Номер патента: 1035802

Авторы: Аврамиди, Акопов

ZIP архив

Текст

802 2Предложенный ТТЛ- иявертор работаетслщукндим образом,При подаче хотя бы на один из входов.устройства низкого уровня напряжениялогического "О, примерно равного потеяциалу земли, многоэмиттерный транзистороткрывается и на его коллекторе устанавливается потенциал амиттера, что приводит к запиранию входного и второговыходного транзисторов 2 и 3, отпираниюпервого выходного транзистора 5 и получению на выходе 12 высокого потенциала.Токоответвляющий транзистор 4 при этом ра.ботает в активном инверсном режиме,Коллекторный инверсный ток токоответвляюшего транзистора 4 - малая величинапо сравнению с эмиттерным током первого .выходного транзистора 5 и не оказываетсущественного влияния на его работу.Прп подаче на вход устройства высокогопотоипиала логической1 " происхо-;дит перекоммутация базового тока многоэмиттерного транзистора 1 из цепи эмиттера в цепь коллектора, входной и второйвыходной транзисторы 2 и 3 отпираются ина выходе устанавливается низкий потенциал логического "О".При нагрузном токе, втекающем повь 1 хоцной шине 12 в устройство и превышающем коллекторный ток входного транзистора 2 потенциал коллектора второговыходного транзистора 3 становитсявыше потенциала коллектора входного транзистора 2, поэтому базовый ток токоответвлятощегп транзистора4 начинает течь в пепи, коллектора входного транзистора 2 и вводит токоответвляюший транзистор 4 в открытое состояние,прп этом по цепи коллектор-амиттер токо-.ответвляющего транзистора 4 часть нагруэочного тока течет в коллекторнуюцепь входного транзистора 2, Это приводит к уравновешиванию коллекторныхтоков входного и второго выходного транзисторов 2 и 3 и равенству паденийнапряжения на открытых база-амиттерныхпереходах, вследствие чего коллекторныйток многоэмиттерного транзистора 1 норовну распределяется в базы входного и второго выхо,пного транзисторов 2 и 3 и ониодинаково входят в насьпцение (открытое,состояние) . 1035Изобретение относится к импульснойтехнике, и может быть использовано вТТЛ-интегральных схемах.Известен ТТЛ-инвертор, содержащийвходной многоамиттерный транзистор,включенный по схеме с общей базой,коллектор которого подключен к базе выходноготранзистора, включенного по схеме собщим эмиттером, а коллектор черезнагрузочный резистор подключен к шине 1 Опитания 1.Недостатком известного ТТЛ-инвертора является невысокая нагрузочная способность схемы из-за наличия реэистивной нагрузки в цепи коллектора выхопного транзистора.Известен также ТТЛ-инвертор, содержащий входной транзистор, база которогоподключена к входу устройства, амиттер -к общей шине, коллектор через резистор - 2 Ок шине питания и базе первого выходноготранзистора, коллектор которого подключенк шине шггания, а эмиттер - к выходу устройства и коллектору второго выходноготранэпстора, эмиттер которого подклочен, к общей шине, а база - к входу устройст-.ва 21.Недостатками известного устройстваявляются малые быстродействие и нагруэо птая способность,Цель изобретения - увеличение быстродействия и нагрузочкой способности устройства.Для достижения поставленной цели вустройство, содержащее входной транзистор, база которого подключена к вхо,пу устройства, амиттер - к общей шине,коллектор через резистор - к шине питания и базе первого вьгхопного транзистора, коллектор которого подключен к шинепитания, а амиттер - к выхопу устройства40и коллектору второго выходного транзистора, эмиттер которого подключен к общейшине, а база - к входу устройства, введен токоответвляюший транзистор, коллектор которого подключен к выходу устройст-"Д 5ва база через дополнительный резистор -к шине питания, а амиттер - к коллектору входного транзистора.На чертеже приведена принципиальнаясхема прецлагаемого инвертора.56Инвертор содержит многоэмиттерныйтранзистор 1, вхоцной транзистор 2, второй выходной транзистор 3, токоответепяющнй транзистор 4, первый выходной транзистор 5, резисторы 6, 7 и 8, 55 .Питание подается на шину 9, Входамиустройства являются штпты 1 О и 11, выходом - шина 12,При нагрузочном токе, меньшем коллекторного тока входного транзистора 2, потенциал на коллекторе второго выходного транзистора 3 становится ниже потенциала коллектора входного транзистора 2. Часть базового тока токоответвляющего3 1035802 4травистора 4 ответвляется в цепь коллек- Таким образом, исключение базовыхтора второго выхсщйого транзистора 3, резистаров в цепях входного и выходного.его приводит к равенству коллекторных транзисторов позволяет умевшить ихтоков входного и второго выходного тран- насышение, что привопит к увеличениюзисторов 2 и 3 и одинаковой степени их 5 быстропействия и нагрузочной способностиотпщ) анин е .устройства.Составитель А, ЯновРедактор Л. Алексеенко Техред С,Мигунова Корректор Л. БокщанЗаказ 5855/60 Тираж 936 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушскея наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент, г. ужгород, ул. Проектная, 4

Смотреть

Заявка

3369495, 23.12.1981

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1172

АКОПОВ ВЛАДИМИР ПАВЛОВИЧ, АВРАМИДИ ПАВЕЛ ЕВГЕНЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 19/088

Метки: ттл-инвертор

Опубликовано: 15.08.1983

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1035802-ttl-invertor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ттл-инвертор</a>

Похожие патенты