Кравцунова

Л.б. родини к.б. турецкийj: ; i igt; amp;

Загрузка...

Номер патента: 344585

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бодина, Кравцунова, Подольский

МПК: H03K 19/088

Метки: к.б, лб, родини, турецкийj

...включенных инвертирующего и нагрузочного транзисторов, имеют низкое быстродействие, а также содержат технологически неосвоенные элементы.В предлагаемом элементе коллектор и база промежуточного и инвертирующего транзисторов соединены соответственно с эмитте ром и коллектором рассасывающих транзисторов, а базы рассасывающих транзисторов через резистор подключены к базе многоэмиттерного тр анзистора.На чертеже изображена принципиальная 20 схема предлагаемого логического элемента.В предлагаемом логическом элементе повышение быстродействия достигается включением параллельно коллекторным переходам многоэмиттерного транзистора 1 и тран зистора 2 управляющих транзисторов 3 и 4 Транзисторы подключаются своими эмиттерами к коллекторам...