Логический элемент «и—неgt; amp;:
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 359763
Авторы: Московский, Наумов, Пучков, Щебаров
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликТОР СКОМУ Е 1 ЕЛЬС 1 льства- 676152/26-9 висимое от авт. с М,Кл. Н 90 влено 05,Ч 1971 ( заявки-присоединен Комитет по деламаобретений и открытийпри Совете Министров Приорите К 621.374(088.8 Бюллетень3 убликовано ОЗ,Х 11.19 та опубликования оп ния 19,Х 11.197 Авторыизобретени Ю, Е, Наумов, И. ф, Пучков и Ю. Г. Щебаро Московский а Ленина авиационный институт им. Серго Орджоникидзе аявител ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕН 30 Изобретение относится к,области цифровой техники.Известен логический элемент И - НЕ, содержащий входной,многоэмиттерньгй транзистор, соединенный коллектором с эгмиттером до полнительного транзистора другого типа проводимости,и инвертор,Недостатком такого элемента является изменение его входных пороговых напряжений с изменением температуры. 10Целью изобретения является увеличение тармостабильности элемента. Это достигается тем, что дополнительный транзистор соединен коллектором со входом инвертора, а базой с выходом резистивного делителякоторый через 15 последовательно соединенные диоды подключен к шине источника питания.На чертеже приведена электрическая схема логического элемента И - НЕ.Элемент состоит из логической части 1, 20 выполняющей функцию И, собранной на мнотоэмиттерном транзисторе 2 и резисторе 8; сложного инвертора 4, транзистора 5,противополоокного типа проводимости (р - и - р); делителя на резисторах 6 и 7, который иереэ несколько 25 диодов 8 подключен к источнику питания, и резистор а 9, обеспечивающего цепь тока утечки.Схема рабоКогда хотя атее тает следующим образом. бы на одном,из входов их низкий уровень напряжения (логический О), транзистор 2,находится в насыщении и потенциал коллектора выше потегоциала эмиттера на величину напряжения насыщения транзистора, Делителем напряжения, состоящим из резисторов 6 и 7, потенциал базы транзистора 5 вьгбирается таким, чтобы его эмитторный переход был смещен в обратном направлении. В этом режиме транзистор 5 находится в отсечке и ко входу инвертора 4 лриложен низкий уровень напряжения. На вьгходе,инвертора 4,обеспечивается высокий уровень на 1 пряжения (логическая 1),Если на всех входах схемы повышать напряжение, то пропорционально повышается напряжение,на коллекторе транзистора 2 и на эмиттере т 1 ранзистора 5. При некоторой его,величггне (порог выключения) транзистор 5 начгинаст открываться и в его коллекторной цепи потечет ток, который в некоторый момент обеспечивает падение напряжения на,резисторе 9, необходимое для полного открывания инвертора 4 (порог включения). На выходе инвертора устанавливается низкий уровень напряжения (логический 0) .Зависимость порогов включения и выключения от температуры в основном определяется зависимостью напряжений на переходах транвиоторов 2 и 5 и,диодах 8. Меняя количество диодов 8 и отношение резисторов 6 и 7, можно. Юрчикова Техред 3. Тараненко Корректор Т. Гревцова Реда орская типография 3управлять нащравлением температу 1 рной зависвмости поротовых напряжений и ее величиной. Предмет изобретенияЛогический элемент И - НЕ, содержащий входной многоэмиттерный транзистор, соединенный,коллекторои с эмиттером дополнительаказ5612 Изд.1773 ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений Москва, Ж.35, Раного транзистора другото типа проводимости, инвертор, отличающийся тем, что, с целью увеличения термостабильности,:в нем дополнительный транзистор соединен коллектором со 5 входом онвертора, а базой с выходом резистивного делителя, который через последоваиельно соединенные диоды подключен к шине источника питания. Тираж 40 б Подписное открытий при Совете Министров СССР ская наб., д. 45
СмотретьЗаявка
1676152
Ю. Е. Наумов, И. Ф. Пучков, Ю. Г. Щебаров, Московский ордена Ленина авиационный институт Серго
МПК / Метки
МПК: H03K 19/088
Метки: amp, «и—неgt, логический, элемент
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-359763-logicheskijj-ehlement-inegt-amp.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Логический элемент «и—неgt; amp;:</a>
Формирователь прямоугольных импульсов
Номер патента: 1112540
Опубликовано: 07.09.1984
Авторы: Зайдман, Подкопаев, Ройтман
МПК: H03K 5/01
Метки: импульсов, прямоугольных, формирователь
...включенные диоды подключен к его неинвертнрующему. входу, а через последовательно соединенные третий конденсатор и шестой резистор - с общей шиной.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.Устройство содержит мультивибратор 1, выход которого подключен к входу триггера 2, а его первый выход через параллельно соединенные первый резистор 3 и первый конденсатор 4 - к базе первого р-и-р-транзистора 5, эмиттер которого соединен с об10 15 25 30 35 40 45 щей шиной; коллектор подсоединен к кол.лектору л -р-и-транзистора 6, эм иттер которого подсоединен к отрицательной шине 7 источника напряжения и через второй резистор 8 соединен с базой его, которая через третий резистор 9 подсоединена к коллектору...
Детектор приращений
Номер патента: 296220
Опубликовано: 01.01.1971
Автор: Конов
МПК: H03M 1/12
Метки: детектор, приращений
...этом диод ," запирае 1 ся, и напряжение между эмиттером и базой транзистора 1 становится отпирающей полярности. Вольт-амперная характеристика транзистора принимает вид, показанный на фиг. 5 (кривая 11), а рабочая точка попадает на нестабильный участок отрицательного сопротивления в точку б. Развивается, как и в обычном релаксаторе, регенеративный процесс быстрого разряда, дозирующего уровень квантования конденсатора 4 через малое сопротивление лавинного транзистора 1 в состоянии пробоя. Дозирующий конденсатор 4 передает при этом конденсатору 3 порцию заряда, равную: Я=С 7 (Увкл - Рост), где Унл и гоств соответственно напряжение включения и остаточное напряжение лавинного транзистора, показанные на фиг. 5,Воспринятый накопительным...
Устройство для моделирования электрических нелинейных элементов с односторонней проводимостью
Номер патента: 1737469
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Бондаренко, Войтенко, Резниченко
МПК: G06G 7/62
Метки: моделирования, нелинейных, односторонней, проводимостью, электрических, элементов
...соответственно, входу, вторые выводы первогорвого и второго С целью расширения функциональных возмасштабных резисторов являются входом и можностей за счет моделирования характевыходом устроиства соответственно отли- ристик нелинейных элементов сч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения 40 односторонней проводимостью с углом по- функциональных возможностей за счет мо- ворота от - 90 до +90 введены третий и делирования характеристеристик нелинейных четвертый 4 сумматоры, первый 7, второй 8, элементов с односторонт о носторонней проводимо- третий 9, четвертый 10 и пятый 11 умножистью с углом поворота от - 90 до+90, ввве- тели напряжения, вход устройства подклюдены третий и четвертый сумматоры, 45 чен к первому входу первого...
Динамический инвертор на полевых транзисторах
Номер патента: 235100
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Басиладзе
МПК: H03K 19/0948
Метки: динамический, инвертор, полевых, транзисторах
...цз обкладок запоминающего конденсатора 3. Сток входного транзистора 1 соединен с истоками нагрузочного транзистора 4 и проходного транзистора 5, затвор которого подключен к шине тактовых импульсов 6 и че. рез управляюгццй конденсатор 7 - к общей точке затвора нагрузочного транзистора 4 стока дополнительного транзистора 8; затвор последнего соеднен со входом 2 инвертора.Входной 1 и дополнительный 8 транзисторы включены по схеме с заземленным истоком 9 - выход д шамического инвертора.Динамические схемы на МОП-транзисторах позволяют реализовать лоиес сложныс схемы цифровых вычислительных машин иа малом числе элементов. Так, например, один разряд регистра сдвига состоит из двух последовательно соединенных инверторов, на входы тактовых шин...
Логический динамический элемент «не—или» на транзисторах
Номер патента: 218528
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Филиппов
МПК: H03K 19/084
Метки: «не—или», динамический, логический, транзисторах, элемент
...то от источникаимпульсов ГИ, через резистор 1,транзистор 3 происходит заряд ко 4, при этом транзистор 3усилителя тока.Напряжение на конденсаторе 4 от некоторого отрицательного значения в исходном состоянии увеличивается сначала до нуля, а затем становится положительным. При достижении уровня отпирания транзистора 5, последний открывается и входиг в насыщение.После окончания положительной полуволны диоды 2, 8 и транзистор 3 закрываются. Тралзистор 5 продолжает оставаться в насыщенном состоянии (благодаря тою разряда конденсатора 4 через резистор 6 н цепь базы этого транзистора). Насьпценное состояние транзистора 5 сохраняется в течение всего полупериода,Транзистор 5 запирается после того, какпоступит отрицательная полуволна. При этом с...