 14 по всей длине очи- Л стного забоя его опускают в нишу 13, Раз-, Ь гружают нечетные секции 1 крепи, подают,фв. сжатый воздух в полые базовь 1 е балки 3 и 4, ,фЪ, жестко связанные между собой. Под дейст- вием сжатого воздуха, исходящего из сопл 6, происходит смещение базовых балок 3 и 4 вместе с нечетными секциями 1 крепи в сторону очистного забоя 11....

Номер патента: 1586435

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...хэзьк 6 и ииЕвкбофки зиненЕЧеь-еэинзжкбцен эонзк бМ К 11 ОкеОН хечйод,ом хебоееье 6 ен 5 1 чб Озе 1611 еб.е. ЕчеЕчйме 6 мвм еЕВ фд,эвхз.Обц эн мо 7 ЕчеЕЕеш зечеЕгкйбвй ау Ечбози 6-об,е.з еЕО 1111 еб 91 чее с-, йое,зибегебд, есеч.цчбмсо с одзи 6 эбзе Од, (зниш Цоегзэбге еое 111 еб 9 ы) збосед.е 6 есэпоккаеебцЛ Одз Вк зикзжнйцен (.ьэешЕчсеэбц) сэвшЕчееэйи зн е 1 вбо,е,зе 1611 всЕ,е. Одэщаекиееоцвб О.ЕОН-еВб 9 ЕЧН зикзжкбцен эааодойоц игод эинэжыбцен эоееэггЛ 11 д.а О егоц с вцеиееЭон одоеэЫе К 11 ищ фЧЕеепп ЭЕчеЕекббвб .эЕчеззйее злкней 91 чаэе 1 ЭЕчеЧЕгед,зо вн фэинэжыйцве 1 эон чизд,есжоггоц эомбин оЕВМоц с Чнеше элц Ьыйбеб элеЕЕеесЕ 91 чн и Е Лесееш алнзэйГЕ Я аЕнней 91 чсе вн ыЕгэд.ицоеЕВН Одоеьиб.е,ееч иее 1 еибофее ыешВсцчиьз...

Номер патента: 1642888

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Овчаренко, Сущева

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...полупроводниковой подложки 1. Под дейст-вием высокой напряженности электричес-. кого поля во втором диэлектрическомслое 8 электроны инжектируются с ниж- ней поверхности по 3 икремнневых областей 9, туннелируют через Второй диэлектрический слой 8 и удаляются через области 5, 12 В результате .этого пороговые напряжения запоминающихтранзисторов становятся отрицательными, что эквивалентно единичному про водящему состоянию в режиме считыва" ния информации.3 режиме программирования информа" ции на Выбранную адресную поликремпиевую шину и выбранные разрядные диффузионные шины подают высокое положительное импульсное напряжение(12 В, 1 мс), На соседние разрядныедиффузионные шины и остальные адресные шниы подают нулевое напряжение,на...

Номер патента: 1642886

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...и второй группподают высокое положительное импульс-,ное напряжение (12 В, 1 с), Под действием этих напряжений иэбыточный эа"ряд электроиов удаляется с плавающихзатворов транзисторов 1 череэ конденсаторы 3, в, результате чего их пороговые напряжения становятся отрицательными, что эквивалентно единично 50му состоянию в режиме считывания информациици.Следует. отметить, что.для обеспечения блочного стирания информациив первом режиме через выбранные55транзисторы 5 второй группы на выбранные шины 8 подают высокое положительное импульсное напряжение, при этом остальные транзисторы 5 невЪбранных строк находятся в закрытом состоянии. Через конденсаторы 3 выбранных строк происходит удаление избыточного заряда транзисторов 1 выбранных строк,...

Номер патента: 1628735

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко, Штыров

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

...на управляющие затворы и стоки выбранных запоминающихтранзисторов (нцзкое " на истоки адресных ИДП-транзисторов) через нихпротекают токи, инжектируя "горячие"электроны в запоминающих транзисторах, которые захватьеваются поликремниевыми электродами, увеличивая величину порогового напряжения запоминающих транзисторов до величины б9 В и более.Состояния остальных запоминающихтранзисторов сохраняются неизменными из-эа нулевого напряжения или наадресных поликреиниевых шинах 10 илиразрядных металлических шинах 14,В режиме считывания информации навыбранные ц цевыбраццые запоминающие транзисторы подается положительное импульсное напряжение аналогично, как при программировании, но малой величины и длительности (+5 В,300 нс),Если напряжение ца...

Номер патента: 1669307

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Овчаренко, Портнягин, Серебрянникова, Штыров

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...эффективной ширины канала на 0,1-0,3 и 0,4-0,7 соответственно для элементов памяти с состояниями "1,0" и "0,1".Таким образом, для двухбитнцх зле ментов пвмятй с состояниями "1,1; "1,О"; "О, 1"; "0,0" получены следую" щие соотношения проводимостей каналов относительно нелегированного элемента памяти с состояниями "1.,1" с максимальной проводимостью: 1,О, 0,7" 0,9 0,3-0,6, О.Работа матричного накопителя заключается в следующем.В реаимесчитывания информации нв выбранную поликремниевую адресную в 1" ну 5 подают низкое полоаительное напряжение (3-5 В) на остальные адресные шины 5 - нулевое напрякецие. На выбранные металлические разрядные ши- ны 8, к которь 1 м подключены истоки ИДП"транзисторов, в которых, размещен или отсутствует...

Номер патента: 1607621

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

...затворагс эятеогеетяюдтех ТГ)аеезесторов,Области 15 - Обкееадесаге есоетдееесаторов, другими обкладками - слой 12 обгяс.)1 10 упоявляюдеими затвораме зя)Оминяющих тряеезистот)ОВ и затворми1ядг)есных сеЕЕН-трате зест 01 оввкееюченных .пос гедовя ельно с зепоеееяюпдме трянзисторами, слои 12, с которыми соединены области 14, являются стоками запомнтаюдеих транзисторов, слой12, размещенные между областями 10,являются истоками адресных ИДП-транзисторов и обстей шиной матричногонакопителя.1)абота матричного накопителя заключается в следующем. В режиме считывания информации на выбранную адресную поликрсэгниевую шину 10 подают низкое положительное напряжение+5 В, ца остапыьте адресные поликремниевые шины 10 и общую диффузионнуюшину 12...

Номер патента: 1607620

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...НЯТГряжение а Е 1 сэ выбранцьэе раз э)я 11 ные шиээы 3 подаэат низкое положигельное напряжение, я на соседн 11 е выбранные пэины 3 - нулевое цапря:жение, на остальные разрядные шины 3 нцзкое положительное напряжение. Если пороговое напряжение транзистора 6 ячейки памяти 1 низкое, то через НЕГО ПРО 1 ЕКЯЕТ ТОК ЧТО ЭКВИВЯЛЕНТ цо единичному сОСтояциюе Если ПО 1)о говое напряжение транзистора 6 высокое, то через него не протекает ток что эквийалентно нулевому состоянию,Если при проверке работоспособно" сти матричного накопителя будет ус" . тановлено наличие де 11)ектной строки ячеек памяти 1, то оця заменяется строкой из ячееэ," памяти 4 программируемых электрически, исходные состояния которых эквивалентны единично-, муЯля этого Йя...

Номер патента: 1655242

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...за счетвысокой напряженности стокового электрического поля выбранных запоминаю "щнх транзисторов "горячие" электроныинжектируются из каналов этих транзисторов, захпзтьгваются поликремнггевыми областями, чТо приводит к повьппению их пороговых напряжений. Этоэквивалентно нулевому непроводящемусостоянию в режнгге считывания информации,Состояния остальных невыбраниыхзапоминающих транзисторов сохраняются неггзлгенными из-за нулевого напряжеггия на адресных поликремниевыхплглах илп низкого напряжения на разрядных диффузионных шинах, в результате чего отсутствует инжекция "горячих" электронов в их каналах.В режиме считьвания информации иа,адресные поликремниевые шины и разрядные диффузионные гпины подают более низкое (5 В) напряжение...

Номер патента: 1600552

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...для нулевого состоянняаРабота элемента памяти заключает"ся в следующем,5При подаче относительно истоканизкого положительного напряжения(+5 В) ца область 3, на сток - болеенизкого положительного напряжения1-2 В) череэ него протекает ток, обратно пропорциональный эФФективнойдлине канала. С помощью усилителясчитывания величина тока (больйаяили малая) преобразуется в двоичнуюинформацию (единичную или нулевую).При подаче нулевого напряженияца область 3 элементы памяти (Фиг.1,2) находятся в закрытом состоянии,ток через нцх пе протекает,В элементе памяти (Фиг.З) за счет 20размещения области 6 второго типапроводимости обеспечивается наименьщая эФФективная длина канала, наиболь- .шая крутизна вольт-амперной характеристики ив, чем для элементов...

Номер патента: 1758279

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Зверев, Овчаренко

МПК: F02P 17/00

Метки: времени, зажигания, коммутаторами, ограничения, систем, транзисторными

...элемент И 14 измерительного устройства, для прохождения импульсов генератора тактовой частоты на суммирующий вход реверсивного счетчика 17. В момент, когда придет срез управляющих импульсов, формирователь 7 коротких импульсов установит ВЯ-триггер 9 в "0" и тем самым закроется элемент И 14 для импульсов генератора тактовой часто. ты. В счетчике 17 будет сформированкод й = г 1 о. А в момент, когда на С -вход О-триггера придет фронт следующего управляющего импульса и О-триггер переключится в состояние О-входат.е. логический "0", который и закроет аналоговый ключ, элемент И 6 и элемент И 13 измерительного устройства 12, Таким образом, в счетчике 16 будет сформирован код периода управляющих импульсов, т.е. Й 1 = г 11. В дальнейшем...

Номер патента: 1756939

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Овчаренко, Финк

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...10, затвором которого являетсяадресная шина 3 первой группы, а стоком иистоком - соседние разрядные шины 5 первой группы,Матричный накопитель работает следующим образом,В режиме общего стирания информации на разрядные шины 5 и 6 первой ивторой группы подают высокое положительное импульсное напряжение относительноаДресных шин 3 первой группы, В результате пороговое напряжение всех запоминающих транзисторов 1 становитсяотрицательным, что эквивалентно проводящему состоянию запоминающих транзисторов 1 в режиме считывания информации.В режиме программирования на все адресные шины 4 второй группы подают нулевое напряжение, все ключевые транзисторы2 находятся в закрытом состоянии,На адресную шину 8 третьей группы,шину 9 питания подают...

Номер патента: 1754456

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Будак, Гуйтур, Овчаренко, Цепух

МПК: B28B 1/08, B28B 1/10

Метки: дисперсных, смесей, формования

...вакуум-камеру от пространствательных приборов на боковые поверхности для раэмещенйя оболочки или пресс-фориспытуемогоиэделия, а также обеспечения, 30 мы, т,е, вибростол от вакуум-камеры, прикак за показателями приборов,"таки за по- зтбм, вертикальное перемещение пригруверхностью. Не представляется возможным, . зочной плиты и крышки (являющимися элеприменение современных методов бескон- ментами ограничивающими вакуум-камеру)тактного исследова:ия изделия в процессе не нарушают герметичность вакуумноговибрации и продольного(поперечного) сжа объема.тия.. Такое решение вызвано необходимоЦель изобретения - йовышения качест- стью доступа к боковым стенкам оболочкива изделий и расширение функциональных при определении внутренних...

Номер патента: 1754382

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Альтер, Дмитренко, Косенко, Овчаренко, Походня, Рак, Савенко, Чащихин

МПК: B23K 35/40

Метки: порошковой, проволоки

...щели между краямиотбортовки, а при завальцовке в оболочкепроволоки формируют дополнительныйпродольный внутренний гофр, прилегающий к замковому соединению,На чертеже изображена схема изготовления проволоки по предлагаемому способу.На, чертеже обозначены; 1 - группавалков для формовки исходной полосы воболочку незамкнутой овальной формы сбольшей горизонтальной осью; 2 - питательдля заполнения оболочки порошковыми материалами; 3 - групйа валков для завальцовки оболочки с двойным замковым соединением краев полосы и формовки дополнительного гофра, прилегающего к замковому соединению; 4 - группа валков для формирования противолежащего замку гофра и редуцирования полученной заготовки до заданного диаметра; 5 - схема формовки полосы для...

Номер патента: 1754076

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Заводнов, Логинов, Морозова, Овчаренко, Филиппов

МПК: A61B 17/24, A61M 35/00

Метки: веществами, лекарственными, орошения, ультразвукового

...ультразвуковых колебаний, соединенный с волноводом, на рабочемокончании которого выполнен распылитель, распылитель выполнен в виде эластичной"ступенчатой манжеты, утолщение й кольцевой коллектор которого расположен в узловой зоне волновода, причем кольцевой коллектор соединен гибким капилляром с емкостью для лекарства, а последняя ступень манжеты выполнены в виде тонкостенной трубки, установленной на рабочее окончание волновода, причем конец трубки совмещен с торцом волновода, 1 ил.1754076 Составитель Ю,ИльиныхРедактор С.Лисина Техред М.Моргентал Корректор Н.Буч каз 2836" ,Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ С 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб 4/5 . Производственно-издательский...

Номер патента: 1748112

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Бочкарев, Лупашко, Овчаренко, Стеценко

МПК: G02B 5/28

Метки: интерференционный, фильтр

...графическое решение интерференционного уравнения, поясняюсцее принцип работы фильтра; на фиг, 3 - расчетные угловые зависймости расщепления полос пропускания интерференционных фильтров.Интерференционнцй фильтр (фиг. 1) содержит чередующиеся слои двух диэлектриков В с высоким п и Н с низким п показателями преломления, образующих два зеркала 1, разделенных центральным слоем 2, причем зеркала включают четвер тьволновце слои для длин волн, определяемых выражением (1), слои 3 и по два 4 прилегающих к центральному слою слоя 4 с оптической толщиной в нечетное число раз больше остальных слоев зеркала, Конструкция фильтра может быть представлена в ви-. де И(ВН)цврН 2 В с 1 нов И(НВ), (2)50 или в видей(ВН)В сНоВ 2 Н сВс 1 Н ВМ(НВ), (3) где М + 1...

Номер патента: 1744515

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Лупашко, Львовский, Овчаренко, Стеценко

МПК: G01J 3/26, G02B 5/28

Метки: монохроматизирующее

...момент, соответствующийположению фильтра 2, до максимального, у= 2 р, после поворота обоймы 3 вокруг оси0-0 на угол 1800. При этом фильтр занимаетположение 5, Дальнейший поворот обоймы 3 вокруг оси 0-0 гсризодит к уменьшениюугла падения света на фильтр и возврату фильтра 2 в исходное положение при повороте обоймы на 3600. Образованная клиньями 1 совместно с расположенным между ними фильтром 2 плоскопараллельная пластина при вращении обоймы 3 не изменяет своего положения относительно оптической оси устройства С-С и соответственно про 20 ходящего пучка света.Угол падения света на поверхностьклиньев а остается неизменным и тем самым устраняется изменение интенсивностипроходящего пучка света за счет паразитного отражения на этих...

Номер патента: 1743677

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Овчаренко, Пузырев, Пустовалов, Рудаков, Сдобников, Солодовников

МПК: B22D 11/04

Метки: горизонтального, заготовок, кристаллизатор, литья, непрерывного

...цель достигается тем, что кристаллизатор для непрерывного горизонтального литья заготовок содержит графитовую вставку и корпус охлаждения, состоящий из торцовых и кольцевых боковых стенок,Согласно изобретению толщина одной из торцовых стенок корпуса охлаждения составляет 0,015 - 0,025 его длины,На чертеже приведено устройство кристаллизатора для непрерывного литья заготовок, продольный разрез.Графитовая вставка 1 установлена в металлический водоохлаждаемый корпус, состоящий из кольцевых втулок; внутренней 2 и наружной 3. Торцовые стенки 4 и 5 создают с кольцевыми втулками 2 и 3 замкнутую полость, в которую через подводящие патрубки 6 подается охлаждающая вода, Графитовая вставка 1 сопрягается с кольцевой втулкой...

Номер патента: 1743521

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Алфимцев, Галочкина, Жижин, Киселев, Овчаренко, Пахмутов

МПК: A01K 67/02

Метки: выращивания, индюшат

...получены а 5"й группе (97,013), несколько ниже в 4"й и 6-й группах (96,00 и 95,523), в контроле этот показатель составил 90,021 в прототипе - 93,49, и в 3"й группе - 89,653,П р и м е р 2. В производственных условиях Ерденевской птицефабрики сформировали 4 группы индюшат по 2440-2540 голов в каждой: 1 группаиндюшата с питьевой водой в течение 10 сут получали глюкозу по общепринятой технологии; 2 группа " глюкозу и технический карнитинхлорид;формула изобретения Известный способПредлагаемый способ Контроль Ингредиенты(прототип) 1 2 3 М 5 6 15 20 5 20 15 20 15 20 15 20 15 20 Комбикорм, гГлюкоза, мг/кг Технический кар" ннтннхлорид, мг/кг 30 Цнтрат натрия,мг/кг 80 80 70 90 Таблица 2 Группа Показатели Индюшат наначало опы"та, гол,2540 2440...

Номер патента: 1738933

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Кучин, Овчаренко, Огнев, Савельев

МПК: E02F 3/64

Метки: землеройной, испытания, оборудования, рабочего, режущего, элемента

...реализован способ испытания режущего элемента рабочего оборудования землеройной машины, включает уплотняющий механизм в виде катка 1 или продольной плиты 2 модельный грунт 3,расположенный в лотке 4, который выполнен с возможностью перемещения в грунте 3 режущего элемента 5. Для того, чтобы режущий элемент 5 постоянно находился встесненном грунте, грунт 3 уплотняют одновременным воздействием в вертикальном и горизонтальном направлениях, а режущийэлемент 5 перемещается в зоне максимальных напряжений в грунте 3 с сокращением уплотняющих воздействий, Для этого режущий элемент 5 может быть расположен под уплотняющим механизмом. В уплотняющем механизме в виде плиты 2 может быть выполнен продольный сквозной паз 6, равный длине рабочего хода...

Номер патента: 1738774

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Гребенкин, Овчаренко, Свиридов

МПК: C04B 11/00

Метки: вяжущее

...гидросиликатов,но и гидроалюминатов кальция,Высокая активность природного цеолитового туфа по связыванию не только СаО,но и ЯОз иэ жидкой фазы твердеющей композиции устраняет опасность образованиягидросульфоалюмината кальция трехсуль1738774 40 Таблица 1 фатной формы (эттрин гита) из высокоосновных гидроалюминатов кальция типа СЗАНб и САН,Это приводит к повышению механической прочности и водостойкости вяжущего.Вяжущее готовят совместным или раздельным помолом строительного гипса, портландцемента, природного цеолитового туфа,Полуводный строительный гипс ГБП характеризуется следующими свойствами; нормал ьна я густота гипсового теста (Н Г) 49,2 ., начало схватывания 10 мин, конец 15 мин, прочность при сжатии после 2 ч твердения...

Номер патента: 1736846

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Бадера, Овчаренко, Полуянов, Рощин

МПК: B64C 27/32

Метки: вертолета, несущая

...50 55 Центробежная крыльчатка 9 вращается в противоположную сторону вращения кольцевого крыла 8 и выдувает на его верхнюю поверхность воздух с большой скоростью, который "прилипает" к поверхности крыла 8 и поворачивается по его профилю (эффект Коанда), За счет разрежения в струе и ее движения по профилю происходит эжекция внешнего воздуха, т.е. увеличение расхода воздуха в струе и умень- шение ее скорости, создается аэродинамическая подъемная сила, Подбор скорости вццуваемого воздуха: толщины струи, кривизны и хорды профиля берется из оптимального. соотношения увеличения расхода воздуха и уменьшения его скорости, при которых КПД .системы будет максимальным,Кроме того, воздух,сходящий с кромки крыла 8, имеет закрутку против вращения...

Номер патента: 1731646

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Ильяшенко, Котлярчук, Овчаренко

МПК: B29C 45/14, B29C 45/26

Метки: арматурой, литьевая, полимерных, форма

...15 и с ним подвижными осями 16 захваты 17 и шарнир 18. На хвостовике 19, жестко связанном с основанием 9, расположены копир 20 в виде трехгранной призмы и толкатель 21, промежуточная плита 22, перемещающаяся на направляющих. Литьевая форма загружается автоматическим загрузчиком 23 арматуры.Литьевая форма работает следующим образом,После заливки полимерного материала и требуемой технологической выдержки литьевая форма раскрывается. В исходном положении захваты 17 упираются в боковую поверхность промежуточной плиты 22, следовательно курковый спуск 14 находится в опущенном (отведенном) положении. Затем подвижная полуформа 8 начинает опускаться, при этом толкатель 21 соприкасается с подпружиненным упором 5 и останавливается, а хвостовик 19 с...

Номер патента: 1730556

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Овчаренко, Ткач, Шевченко

МПК: G01N 1/28

Метки: аденомы, диагностики, железы, неколлоидной, препарате, цитологическом, щитовидной

...комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 6 20 шт в микропрепарате плотных шаровидных скоплений фолликулярных клеток с небольшой интенсивно синей цитоплазмой среди плотных клеточных скоплений продолговатой и неправильной формы, а также 5 при одновременном выявлении изолиро-, ванно расположенных пролиферирующих фолликуля рных клеток со светлой цитоплазмой в количестве 0,1-3 % диагностируют аденому. 10П р и м е р 1, Больная 45 лет, жалуется на чувство давления в области средней трети шеи, слабость, раздражительность. Болет 28 лет. Клинический диагноз до морфологического исследования: аденома, 15 аутоимунный тиреоидит, В мазках-отпечатках постоперационного биоптата, окрашенных по Паппенгейму, выявлено; 9 б,1%...