Логический элемент «и—неgt; amp;:
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 359763
Авторы: Московский, Наумов, Пучков, Щебаров
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликТОР СКОМУ Е 1 ЕЛЬС 1 льства- 676152/26-9 висимое от авт. с М,Кл. Н 90 влено 05,Ч 1971 ( заявки-присоединен Комитет по деламаобретений и открытийпри Совете Министров Приорите К 621.374(088.8 Бюллетень3 убликовано ОЗ,Х 11.19 та опубликования оп ния 19,Х 11.197 Авторыизобретени Ю, Е, Наумов, И. ф, Пучков и Ю. Г. Щебаро Московский а Ленина авиационный институт им. Серго Орджоникидзе аявител ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕН 30 Изобретение относится к,области цифровой техники.Известен логический элемент И - НЕ, содержащий входной,многоэмиттерньгй транзистор, соединенный коллектором с эгмиттером до полнительного транзистора другого типа проводимости,и инвертор,Недостатком такого элемента является изменение его входных пороговых напряжений с изменением температуры. 10Целью изобретения является увеличение тармостабильности элемента. Это достигается тем, что дополнительный транзистор соединен коллектором со входом инвертора, а базой с выходом резистивного делителякоторый через 15 последовательно соединенные диоды подключен к шине источника питания.На чертеже приведена электрическая схема логического элемента И - НЕ.Элемент состоит из логической части 1, 20 выполняющей функцию И, собранной на мнотоэмиттерном транзисторе 2 и резисторе 8; сложного инвертора 4, транзистора 5,противополоокного типа проводимости (р - и - р); делителя на резисторах 6 и 7, который иереэ несколько 25 диодов 8 подключен к источнику питания, и резистор а 9, обеспечивающего цепь тока утечки.Схема рабоКогда хотя атее тает следующим образом. бы на одном,из входов их низкий уровень напряжения (логический О), транзистор 2,находится в насыщении и потенциал коллектора выше потегоциала эмиттера на величину напряжения насыщения транзистора, Делителем напряжения, состоящим из резисторов 6 и 7, потенциал базы транзистора 5 вьгбирается таким, чтобы его эмитторный переход был смещен в обратном направлении. В этом режиме транзистор 5 находится в отсечке и ко входу инвертора 4 лриложен низкий уровень напряжения. На вьгходе,инвертора 4,обеспечивается высокий уровень на 1 пряжения (логическая 1),Если на всех входах схемы повышать напряжение, то пропорционально повышается напряжение,на коллекторе транзистора 2 и на эмиттере т 1 ранзистора 5. При некоторой его,величггне (порог выключения) транзистор 5 начгинаст открываться и в его коллекторной цепи потечет ток, который в некоторый момент обеспечивает падение напряжения на,резисторе 9, необходимое для полного открывания инвертора 4 (порог включения). На выходе инвертора устанавливается низкий уровень напряжения (логический 0) .Зависимость порогов включения и выключения от температуры в основном определяется зависимостью напряжений на переходах транвиоторов 2 и 5 и,диодах 8. Меняя количество диодов 8 и отношение резисторов 6 и 7, можно. Юрчикова Техред 3. Тараненко Корректор Т. Гревцова Реда орская типография 3управлять нащравлением температу 1 рной зависвмости поротовых напряжений и ее величиной. Предмет изобретенияЛогический элемент И - НЕ, содержащий входной многоэмиттерный транзистор, соединенный,коллекторои с эмиттером дополнительаказ5612 Изд.1773 ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений Москва, Ж.35, Раного транзистора другото типа проводимости, инвертор, отличающийся тем, что, с целью увеличения термостабильности,:в нем дополнительный транзистор соединен коллектором со 5 входом онвертора, а базой с выходом резистивного делителя, который через последоваиельно соединенные диоды подключен к шине источника питания. Тираж 40 б Подписное открытий при Совете Министров СССР ская наб., д. 45
СмотретьЗаявка
1676152
Ю. Е. Наумов, И. Ф. Пучков, Ю. Г. Щебаров, Московский ордена Ленина авиационный институт Серго
МПК / Метки
МПК: H03K 19/088
Метки: amp, «и—неgt, логический, элемент
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-359763-logicheskijj-ehlement-inegt-amp.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Логический элемент «и—неgt; amp;:</a>