Щебаров

Номер патента: 466620

Опубликовано: 05.04.1975

Авторы: Наумов, Щебаров

МПК: H03K 19/36

Метки: «и-не, логический, элемент

...транзистора 2. Следовательно, транзистор 6 нахо- О дится в режиме насыщения, и высокий уровень напряжения на выходе схемы отличается от напряжения источника питания на величину напряжения насыщения этого транзистора.5 Если на всех входах схемы повышать напряжение, пропорционально повышается напряжение на базе транзистора 7, При некоторой его величине этот транзистор открывается, и через резистор 11 начинает течь ток, ко- О торый создает на нем падение напряжения,достаточное для насыщения транзистора 8.Насыщенный транзистор, шунтируя переход база-эмиттер транзистора 6, закрывает его.При дальнейшем повышении входного на пряжения транзистор 5 открывается и переходит в режим насыщения, обеспечивая на выходе схемы низкий уровень...

Номер патента: 359763

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Московский, Наумов, Пучков, Щебаров

МПК: H03K 19/088

Метки: amp, «и—неgt, логический, элемент

...несколько 25 диодов 8 подключен к источнику питания, и резистор а 9, обеспечивающего цепь тока утечки.Схема рабоКогда хотя атее тает следующим образом. бы на одном,из входов их низкий уровень напряжения (логический О), транзистор 2,находится в насыщении и потенциал коллектора выше потегоциала эмиттера на величину напряжения насыщения транзистора, Делителем напряжения, состоящим из резисторов 6 и 7, потенциал базы транзистора 5 вьгбирается таким, чтобы его эмитторный переход был смещен в обратном направлении. В этом режиме транзистор 5 находится в отсечке и ко входу инвертора 4 лриложен низкий уровень напряжения. На вьгходе,инвертора 4,обеспечивается высокий уровень на 1 пряжения (логическая 1),Если на всех входах схемы повышать...